INVESTIGACIONES DE LA UNIDAD 1 DE ELECTRÓNICA DE

POTENCIA APLICADA
1.- ¿Qué es la corriente de recuperación inversa y qué es el tiempo de
recuperación inversa en los diodos de potencia?
Es cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en este disminuye
y momentáneamente se hace negativa antes de alcanzar el valor 0 tal
El tiempo de recuperación inversa es la suma de ta y tb es decir esta depende
del tiempo de caída y del tiempo de almacenamiento
2.- ¿Cuáles son las diferencias principales entre los diodos de unión PN y los
diodos Schottky?
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el
diodo schottky o diodo de barrera tiene una unión Metal-N. Estos diodos se
caracterizan por su velocidad de conmutación y una baja caída de voltaje
cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).
El diodo Schottky usa la unión semiconductora de metal como barrera
Schottky para producir un efecto de rectificación, que es diferente de la unión
P-N producida por la unión semiconductora-semiconductora en diodos
generales. La característica de la barrera Schottky hace que la caída de tensión
del diodo Schottky sea menor y puede aumentar la velocidad de conmutación.

El voltaje de los diodos Schottky es muy bajo. Un diodo general producirá una
caída de voltaje de aproximadamente 0.7-1.7 voltios cuando la corriente fluya,
pero la caída de voltaje de un diodo Schottky es de solo 0.15-0.45 voltios, por
lo que la eficiencia del sistema puede mejorarse.

La mayor diferencia entre los diodos Schottky y los diodos rectificadores

generales es el tiempo de recuperación inversa, es decir, el tiempo requerido
para que el diodo cambie del estado conductor donde la corriente directa fluye
al estado no conductor. En general, el tiempo de recuperación inversa de un
diodo rectificador es de aproximadamente cientos de nS, y si es un diodo de
alta velocidad, será inferior a 100 nS. Los diodos Schottky no tienen tiempo
de recuperación inversa, por lo que el tiempo de conmutación de los diodos
Schottky de pequeña señal es de aproximadamente decenas de pS , El tiempo
de conmutación del diodo Schottky especial de alta capacidad es de solo
decenas de pS. Debido a que el diodo rectificador general causará ruido EMI
debido a la corriente inversa durante el tiempo de recuperación inversa. Los
diodos Schottky pueden cambiarse inmediatamente sin los problemas de
tiempo de recuperación inverso y corriente inversa.

1 – Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de

la flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo
rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de
alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en
sentido directo es bastante grande y supera la capacidad de este diodo.

2 – No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión

inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.

Símbolo del diodo Schottky o diodo de barrera

Sin embargo este diodo encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos

de alta velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se necesitan
grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo
causa poco gasto de energía.

Diagrama con las diferencias en las curvas del diodo Schottky y el diodo
común
El diodo PN común tiene la curva en color rojo y el diodo Schottky en color
azul. Se observa del diagrama que el diodo Schottky tiene una caída de voltaje
cuando está polarizado en directo menor que la que tiene el diodo PN.
También se observa que sucede lo mismo  cuando los diodos se polarizan en
inverso.

El diodo Schottky o diodo de barrera, se llama así en honor del físico alemán
Walter H. Schottky.

3.- ¿Cuáles son los problemas de los diodos conectados en serie y de los
diodos conectados en paralelo Cuáles son las soluciones posibles?

En paralelo

Al añadir ramas a un circuito en paralelo la tensión se iguala a través de todo

el circuito, es decir, el flujo de la corriente debe cambiar para compensar, esto
tiene un efecto en cadena en la resistencia del circuito en su conjunto y resulta
en una menor resistencia del circuito de mas resistencia

Solución
Para aumentar la resistencia es añadir nuevas resistencias en serie entre ellos y
a las ramas

En serie

La conducción de bloqueo inverso cada diodo debe conducir la misma

corriente de fuga u en consecuencia los voltajes de bloqueo pueden ser
distintos en forma apreciable

Solución

Es forzar la partición a voltajes iguales conectando un reistor en paralelo con

cada diodo

4.- Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25°C son: V D=1.0V
a ID=50A y VD=1.0V a ID=50A. Determine el coeficiente de emisión “ɳ” y la
corriente de fuga “Is”.

5.- ¿Qué es el tiempo de desactivación en los BJT de potencia?¿Qué es

FBSOA y RBSOA en los transistores BJT?
6.- ¿Cuáles son las características de transferencia y de salida de los MOSFET
de potencia?

7.- ¿Cuáles son las características de transferencia y de salida de los IGBT?

8.- ¿Cuáles son los problemas de operación en paralelo y de operación en serie
de cada uno de los BJT, MOSFET y IGBT?
9.- Investigar fabricantes o distribuidores de semiconductores de potencia y
características eléctricas límites que tienen (Diodos de potencia, Transistores
BJT de potencia, MOSFET de potencia y IGBT) en México.

1. AMI Semiconductor : Los fabricantes de semiconductores y

dispositivos de circuitos integrados.
2. Advanced Semiconductor Ingeniería : El Grupo ASE es el mayor
proveedor mundial de servicios de fabricación de semiconductores
3. Circuitos cósmicos : Proveedor de analógico e IP diferenciada de silicio
de señal mixta para la integración al sistema en chip.
4. Dynex Semiconductor : Fabricante de semiconductores de potencia
IGBT, GTO, SCR, Tiristores, recuperación y diodos rectificadores
rápidos, módulos de SCR / diodo, montajes eléctricos, filtros SAW y
SOS CI.
10.- Investigar los circuitos electrónicos de potencia para acelerar y frenar el
METRO de la ciudad de México. ¿Qué tipo de dispositivo BJT o MOSFET o
IGBT de potencia usan?