Dispositivos semiconductores: El Diodo - Laboratorio de Dispositivos Electrónicos 1

Dispositivos semiconductores:
El Diodo (Marzo 2011)
Ortega. P, Montoya. C. Estudiantes de Ingeniería Electrónica. EIEE

Abstract: In the present report would study a II. OBJETIVOS

circuit RLC as well as the first treated
semiconductor device until the moment: the
diode, by means of the modeled one using tool
PSPICE AD, in which a circuit can be simulated
giving its nodal description, and its assistant
MODEL EDITOR who allows to modify the
parameters of the device and to create new from
other models.
Resumen: En el presente informe se estudiara un
circuito RLC así como el primer dispositivo
semiconductor tratado hasta el momento: el
diodo, mediante el modelado usando la
herramienta PSPICE AD, en el cual se puede
simular un circuito dando su descripción nodal, y
su asistente MODEL EDITOR que permite
modificar los parámetros del dispositivo y crear
nuevos a partir de otros modelos.
Palabras Claves- Circuito RLC, Diodo, PSPICE
AD, semiconductores.
 Conocer el ambiente de descripción de
circuitos ofrecidos por PSPICE.
 Conocer las técnicas de modelado ofrecida
por PSPICE para los distintos dispositivos
electrónicos.
 Conocer las curvas características de los
dispositivos electrónicos, en este caso el
diodo.
III. PROCEDIMIENTO
A. Uso de PSPICE y PROBE
Con el objetivo de familiarizarse con el uso de
PSPICE se usara esta herramienta para el
modelado del circuito de la figura 1, obteniendo
de manera grafica el voltaje en el nodo 2 y la
corriente en la resistencia R1.

I. INTRODUCCION

Unas cuantas décadas que han seguido a la

introducción del transistor, hacia finales de los
años cuarenta, han sido testigo de un cambio
asombroso en la industria de la electrónica. La
miniaturización que se ha logrado nos deja
sorprendido de sus alcances. Sistemas complejos
aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles
de veces más pequeña que un solo elemento de
las redes iníciales.
Con el objetivo de estudiar el comportamiento de
los distintos dispositivos semiconductores
existen herramientas de simulación que permite
evaluar las características eléctricas de estos
dispositivos.
Fig. 1. Diseño esquemático de un circuito RLC simple.
La descripción del anterior circuito se detalla en
la figura 2, El circuito será analizado usando el
análisis transitorio registrando hasta 360 ms, con
un paso de 10μs, sin embargo con el objetivo de
obtener una mejores graficas se modifica el
tiempo del análisis transitorio a un valor de 760
ms dado que la corriente del condensador y su
transitorio que dura aproximadamente 200 ms.

PSPICE es un software de simulación de

circuitos eléctricos/electrónicos, que nos permite
observar las características eléctricas de los
dispositivos electrónicos y los efectos que se
producen en éstos ante cambios en los
Fig. 2. Descripción nodal del circuito de la figura 1.
parámetros del mismo.
Posterior a esto se simula y se obtiene las
graficas del voltaje en el nodo 2 y la corriente en
Dispositivos semiconductores: El Diodo - Laboratorio de Dispositivos Electrónicos
la resistencia R1, al igual que el desfase entre
ambas señales.
La amplitud del Voltaje en el nodo 2 es de
7.0032 V y la corriente en R1 es de 1.1632A, la
Fig. 3. Voltaje en el nodo 2 y corriente en la resistencia R1
Realizando un análisis fasorial para comparar
entre lo simulado y lo teórico, Calculamos las
impedancias de los componentes del circuito:
El voltaje de entrada lo tomamos como
referencia a un ángulo de 60 , por lo que
tenemos:
Calculando la impedancia entre la inductancia y
el capacitor se tiene:
Sumando y tenemos la impedancia total
del circuito,
La corriente que circula por el circuito (y por la
resistencia) es entonces:
2
diferencia temporal entre ambas señales es de
4.167ms que corresponde a un desfase de
.
El voltaje en el nodo 2 corresponde a:
Del anterior análisis se puede observar un
desfase entre ambas señales e de ,
que es casi igual al resultado obtenido en
simulación, la diferencia entre ambos resultados
radica en la precisión que se tiene a la hora de
ubicar el cursor en las graficas de PSPICE.
B. Modelado del Diodo usando PSPICE
“El diodo es el elemento semiconductor más
simple que existe y está compuesto en su forma
más básica por una unión pn. La operación de la
unión pn es tal, que el dispositivo conduce una
corriente apreciable en un sentido de
polarización, pero conduce una corriente muy
pequeña en el otro sentido, tal y como lo muestra
la figura 4.
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Fig. 4. Polarización del diodo. Polarización directa (derecha),
polarización inversa (izquierda.).
La polarización directa ocurre cuando el voltaje
VD es positivo y mayor a unas décimas de
voltio. En este caso la corriente que fluye por el
diodo, la fuente V1 y la resistencia está
fundamentalmente limitada por elemento
resistivo. La polarización directa del diodo está
asociada a su estado de encendido o conducción.
La polarización inversa del diodo ocurre
fundamentalmente cuando el voltaje VD es
negativo o de valor muy cercano a cero voltios.
En este caso la corriente que fluye por el diodo
está limitada por el mismo elemento y su valor es
despreciable o muy cercano a cero.
La polarización inversa está asociada al estado
de apagado o de no conducción del diodo.
La curva voltaje – corriente del diodo puede
explicar de una manera más exacta el
funcionamiento del diodo. Se trata de una gráfica
en donde se grafican el voltaje Ánodo –Cátodo
del dispositivo contra la corriente que circula por
el mismo. La figura 5 muestra una curva típica
para un diodo de unión pn.
Fig. 5. Característica voltaje-corriente de un diodo ideal.
El diodo pn debe ser entendido como un
dispositivo unilateral. Esto significa que se trata
de un dispositivo que tiende a conducir corriente
más fácil en un sentido que en el otro. Esta
situación se evidencia fácilmente en la figura 5.
3
Se pueden observar las zonas de conducción y
de no conducción referenciadas anteriormente.
Para lograr una conducción en el diodo,
simplemente es necesario aplicar un voltaje
ánodo–cátodo y mayor a unas cuantas décimas
de voltio. Como puede verse en la zona de
conducción, la corriente en el diodo puede crecer
a valores considerables y solo está limitada por
elementos externos al diodo.
La zona de no conducción corresponde a la
región en donde la corriente que circula por el
diodo tiene un valor despreciable. En esta zona la
corriente que circula por el diodo es del orden de
nano amperios y está limitada por el mismo
elemento. A esta zona corresponde los voltajes
cercanos a cero y de valor negativo en el diodo.
Sin embargo, si se aumenta en magnitud el valor
de voltaje negativo aplicado al diodo, es posible
que se logre una avalancha del mismo. En esta
región el diodo conduce corrientes de valor
considerable, a pesar de estar polarizado en
sentido inverso.
La frontera en el eje de voltaje entre las zonas de
conducción y de avalancha es llamado voltaje
Zener y depende de la aplicación del diodo
particular” [1].
Se modelara el circuito de la figura 6,
configurando los siguientes parámetros del
diodo: .
La descripción nodal se detalla en la figura 7,
donde se le configuran los parámetros
establecidos en la guía.
Fig. 6. Circuito propuesto para obtener la curva característica
del Diodo.
Fig. 7. Descripción del circuito de la figura 4.
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De la figura 8 se observan las curvas 407.789mV y la corriente en el diodo es de

correspondientes al voltaje en la resistencia R1, 9.544mA.
el voltaje en el diodo, y la corriente del diodo en
función del tiempo.

Donde se tiene que el voltaje en el nodo N2 es de

9.589V, el voltaje ánodo-cátodo es de

Fig. 8. Voltaje en R1, Voltaje Ánodo-Cátodo del diodo, Corriente en el diodo (Verde-Azul-Rojo respectivamente).

de operación para semiconductores y fuentes

controladas. Después de activar la simulación se
busca en el archivo de salida (Output File) los
datos relacionados con el punto de operación del
diodo.

Fig. 9. Curva característica voltaje-corriente de un diodo.

La anterior curva se obtiene usando la

simulación con el perfil DC Sweep, esta curva
Fig. 10. Punto de operación del diodo modelado.
de acuerdo a la figura 5, corresponde a la zona de
conducción del diodo con las características
descritas en la figura 7, Para lograr una
conducción en el diodo, simplemente es
necesario aplicar un voltaje ánodo–cátodo y
mayor a unas cuantas décimas de voltio. Como
puede verse en la zona de conducción, la
corriente en el diodo puede crecer a valores
considerables y solo está limitada por elementos
externos al diodo.

Para conocer el punto de operación del diodo de

la figura 6, se utiliza la simulación con el perfil Fig. 11. Curva característica I-V del diodo y derivada de la
BiasPoint activando la opción de incluir el punto corriente en función del voltaje del diodo (conductancia).
Puntos de operación.
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tenga un valor negativo mayor al voltaje zener o

Inicialmente el voltaje de ruptura zener del diodo voltaje inverso de ruptura del diodo.
del circuito de la figura 6 es de 200V, con el
objetivo de poder apreciar el fenómeno a bajo
voltaje se cambió el valor de su parámetro BV de
200V a 2V. Para poder apreciar el efecto zener
en el tiempo es necesario que la onda de entrada

Zona de Conducción

Zona de no Conducción

Zona de Avalancha

Fig. 12. Curva característica voltaje-corriente de un diodo con BV=2V.

Al modificar el parámetro del voltaje de ruptura capacitancia de transición, y ambos en serie con
del diodo, se puede apreciar las tres zonas una resistencia parásita.
características del diodo, en ella se puede ver una
zona denominada avalancha aproximadamente
-2.5 V. La zona de no conducción de un valor
cercano a los 2.4 V y una zona de conducción en
donde el diodo se activa cuando se polariza en
forma directa, de un valor aproximado a los 0.4
V.
Fig. 13. Modelo del Diodo según PSPICE.
C. Modelo Ideal del Diodo
Se realizara el modelado de un diodo 1N4148
La figura 13 corresponde al modelo del diodo
así como su modelado ideal para comparar las
según PSPICE, que consiste básicamente en una
diferencias en las curvas entre ambos modelados.
fuente de corriente en paralelo con una

Fig.14. Modelo del diodo 1n4148 e ideal con sus parámetros.

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Se implemento un circuito similar al de la figura EDITOR, posterior a esto se graficaron las

6, pero mediante la captura esquemática del curvas características corriente-voltaje para
circuito, la fuente es una señal DC de 5V, los ambos modelados.
parámetros se modificaron mediante MODEL

Fig. 15. Curva característica voltaje-corriente de un diodo ideal.

Fig. 16. Curva característica voltaje-corriente del diodo 1n4148.

Inicialmente el voltaje de ruptura zener del diodo
1n4148 del circuito de la figura 6 es de 100V,
con el objetivo de poder apreciar el fenómeno a
bajo voltaje se cambió el valor de su parámetro
BV de 100V a 2V. Para poder apreciar el efecto
zener en el tiempo es necesario que la onda de
entrada tenga un valor negativo mayor al voltaje
zener o voltaje inverso de ruptura del diodo.
Como se puede ver el diodo ideal puede suplir
más corriente con un mínimo de voltaje respecto
al 1N4148, esto se puede entender mejor a partir
de sus curvas características I-V como lo muestra
la Figura 15 para el diodo ideal y la Figura 16
para el 1N4148, si recordamos los tres modelos
establecidos para el diodo, el modelo ideal
establece la conducción del diodo para valores
mayores a cero tal como se observa en la figura
15, el segundo modelo tiene en cuenta el voltaje
umbral o de conducción del diodo en este caso es
un valor cercano a 0.7V.

IV. CONCLUSIONES

El uso de herramientas como PSPICE permite el

modelado de los dispositivos electrónicos
Fig. 17. Puntos de operación del diodo 1N4148.
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estudiando el comportamiento de los mismos

ante variaciones en sus parámetros.

El modelo ideal del diodo establece la

conducción del mismo para valores mayores a
cero, en el segundo modelo tiene en cuenta el
voltaje umbral o de conducción del diodo.

El comportamiento de las bobinas y capacitores

en AC crean un desfase entre el voltaje y la
corriente ya sea en adelanto o atraso
respectivamente.

V. REFERENCIAS

[1] Guías de Laboratorio de Dispositivos Electrónicos.

Universidad del Valle.
[2] Malvino, P. “Principios de Electrónica”. Editorial
Mc GrawHill. Edición sexta, Año 2000.
[3] Boylestad, R. Nashelsky, L. “Electrónica: Teoría
de circuitos” .Editorial Pearson Education. Edición
Sexta. Año 1997.
[4] Guías de Circuitos Electrónicos I. Martínez,
Duber. Universidad del Valle.