INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR SUCRE UNIVERSITARIO

Nombre: Brayan Daquilema

Curso: 2 “A”
Materia: Instalaciones eléctricas
Fecha: jueves 10 de febrero del 2022

INFORME
TRANSITORIOS

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de

salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resisto
El transistor tiene tres partes, como el triodo.

Una que emite electrones (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y otra con
la que se modula el paso de dichos electrones (base). Una pequeña señal eléctrica aplicada entre
la base y el emisor modula la corriente que circula entre emisor y receptor. El primero se
denomina transistor npn, en tanto que el último recibe el nombre de transistor pnp.

El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como
el diamante.

CUALES SON
 Transistor de contacto puntual.
Transistor de unión bipolar.
 Transistor de efecto de campo.
 Fototransistor.
 Material semiconductor.
 Emisor común.
 Transistor de contacto puntual. También llamado “de punta
de contacto”, es el tipo más antiguo de transistor y opera sobre una base de germanio.


POR QUÉ SUCEDEN

Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un dispositivo

semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado para controlar el flujo de
corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente en el conductor base controla
una mayor cantidad de corriente.

En un transistor NPN, el flujo de corriente va desde el terminal del colector al terminal del
emisor, mientras que, en un PNP, el flujo de corriente va desde el terminal del emisor al
terminal del colector. El transistor PNP está formado por dos capas de material tipo P con una
capa intercalada de tipo N.

Cómo circula la corriente en un transistor NPN

Un transistor NPN es impulsado (o activado) por corriente positiva polarizada en la base para
controlar el flujo de corriente del Colector al Emisor. Los transistores de tipo PNP están
impulsados por una corriente negativa polarizada en la base para controlar el flujo del Emisor
al Colector.

Cuál fue el objeto que popularizó el uso del transistor

Objetivos iniciales El transistor es un dispositivo de tres terminales que surge en los

Laboratorios Bell de la AT&T. Se buscaba un conmutador de estado sólido para ser utilizado
en telefonía y para reemplazar tanto a los relés como a los sistemas de barras.
QUÉ CAUSAN EN LOS SISTEMAS

Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector
- base y base - emisor y los tiempos de difusión. Estos transistores por mucha temperatura
explotan dentro del sistema.

El transistor puede fallar al ponerse en corto o abierto entre cualquiera de sus conexiones.
Habiendo fijado la polarización correcta con las resistencias, las señales de entrada y salida de
c.a. deben acoplarse desde el circuito sin perturbar los niveles de c. continua.

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor.

Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor - base y a una
polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de operación normal del
transistor para amplificación.

Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor - base y a
una polarización directa de la unión colector - base. Esta región es usada raramente.

Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en

ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado, pues el transistor
actúa como un interruptor abierto (IC 0).

Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación

en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el
transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0).
CÓMO EVITAR SUS EFECTOS EN LOS SITEMAS

Para proteger al transistor y evitar su degradación se utilizan en la práctica varios circuitos, que
se muestran a continuación:

a) Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner ha de ser superior a la
tensión de la fuente Vcc).

b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.

c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).

Las dos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de saturación a corte,
proporcionando a través de los diodos un camino para la circulación de la intensidad inductiva
de la carga.

En la tercera protección, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el

diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensión Vcc. Diseñando
adecuadamente la red RC se consigue que la tensión en el transistor durante la conmutación
sea inferior a la de la fuente, alejándose su funcionamiento de los límites por disipación y por
avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturación el condensador se descarga a
través de RS.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta,
donde vemos que con esta red, el paso de saturación (punto A) a corte (punto B) se produce de
forma más directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc.
Para el cálculo de CS podemos suponer, despreciando las pérdidas, que la energía almacenada
en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector
se anule. Por tanto:

Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar

descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de
RS y CS ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en
saturación el transistor :

Bibliografía
https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html
https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
https://www.digikey.com/es/articles/transistor-basics