INSTITUTO POLITÉCNICO

NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA

MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD AZCAPOTZALCO

ELECTRÓNICA

PROFESOR
M. EN C. RAÚL RIVERA BLAS
 DIODO IDEAL

 Cuenta con características que lo asemejan a un interruptor sencillo.

 Es un dispositivo de dos terminal que se representa por el símbolo y
características de la figura 1
 Solo permite la conducción de corriente en una sola dirección.

Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad que se

localiza entre los extremos de un dieléctrico y de un conductor.
 MATERIALES INTRÍNSECOS

Una unión de átomos reforzados por electrones compartidos se denomina

enlace covalente a pesar de que el enlace covalente asegura un vinculo fuerte
entre los electrones de valencia y su átomo es posible que estos adquieran
suficiente energía cinética de origen natural para poder romper dicho enlace y
asumir un estado libre.

 Las causas naturales incluyen efectos como energía luminosa (fotones)

o energía térmica.
 Los materiales intrínsecos son aquellos que se han refinado
cuidadosamente con el objetivo de reducir las impurezas, hasta un nivel
muy bajo.
 Materiales semiconductores como el germanio y el silicio presentan una
reducción en la resistencia cuando se incrementa la temperatura.

NIVELES DE ENERGÍA

Energía Energía

Banda de Banda de conducción

Conducción …

Eg<5ēV Eg

….. ….
Banda de Valencia
Banda de Valencia
 MATERIALES EXTRÍNSECOS

Un material extrínseco es un material semiconductor que se ha sujetado a un

proceso de dopaje. Existen 2 materiales extrínsecos que son el tipo N y el tipo
P.

MATERIAL N

El material tipo N se crea al introducir elementos impuros con 5ē de valencia

(antimonio, arsénico, fósforo)
Ejemplo:

MATERIAL TIPO P

Se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o silicio con

átomos de impureza que cuenta con 3ē de valencia (boro, galio, indio).

 En un material tipo N el electrón se denomina “portador mayoritario” y el

hueco “portador minoritario”.
 En un material tipo P el hueco es “portador mayoritario” y el electrón el
“portador minoritario”.

DIODO SEMICONDUTOR

El diodo semiconductor se forma al unir un material P y N o viceversa. En el

momento en que 2 materiales de estas características se unan los electrones y
los huecos en la región de unión se combinaran.

Esta región de iones positivos y negativos se denominan “región de

agotamiento” debido a la disminución de portadores en ella.

POLARIZACIÓN DIRECTA DE UN DIODO

POLARIZACIÓN INVERSA DE UN DIODO

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Is= corriente de saturación inversa (μA)
K=
n= 1Ge y n= 2Si
Tk=Tc+273
VD= Voltaje del diodo

-12 + 0.7v + 0.3v + ID(5.6KΩ) = 0

ID (5.6KΩ) = 11v = Vo
= 1.96mA

2
3

CALCULAR I1, I2, ID2

CIRCUITO 1

-10v +4700 (ID) + 0.7v + 2200 (ID) - 5v = 0

6900 (ID) = 14.3v

= 2.07mA

Vo = ID R2-5 = (2.07mA) (2200) – 5 = -0.446v

CIRCUITO 2

-12v + 0.3v + 2200(ID) = 0

Vo=11.7

CIRCUITO 3
MALLA 1

-20v+0.7v+0.7v+5600(I2)=0

5600Ω(I2)=18.6v

MALLA 2

-0.7v+3300 I1=0

NODO A

I1+ ID2 - I2=0

ID2 = I2- I1 =3.332-0.212

ID2 =3.108mA

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

PIV (PRV)
El voltaje pico inverso odel diodo tiene importancia primordial en el diseño de
sistemas de rectificación.
Este valor normal de voltaje NO deberá exceder en la región de dolarización
inversa o el diodo entraría en la región de avalancha Gener.
Valor normal PIV≥Vp

OSCILOSCOPIO

EL MULTÍMETRO MIDE VRMS

Donde:
V= Voltaje (V)
T= tiempo (seg)

RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA

Ciclo positivo

Ciclo negativo

TRANSFORMADOR CON DERIVACION CENTRAL

Vcd= 0.636(Vm-VT)

CICLO POSITIVO

10V= VD2+ VAc

VAC =10-0.7=9.3V

Como son dos resistencias

CICLO NEGATIVO

VBC + VD1 =10

VRL =10-0.7=9.3V

Encontrar Vo, I

MALLA 1

-10+0.7- I1(R1)+ I3 (R3)=0

Malla 2

-10+0.7- I2(R2)+ I3 (R3)=0

Nodo A

I3= I1+ I2
-9.3+ I1 R1+ (I1+ I2) R3=0

-9.3+ I1 (R1+ R3) + I2R3=0

-9.3+4 I1+2 I2=0......ecuacion1

-9.3+ I2 R2 +(I1+ I2) R3=0

-9.3+ I2 (R2+ R3) + I1R3=0

-9.3+4 I2+2 I1=0......ecuacion2

.....de ecuación 1 sustituye en 2

=0

-9.3+18.6-8 I1+2 I1=0

9.3-6 I1=0

I3= I1+ I2=3.1mA

Vo= I3 R3=(3.1mA)2KΩ=6.2V

: Durante la carga

Vmáx= Vpico= VLOAD-2 VD

iLOAD/c (T)<<Vp-2 VD

T=periodo en la carga de voltaje

Decremento del voltaje del capacitor entre recargas

Vc=(Vp-Vf)e –t/RLC

iD=iC+ iLOAD =

Si VLOAD =Vin-Vf para D1 en inversa t = e

DIODO ZENER

Caso Vi y R fijas

1.- Determinar si el diodo zener esta encendido

2.- Si esta encendido sustituir

VL = V z

IR = Iz + IL por lo tanto Iz = IR - IL
Para la figura anterior determinar: VL, VR, Iz, PZ
Si:
Vi=16V
R=1KΩ
Vz =10V
PZ =30mW
RL =1.2KΩ

Vz se enciende a 10V por lo tanto zener esta apagado

Realizar el mismo ejercicio sustituyendo

Caso V y R Variables
 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

IE = IC + IB Siempre se debe cumplir esta ecuación

IC = IC mayoritarios + ICD minoritarios

Símbolo general

(da corriente) (recibe corriente)

Una de las operaciones es utilizarlo como amplificador de pequeña señal

C1 = 10μF
C2 = 10μF
RB = 2.40KΩ
Vcc = 12V
Rc = 2.2KΩ
β = 50

Cuando se analiza un circuito en

cd al capacitor bloquea el flujo
de corriente

Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija.

a) IBa e ICa
b) VCEa
c) VB e IC IE ≈ I C
d) VBC
IC = βIB
MALLA BASE-EMISOR

-12V + IB RB + VBE = 0 Β= relación de

ganancia de corriente
-12V + IB(240KΩ) + 0.7V = 0

α=
IB = 12 – = 47.08μA

MALLA COLECTOR-EMISOR

-12V + IC RC + VCE = 0

-12V + β IB RC + VCE = 0
-12V + (50) (47.08μA) (2.2KΩ) + VCE = 0

VCE = 12 – (50) (47.08μA) (2.2KΩ) = 6.82V

VB = VBE = 0.7V

VC = VCE = 6.83V

VBC = VB – VC = 0.7 – 6.83 = -6.13V

Configuración estabilizado en emisor

V1 = 18V
V2 = -3V
RB = 430 KΩ
RC = 2KΩ
RE = 1KΩ
C3 = 40μF
β = 80

Como analizamos primero en cd los capacitares están abiertos.

MALLA BASE-EMISOR

-18V + IB (430KΩ) + VBE + IE(1KΩ) – 3V = 0

Tenemos que:

IE = I C + I B β= IC = βIB

IE = β IB + IB = IB (β + 1)
-18V + IB (430KΩ) + 0.7V + IB(80 + 1) (1KΩ) – 3V = 0
IB = 18V – 0.7V + + (81) (1KΩ) = 39.7μA

IC = β IB = (80) (39.7μF) = 3.176mA

MALLA COLECTOR-EMISOR

-18V + IC (2KΩ) + VCE + IE (1KΩ) – 3V = 0

Tenemos que:

IE = IB + IC = 39.7μA + 3.17mA = 3.20mA

Por lo tanto:

-18V + (3.17Ma) (2kΩ) + VVE + (3.21Ma)(1kΩ) – 3v = 0

VCE = 18V + 3V – (3.17Ma)(2) + (3.21)(1)

VCE = 11.45V

Considerando:

IC ≈ IE

Por lo tanto:

-21V + IC (2KΩ) + 1KΩ) = 0

Si:

VCE = 0 ; IC = =7mA

Si:

IC = 0 ; VCE = 21V
-21V + VCE + IC (2KΩ) + IE (1KΩ) = 0

-21V +VCE + IC (2KΩ) + (1KΩ) = 0

Por lo tanto

Si VCE = 0 ; IC =

IE = IC + IB

β=αβ+α β = α (β + 1) α=
RESOLUCIÓN DEL EXAMEN

1. Diseñe la red para mantener VL = 12V; IL de 0-200mA

VZ = 12V

VL =

RS =

2. DIODOS IDEALES
R1 = 2.2K

R2 = 2.2K

R3 = 2.2K

Para ciclo positivo

 R2 ,3 = 1.1K

Para ciclo negativo

 Mismo procedimiento que ciclo
positivo

queda v0 positivo también

V0 = 0.636(56.66) =34.04V

Por ser rectificador de onda

completa
R1 =1K
3.
R2 = 0.5K

R3 =9.5K

D1 = D2 = D3 = 0.6 V

V1 = 5V

V2 = 2V

V3 = 10V

V4 = 5V
 Para malla 1 el voltaje de 5V es mayor que el voltaje 4.4v, así que el
flujo de corriente sería de la fuente de 5v a la de 4.4v, pero como el
diodo 1 esta bloqueado en sentido inverso bloquearía el paso de la
corriente así que estaría abierto y la corriente en el diodo 1 es igual con
cero.

Para malla 2

-4.4V + VD2 + ID2 (0.5KΩ) + 2V = 0

ID2 =

Para el nodo V0

ID2 = I + ID3

I= dibujar forma de onda.

4. Describa que hace el siguiente circuito,

ID3 = ID2 – I = 3.6mA -0.589mA = 3.01mA

127: 12

Ciclo positivo

Ciclo negativo
 VCC =12V

RB = 240KΩ

RC = 2.2KΩ

C1 = C2 = 10µF

Determinar:

IB, IC, VCE

MALLA BASE-EMISOR

-12V + IB (240KΩ) + VBE = 0

-12V + IB (240KΩ) + 0.7V=0

IC =β IB = (47.08Ma)(100) = 4.7mA

MALLA COLECTOR-EMISOR

-12V +IC RC + VCE = 0

VCE =12V – IC RC = 12(4.7mA) (2.2kΩ) = 1.66V

Ahora para circuito estabilizado en emisor pero con β = 160 tenemos:

MALLA BASE-EMISOR

-18V + IB (430KΩ) + VBE + IE (1KΩ) – 3V = 0

IE = β IB + IB = IB (β + 1)

Por lo tanto

-18V + IB (430KΩ) + 0.7V + IB (160 + 1) (1KΩ) – 3V = 0

IC = β IB = (160)(34.3) = 5.48mA

MALLA COLECTOR-EMISOR

-18V + IC (2KΩ) + VCE + IE (1KΩ) – 3V= 0

Tenemos que

IE = 34.3μA + 5.48μA = 5.51μA

Por lo tanto

VCE = 18V – (5.48mA) (2kΩ) – (5.51mA) (1kΩ) + 3V = 4.53V

CONFIGURACIÓN POR DIVISIÓN DE VOLTAJE

 VCC = 22V

R1 = 39KΩ

R2 = 3.9KΩ

RC = 10KΩ

RE = 1.5KΩ

C1 = C2 = 10μF

C3 = 50μF

β = 140

1. RTH tenemos que hacer las fuentes de voltaje igual a cero y resolver las
resistencias
2. VTH tenemos que realizar el divisor de tensión

Si VCC = 0; para la etapa de entrada se tiene:

RTH = R1|| R2 =
 ETH =

El circuito equivalente queda:

RTH = R1|| R2 =

MALLA1
-ETH + IB RTH +VBE + IE RE = 0

-ETH + IB RTH +VBE + IB (β +1) RE = 0

IB = ETH – VBE / RTH + RE (β + 1 ) = 2V – 0.7V / 3.54KΩ + 1.5KΩ (141) =

6.04μA

IC = β IB = 140 (6.04μA) (10KΩ) – (141) (6.04μF) (11.5KΩ) = 12.27V

MALLA2

-VCC + IC RC + VCE + IE RE = 0

VCE = VCC – IC RC – IE RE

VCE = VCC – β IB RC – (β + 1) (IB) RE

VCE = 22V – (140) (6.04μA) (10kΩ) – (141) (6.04μA) (1.5KΩ) = 12.28V

Si consideramos IE ≈ IC

VCE = VCC – IC (RC + RE) = 22V – (140) (6.04μA) (11.5KΩ) = 12.27V

Si: IC = 0

VCE = VCC

Si : VCE = 0

V1 = 23V

V2 = -5V

R1 = 82KΩ

R2 = 22KΩ

RC = 5.6KΩ

RE = 1.2KΩ

β = 50

Encontrar

IB, IC, IE, ICmax, IC0, VCEmax, VCE, VB,

VC, VE, punto de operación Q
-23V + I(82KΩ) + I(22KΩ) -5V = 0

I=

VTH = I R2 – VEE = (0.2692μA)(22kΩ) – 5V= 0.92V

RTH = R1|| R2 =

MALLA 1

-0.92V + IB + RTH + VBE + IE (1.2kΩ) - 5V = 0

IE = IB(β+1) = (66.4mA)(51) = 3.38mA

 MALLA 2

-23V + IC (5.6kΩ) + VCE + IE (1.2KΩ) – 5 = 0

VCE = 28 - IC (5.6KΩ) - IE (1.2KΩ)

IC = β IB = (50)(66.4) = 3.32mA

Por tanto

Vce= 28V – (3.32mA) (5.6KΩ)-(3.38mA)(1.2KΩ) = 5.352V

Si: IC≈ IR
IC = 0

VCEmax = VCC + 5 = 28V

VB = VBE + IE RE - 5 = 0.7 V + (3.38mA)(1.2KΩ) - 5V = -0.244V

VC = VCE + IE RE – 5 = 5.352V + (3.38mA)(1.2KΩ) - 5V = 4.408V

VE = IE RE -5V = (3.38mA)(1.2KΩ) – 5 = -0.944V

ICQ = 3.32mA
POLARIZACIÓN DE DC CON RETROALIMENTACION DE VOLTAJE

VCC = 15V
V= 2V
R1 = 4.7KΩ
R2 = 250 KΩ
R3 =2KΩ
β= 75

MALLA 1

-15V + IC (4.7KΩ) + IB (250KΩ) + VB + IE (1.2KΩ) + 2V = 0

IC = β IB e IE = IB (β+1)

Por tanto

-15V + β IB (4.7KΩ) + IB (250KΩ) + 0.7V + IB (β + 1)(1.2KΩ) + 2 = 0

(75) IB (4.7KΩ)+ IB (250KΩ)+ IB (76)(1.2KΩ) = 12.3V

693.7KΩ IB = 12.3V

IC = β IB = (75)(17.33μA) = 1.32mA

IE = IB (β+1)=(17.33μA)(75+1)=1.34mA
 MALLA 2

-23V + Ic (5.6KΩ) + VCE + IE (1.2KΩ) - 5V = 0

VCE = 28- IC (5.6KΩ) – IE (1.2KΩ)

IC = β IB =(50)(66.4) = 3.32Ma

VCE = 28- (3.32mA) (5.6KΩ) – (3.38mA) (1.2KΩ)

VCE = 5.352V

Si IC ≈ IE

IC = 0

VCEmax = VCC + 5 = 28

VB = VBE + IE RE – 5 = 0.7 + (3.38mA)(1.2KΩ) – 5

VB = -0.244V

VC = VCE + IE RE – 5 = 5.352V + (3.38mA)(1.2KΩ) – 5

VC = 4.408V

VE = IE RE – 5V = (3.38mA)(1.2KΩ) – 5

VE = -0.944V

ICQ = 3.32mA
POLARIZACIÓN DE DC CON RETROALIMENTACION DE VOLTAJE

MALLA1

-15 + IC (4.7KΩ) + IB (250KΩ) + VBE + IE (1.2KΩ) + 2 = 0

IC =β IB e IE = IB (β – 1)

-15 + βIB (4.7KΩ) + IB (250KΩ) + 0.7 + IB (β – 1) (1.2KΩ) + 2 = 0

6.93.7KΩ IB = 12.3

IB = 17.73 μA

IC = βIB = 75 (17.73 μA) = 1.32μA

IE = IB (β + 1)= 17.73 Μa (75 + 1) = 1.34μA

MALLA2

-15 + IC (4.7KΩ) + IC (2KΩ) + VCE + IE (1.2KΩ) + 2 = 0

VCE = 13 - IC (6.7KΩ) – IE (1.2KΩ)

VCE = 2.548V

SI IC ≈ IE
VCE = 2.572V

Si IC = 0

VCmax = 13V
MALLA1

-15 + 3.3KΩ (IC ) + 191KΩ(IB ) + VBE + 510KΩ(IE) -1V = 0

-15 + 3.3KΩ (βIB ) + 191KΩ (IB ) + 0.7 510KΩ( IB ) (β + 1) – 1V = 0

IC = β IB = 75 (32..05 μA) = 2.4μA

IE = IB (β + 1)= 32.05 mA (75 + 1) = 2.43μA

MALLA2

-15 + 3.3KΩ (IC ) + VCE + 510KΩ(IE) -1V = 0

VCE = 16 – 3.3KΩ (2.4mA) -510(2.43mA)

VCE = 6.8407V
 MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES

En lo circuitos con transistores, el valor pico de la variación esta controlado por

el nivel de DC que establece la fuente de alimentación. Cualquier intento por
exceder el limite establecido por el nivel de Vc ocasionara un “recorte” de la
región pico de la señal de salida.

En resumen un diseño apropiado de un amplificador requerirá que los

componentes de DC y de AC sean sensibles a los requerimientos y limitaciones
del otro.

Es un hecho afortunado que los amplificadores de pequeña señal de

transistores se puedan considerar lineales para la mayoría de las aplicaciones ,
lo que permite la aplicación del teorema de superposición para el análisis de
DC y AC.
Un modelo es la combinación de elementos de circuitos adecuadamente
seleccionados que se aproximan mejor al comportamiento real de un
dispositivo semiconductor bajo condiciones de operación específica.

Una vez que el circuito equivalente de AC se ha determinado es posible

reemplazar el símbolo grafico del dispositivo en el esquema por este circuito y
de esta forma utilizar los métodos básicos de análisis de circuitos de AC
(análisis de mallas, análisis nodal) para determinar las respuestas del circuito.

Ejemplo

Considerando el circuito nos encontramos interesados en las respuestas de AC

del circuito, todas las fuentes de DC puedan reemplazarse por un equivalente
de potencial cero dado que estas determinan solamente el nivel de DC del
voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida de AC.

Los niveles de DC son importantes solo para determinar el punto Q de

operación. Los capacitares de acoplamiento C1, C2 , C3 se seleccionan para
tener una reactancia muy baja a la frecuencia de activación por lo tanto para
propósitos prácticos, estos también se pueden reemplazar por una trayectoria
de baja resistencia a un corto circuito.

Debido a que el transistor es un dispositivo de amplificación se podría esperar

alguna invitación acerca de cómo se relaciona el voltaje de salida pero con el
voltaje de entrada.

En resumen el equivalente de AC se obtiene:

1) haciendo todas las fuentes de DC = 0
2) reemplazar todos los capacitares para un corto circuito
3) eliminar todos los elementos en paralelo con un elemento de desvío
4) redibujar la red de una forma más lógica y conveniente.
 MODELO RE DE TRANSMISORES

El modelo Ve utiliza un diodo y una fuente de corriente controlada para emular

el comportamiento de un transistor.

CONFIGURACIÓN EMISOR COMUN

Para la red de la figura determinar:

a) Ve
b) zi
c) zo (Vo= αΩ)
d) AV (Vo= αΩ)
e) Ai (Vo= αΩ)
f) ZO, AV, Ai, SI VO =50KΩ
ANALISIS CD

RTH = 8.2KΩπ56KΩ = 7.15KΩ

MALLA B-E

- VTH + IB RTH + VBE + IB (β +1) RE = 0

IC = IB β = (90)(0.01346mA) = 1.314 mA

MALLA C – E
-22V+ IC RC + VCE + IC RE = 0

VCE =22V- (13.13mA) (6.5KΩ)

VCE = 11.488V

ICmax = 22/ (6.5+1.5)KΩ = 2.75mA

ANALISIS AC
Haciendo fuentes = 0
Capacitores por cortos circuitos
Y reacomodando

a)

b) Zi = R1II R2II βre

Zi = 56KΩ II 8.2KΩ = 7.15KΩ

Zi = 1.42KΩ

c) Zo = RCII ro = RC = 6.8KΩ

Ahora

Zo = RC II ro = 6.8KΩ II 50KΩ = 5.98 KΩ

d)

MALLA 1

MALLA 2

SI
=
SI

ANÁLISIS CA

a)

b)

c)
iD = Kn( 2(VGS – VTN)VDS – V2 DS)

iD = Kn (VGS – VTN2)

Kn = WmNCOX/2L

Kn = (K´n/ 2 )(W/L)
SI el transistor se encuentra en saturación

Pero si entonces el transistor se encuentra en NO situación

Y
CONFIGURACIÓN FUENTE COMÚN
VDS= VDD – ID-RD
VGS = 160KΩ/ (280 + 160KΩ) = 3.63V

VDSsat= VGS – VTN = 3.63 – 2 = 1.63V

= 0.25 (1.63)2

ID = 0.6642mA

VDS = VDD – ID RD = 10V – (O.6642)(10)

VDS = 3.358V

P = ID VDS = (.06642)(3.358) = 2.23Mw

EJERCICIO
 VDD = 5V
R1 = 50KΩ
R2 = 50KΩ
RD = 7.5KΩ

Analizando malla
 VTN = 1V
R1 = 60KΩ
R2=40KΩ
RD=2KΩ

DETERMINAR

POR MALLA

POR VOLTAJE EQUIVALENTE

MALLA
 DESPEJANDO

MALLA 2
MALLA 2 TRANSISTOR 1

SUSTITUYENDO
MALLA SALIDA TRANSISTOR 2

V / -4-3721V