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EC2178
Circuitos Electrónicos II

1 Amplificadores Multietapa (V) Prof. Manuel Rivas


Temario 5
 Amplificador diferencial con carga activa (BJT)
 Amplificador diferencial con carga activa
(MOSFET)
 Amplificador diferencial con carga activa
(BiCMOS)
 Ejemplos

2 Amplificadores Multietapa (V) Prof. Manuel Rivas


Amplificador diferencial con carga
activa (BJT) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de dos
transistores
IQ
I1  I2 
2
I3  I1
I4  I3
• Si le conectamos una
carga (otra etapa de
amplificación) a la salida del
amplificador diferencial lo
desbalanceamos
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Amplificador diferencial con carga
activa (BJT) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de tres
transistores
IE5  IB3  IB 4
I3 I4 I3  I4
IE5   
  
IE5 I3  I4
IB5  
  1 (  1)
I3  I4  IQ
IQ IQ
IB5   Io  IB5 
(  1) (  1)

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Amplificador diferencial con carga
activa (BJT) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de tres
transistores

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Amplificador diferencial con carga
activa (BJT) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de tres
transistores

 gmvd 
Vo  2 (ro2 // ro 4 // RL )
 2 
Vo
Ad   gm (ro2 // ro 4 // RL )
vd

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Amplificador diferencial con carga
activa (MOSFET) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de dos
transistores
IQ
ID1  ID2 
2
ID3  ID1
ID 4  ID3
gm  2 KNID
1 VA
ro  
ID ID

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Amplificador diferencial con carga
activa (MOSFET) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de dos
transistores

8 Amplificadores Multietapa (V) Prof. Manuel Rivas


Amplificador diferencial con carga
activa (MOSFET) 5
 Amplificador diferencial con carga activa de dos
transistores

 gmvd 
Vo  2 (ro2 // ro 4 )
 2 
Vo
Ad   gm (ro2 // ro 4 )
vd

9 Amplificadores Multietapa (V) Prof. Manuel Rivas


Amplificador diferencial con carga
activa (MOSFET) 5
 Amplificador diferencial con fuente de corriente
cascodo
Ro  ro 4  ro6 (1  gmro 4 )
Vo
Ad   gm (ro2 // Ro )
vd

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Amplificador diferencial con carga
activa (MOSFET) 5
 Amplificador diferencial con fuente de corriente
cascodo
Vo
Ad   gm (Ro 4 // Ro6 )
vd
Ro 4  gmro2ro 4
Ro6  gmro6ro8

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Amplificador diferencial con carga
activa (BiCMOS) 5
 Tecnología BJT (mayores valores de
transconductancia) y tecnología MOSFET (mayores
valores de impedancia de entrada)
 Configuración Darlington

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Amplificador diferencial con carga
activa (BiCMOS) 5
 Configuración Darlington
Io  gm1vgs  gm2v
Vi  vgs  v
v  gm1vgsr
Vi
Vi  vgs  gm1vgsr  vgs 
1  gm1r
Io  gm1vgs  gm2gm1vgsr  Io  (gm1  gm2gm1r )vgs
Vi Io gm1  gm2gm1r
Io  (gm1  gm2gm1r )  
1  gm1r Vi 1  gm1r

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Amplificador diferencial con carga
activa (BiCMOS) 5
 Fuente de corriente cascodo

Ro  ro4
Ro  (gm6ro6 )ro 4
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Amplificador diferencial con carga
activa (BiCMOS) 5
 Fuente de corriente cascodo

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Amplificador diferencial con carga
activa (BiCMOS) 5
 Amplificador diferencial : mayor impedancia de
entrada y corrientes de polarización en la entrada
casi nulas

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Ejemplos 5
 Ejemplo 5-1:determine la ganancia del amplificador
operacional mostrado
• Datos:
IC7=IQ=0.2mA
IC8=1mA
R4=10k
R3=0.2k
=100
VA=100V

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Ejemplos 5
 Análisis en CC del amplificador

V   VBE( on )  V 
I1 
R1
IQ  IC 7 
IQ
IC1  IC2 
2
IC 7  IC11

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Ejemplos 5
 Análisis en CC del amplificador
IQ
Io  IB5 
(  1)
IE 6 IE 7
Io  
(  1) (  1)
Vo  0V
Vo  V   V 
IE8  
R4 R4

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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador

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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador
Vb6  V6  V7
V6  Ib6r6
V7 V6
  gm6V6
r7 r6
 1
V7  r7  V6  r7 (  1)ib6

r
 6 
Vb6  ib6r6  r7 (  1)ib6
Vb6
Ri   r6  r7 (  1)
ib6
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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador
1
A1  gm (RC // Ri )
2
vo3  ic7RL 7
vo3  ib7 RL 7
vo3  (  1)ib6RL 7
vb6
vo3  (  1) RL 7
Ri
vo3 RL 7
A2   (  1)
vb6 Ri
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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador
A3  1
AVT  A1  A2  A3
1 RL 7
AVT  gm (RC // Ri )(  1)
2 Ri
RL 7  RC11 // RB8
RC11  ro11(1  gm11RE' )
RE'  r11 // R3
RB8  r8  (  1)R4

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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador
r8  RC11 // RC 7
Ro  R4
1
RC11  ro11(1  gm11RE' )
RE'  r11 // R3
VA
RC 7  ro7 
IQ
ro11(1  gm11RE' )ro7
RC11 // RC 7 
ro11(1  gm11RE' )  ro7

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Ejemplos 5
 Ejemplo 5-2:determine el punto de reposo de
todos los transistores y la ganancia total del
circuito

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Ejemplos 5
 Análisis en CC del amplificador operacional
10V  0.7V  ( 10V )
I1   1mA
19.3k
 I1 
IQR2  VT ln   IQ  0.4mA
I 
 Q
IQ
IC1  IC2   0.2mA
2
Vo2  V   IC2RC  10V  (0.2mA )(20k)
Vo2  6V
Vo2  2VBE( on ) 6V  1.4V
IR 4    0.4mA
R4 11.5k
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Ejemplos 5
 Análisis en CC del amplificador operacional
IR5  IR 4  0.4mA
Vo3  V   IR 5R5  10V  (0.4mA )(5k)
Vo3  8V
R3  R2  IR 6  IQ  0.4mA
VB6  Vo3  VBE( on )  IR 6R6  8V  0.7V  (0.4mA )(16.5k)
VB6  0.7V
Vo  VB6  VBE( on )  0V
Vo  V  0V  ( 10V )
IR 7    2mA
R7 5k
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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador operacional
AVT  A1  A2  A3
Vo2 Vo3 Vo
AVT   
V1  V2 Vo2 Vo3
Vo2 gm (RC // R12 )
A1  
vd 2
Ri2  r3  (1  )r 4
2VT
r3   650k
IR 4
VT (100)(26mV )
r 4    6.5k
IR 4 0.4mA
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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador operacional
Ri2  650k  (101)(6.5k)  1307k
IQ 2 0.4mA
gm    7.70mA / V
VT 26mV
(7.70mA / V )(20k // 1307k)
A1   75.8
2
IR 4
A2  (R5 // Ri3 )
2VT
Ri3  r5  (1  )(R6  r6  (1  )R7 )
VT (100)(26mV )
r5    6.5k
IR 6 0.4mA
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Ejemplos 5
 Análisis en CA del amplificador operacional
VT (100)(26mV )
r6    1.3k
IR 7 2mA
Ri3  6.5k  (101)(16.5k  1.3k  (101)5k)
Ri3  52.8M
0.4mA
A2  (5k // 52.8M)  38.5
2(26mV )
Vo
A3  1
Vo3
AVT  (75.8)(38.5)(1)  2918

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