Ahmed Bakkali Tahiri

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID
ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES
ESTUDIO Y ANÁLISIS DE UNA NUEVA SOLUCIÓN

TOPOLÓGICA PARA CONVERTIDORES CC/CC EN
APLICACIONES DE BAJA POTENCIA Y BAJO COSTE
TESIS DOCTORAL
AHMED BAKKALI TAHIRI
M.C.T en Informática, Electrónica, Electrotécnica y Automática (IEEA)
Por la Universidad Abdelmalek Essaadi Tánger–Marruecos
Homologado al Título Español de Ingeniero en Electrónica
Por el Ministerio de Educación y Ciencia 2004
Para la obtención del Grado de Doctor Ingeniero Industrial
2009
Departamento de Automática, Ingeniería
Electrónica e Informática Industrial
Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales
Estudio y análisis de una nueva solución

topológica para convertidores CC /CC en
aplicaciones de baja potencia y bajo coste
Autor: Ahmed Bakkali Tahiri

M.C.T en Informática, Electrónica, Electrotécnica y Automática (IEEA), Opción
Ingeniería Eléctrica por la Universidad Abdelmalek Essaadi Tánger-Marruecos
Homologado al Título Español de Ingeniero en Electrónica por el Ministerio de
Educación y Ciencia 2004
Director: Pedro Alou Cervera

Doctor Ingeniero Industrial por la Universidad Politécnica de Madrid-España
2009
Tribunal
Tribunal nombrado por el Mgfco. y Excmo. Sr. Rector de la Universidad Politécnica de

Madrid, el día 6 de Marzo de 2009.
Presidente: Dr. Javier Uceda Antolín

Vocales: Dr. Francisco Javier Sebastián Zúñiga
Dr. Andrés Barrado Bautista
Dr. Miguel Rascón Martínez
Secretario: Dr. José Antonio Cobos Márquez
Suplentes: Dr. Antonio Lázaro Blanco
Dr. Jesús Acero Acero
Realizado el acto de lectura y defensa de la Tesis Doctoral el día 15 de Abril

de 2009 en la Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales de la Universidad
Politécnica de Madrid.
Calificación:
“ Sobresaliente Cum Laude por Unanimidad “
Reflexiones
Más de ocho años “ he sido doctorando” y más de la mitad de este tiempo he estado "realizando
la tesis". En gran parte de este tiempo he visto cómo he ido dejar pasar la vida. He estado fines
de semana, veranos y vacaciones "terminando la tesis", sin permitirme disfrutar de la vida, la
familia, los amigos, parejas ... y de mí.
La Tesis me ha enseñado mucho. Creo que hay dos vías para aprender: la vía del juego y la
diversión, y la vía del dolor y el trabajo duro. Aunque normalmente en el proceso de aprendizaje
no se toma una vía en exclusiva, desafortunadamente sólo escogí esta última vía. A pesar de
todo, considero un tesoro todo lo que he aprendido y por esto no me lamento. Incluso, en la
profundidad de mí, agradezco. Espero, eso sí, no olvidar y no tener que aprender más de la
misma manera y ojalá que a partir de ahora decida y sepa aprender por la vía del juego, la
diversión y el amor.
Agradecimientos
Han sido muchos años de tesis y en todo este tiempo he tenido el apoyo, el ánimo, la compañía y
la comprensión de muchísima gente. Algunos me han acompañado durante todo el proceso,
otros durante una parte. Este no sólo es un agradecimiento, sino un bonito recuerdo que
compensa la dureza de estos años.
En primer lugar agradezco a mi querida “madre” y a mi “padre” que ahora esta descansando
en paz. Creo que la educación es el mejor legado que unos padres pueden dejar a sus hijos.
También agradezco a todos mis hermanos por su apoyo incondicional todo este tiempo:
Mohammed, Assia, Nouzha, Hassan, Saida, Abdellah y Amin.
En el aspecto tanto humano como técnico, quiero agradecer a Pedro Alou, su experiencia, ideas,
constantes ánimos y consejos han sido muy valiosos para la consecución de esta tesis. Aunque
quizá no se lo haya podido hacer ver, para mí ha sido muy importante.
Nacho Barbero y Jesús Olíver, esta tesis también es resultado de vuestro trabajo y dedicación.
A todos los profesores y personal del departamento, por su interés y su ayuda.
A la empresa Alcatel y en particular a Miguel Rascón por su ayuda y orientación como por el
ofrecimiento de las instalaciones de la empresa.
En todos estos años he tenido muchos compañeros de doctorado y del departamento, a ellos
quería recordar y agradecer los buenos momentos que hemos tenido: Fernando, Cristina, Ángel,
Miguel, Marina, Felipe, Almudena, Luís, Pablo, Andrés, Miroslav, Dani y todos los demás.
Con ellos he pasado muy buenos momentos en el departamento.
A mis nuevos compañeros de trabajo les agradezco su apoyo y comprensión : Cándido, Nuria,
Pilar, Maite, Bea, Estrella, J. Mª Albert, Justo, J.A Segarra, Iñigo, Carlos, Eder… a la querida
Pepa y a la adorable Carmen. Especialmente A mis jefes; Francisco Fraile, Bernabé González-
Mohíno y José. Mª Romero y Jesus.Mª Castillo por permitirme este tiempo.
Por último, quiero recordar y agradecer a mis amigos, y otras personas que tanto me han
acompañado en este tiempo: Adnan, Carmen, Félix, Ulfa y otros.
A Todos Muchas Gracias.

Índice
Índice................................................................................................................................ i
Lista de acrónimos ........................................................................................................ v
Lista de nombres de variables..................................................................................vii
Lista de figuras ...............................................................................................................x
Lista de tablas .............................................................................................................xiii
Planteamiento y resumen de la tesis....................................................................... xv
Abstract........................................................................................................................ xix
1. Motivación de la Tesis ..............................................................................................1

1.1 Introducción .......................................................................................................................... 3
1.2 Sistema de alimentación en el sector de la automoción.................................................. 3
1.3 Especificaciones de funcionamiento.................................................................................. 5
1.4 Análisis preliminar de topologías candidatas.................................................................. 5
1.4.1 Reductor (Buck)........................................................................................................................... 5
1.4.2 Reductor con toma media (Buck CT) ....................................................................................... 7
1.4.3 Flyback ......................................................................................................................................... 8
1.4.4 Flyback con enclavamiento activo (Flyback AC).................................................................... 9
1.5 Comparación y selección de la topología propuesta..................................................... 10
2. Análisis estático y dinámico de la topología propuesta...................................15

2.1 Introducción ........................................................................................................................ 17
2.2 Topología propuesta .......................................................................................................... 17
2.3 Circuito equivalente del convertidor............................................................................... 18
2.4 Análisis estático del convertidor ...................................................................................... 20
2.4.1 Estudio del comportamiento de la topología ........................................................................ 20
2.4.2 Estudio detallado del comportamiento de la topología ...................................................... 23
2.4.3 Descripción del funcionamiento de la topología .................................................................. 23
2.4.4 Formas de ondas características.............................................................................................. 28
2.4.5 Lazo de enclavamiento activo ................................................................................................. 32
2.4.6 Análisis en régimen permanente: Modelo eléctrico ............................................................. 35
2.4.6.1 Análisis matemático de la etapa A .................................................................................................... 37
2.4.6.2 Análisis matemático de la etapa B ..................................................................................................... 38
2.4.6.3 Análisis matemático de la etapa C..................................................................................................... 40
2.4.6.4 Función de transferencia del convertidor en régimen permanente .............................................. 41
2.5 Diferencias entre la topología propuesta y el Flyback con enclavamiento activo ... 43
2.6 Modelo de pérdidas del convertidor ............................................................................... 45
2.6.1 Pérdidas en los MOSFETs........................................................................................................ 45
2.6.2 Pérdidas en el diodo ................................................................................................................. 46
i
Índice
2.6.3 Pérdidas en los componentes magnéticos ............................................................................. 46

2.7 Análisis dinámico del convertidor................................................................................... 46
2.7.1 Modelo promediado de la nueva topología .......................................................................... 46
2.7.2 Validación del modelo promediado de la nueva topología................................................ 50
2.7.3 Análisis de la respuesta en frecuencia.................................................................................... 52
2.8 Conclusiones ....................................................................................................................... 54
3. Alternativas para la integración de la inductancia con el transformador.....57

3.1 Introducción ........................................................................................................................ 59
3.2 Realización física de la integración magnética............................................................... 59
3.3 Modelado del componente magnético ............................................................................ 63
3.3.1 Modelado analítico de la estrategia de devanados laterales............................................... 65
3.3.2 Modelado analítico de la estrategia de devanados centrales.............................................. 71
3.3.3 Modelado analítico de la estrategia de devanados combinados ........................................ 72
3.3.3.1 Método general de análisis................................................................................................................. 73
3.3.3.2 Análisis del modelo A+ (Devanados combinados) ......................................................................... 75
3.3.3.3 Devanados combinados: modelo A- ................................................................................................. 81
3.3.3.4 Devanados combinados: modelo B+................................................................................................. 82
3.3.3.5 Devanados combinados: modelo B- .................................................................................................. 83
3.3.3.6 Devanados combinados: modelo C+ ................................................................................................ 85
3.3.3.7 Devanados combinados: modelo C-.................................................................................................. 86
3.3.3.8 Devanados combinados: modelo D+ ................................................................................................ 87
3.3.3.9 Devanados combinados: modelo D- ................................................................................................. 89
3.3.3.10 Devanados combinados: modelo E++............................................................................................. 90
3.3.3.11 Devanados combinados: modelo E- -.............................................................................................. 92
3.3.3.12 Devanados combinados: modelo E+- (o E-+)................................................................................. 93
3.3.3.13 Comparación de las once estrategias de devanado combinados................................................. 95
3.4 Modelo de pérdidas del componente magnético .......................................................... 96
3.5 Conclusiones ....................................................................................................................... 96
4. Metodología de diseño de la solución propuesta..............................................99

4.1 Introducción ...................................................................................................................... 101
4.2 Aspectos críticos en el diseño de la nueva topología .................................................. 101
4.3 Descripción del proceso de diseño ................................................................................ 104
4.3.1 Primera etapa: Diseño preliminar del convertidor usando el Flyback equivalente ...... 105
Paso 1: Valor inicial de la relación de vueltas ............................................................................................ 107
Paso 2: Cálculo de la energía manejada por la inductancia equivalente del convertidor .................... 110
Paso 3: Valor inicial de la frecuencia de conmutación.............................................................................. 111
Paso 4: Valor inicial de la Inductancia magnetizante................................................................................ 111
4.3.2 Segunda etapa: Aplicación de los valores iniciales en el diseño de la topología
propuesta en esta tesis ............................................................................................................... 112
Paso 5: Inductancias serie y magnetizante ................................................................................................. 112
Paso 6: Cálculo de tensiones y corrientes ................................................................................................... 113
Paso 7: Verificación de la Conmutación a Tensión Cero (ZVS) ............................................................... 114
Paso 8: Verificación de la Energía circulante ............................................................................................. 115
Paso 9: Selección de los componentes ......................................................................................................... 115
Paso 10: Cálculo de las pérdidas en los semiconductores ........................................................................ 116
Paso 11: Diseño del Transformador ............................................................................................................ 116
Paso 12: Estudio de la saturación del transformador................................................................................ 117
ii
Índice
Paso 13: Cálculo de las pérdidas en el transformador .............................................................................. 118

Paso 14: Cálculo de las pérdidas totales del convertidor ......................................................................... 118
Paso 15: Fin de diseño: Prototipado ............................................................................................................ 118
4.4 Conclusiones ..................................................................................................................... 119
5. Validación experimental de la solución propuesta en una aplicación de

automoción.............................................................................................................121
5.1 Introducción ...................................................................................................................... 123
5.2 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados laterales............................ 126
5.2.1 Diseño de un prototipo .......................................................................................................... 126
5.2.2 Resultados experimentales .................................................................................................... 132
5.3 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados centrales ........................... 136
5.3.3 Mejoras en el diseño del convertidor: Utilización de la rectificación síncrona .............. 146
5.3.3.1 Introducción ....................................................................................................................................... 146
5.3.3.2 Aplicación de la Rectificación Síncrona en convertidores basados en la topología propuesta 147
5.3.3.3 Rectificación Síncrona Autoexcitada ............................................................................................... 147
5.3.3.4 Rectificación Síncrona Externa......................................................................................................... 151
5.4 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados combinados ..................... 153
5.5 Comparación de resultados ............................................................................................ 165
5.6 Conclusiones ..................................................................................................................... 166
6. Conclusiones ..........................................................................................................169
6.1 Aportaciones originales................................................................................................... 171
6.1.1 Nueva solución topológica .................................................................................................... 171
6.1.2 Diferentes alternativas de integración de la inductancia serie y el transformador ....... 172
6.1.3 Metodología de diseño........................................................................................................... 172
6.2 Sugerencias para futuros trabajos .................................................................................. 174
Referencias..................................................................................................................175
Anexo I. Ejemplo de hojas de cálculo de diseño de soluciones de

convertidores basadas en la topología propuesta...........................................183
Anexo II. Adaptación de los parámetros del transformador obtenidos en la

herramienta PEMag ..............................................................................................205
Anexo III. Tablas del análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados

combinados ............................................................................................................209
AIII.1 Modelo A+ ................................................................................................................... 210
AIII.2 Modelo A-..................................................................................................................... 211
AIII.3 Modelo B+ .................................................................................................................... 212
AIII.4 Modelo B- ..................................................................................................................... 213
iii
Índice
AIII.5 Modelo C+.................................................................................................................... 214

AIII.6 Modelo C-..................................................................................................................... 215
AIII.7 Modelo D+ ................................................................................................................... 216
AIII.8 Modelo D-..................................................................................................................... 217
AIII.9 Modelo E++.................................................................................................................. 218
AIII.10 Modelo E- -................................................................................................................. 219
AIII.11 Modelo E+-................................................................................................................. 220
iv
Lista de acrónimos
AUX Devanado auxiliar de un transformador

BICMOS Integration of Bipolar junction transistors
CC/CC Corriente Continua / Corriente Continua
CAD Computer Aided Design
CMOS Complementary Metal-Oxide-Silicon (o semiconductor)
DIE División de Ingeniería Electrónica, actualmente Centro de electrónica
Industrial (CEI)
ESR Equivalent Series Resistance (Resistencia serie equivalente)
MCC Modo de conducción continuo
MCD Modo de conducción discontinuo
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
(Transistor de metal-óxido-semiconductor de efecto de campo)
PEMag Magnetic component design software for Power Electronics
PRIM Devanado primario de un transformador
PCB Printed Circuit Board (Tarjeta de Circuito impreso)
PWM Pulse Width Modulator (Modulador por ancho de pulso)
RSAut Rectificación Síncrona Autoexcitada
RSExt Rectificación Síncrona Externa
RS Rectificador Síncrono
SEC Devanado secundario de un transformador
UPM Universidad Politécnica de Madrid
VRM Voltage Regulator Module (Módulo regulador de tensión)
ZVS Zero Voltage Switching (Conmutación a tensión cero)
2D Dos dimensiones
v
Lista de nombres de variables
Aef Área efectiva del núcleo magnético

B Densidad de flujo magnético
B1 Densidad de flujo magnético en la columna izquierda del núcleo magnético
B2 Densidad de flujo magnético en la columna derecha del núcleo magnético
Bc Densidad de flujo magnético en la columna central del núcleo magnético
Bmax Máxima densidad de flujo magnético
C Capacidad
CE Capacidad de entrada de un convertidor
Cencl Capacidad de enclavamiento
Ciss Capacidad de entrada de un MOSFET
Coss Capacidad de salida de un MOSFET
CS Capacidad de salida de un convertidor
d Ciclo de trabajo de pequeña señal
D Ciclo de trabajo en continua
D1 Porcentaje del periodo de conmutación (Ciclo de trabajo) que dura la etapa A
de la topología propuesta
Δ IL1 Rizado de la corriente en la bobina serie
Δ Imag Rizado de la corriente en la inductancia magnetizante
Δ IC Rizado de la corriente en el condensador de salida
Δ ID Rizado de la corriente en el diodo de rectificación
EC Energía necesaria para descargar un MOSFET
EL Energía almacenada en una bobina
F Frecuencia de conmutación
Φ Flujo magnético
Φ1 Flujo magnético por la columna izquierda del núcleo magnético
Φ2 Flujo magnético por la columna derecha del núcleo magnético
Φc Flujo magnético por la columna central del núcleo magnético
I Corriente eléctrica
ID Corriente por el diodo de rectificación
IC Corriente por el condensador de salida de un convertidor
ICE Corriente demandada al condensador de entrada de un convertidor
IE Corriente de entrada de un convertidor
Iencl Corriente por el condensador de enclavamiento
vii
IL Corriente por la bobina equivalente
IL1 Corriente por la bobina serie
IL_med Corriente media por la bobina equivalente
Imag Corriente por la bobina magnetizante
Ippk Corriente máxima por el primario del transformador
IT1 Corriente por el devanado primario del transformador
IT2 Corriente por el devanado secundario del transformador
IS Corriente de salida
KL Relación de inductancias serie y magnetizante
Kr Relación entre el rizado y la corriente media de la inductancia equivalente
L Inductancia equivalente
L1 Inductancia de dispersión del devanado primario debida al flujo que circula
por el núcleo de ferrita
L2 Inductancia de dispersión del devanado secundario debida al flujo por el
núcleo vista en primario
L22 Inductancia de dispersión del devanado secundario debida al flujo por el
núcleo vista en secundario
Laire Inductancia de dispersión causada por el flujo que circula por el aire
Lmag Inductancia magnetizante del transformador vista en primario (Lmag1)
Lmag1 Inductancia magnetizante del transformador vista en primario
Lmag2 Inductancia magnetizante del transformador vista en secundario
Lserie Inductancia serie
Lp Inductancia total del devanado primario del transformador
Ls Inductancia total del devanado secundario del transformador
N1 Número de vueltas en el devanado primario
N´1 Número de vueltas en el devanado primario en la primera columna
(devanados combinados)
N´´1 Número de vueltas en el devanado primario en la otra columna (devanados
combinados)
N2 Número de vueltas en el devanado secundario
η Rendimiento
P Potencia eléctrica
Ptrafo Pérdidas en el transformador
Pnom Pérdidas nominales del convertidor
VE Tensión de entrada a un convertidor
VE_max Tensión de entrada máxima a un convertidor
viii
Vmag Tensión de la inductancia magnetizante
VE_min Tensión de entrada mínima a un convertidor
VL1 Tensión de la inductancia L1
VL22 Tensión de la inductancia L22
Voss Tensión de la capacidad parásita de la salida de un MOSFET
VS Tensión de salida de un convertidor
R Resistencia eléctrica
R1 Reluctancia de la columna izquierda
R2 Reluctancia de la columna derecha
Rc Reluctancia de la columna central
Rs Carga de salida
rd Resistencia parásita del diodo de rectificación
Rac1 Resistencia en abierto del primario
Rcc2 Resistencia en cortocircuito del secundario
Rdc1 Resistencia en continua del primario
Rdc2 Resistencia en continua del secundario
RDSON Resistencia en conducción de un MOSFET
rt Relación de transformación de un transformador
T Periodo de conmutación
t Tiempo
tOFF Tiempo de apagado de un interruptor
tON Tiempo de encendido de un interruptor
V Tensión eléctrica
Vf Caída de tensión directa de un diodo en conducción
VD Tensión del diodo de rectificación
VDSprim Tensión drenador-fuente del MOSFET principal
VDSaux Tensión drenador-fuente del MOSFET auxiliar
Vencl Tensión de enclavamiento
VGSaux Tensión puerta-fuente de del MOSFET auxiliar
VGSprim Tensión puerta-fuente del MOSFET principal
VL Tensión aplicada a una bobina
VT1 Tensión en el devanado primario del transformador
VT2 Tensión en el devanado auxiliar del transformador
ix
Lista de figuras
Figura 1-1: Reductor ................................................................................................................................................... 6
Figura 1-2: Ganancia en continua del Reductor ...................................................................................................... 6
Figura 1-3: Reductor con toma media ...................................................................................................................... 7
Figura 1-4: Ganancia en continua del Reductor con toma media ......................................................................... 8
Figura 1-5: Flyback...................................................................................................................................................... 8
Figura 1-6: Ganancia en continua del Flyback......................................................................................................... 9
Figura 1-7: Flyback con enclavamiento activo......................................................................................................... 9
Figura 1-8: Comparación de ganancias de las topologías aplicables.................................................................. 10
Figura 1-9: Prototipo del Reductor.......................................................................................................................... 11
Figura 1-10: Transformador del Flyback ................................................................................................................ 11
Figura 1-11: Prototipo del Flyback .......................................................................................................................... 12
Figura 1-12: Transformador del Reductor con toma media................................................................................. 12
Figura 1-13: Prototipo del Reductor con toma media........................................................................................... 12
Figura 1-14: Transformador del Flyback con enclavamiento activo................................................................... 13
Figura 1-15: Prototipo del Flyback con enclavamiento activo............................................................................. 13
Figura 2-1: Topología propuesta ............................................................................................................................. 18
Figura 2-2: Circuito equivalente de la topología propuesta ................................................................................ 19
Figura 2-3: Etapas de funcionamiento del Flyback AC ....................................................................................... 20
Figura 2-4: Formas de ondas características del Flyback AC .............................................................................. 21
Figura 2-5: Etapas de funcionamiento de la topología propuesta ...................................................................... 21
Figura 2-6: Formas de ondas características de la topología propuesta............................................................. 22
Figura 2-7: Nomenclatura de tensiones y corrientes de la topología propuesta............................................... 23
Figura 2-8: Forma de onda de las tensiones de excitación de los MOSFETs ..................................................... 24
Figura 2-9: Lazos de la topología propuesta.......................................................................................................... 24
Figura 2-10: Fases de funcionamiento .................................................................................................................... 25
Figura 2-11: Formas de ondas características del convertidor para diferentes Fases de funcionamiento ..... 28
Figura 2-12: Forma de onda de la corriente por el diodo..................................................................................... 29
Figura 2-13: Forma de onda de la corriente por la bobina serie.......................................................................... 29
Figura 2-14: Forma de onda de la corriente por la inductancia magnetizante.................................................. 30
Figura 2-15: Forma de onda de la corriente suministrada por la batería ........................................................... 30
Figura 2-16: Forma de onda de la tensión de salida ............................................................................................. 31
Figura 2-17: Forma de onda de la corriente por los condensadores de salida .................................................. 31
Figura 2-18: Forma de onda de la corriente por el condensador de enclavamiento......................................... 32
Figura 2-19: Forma de onda de la tensión en el condensador de enclavamiento ............................................. 32
Figura 2-20: Tensión drenador-fuente del MOSFET principal sin y con enclavamiento activo ..................... 34
Figura 2-21: Control de los MOSFETs .................................................................................................................... 36
Figura 2-22: Circuito equivalente de la etapa A .................................................................................................... 37
Figura 2-23: Circuito equivalente de la etapa B..................................................................................................... 39
Figura 2-24: Circuito equivalente de la etapa C ................................................................................................... 40
Figura 2-25: función de transferencia de la topología propuesta para diferentes cargas ............................... 42
Figura 2-26: Comparación de las funciones de transferencia de la topología propuesta (Lmag=21μH,
L1=1´5μH) y de un Flyback AC clásico.......................................................................................... 45
Figura 2-27: Lazo de control en un convertidor PWM ......................................................................................... 46
Figura 2-28: Formas de ondas características del convertidor ............................................................................ 47
Figura 2-29: Circuito promediado equivalente de la topología propuesta........................................................ 50
Figura 2-30: Comparación entre el modelo conmutado y el promediado ante un escalón del ciclo de
trabajo ................................................................................................................................................ 51
Figura 2-31: Comparación entre el modelo conmutado y el promediado ante un escalón de la tensión
de entrada.......................................................................................................................................... 51
Figura 2-32: Comparación entre el modelo conmutado y el promediado ante un escalón de la
corriente de salida ............................................................................................................................ 52
Figura 2-33: Bode de la topología propuesta ......................................................................................................... 52
Figura 2-34: Bode de la topología propuesta para diferentes valores de la inductancia serie ........................ 53
Figura 2-35: Validación del modelo promediado: Comparación entre la función de transferencia
medida y simulada de la topología propuesta. ............................................................................ 54
Figura 3-1: Flujo de dispersión por el aire ............................................................................................................. 60
Figura 3-2: Flujo de dispersión por el núcleo ........................................................................................................ 60
Figura 3-3: Flujo de dispersión en espiras arrolladas en la misma columna ..................................................... 61
Figura 3-4: Flujo de dispersión en espiras arrolladas en distintas columnas .................................................... 61
x
Figura 3-5: Flujos en un núcleo E plano ................................................................................................................. 62
Figura 3-6: Estrategia de devanados laterales ....................................................................................................... 62
Figura 3-7: Estrategia de devanados centrales ...................................................................................................... 63
Figura 3-8: Estrategia de devanados combinados................................................................................................. 63
Figura 3-9: Circuito equivalente completo de la integración magnética............................................................ 63
Figura 3-10: Circuito equivalente simple de la integración magnética .............................................................. 65
Figura 3-11: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados laterales..................................... 66
Figura 3-12: Circuito magnético equivalente del ensayo de vacío...................................................................... 66
Figura 3-13: Circuito eléctrico equivalente del ensayo de vacío ......................................................................... 67
Figura 3-14: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados centrales.................................... 71
Figura 3-15: Circuito equivalente del ensayo de vacío alimentando el secundario.......................................... 74
Figura 3-16: Modelo A+............................................................................................................................................ 75
Figura 3-17: Circuito magnético equivalente del modelo A+.............................................................................. 75
Figura 3-18: Circuito magnético equivalente del ensayo de vacío del modelo A+........................................... 76
Figura 3-19: Circuito magnético equivalente del ensayo de vacío alimentando en secundario del
modelo A+......................................................................................................................................... 78
Figura 3-20: Modelo A-............................................................................................................................................. 81
Figura 3-21: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo A- ..... 81
Figura 3-22: Modelo B+ ............................................................................................................................................ 82
Figura 3-23: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo B+...... 82
Figura 3-24: Modelo B- ............................................................................................................................................. 83
Figura 3-25: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo B-....... 84
Figura 3-26: Modelo C+............................................................................................................................................ 85
Figura 3-27: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo C+ ..... 85
Figura 3-28: Modelo C- ............................................................................................................................................. 86
Figura 3-29: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo C- ....... 86
Figura 3-30: Modelo D+............................................................................................................................................ 87
Figura 3-31: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo D+ ..... 88
Figura 3-32: Modelo D-............................................................................................................................................. 89
Figura 3-33: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo D- ...... 89
Figura 3-34: Modelo E++.......................................................................................................................................... 90
Figura 3-35: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo
E++ ..................................................................................................................................................... 91
Figura 3-36: Modelo E- - ........................................................................................................................................... 92
Figura 3-37: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo E-
- ........................................................................................................................................................... 92
Figura 3-38: Modelo E+- ........................................................................................................................................... 93
Figura 3-39: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados: Modelo
E+- ...................................................................................................................................................... 94
Figura 4-1: Evolución de la corriente en la inductancia serie de la topología propuesta. Escala de
tiempo normalizada respecto al periodo de conmutación (T).................................................. 102
Figura 4-2: Evolución del (EL1-Ec) en función de la inductancia serie L1 para diferentes valores de la
inductancia magnetizante Lmag ..................................................................................................... 103
Figura 4-3: Evolución de la Energía circulante en el convertidor en función de la inductancia serie
para un valor fijo de la inductancia magnetizante..................................................................... 103
Figura 4-4: Resumen de la propuesta de diseño ................................................................................................. 104
Figura 4-5: Flyback equivalente............................................................................................................................. 105
Figura 4-6: Ciclo de trabajo en función de la relación de vueltas en el Flyback en modo de
funcionamiento continuo (MCC) ................................................................................................. 106
Figura 4-7: Corriente de la inductancia del Flyback en modo de conducción continuo................................ 106
Figura 4-8: Tensión drenador-fuente del MOSFET en función de la relación de vueltas ............................. 108
Figura 4-9: Tensión del diodo del secundario en función de la relación de vueltas....................................... 109
Figura 4-10: Evolución de la energía manejada por la inductancia equivalente del Flyback........................ 110
Figura 4-11: Evolución de la inducción magnética en la pata lateral 1 ............................................................ 117
Figura 4-12: Evolución de la inducción magnética en la pata lateral 2 ............................................................ 117
Figura 4-13: Evolución de la inducción magnética en la pata central .............................................................. 117
Figura 5-1: Un transformador muy sencillo integrado en una tarjeta (PCB) de dos capas ........................... 123
Figura 5-2: Placa (PCB) de dos capas de un convertidor basado en la topología propuesta......................... 123
Figura 5-3: Modificación de la topología propuesta ........................................................................................... 124
Figura 5-4: Formas de onda de las tensiones de control de los MOSFETs en el prototipo 8:2 ...................... 125
Figura 5-5: Núcleo E18/4/10 y su complementario PLT18/10/2 .................................................................... 125
Figura 5-6: Implementación de la estrategia de devanados laterales 8:2 ......................................................... 129
xi
Figura 5-7: Líneas de flujo en el EI 18 en el diseño 8:2 de devanados laterales............................................... 131
Figura 5-8: Líneas de flujo en el entrehierro ........................................................................................................ 131
Figura 5-9: Layout de las espiras del transformador con la estrategia de devanados laterales .................... 132
Figura 5-10: Imagen del layout del prototipo 8:2 ................................................................................................ 133
Figura 5-11: Imagen del prototipo basado en la estrategia de devanados laterales ....................................... 133
Figura 5-12: Forma de onda de la corriente por el transformador en el prototipo 8:2 de devanados
laterales............................................................................................................................................ 135
Figura 5-13: Layout Implementación de la estrategia de devanados centrales 6:1......................................... 138
Figura 5-14: Layout de las espiras del transformador 6:1 .................................................................................. 142
Figura 5-15: Imagen del layout del prototipo 6:1 ................................................................................................ 143
Figura 5-16: Imagen del prototipo 6:1................................................................................................................... 143
Figura 5-17: Formas de onda del prototipo 6:1 de devanados centrales.......................................................... 145
Figura 5-18: Representación de las perdidas más significativas del 6:1 de devanados centrales ................. 146
Figura 5-19: Secundario del convertidor con rectificación Síncrona ................................................................ 146
Figura 5-20: Circuito de la topología propuesta con Rectificación Síncrona Autoexcitada........................... 147
Figura 5-21: Rendimiento del prototipo 6:1 con rectificación síncrona Autoexcitada ................................... 150
Figura 5-22: Formas de onda de la corriente en el primario del transformador la tensión del MOSFET
principal y la tensión de excitación del MOSFET de Rectificación síncrona .......................... 151
Figura 5-23: Circuito de la topología propuesta con Rectificación Síncrona Externa..................................... 151
Figura 5-24: Rendimiento del prototipo 6:1 con rectificación síncrona Externa ............................................. 152
Figura 5-25: Comparación de rendimientos del prototipo 6:1 entre rectificación síncrona
Autoexcitada y Externa ................................................................................................................. 152
Figura 5-26: Layout Implementación de la estrategia de devanados Combinados 1+5:1.............................. 155
Figura 5-27: Layout de las espiras del transformador 1+5:1.............................................................................. 159
Figura 5-28: Imagen del layout del prototipo 1+5:1............................................................................................ 160
Figura 5-29: Imágenes del prototipo 1+5:1.......................................................................................................... 160
Figura 5-30: Formas de onda del prototipo1+5:1 de devanados combinados................................................. 162
Figura 5-31: Rendimiento del prototipo 1+5:1 con rectificación síncrona Autoexcitada .............................. 163
Figura 5-32: Rendimiento del prototipo 1+5:1 con rectificación síncrona Externa ........................................ 163
Figura 5-33: Comparación de los rendimientos entre la solución propuesta y la empleada
actualmente ..................................................................................................................................... 166
Figura 6-1: Comparación de los rendimientos entre la solución propuesta y la empleada actualmente .... 173
Figura AII-1: Circuito equivalente del transformador ....................................................................................... 205
Figura AII-2: Ensayo de alimentar un devanado por corriente dejando el otro en vacío.............................. 207
xii
Lista de tablas
Tabla 4-1: Valores del ciclo de trabajo para diferentes valores de relación de vueltas y tensiones de
entrada siendo Vs=3´3V ................................................................................................................ 108
Tabla 4-2: Valores de la tensión del MOSFET para diferentes valores de relación de vueltas y
tensiones de entrada siendo Vs=3´3V.......................................................................................... 108
Tabla 4-3: Valores de la tensión del diodo par diferentes valores de relación de vueltas y tensiones de
entrada siendo Vs=3´3V ................................................................................................................ 109
Tabla 4-4: Valores de tensiones del convertidor para los valores iniciales de diseño ................................... 113
Tabla 4-5: Valores de las corrientes eficaces del convertidor para los valores iniciales de diseño ............... 114
Tabla 4-6: Valores de las inductancias necesarios para conseguir el ZVS para diferentes MOSFETs.......... 114
Tabla 5-1: Especificaciones de diseño ................................................................................................................... 124
Tabla 5-2: Diseño 8:2 devanados laterales............................................................................................................ 127
Tabla 5-3: . Modelo PEMag 8:2 devanados laterales........................................................................................... 128
Tabla 5-4: 8:2 devanados laterales con modelo de PEMag ................................................................................ 130
Tabla 5-5: 8:2 Devanados laterales, estimación de los resultados prácticos .................................................... 134
Tabla 5-6: Rendimientos y pérdidas medidos del prototipo 8:2 con devanados laterales (Ps=10W).......... 135
Tabla 5-7: Diseño 6:1 de la estrategia de devanados centrales .......................................................................... 137
Tabla 5-8: Modelo PEMag del diseño 6:1 de devanados centrales (Entrehierro del 30 μm en cada
columna).......................................................................................................................................... 138
Tabla 5-9: 6:1 devanados centrales con modelo PEMag..................................................................................... 139
Tabla 5-10: Modelo PEMag 6:1 devanados centrales con entrehierro 60μm solamente en la columna
central .............................................................................................................................................. 140
Tabla 5-11: Modelo PEmag 6:1 devanados centrales con entrehierro solamente en la columna central ..... 141
Tabla 5-12: Estimación de resultados de la estrategia de devanados centrales 6:1......................................... 144
Tabla 5-13: Medidas experimentales de rendimiento y pérdidas del prototipo 6:1 de devanados
centrales........................................................................................................................................... 145
Tabla 5-14: Estimación de los resultados del diseño 6:1 con rectificación síncrona ...................................... 149
Tabla 5-15: Comparación y verificación de la sustitución del diodo por la RS ............................................... 150
Tabla 5-16: Diseño 1+5:1 devanados combinados con rectificación síncrona ................................................. 154
Tabla 5-17: Modelo PEMag A+ 1+5:1 ................................................................................................................... 155
Tabla 5-18: Diseño con Modelo PEMag del A+ 1+5:1......................................................................................... 156
Tabla 5-19: Modelo A+ 1+5:1 con entrehierro en la columna central ............................................................... 157
Tabla 5-20: Diseño con Modelo PEMag del A+ 1+5:1 con entrehierro en la columna central y con
rectificación síncrona ..................................................................................................................... 158
Tabla 5-21: Resultados experimentales del prototipo 1+5:1 basado en el modelo A+ con rectificación
síncrona ........................................................................................................................................... 161
Tabla 5-22: Resultados experimentales del prototipo 1+5:1 basado en el modelo A+ con rectificación
síncrona ........................................................................................................................................... 162
Tabla 5-23: Comparación de los rendimientos de las diferentes topologías estudiadas................................ 165
Tabla 5-24: Comparación de las temperaturas de los componentes................................................................. 165
Tabla AIII-1: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo A+ .... 210
Tabla AIII-2: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo A- ..... 211
Tabla AIII-3: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo B+..... 212
Tabla AIII-4: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo B-...... 213
Tabla AIII-5: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo C+ .... 214
Tabla AIII-6: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo C- ..... 215
Tabla AIII-7: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo D+ .... 216
Tabla AIII-8: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo D- ..... 217
Tabla AIII-9: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo
E++ ................................................................................................................................................... 218
Tabla AIII-10: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados Modelo E-
- ......................................................................................................................................................... 219
E+- .................................................................................................................................................... 220
xiii
PLANTEAMIENTO Y RESUMEN DE LA TESIS
Este trabajo de investigación esta centrado en el campo de la electrónica de potencia y
más concretamente en el área de las fuentes de alimentación. En este trabajo se
propone una solución topológica orientada a convertidores CC/CC de baja potencia
(decenas de watios) y alta ganancia, es decir, la tensión eléctrica de entrada y de salida
son muy diferentes (de relación 10:1 o superiores).
La solución que se propone y analiza en esta tesis permite además abordar aplicaciones
donde el coste sea un parámetro crítico.
La solución topológica propuesta se deriva de la topología Flyback con enclavamiento
activo [6]. La principal diferencia radica en que la solución propuesta presenta una
inductancia en serie con el transformador de un valor relativamente grande respecto
a la inductancia magnetizante del transformador. Esta inductancia afecta de forma
muy importante al funcionamiento del convertidor. Este trabajo además de analizar
para qué tipo de aplicaciones puede ser interesante esta solución, estudiar en detalle la
influencia de los principales parámetros de diseño tanto a nivel estático como
dinámico.
Vs
VE
Flyback con enclavamiento activo
Lserie
Vs
VE
Topología propuesta
Este trabajo de investigación vino motivado por una nueva necesidad en el mundo de
la automoción. La aparición de cada vez más utilidades y aplicaciones a bordo de un
automóvil ha disparado el consumo de energía eléctrica provocando que este sector
industrial se plantee cambiar la tensión de las baterías, pasando de los 12V clásicos a
42V. Este cambio generaría una nueva especificación para las fuentes de alimentación
xv
Planteamiento y resumen de la tesis
que en lugar de alimentarse de 12V para generar 3´3V, 1´5V, 0´8V etc., pasarían a
alimentarse desde 42V, lo cual supone un salto muy significativo.
Además, el problema a resolver se agrava cuando se tiene en cuenta que en este sector
industrial el coste es un parámetro muy crítico.
Es en este entorno donde la empresa Alcatel plantea al Centro de Electrónica Industrial
un proyecto de investigación cuyo objetivo es proponer soluciones topológicas que,
manteniendo los costes actuales, sean capaces de alimentarse desde 42V en lugar de los
12V clásicos. El objetivo era muy ambicioso y complejo y fruto de este proyecto
industrial se deriva la presente tesis doctoral.
La modificación de la tensión de alimentación supondría un grave problema para la
solución que actualmente se utiliza en el sector de la automoción: el convertidor
Reductor. El convertidor Reductor reduce el coste de la fuente de alimentación pero
presenta altas pérdidas cuando debe proporcionar tensiones tan bajas como 3´3V y
1´5V desde una tensión tan alta como 42V.
La presente tesis aborda esta problemática a través de la propuesta de una nueva
alternativa para la conversión de baja potencia desde los 42V hasta la baja tensión
requerida por los distintos módulos electrónicos que integran el vehículo. El
convertidor CC/CC propuesto como solución deberá cumplir como premisa
fundamental un buen compromiso entre rendimiento y coste.
En el primer capítulo se hace una introducción al problema que se intenta resolver en
esta tesis. También se revisan cuáles son las principales ventajas e inconvenientes de
las principales topologías aplicables
En el segundo capítulo se propone de forma original una nueva solución topológica
derivada del convertidor Flyback. Esta topología se analiza en gran profundidad y
detalle, estudiando la influencia de los principales parámetros. Además, se hace un
análisis estático y dinámico de la topología propuesta.
En el tercer capítulo se analizan, modelan y comparan diferentes estrategias para
integrar en un único componente magnético la inductancia serie y el transformador
que requiere la solución topológica propuesta. Se estudiarán varias configuraciones y
para cada una de ellas se hará un análisis detallado para determinar sus parámetros
más característicos . Cada una de las configuraciones se modela utilizándose este
modelo en el diseño completo del convertidor.
En el cuarto capítulo se propone de forma original una metodología para optimizar el
diseño de la solución topológica propuesta en esta tesis. La metodología de diseño está
basada en la determinación de la energía manejada por la inductancia equivalente del
Flyback clásico equivalente de la topología propuesta.
En el quinto capítulo se valida experimentalmente el funcionamiento de la solución
propuesta así como el análisis estático y dinámico del convertidor y la correspondiente
metodología de diseño propuesta .
Esta validación se realiza sobre tres prototipos diseñados y construidos sobre tres
estructuras magnéticas diferentes.
También ha de destacarse que se ha analizado y evaluado el uso de la rectificación
síncrona en esta topología.
Finalmente en el sexto capítulo se resumen todas las conclusiones extraídas en los
estudios realizados así como se destacan las aportaciones de este trabajo de
xvi
Planteamiento y resumen de la tesis
investigación. Así mismo, se proponen líneas de trabajo futuro que el autor identifica
como temas de gran interés en el corto o medio plazo.
Como resultado de las aportaciones y del trabajo que se ha desarrollado en esta Tesis
doctoral se han publicado un total de tres artículos en diferentes conferencias. Dos de
ellos han sido publicados en el IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) una de
las conferencias internacionales más importantes dentro del sector de la electrónica de
potencia ([2] y [12]). Y el tercero en el Seminario Anual de Automática, Electrónica
industrial e instrumentación (SAAEI) [11].
xvii
ABSTRACT
This PhD Thesis presents and analyzes a low power topology derived from Flyback
with Active Clamp based on very simple and low cost transformers. The main feature
of this Flyback topology is that the ratio between magnetizing inductance and the
series inductance (leakage or integrated inductor) is very low (Lmag/Lserie= 2/1, 5/1,
10/1 …).
Lserie
Vout
Vin
Proposed topology
The motivation of this research work comes from a low power automotive application.
However, the proposed topology can be applied to other low power applications
where cost is critical and the input to output voltage ratio is high enough to use turns
ratio.
The automotive specifications, according to Alcatel company, that motivated this work
are a low power DC/DC converter that directly supplies a low voltage load from 42V
distribution voltage:
1. Input voltage 42V (18V-58V).
2. Output voltage 3´3V.
3. Maximum output current 3A (5A with Synchronous Rectification).
This work proposes integrate the series inductance with the transformer in a single
magnetic component in order to reduce the cost of the converter. In this work different
alternatives have been analyzed and compared to integrate these two elements.
It is important to mention that, in this research, experimental results have been
obtained through laboratory prototypes. The theoretical operation of the proposed
topology has been also validated through the experimental results. In addition this
validation has been done based on three different alternatives to integrate the magnetic
elements (the series inductance and the transformer).
I. STEADY STATE AND DYNAMIC ANALYSIS OF THE PROPOSED TOPOLOGY

An inductance in series with the transformer can strongly affect the behavior of the
Flyback with Active Clamp topology, either the steady state operation as well as the
dynamics. This effect becomes more significant when the ratio between magnetizing
and series inductance is low (20:1, 10:1 or even lower).
xix
Abstract
L1
VL1 L1 L2
Vmag Lmag
VL1 VL2
Vin Vc rt.Vout
Vmag Lmag
a) Stage A: (D-δ).T b) Stage B: (1-D).T
L1 L2
VL1 VL2 rt.Vout

Vmag Lmag
Vin
c) Stage C: δ.T
Operation stages of the proposed topology
Stages A and B also occur in the classical Flyback with Active Clamp topology but
Stage C is the stage that really differentiate these two topologies. During Stage C, both
primary and secondary switches are conducting since diode current is slowly
decreasing before being off and simultaneously the transformer is starting to be slowly
magnetized.
The lower this ratio, the higher the energy handled by the series inductance, which is a
clear drawback of this topology.
However it can provide some interesting advantages in low power applications:
1. ZVS in the main and the auxiliary switches.
2. Soft turn-off of the rectifier diode, reducing reverse recovery losses.
3. It allows the use of very simple and low cost transformers, taking advantage of
the high leakage inductance.
A reduced-order large signal average model for this topology is developed and
experimentally validated and its dynamics is analyzed.
xx
Abstract
< IL1 >
< Imag >

_
+
< Vencl > Lmag _+ < ID > < Vout >
_
< Vin > +
< VT1 >
< Iaux > +

_+
_ < VDSprim >
Reduced-order average model circuit of the proposed topology
The transfer function has three poles and two zeros (RHP and LHP). The higher the
series inductance, the lower the RHP zero frequency. Therefore, the series inductance
affects the RHP zero of the Flyback topology, limiting the maximum bandwidth
achievable by the converter.
II. POSSIBLE INDUCTOR + TRANSFORMER CONFIGURATIONS

As said above, the series inductor and the transformer can be implemented in many
different configurations. Regarding simplicity and cost, this PhD Thesis is focused in
three possible configurations where the different inductances are integrated in only
one core. The considered three configurations are:
1. Two series inductor + transformer: A great series inductance can be obtained,
due to the no common flux that crosses the center leg in the transformer. Though
the capability to generate series inductance is very important, the losses in the
core are also very high because of the high flux ripple that flows through the
core.
N1
N2
Two series inductor + transformer
2. Classical transformer with very bad coupling: The disadvantage of this strategy
is not able to obtain no common flux in the core, although being able to store
energy in the air that allows to have a certain series inductance. Though the
values of the leakage inductance that can be reached are not very high, this
xxi
Abstract
strategy has the advantage of generating small losses in the core, and therefore it
can be an interesting alternative.
N1
N2
Classical transformer with very bad coupling
3. Series inductor + transformer: This strategy is an intermediate point between

previous two strategies, being able to obtain higher values of series inductance
than the “Classical transformer with very bad coupling” strategy but at the cost
of increasing the losses in the core. There are a great number of possible
alternatives to implement it, eleven in total, which has been analysed and
compared in this work. One of these alternatives has given very good results for
Alcatel's specification and it is a solution to have in mind.
N1’’
N1’
N2
Series inductor + transformer
Depending on the specification, one of these configurations or other possibilities can be

the more suitable solution.
xxii
Abstract
III. DESIGN METHODOLOGY OF THE PROPOSED SOLUTION

In this PhD Thesis, a design methodology is proposed to facilitate the design of
solutions based on the proposed topology due to the great number of variables that
concern the behavior of the converter: switching frequency, turns ratio, magnetizing
inductance, series inductance (leakage or integrated inductor), … etc.
The next graph shows the stages of the proposed methodology to design converters
based on the proposed solution.
Vin ,Vout, Iout
1 rti
VDSprim_max, D
2 Kri
EL(Energy handled by de equivalent inductance)
3 (Li x Fi) = cte
First stage (Equivalent Flayback) 4 → Li

Fi ?
5
Lmi,Lsi
Lmi,L1i
Li= (Lmi + L1i),
Lsi), KLi=Lmi/L1i
KLi=Lmi/Lsi
6 Voltages and Currents calculation
No
7 ZVS
Yes
Acceptable No
8 Circulating
Energy
L
Yes
(L x F) = cte 11
Transformer (Matherial, Core,…) 9 Components (MOSFETs, Diode,…)
F,Kr
rt
Yes Acceptables No
Saturation 10
12 Components
Losses
No Yes
No Acceptables
Transformer
13 Losses
Yes
No Acceptable Losses
+
14 Size
Acceptable
15 End of design
Second stage (Proposed Topology)
Proposed design methodology
xxiii
Abstract
To reduce the losses caused by the voltage drop in the rectifier diode, it is proposed to
use Synchronous Rectification (RS). There have been presented two options to drive
the MOSFET of synchronous rectification. The first option is the utilization of the
selfdriven synchronous rectification that consists on driving the rectifier MOSFET
directly from the transformer. The second option is the external synchronous
rectification without magnetic isolation using an additional circuit to drive the rectifier
MOSFET.
Performance of this topology is validated in different prototypes developed for an
automotive application. The proposed solution achieves a promising trade-off between
efficiency and cost in low power applications with medium or high input/output
voltage ratio.
100
VIN
Ve=
= 42V,
42V,VVs=
OUT=3.3V
3.3V
95
90
85.23 %
85
Efficiency %
84.54 %
80
75 72.06 % 78.04 %
70 69.70 %
68.19 % 71.60 %
65
60
55
48.57 %
50
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Iout (A)
Proposed Topology Self Syn. Rec

Proposed Topology Ext Syn. Rec
Proposed Topology with Rectifier Diode

Buck based on Infineon Module : TLE6389
Comparison between the efficiency of the proposed topology and the topology used now
One of the most important conclusions of this work is that the solution can be of great
interest for applications of low power and low cost as the developed by Alcatel. The
feasibility of the solution developed in this work has been validated experimentally on
several prototypes obtaining very satisfactory results as a trade-off between cost and
performance for the specification for the sector of automotion developed by Alcatel.
As said above, the behavior of Flyback with Active Clamp topology is strongly affected
when the energy handled by the series inductance is similar to that handled by the
magnetizing inductance. The solution proposed and analyzed in this research work is a
xxiv
Abstract
Flyback topology, whose behavior is modified by the energy handled in the series
inductance. A case included within this proposed solution is a classical Flyback with
AC topology but with a very simple transformer that presents a high leakage
inductance.
xxv
1. MOTIVACIÓN DE LA TESIS
Índice
1.1 Introducción
1.2 Sistema de alimentación en el sector de la automoción
1.3 Especificaciones de funcionamiento
1.4 Análisis preliminar de topologías candidatas
1.4.1 Reductor (Buck)
1.4.2 Reductor con toma media (Buck CT)
1.4.3 Flyback
1.4.4 Flyback con enclavamiento activo (Flyback AC)
1.5 Comparación y selección de la topología propuesta
1
Motivación de la Tesis
1.1 Introducción
En los últimos años, en diferentes sectores de la industria la gran evolución de las
cargas electrónicas como los microprocesadores ([77], [78], [80], [83], [84], [85] y [116])
está afectando de forma muy importante a las correspondientes fuentes de
alimentación ([45], [47], [54], [65], [66], [67], [74], [97], [98], [106], [107], [110] y [117]).
Claros ejemplos los tenemos en el sector de los computadores y el procesamiento de
datos, las telecomunicaciones y el sector del automóvil. Por diferentes motivos, en
estos sectores se hace necesario estudiar y proponer nuevas soluciones topológicas
para alimentar circuitos de baja tensión (3´3V, 1´5V,…) desde un bus de tensión alto
(24V o incluso 42V para “datacom”, 48V para “telecom” y 42V en el sector de la
automoción).
Buena prueba de esta necesidad es el gran número de trabajos que se vienen
publicando durante los últimos años en las conferencias más importantes de
electrónica de potencia y de alto prestigio internacional (IEEE Applied Power
Electronics Conference (APEC), IEEE Power Electronics Specialist Conference, etc.),
proponiendo diferentes soluciones topológicas y circuitos para cubrir las nuevas
necesidades ([5], [20], [22], [23], [24], [26], [31], [32], [35], [39], [40], [41], [42], [44], [49],
[51], [52], [58], [60], [71], [72], [89], [90], [91], [101], [105], [112], [113] y [114]).
Por otro lado, en los últimos años, en congresos como APEC y PESC, se han abierto
sesiones especiales dedicadas a los temas relacionados con la automoción.
Lo anterior indica, que el tema que se esta tratando es de actualidad, y que
aportaciones que se hagan al respecto pueden resultar muy interesantes desde el punto
de vista de la innovación tecnológica.
Por las razones anteriores, en la presente tesis se propone un Estudio y análisis de
soluciones Topológicas de convertidores CC/CC para alimentar, desde alta tensión de
entrada (18V, 42V, 58V), las nuevas cargas electrónicas en automóviles y que requieren
baja tensión de alimentación (3´3V) y baja potencia (10W).
1.2 Sistema de alimentación en el sector de la automoción

Este sector está evolucionando rápidamente en los últimos años. Cada vez se
incorporan más microprocesadores y circuitos electrónicos a los automóviles con el
consecuente aumento de energía a suministrar. Tal ha sido este crecimiento en los
últimos años que la industria del automóvil se ha planteado subir la tensión de las
baterías de 12V a 42V ([20], [22], [35], [39], [40] y [41]). El motivo está en el incremento
de la energía que han de suministrar las baterías del automóvil. Para los nuevos niveles
de energía que han de almacenar las baterías, el sistema de alimentación encuentra su
tensión óptima, desde el punto de vista de tamaño, coste y rendimiento, en valores más
altos de los clásicos 12V. Como nueva tensión de compromiso entre la energía a
almacenar y la normativa de seguridad se ha seleccionado el nivel de 42V como nueva
tensión de las baterías. Este valor permite distribuir con tensiones más altas pero sin
3
Capítulo 1. Motivación de la Tesis
ser necesario tener aislamiento galvánico entre esta tensión y los puntos eléctricos
accesibles.
Aunque en un principio convivirían los dos niveles de tensión, 12V y 42V, el objetivo
sería tener una tensión única de distribución principal en el automóvil de 42V.
Muchos de los microprocesadores que se utilizan en el automóvil son sencillos y no
son cargas muy críticas para ser alimentadas. Sin embargo, a medida que se incorporen
mayores servicios en los automóviles, Internet, televisión, etc., los requisitos de algunos
microprocesadores irán subiendo. Por lo tanto, también en este sector se prevé la
necesidad de fuentes de alimentación que desde alta tensión, 42V, sean capaces de
alimentar circuitos integrados con baja tensión, alta corriente y rápida respuesta
dinámica.
La razón del cambio se encuentra en el continuo incremento del número de sistemas
electrónicos dedicados a la seguridad y confort del vehículo, lo que provoca un
incesante aumento en la potencia demandada. Las baterías de 12V son capaces de
proporcionar esa demanda energética, pero a costa de suministrar cada vez más
corriente, lo cual se traduce en un aumento en las pérdidas por conducción a lo largo
de los sistemas de distribución del automóvil. Con las nuevas baterías de 42V ese
suministro de potencia se hará con una corriente tres veces menor que la
proporcionada por las baterías actuales, lo cual reducirá las pérdidas por conducción a
la décima parte aproximadamente, suponiendo un ahorro energético en los sistemas de
distribución cercano al 90%. Además, este aumento de la tensión permite que las
nuevas baterías almacenen la misma energía en un menor tamaño.
Los distintos sistemas electrónicos que en el integran el vehículo se dividen en lo que
se denomina módulos electrónicos, cada uno de estos módulos incluye su propio
sistema de alimentación. Excluyendo aquellas cargas alimentadas a 12V, el resto serán
cargas electrónicas con una necesidad de alimentación desde 5V hasta 3´3V.
La modificación de la tensión de alimentación supondrá un grave problema para la
alimentación de estos módulos electrónicos a causa de la inviabilidad de la topología
empleada en la actualidad, el Reductor, para proporcionar la baja tensión de salida
respecto a los futuros 42V de la batería.
El objetivo de esta tesis es abordar esta problemática a través de la propuesta de una
nueva alternativa para la conversión de baja potencia desde los 42V hasta la baja
tensión requerida por los distintos módulos electrónicos que integran el vehículo. El
convertidor CC/CC propuesto como solución deberá cumplir como premisa
Como se estudiará en el siguiente capítulo el Reductor es una topología muy simple y
con un muy buen rendimiento cuando la relación entre la tensión de entrada y de
salida no es excesivamente elevada, pero el importante aumento producido en la
tensión de las baterías la convierte en inadecuada para esta aplicación, por lo que
comienza a ser necesario analizar otras soluciones y topologías que incluyan un
transformador para reducir de manera más eficaz la relación entre ambas tensiones.
Por el contrario el transformador es un elemento de alto coste en un convertidor, de ahí
la importancia que tendrá el diseño de los componentes magnéticos para cumplir con
la premisa esencial de este trabajo de investigación, el coste.
4
1.3 Especificaciones de funcionamiento

Las especificaciones que debe cumplir la etapa de potencia del convertidor, objeto de la
investigación de esta tesis, se describen a continuación. Estas especificaciones han sido
propuestas por la empresa Alcatel dentro de un proyecto industrial que finalmente
desembocó en este trabajo de investigación.
• La tensión nominal de la batería es de 42V, pero esta tensión puede variar en un
rango comprendido entre los 18V y 58V a causa de situaciones transitorias.
• La tensión a la salida debe ser de 3´3V en continua.
• La potencia de salida en condiciones nominales es de 10W (3´3V y 3A). Se analizará
su comportamiento en condiciones de mayor corriente de salida.
• El rizado de tensión a la salida no debe superar los 100mV de pico a pico.
• La temperatura ambiental a la cual se puede encontrar el convertidor puede llegar a
ser de 85˚C aproximadamente.
• El objetivo fundamental es obtener un coste reducido de fabricación.
Aparte de las especificaciones funcionales y no funcionales existirán unas restricciones
de diseño, impuestas por los propios diseñadores, para asegurar el buen
funcionamiento del producto. Además se deberá cumplir otro conjunto de restricciones
impuestas por las normativas de calidad.
Una vez terminado el documento de especificaciones del producto el siguiente paso es
realizar el estudio de las diferentes topologías que pueden ser aplicadas a estas
especificaciones, cumpliéndolas con el mejor rendimiento posible.
1.4 Análisis preliminar de topologías candidatas

A continuación se describen aquellas topologías más propicias para la conversión
CC/CC de baja tensión y baja potencia de salida.
1.4.1 Reductor (Buck)

Es la topología más sencilla y la más usada en aplicaciones de baja potencia siempre
que la tensión de entrada no sea mucho más grande que la tensión de salida. Esta
topología es la más empleada para la conversión CC/CC desde las actuales baterías de
12V por ser la más simple de todas [25], a la vez que la más efectiva para un índice de
reducción de tensión bajo 3´3V o menos.
En la Figura que se muestra a continuación se encuentra representado el circuito
equivalente de la etapa de potencia de esta topología.
5
Figura 1-1: Reductor
Sin embargo, el paso a 42V de tensión de entrada provoca un aumento de las tensiones
soportadas por los semiconductores, mientras que la corriente por los componentes
sigue siendo la misma, al mantenerse la tensión de salida constante (para una
determinada potencia de salida y una tensión constante la corriente de salida queda
fijada). Este efecto de aumento de la tensión soportada por los semiconductores a igual
corriente provoca un fuerte aumento de las pérdidas por conmutación tanto en el
diodo como en el MOSFET.
La ganancia en continua de esta topología es la siguiente:
VS = VE ⋅ D (1.1)
Donde D, denominado ciclo de trabajo del convertidor, es la proporción del periodo de

conmutación en el que el MOSFET esta cerrado, dejando pasar corriente.
Según la función de transferencia de esta topología, un grave problema que surge al
aumentar la tensión de entrada es la disminución hasta valores muy pequeños del ciclo
de trabajo como demuestra la Figura 1.2.
Para convertir 42V en 3´3V sería necesario, en este caso, un ciclo de trabajo del 8%
aproximadamente, y para el caso extremo en el cual la tensión de entrada asciende
hasta los 58V este valor debería disminuir por debajo del 6%.
Vs/VE
D
Figura 1-2: Ganancia en continua del Reductor
Los valores bajos del ciclo de trabajo pueden ocasionar una serie de problemas como:
6
• La capacidad de regulación del convertidor está limitada.

• Los valores extremos del ciclo de trabajo no son recomendables, ya que generan
desequilibrios en el convertidor (unos componentes están muy cargados mientras
que otros casi no trabajan) y perdidas elevadas.
• Pérdidas de conmutación: Altas tensiones y altas corrientes.
El reductor es una topología muy simple y con un muy buen rendimiento cuando la
relación entre la tensión de entrada y de salida no es excesivamente elevada, pero el
importante aumento producido en la tensión de las baterías la convierte en inadecuada
para esta aplicación, por lo que comienza a ser necesario analizar otras soluciones y
topologías que incluyan un transformador para reducir de manera más eficaz la
relación entre ambas tensiones.
Empleando convertidores con dos etapas [88] se puede mejorar la función del control
consiguiendo valores mas grandes y aceptables del ciclo de trabajo. Sin embargo no se
va a utilizar este tipo de topologías puesto que uno de los objetivos mas importantes de
esta tesis es conseguir una topología simple y de bajo coste.
1.4.2 Reductor con toma media (Buck CT)

La siguiente Figura muestra el circuito equivalente de esta topología.
Figura 1-3: Reductor con toma media
Una ventaja de esta topología es la existencia de un autotransformador [91], lo que

proporciona una relación de transformación de la tensión, por lo demás esta topología
es muy semejante al reductor.
La función de transferencia de esta topología es la siguiente:
D (1.2)
VS = VE ⋅
1 + rt ⋅ (1 − D )
Donde rt es la relación de vueltas del autotransformador y D el ciclo de trabajo.

Con esta topología se consigue mejorar el inconveniente de tener un ciclo de trabajo
excesivamente bajo como se ve en la Figura 1.4, además de reducir la tensión inversa
que debe soportar el diodo. Por ejemplo para un transformador con una relación 2:1 y
7
42V de entrada se necesita un ciclo de trabajo del 20% mientras que en el peor caso
(58V) será del 15%, lo que supone unos valores bastante más adecuados.
Vs/VE
D
Figura 1-4: Ganancia en continua del Reductor con toma media
Una vez realizado un prototipo de esta topología, el rendimiento obtenido fue muy
bajo, la causa se encuentra en la gran inductancia de dispersión obtenida en el
autotransformador, la cual perjudica enormemente el comportamiento de la topología.
Tras los malos resultados experimentales obtenidos se desechó el empleo de esta
topología.
1.4.3 Flyback
Es una topología muy simple [25] y además con aislamiento, lo que permite obtener
una importante reducción de tensión. Su circuito equivalente se representa a
continuación.
Figura 1-5: Flyback
La función de transferencia del Flyback se muestra a continuación:
1 D (1.3)
VS = VE ⋅ ⋅
rt 1 − D
Esta función de transferencia, como demuestra la Figura 1.6, permite que el ciclo de
trabajo necesario en condiciones nominales (42V) sea del 24%, del 18% para 58V y del
42% a 18V, todos ellos para una relación de transformación de 4 :1 en el transformador.
8
Vs/VE
D
Figura 1-6: Ganancia en continua del Flyback
El principal inconveniente del Flyback es que el transformador necesita estar muy bien
acoplado para que se minimice la inductancia de dispersión, debido a que ésta genera
unos picos de tensión muy importantes durante el apagado del MOSFET, provocando
una reducción de su vida útil y una pérdida de energía, y por consiguiente de
rendimiento.
Esta necesidad de un buen acoplamiento del transformador produce un aumento muy
importante del coste total del convertidor, ya que se necesita que las espiras de aquel
estén muy bien entrelazadas entre sí, y posteriormente soldadas a la placa de circuito
impreso.
1.4.4 Flyback con enclavamiento activo (Flyback AC)

Es una topología semejante al Flyback ([1], [6] y [18]), su circuito equivalente se
representa a continuación.
Figura 1-7: Flyback con enclavamiento activo
Aunque mantiene la misma función de transferencia del Flyback [6], incluye un

circuito adicional que conlleva una serie de ventajas respecto de aquel:
• Recicla la energía de dispersión en el condensador de enclavamiento.
• Tiene capacidad de producir conmutación a tensión nula (ZVS) ([6], [19] y [115]), lo
cual disminuye enormemente las pérdidas de conmutación.
9
• Reduce los picos de tensión producidos en el MOSFET principal.

Un inconveniente de esta topología es la mayor complejidad del control al emplear dos
MOSFETs, en vez de uno sólo, como en el resto de las topologías comentadas, además
de un aumento en el número de componentes necesarios para la etapa de potencia, y
por tanto del coste.
1.5 Comparación y selección de la topología propuesta

La gráfica de la Figura 1.8 muestra el rendimiento de una implementación de cada una
de las topologías anteriormente descritas y diseñadas para una tensión de entrada de
42V y una tensión de salida de 3´3V.
85
Ve =42V Vs =3.3V
83
79.6
81
Rendimiento %
79
77 79.05
75
73 71.6
71
69
67
65 68.15
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0
Is (A)
Reductor
Reductor con toma media
Flyback
Flyback con enclavamiento activo
Figura 1-8: Comparación de ganancias de las topologías aplicables
El Reductor (Figura 1.9), basado en el modelo TLE 6389 de Infineon [36], es una
topología muy simple y que proporciona un rendimiento muy bueno cuando las
tensiones de entrada y de salida son similares, pero presenta unas pérdidas altas de
conmutación cuando estas tensiones son muy diferentes en este caso se obtuvo 71´6%
de rendimiento a 3A, por lo tanto es una topología inadecuada para nuestras
condiciones de operación.
10
Figura 1-9: Prototipo del Reductor
El análisis del Flyback (Figura 1.11) y del Reductor con toma media (Figura 1.13),
fabricados con los transformadores de las Figuras 1.10 y 1.12, concluye en la necesidad
de tener un transformador muy bien acoplado y por tanto de alto coste, para tener un
rendimiento aceptable en esta aplicación, aunque finalmente los resultados
experimentales de estas dos topologías no han sido demasiado buenos para la potencia
de salida demandada, principalmente en el caso del Reductor con toma media que
tuvo 68´6% de rendimiento a 3A frente a 79´05% en el caso del Flyback que tuvo bajos
rendimientos a más carga.
Transformador
Transformer
RM6, 3F3
Air Gap 130μm
Entrehierro 130μm
Primary
Primario(yellow)
(amarillo)
# turns:
vueltas: 3232
Wire
Diámetro
Gauge:hilo: AWG31
0.27mm
(0.27mm)
Parálelo: 1
Parallel:(rojo) 1
Secundario
Secondary (red)
# vueltas: 8
# turns: hilo:8 0.64mm
Diámetro
Wire Gauge: 1AWG23
Parálelo:
(0.64mm)
Parallel: 1
Figura 1-10: Transformador del Flyback
11
Figura 1-11: Prototipo del Flyback
Las siguientes Figuras representan el transformador y el prototipo fabricado de la

topología Reductor con toma media.
Transformador
RM6, 3F3
Entrehierro 220μm
Primario (rojo)
# vueltas: 32
Diámetro hilo: 0.29mm
Parálelo: 1
Secundario (amarillo)
# vueltas: 16
Parálelo: 1
Figura 1-12: Transformador del Reductor con toma media
Figura 1-13: Prototipo del Reductor con toma media
El Flyback con enclavamiento activo (Figura 1.15), fabricado con el transformador de la

Figura 1.14, con un rendimiento de 79´6% a 3A, es la topología más adecuada para esta
12
aplicación además tiene un comportamiento diferente al del Flyback a más carga,

según la gráfica de rendimientos de la Figura 1.8.
Transformador
RM5, 3F3
Entrehierro 180μm
Primario (amarillo)
# vueltas: 12
Parálelo: 1
Secundario (rojo)
# vueltas: 3
Parálelo: 4
Figura 1-14: Transformador del Flyback con enclavamiento activo
Figura 1-15: Prototipo del Flyback con enclavamiento activo
Como resultado del análisis comparativo la mejor solución parece ser el Flyback AC,
pero al necesitar reducir el coste del convertidor se buscará una topología que permita
incluir un transformador con muy mal acoplamiento, y por tanto con muy bajo coste. A
partir de ahora la cuestión se centra en si podemos obtener un Flyback AC con un
transformador con muy bajo coste y con un rendimiento aceptable.
Un transformador con bajo coste tendrá un acoplamiento muy malo, y por lo tanto
tendrá una dispersión muy alta, esta idea la podemos plasmar a través del desarrollo
de una nueva topología basada en el Flyback AC.
La topología propuesta tendrá una bobina en serie con el transformador, de esta forma
la inductancia de dispersión asociada a un transformador con mal acoplamiento se
integrará junto con la bobina serie en el funcionamiento del convertidor. El siguiente
capítulo se encarga de estudiar el comportamiento de esta nueva topología, analizando
la influencia de tener una bobina en serie con un transformador.
13
2. ANÁLISIS ESTÁTICO Y DINÁMICO DE LA
TOPOLOGÍA PROPUESTA
Índice
2.1 Introducción
2.2 Topología propuesta
2.3 Circuito equivalente del convertidor
2.4 Análisis estático del convertidor
2.4.1 Estudio del comportamiento de la topología
2.4.2 Estudio detallado del comportamiento de la topología
2.4.3 Descripción del funcionamiento de la topología
2.4.4 Formas de ondas características
2.4.5 Lazo de enclavamiento activo
2.4.6 Análisis en régimen permanente: Modelo eléctrico
2.4.6.1 Análisis matemático de la etapa A
2.4.6.2 Análisis matemático de la etapa B
2.4.6.3 Análisis matemático de la etapa C
2.4.6.4 Función de transferencia del convertidor en régimen permanente
2.5 Diferencias entre la topología propuesta y el Flyback con enclavamiento activo
2.6 Modelo de pérdidas del convertidor
2.6.1 Pérdidas en los MOSFETs
2.6.2 Pérdidas en el diodo
2.6.3 Pérdidas en los componentes magnéticos
2.7 Análisis dinámico del convertidor
2.7.1 Modelo promediado de la nueva topología
2.7.2 Validación del modelo promediado de la nueva topología
2.7.3 Análisis de la respuesta en frecuencia
2.8 Conclusiones
15
Análisis estático y dinámico de la topología
propuesta
2.1 Introducción
En este capítulo se realiza el análisis de la topología propuesta en esta tesis ([2] y [11]).
Esta nueva topología es derivada del Flyback con enclavamiento activo y se propone
para aplicaciones de baja potencia y esta basada en un transformador muy sencillo y de
bajo coste. La característica más importante de esta topología es tener una
inductancia serie (ya sea de dispersión o integrada en el mismo núcleo magnético
junto con el transformador) alta. Tanto el comportamiento estático como dinámico
están analizados en este capítulo.
Se analizará el comportamiento estático de la topología a través de un equivalente
eléctrico simplificado del convertidor para así entender más fácilmente su
funcionamiento. También se presentan las formas de onda características de la nueva
topología funcionando en régimen permanente.
Mediante un modelo promediado del convertidor se va a analizar su comportamiento
dinámico.
La existencia de numerosas restricciones relativas a funcionamiento, fabricación y coste
nos obliga a optimizar en pérdidas el diseño del convertidor, por lo que una vez
obtenido el modelo eléctrico de la topología se realizará un modelo de pérdidas para
facilitar la optimización del diseño.
Por lo tanto un objetivo fundamental de este capítulo es el de describir el
funcionamiento de la topología propuesta y mostrar sus diferencias respecto al Flyback
con enclavamiento activo (AC), además de mostrar las ventajas e inconvenientes de
esta topología.
2.2 Topología propuesta

Como se ha mencionado anteriormente, la diferencia entre la solución propuesta
(Figura 2.1) y el Flyback con enclavamiento activo (Flyback AC) es la inductancia en
serie con el primario del transformador, que como veremos más adelante confiere al
convertidor un comportamiento diferente al del Flyback AC.
17
Capítulo 2. Análisis estático y dinámico de la topología propuesta
Lserie
Batería rt : 1 Carga
Cencl Lp Ls Cs Vs Zs
+
CE VE DR
- MFaux
MFprim
Control
Figura 2-1: Topología propuesta
A continuación enumeraremos los elementos más importantes que componen la

topología mencionando brevemente sus funciones.
• Transformador (LP, LS, rt): Es el elemento más importante del convertidor, sus
funciones son:
• La relación de transformación permite trabajar con tensiones muy diferentes
entre la entrada y la salida. Ésta es la principal razón por la que se ha optado
por una topología con transformador al ser la relación entre la tensión de
entrada y de salida bastante alta (aproximadamente 13 para una tensión de
entrada de 42V y una tensión de salida de 3´3V).
• Almacena energía en el núcleo en forma de flujo magnético en ciertos
períodos de tiempo para suministrarla posteriormente. Un transformador tipo
Flyback es aquel que trabaja de esa forma, mientras que un transformador tipo
Forward [25] es el que transfiere la energía del primario al secundario
directamente sin almacenarla en el núcleo.
• Inductancia serie (Lserie): El valor alto de esta inductancia es el que marca la
diferencia entre esta topología y el Flyback con enclavamiento activo, por lo que
sus funciones serán estudiadas en profundidad en este capítulo. Funcionamiento,
conmutación a tensión cero (ZVS), apagado suave del diodo, transformador de
muy bajo coste…
2.3 Circuito equivalente del convertidor

Para obtener el circuito equivalente del convertidor se necesitará hacer unas
simplificaciones de todos los componentes que intervienen en la etapa de potencia,
obteniendo un modelo más simple de cada uno de ellos a través de elementos
eléctricos y electrónicos básicos.
Estas aproximaciones se pueden observar en la siguiente Figura, donde también se
indica la nomenclatura que se empleará para cada uno de los elementos que conforman
el circuito equivalente.
18
L1 L22= L2/n2
rt : 1
Cencl Lmag Cs Rs Vs
VE CE MFaux
DR
MFprim Cprim
Figura 2-2: Circuito equivalente de la topología propuesta
En este primer análisis se va a considerar sólo aquellos parásitos que afectan de forma
importante al funcionamiento básico de esta topología.
También en el análisis de las etapas de funcionamiento se considera que toda
dispersión esta concentrada en L1. Por lo tanto considerando que L2=0, el
funcionamiento del convertidor no se ve muy afectado.
Los MOSFETs se han aproximado por un interruptor ideal en paralelo con una
capacidad y un diodo parásitos, para aproximar aún más este modelo a un MOSFET
real faltaría una resistencia de conducción que provoca una caída de tensión y unas
pérdidas cuando está conduciendo, pero sólo se empleará para aproximar las pérdidas
de los semiconductores según las corrientes que circulan por ellos, en el modelo
eléctrico de la topología no se considerará al ser estas resistencias despreciables frente a
las impedancias inductivas del circuito, por lo que prácticamente no afectará a las
tensiones y corrientes que circulan por el convertidor.
El diodo se modelará por una resistencia serie (rd) y una caída constante de tensión en
conducción (Vf), la caída total (VD), debida a la suma de las dos anteriores, no podrá ser
despreciable debido a la reducida tensión de salida deseada. Lo que sería interesante
en casos de baja tensión de salida en orden de 3´3V, por lo que una caída típica para un
diodo de potencia, entre 0´4 y 0´7V, afectará en gran medida al resto de parámetros del
convertidor.
La carga se aproximará por una resistencia (Rs).
Los condensadores de salida se aproximarán por una capacidad. Una vez diseñados los
condensadores se añadirá al modelo una resistencia, denominada resistencia serie
equivalente (ESR) del condensador. Este nuevo modelo del condensador se empleará
para seleccionar el tipo, número y capacidad de los condensadores para cumplir con
las especificaciones de rizado de tensión a la salida del convertidor, el diseño de los
condensadores se encuentra implementado en la hoja de cálculo del Anexo I.
Los condensadores de entrada no se considerarán en el modelo al suponerse constante
la tensión de entrada.
El condensador de enclavamiento se modelará a través de una capacidad despreciando
su resistencia equivalente serie.
El transformador y la bobina serie se modelarán a través de cuatro parámetros:
19
• Una inductancia serie con el primario del transformador (L1) que representa la
inductancia de la bobina serie y la inductancia de dispersión del transformador.
• Una inductancia serie con el secundario del transformador (L22) que representa la
posible dispersión por flujo perteneciente exclusivamente al devanado secundario.
• Una inductancia magnetizante vista en primario (Lmag) que representa la energía
almacenada en el núcleo debido al flujo magnético común a los dos devanados.
• Un transformador ideal con una relación de transformación (rt :1) que depende del
número de espiras de cada arrollamiento y de la situación de estas sobre las
columnas del núcleo magnético.
• Las resistencias de los espiras de la bobina serie y de los dos devanados del
transformador solamente se consideran en el modelo de pérdidas para calcular las
pérdidas de potencia por conducción en los componentes magnéticos, pero para el
modelo eléctrico se ignoran por ser despreciables respecto a las componentes
inductivas de la impedancia total del circuito.
La causa por la cual empleamos este modelo de cuatro parámetros de un
transformador y una bobina serie reales se explica detalladamente en el siguiente
capítulo, dedicado íntegramente a modelar los componentes magnéticos del
convertidor para poderlos integrar posteriormente en el modelo eléctrico de la
topología propuesta.
2.4 Análisis estático del convertidor
2.4.1 Estudio del comportamiento de la topología

En [86] y [94] se analiza el Flyback con enclavamiento activo con una inductancia en
serie cuando ésta última es muy pequeña en comparación con la inductancia
magnetizante (L1<<Lmag). El estudio del funcionamiento de este convertidor se basa en
dos etapas (Figura 2.3) que representan los tiempos de encendido y el apagado del
MOSFET principal.
L1
L1 L2
VL1
Vmag Lmag
VL1 VL2
VE rt.Vs
Vc Vmag Lmag
a) Etapa A: D.T b) Etapa B: (1-D).T
Figura 2-3: Etapas de funcionamiento del Flyback AC
Las formas de ondas de las corrientes en las dos etapas de funcionamiento de esta
topología están mostradas en la Figura 2.4.
20
T
D.T (1-D).T
MFprim conduce
MFaux conduce
ILmag
IL1
ID
Etapa A Etapa B
Figura 2-4: Formas de ondas características del Flyback AC
En la topología analizada en esta tesis (Figura 2.1), la inductancia serie (que puede ser
la inductancia de dispersión del transformador) es muy próxima a la inductancia
magnetizante y no puede ser despreciada porque afecta al proceso de la transferencia
de energía y por lo tanto al funcionamiento de la topología (Figura 2.5). La baja
relación de inductancias (proporción entre la inductancia magnetizante y la serie),
alrededor de 10/1 o menos, hace que esta nueva topología sea diferente que las otras
configuraciones del Flyback con enclavamiento activo ([6], [33], [86] y [94]).
L1
L1 L2
VL1
Vmag Lmag
VL1 VL2
VE rt.Vs
Vc Vmag Lmag
a) Etapa A: (D-δ).T b) Etapa B: (1-D).T
L1 L2
VL1 VL2
Vmag Lmag rt.Vs
VE
c) Etapa C: δ.T
Figura 2-5: Etapas de funcionamiento de la topología propuesta
21
La Figura 2.5 muestra las etapas más características de funcionamiento de la topología

propuesta en esta tesis y la Figura 2.6 las formas de ondas de las corrientes en esas tres
principales etapas. Las etapas A y B también ocurren en la topología clásica del Flyback
con enclavamiento activo pero la etapa C es realmente la que marca la diferencia entre
las dos topologías. Durante la etapa C, los dos interruptores de primario (MOSFET
principal) y de secundario (Diodo rectificador) están conduciendo desde que la
corriente en el diodo empieza a bajar lentamente antes de que se bloquea (Figura 2.6) y
al mismo tiempo que el transformador empiece a magnetizarse de forma lenta.
T
D.T (1-D).T
MFprim conduce δ.T D1.T
MFaux conduce
ILmag
IL1
ID
Etapa Etapa Etapa
C A B
Figura 2-6: Formas de ondas características de la topología propuesta
En las topologías analizadas en [86], [94] y [95] se usa inductancia en serie para
conseguir la conmutación a tensión cero (ZVS) pero la energía manejada por esa
inductancia es mucho más pequeña que la manejada por la inductancia principal. Por
otro lado, las soluciones propuestas en [19], [68], [96], [99] y [100] usan un concepto
similar pero con diferentes topologías que la propuesta por este trabajo de
investigación. De hecho la inductancia serie de esas topologías tiene una forma de
onda de la corriente IL1 parecida a la forma de onda de la corriente de la Figura 2.6. Por
ejemplo, [68] propone una solución cuya inductancia serie puede ser más grande que
10% de la inductancia magnetizante.
El valor negativo de la corriente de primario (IL1) antes de que empiece a conducir el
interruptor principal permite obtener el efecto de la conmutación a tensión cero (ZVS)
y el apagado lento del diodo reduce significativamente las pérdidas de recuperación
inversa en el diodo rectificador.
El principal inconveniente de usar una inductancia serie es el aumento de circulación
de energía reactiva en el convertidor.
22
2.4.2 Estudio detallado del comportamiento de la topología

Para exponer el funcionamiento de la topología y realizar el posterior análisis de
obtención del modelo matemático del convertidor se muestra en la siguiente Figura el
circuito equivalente del convertidor mostrando en él la nomenclatura y los sentidos de
todas las corrientes y tensiones que emplearemos.
VL1 VL22
L1 rt : 1 L22= L2/n2
IL1 IT1
Imag
Cencl
Vencl Lmag VT1 VT2 Cs Rs Vs
IE
DR IC
VE MFaux Iencl ID IS
CE
VD
Cprim
VDSaux MFprim VDSprim
Figura 2-7: Nomenclatura de tensiones y corrientes de la topología propuesta
2.4.3 Descripción del funcionamiento de la topología

Los dos MOSFETs se controlan de forma que en cada instante de tiempo solamente
conduce uno de ellos, es decir cuando conduce uno el otro se encuentra apagado,
dejando ciertos tiempos muertos en las transiciones para evitar que se pueda producir
conmutación cruzada además de para obtener el efecto de la conmutación a tensión
cero (ZVS).
Se denomina ciclo de trabajo (D) a la fracción del periodo de conmutación en la que
conduce el MOSFET principal y por tanto es el periodo de tiempo donde la fuente de
alimentación proporciona corriente al convertidor.
Las formas de onda de las tensiones puerta-fuente (VGS) para los dos MOSFETs se
representan en la siguiente Figura:
23
Figura 2-8: Forma de onda de las tensiones de excitación de los MOSFETs
Esta forma de controlar los MOSFETs permite alternar el cierre de los lazos de primario
y de enclavamiento activo (Figura 2.9).
Lazo Primario Lazo de enclavamiento activo Lazo Secundario

L1 L1 2
L22= L2/rt
Lmag Cencl Lmag Lmag2 Cs

CE DR
MFaux
MFprim
Figura 2-9: Lazos de la topología propuesta
Una vez que el convertidor ha alcanzado el régimen permanente, todas las corrientes y
tensiones son periódicas. Para describir el funcionamiento general del convertidor se
supone que la tensión en el condensador del lazo de enclavamiento activo es constante,
hipótesis que posteriormente demostraremos que es fácil de implementar.
Durante cada periodo de conmutación se pueden distinguir siete etapas distintas de
funcionamiento, estas etapas se encuentran reflejadas en los diferentes circuitos de la
Figura 2.10.
24
IL1 rt:1
rt:1 IL1 rt:1
rt:1
Imag Imag
Fase1 Fase2
IL1 rt:1
rt:1 rt:1
rt:1
IL1
Imag
Imag
ID
Fase3 Fase4
IL1 rt:1
rt:1 IL1
rt:1
rt:1
Imag
Imag
ID ID
Fase5 Fase6
IL1
rt:1
rt:1
Imag
ID
Fase7
Figura 2-10: Fases de funcionamiento
25
Fase 1: Durante esta etapa el interruptor principal está cerrado y el auxiliar abierto. La
batería suministra corriente que magnetiza los núcleos de la bobina serie y del
transformador, esta energía se almacena en los núcleos en forma de flujo magnético, ya
que no puede circular la corriente por el lazo secundario al estar el diodo polarizado
inversamente. En esta etapa tampoco interviene el lazo de enclavamiento activo al estar
abierto el interruptor auxiliar.
En esta etapa se almacena energía sin transferirla a la salida, por lo que son los
condensadores de salida los que aportan la potencia necesaria a la carga. Este pico de
corriente que deben generar las capacidades de salida produce un rizado de la tensión
de salida que deberá estar comprendido entre unos márgenes para no producir un
funcionamiento anómalo en la carga electrónica, por lo tanto se necesitará calcular la
capacidad mínima necesaria para que en el peor caso el rizado de tensión no supere los
límites requeridos.
Fase 2: El control apaga el MOSFET principal, como la corriente en las inductancias no
puede variar bruscamente el único camino que encuentra es a través de la capacidad
parásita del MOSFET principal, por lo que la tensión drenador-fuente aumenta
rápidamente hasta que queda fijada por la suma de la tensión de entrada y la del
condensador de enclavamiento, momento en el que entra a conducir el diodo parásito
del MOSFET auxiliar (Fase 3). Esto es lo que se denomina enclavamiento de la tensión.
Fase 3: Una vez que la tensión del interruptor principal se ha enclavado, el lazo
primario se abre y la batería deja de alimentar al circuito. Por lo tanto la energía
acumulada en los núcleos magnéticos empieza a transferirse traduciéndose en una
disminución del flujo, desmagnetizándose. Según las leyes de Faraday y Lenz, y la
ecuación eléctrica de una bobina:
U
d
L⋅ I
d
N⋅ Φ
(2.1)
dt dt
Por consecuencia del funcionamiento del diodo, se aplica una tensión negativa al
transformador lo que hace que el flujo decrezca.
La corriente por las inductancias en esta fase no puede circular por el MOSFET
principal, por lo tanto el único camino que encuentra es a través del diodo parásito del
MOSFET auxiliar, cargando el condensador de enclavamiento.
Fase 4: Esta fase comienza con el cierre del interruptor auxiliar por lo que la corriente
debida a la inductancia de dispersión que circulaba por el diodo parásito pasa a
hacerlo directamente a través del canal formado entre el drenador y la fuente. Esta
corriente que carga al condensador de enclavamiento disminuye hasta hacerse
negativa, momento en el cual se invierte el sentido de la transferencia de energía entre
los dos (Figura 2.5 b). Este es el comportamiento que se produce en el lazo de
enclavamiento activo, mientras que en el lazo secundario el diodo conduce a causa de
esa transferencia de energía del lazo primario al secundario.
Durante una parte de esta fase la energía magnetizante no es suficiente para alimentar
a la carga, por lo que son los condensadores de salida los que aportan la potencia
necesaria, mientras que en el resto de esta etapa esta energía es suficiente como para
alimentar la salida y cargar las capacidades.
Fase 5: Esta fase comienza con el apagado del MOSFET auxiliar, lo que deja abierto el
lazo de enclavamiento activo, además la tensión en el primario del transformador está
26
enclavada a un valor aproximadamente de (rt·VS) a causa de la conducción del diodo

del lazo secundario.
La corriente por la inductancia de dispersión, que se ha vuelto negativa, no puede
variar bruscamente por lo que el lazo primario se vuelve a cerrar a través de las
capacidades parásitas de los interruptores, forzando la bobina serie a descargar estas
capacidades (proceso de ZVS).
Esta fase termina cuando la capacidad parásita se ha descargado completamente, lo
que solamente se cumple si la energía de la inductancia de dispersión es bastante
mayor que la de la capacidad parásita, y así poder descargarla completamente.
Durante esta etapa se devuelve energía a la batería.
Fase 6: Una vez que la capacidad parásita se ha descargado el diodo parásito del
mismo MOSFET comienza a conducir, debido a que la corriente por la bobina serie
sigue sin poder variar bruscamente. En esta etapa aún se sigue retornando energía a la
batería.
En esta fase como en la anterior se cierra el lazo primario por lo que se aplica a la
bobina serie y al primario del transformador toda la tensión de entrada, pero como aún
circula corriente por el diodo la tensión del primario sigue enclavada por los
condensadores de salida, por tanto se aplica a la bobina serie una diferencia de tensión
positiva elevada que obliga a subir bruscamente su corriente, además también fuerza a
la corriente del diodo del lazo secundario a comenzar a decrecer.
Fase 7: Esta etapa comienza con el encendido del MOSFET principal, lo que provoca
que en vez de circular la corriente por el diodo parásito lo haga por el canal generado
entre el drenador y la fuente. En esta fase es donde se produce el cambio de sentido de
la corriente por la bobina serie.
Esta fase termina cuando la corriente por el diodo se ha hecho nula, apagando el diodo
y por tanto cerrando el lazo secundario, a partir de ese momento el transformador
funciona en vacío encontrándonos en la primera fase otra vez.
En este periodo de tiempo el transformador opera de forma que entra corriente por los
dos devanados del transformador.
27
T
D.T (1-D).T
(1-
VGSprim D1.T
VGSaux
ILmag
IL1
ID
Iencl
VDSprim
VT1
Fase 1 Fase 4
Fase 2 Fase 3 Fase 7

Fase 5
Fase 6
Figura 2-11: Formas de ondas características del convertidor para diferentes Fases de
funcionamiento
2.4.4 Formas de ondas características

A continuación se muestran diversas formas de onda del convertidor, su sistema de
control de los dos interruptores se puede observar en la Figura 2.8, en las cuales se
pueden distinguir claramente estas fases. La primera de ellas (Figura 2.12) representa
la corriente por el diodo del lazo secundario.
28
Figura 2-12: Forma de onda de la corriente por el diodo
A continuación se representa la corriente por la bobina serie (Figura 2.13), donde los
dos primeros tramos son las etapas de magnetización de la bobina serie, pero con
distintas pendientes ya que la primera corresponde al periodo donde el transformador
trabaja entrando corriente por los dos terminales (tensiones de entrada y de salida
aplicadas a los dos devanados), mientras que en el segundo tramo opera en vacío
(solamente se aplica la tensión de entrada al primario estando el secundario en vacío).
Por lo tanto las impedancias totales vistas desde la entrada son totalmente distintas.
Figura 2-13: Forma de onda de la corriente por la bobina serie
La corriente magnetizante (Figura 2.14) sólo presenta dos tramos característicos a

diferencia de la corriente por la inductancia de dispersión, esto se debe a que la
inductancia magnetizante almacena energía a causa de la aplicación de la tensión de
entrada sobre el divisor de tensión formado por las dos bobinas, mientras que en los
dos periodos de desmagnetización de la bobina serie la derivada de la corriente
29
magnetizante no cambia ya que la tensión del primario del transformador se mantiene

constante al encontrarse enclavada por la tensión de las capacidades de salida, esto se
cumple si la inductancia de dispersión en el secundario del transformador es
despreciable.
Imag
Figura 2-14: Forma de onda de la corriente por la inductancia magnetizante
En la siguiente forma de onda se muestra la corriente suministrada por el condensador

de entrada, en un tramo aporta potencia al circuito mientras que en otro periodo
mucho más corto absorbe corriente gracias a recirculación de la corriente de dispersión,
y por tanto es una energía que se consigue reciclar.
Figura 2-15: Forma de onda de la corriente suministrada por la batería
Se representa también la tensión de salida del convertidor (Figura 2.16), que sufre un
rizado debido a que la corriente que circula por el lazo secundario es una forma de
onda triangular, este rizado será tanto menor cuanta mayor capacidad tengan los
condensadores de salida y cuanto menor sea su resistencia equivalente serie. La
corriente de salida dependerá de la naturaleza de la carga que necesite ser alimentada.
30
Figura 2-16: Forma de onda de la tensión de salida
La siguiente forma de onda muestra la corriente entrante por las capacidades de salida,
necesarios para mantener la tensión de salida prácticamente constante. Como se ha
explicado anteriormente los condensadores se cargan cuando la energía suministrada
por el convertidor es superior a la requerida en la salida, mientras que cuando se
almacena energía en el núcleo del transformador son los condensadores los que tienen
que proporcionar la potencia necesaria a la carga.
Figura 2-17: Forma de onda de la corriente por los condensadores de salida
A continuación se representa la corriente por el condensador de enclavamiento, que

para un comportamiento periódico del convertidor su corriente media debe ser nula,
en caso contrario la tensión se incrementaría indefinidamente. Además se observa
como el lazo de enclavamiento activo sólo actúa cuando el MOSFET principal no se
encuentra cerrado, sino se produciría conducción cruzada.
31
Figura 2-18: Forma de onda de la corriente por el condensador de enclavamiento
Por último se representa en la Figura 2.19 la forma de onda de la diferencia de tensión

entre los bornes del condensador de enclavamiento con el fin de mostrar que para una
capacidad suficientemente alta esta tensión se puede suponer constante.
Figura 2-19: Forma de onda de la tensión en el condensador de enclavamiento
2.4.5 Lazo de enclavamiento activo

El lazo de enclavamiento activo es un circuito aplicable a numerosas topologías de
potencia. Para explicar su funcionamiento se continua con la suposición de que la
tensión en el condensador de enclavamiento es constante, supuesto que será cierto si el
valor de esa capacidad es lo suficientemente alta.
El empleo del enclavamiento activo en la topología propuesta presenta como
principales desventajas el incremento en el número de componentes y un aumento de
la complejidad del sistema de control por la presencia de un MOSFET adicional, esto se
traduce en un ligero aumento en el coste del convertidor. A pesar de estos dos
inconvenientes el lazo de enclavamiento activo presenta también una serie de ventajas
que en conjunto aconsejan su incorporación a la solución propuesta.
32
Las ventajas que presenta el uso del lazo de enclavamiento activo son:
• Elimina los picos de tensión que se producirían en el MOSFET principal en caso de
no existir este circuito adicional. Esto se debe a que la energía acumulada en la
inductancia de dispersión del transformador, por muy pequeña que sea, genera
una corriente que no puede variar bruscamente al abrirse el MOSFET principal, por
lo que busca un camino por donde seguir circulando. Como el MOSFET principal
se encuentra abierto, su diodo parásito y el del lazo secundario también se
encuentran polarizados inversamente, el único camino posible es a través de la
capacidad parásita que existe en cualquier MOSFET entre drenador y fuente. Esta
pequeña capacidad, típicamente de picofaradios, al recibir un valor elevado de
corriente, se producen unos picos de tensión en el MOSFET muy elevados que
reducen su vida útil, pudiendo producir su destrucción, además de un aumento de
las pérdidas en el semiconductor.
• Cuanto mayor sea la inductancia de dispersión mayor será la energía almacenada, y
por tanto mayor el pico de tensión.
• Al incorporar el lazo de enclavamiento activo la corriente de la inductancia de
dispersión encuentra este lazo como camino alternativo circulando la corriente por
el diodo parásito del MOSFET auxiliar almacenándose esta energía en el
condensador de enclavamiento. Este MOSFET se debe colocar de tal forma que su
diodo parásito conduzca hacia el condensador de enclavamiento, ya que la
necesidad de tiempos muertos entre las conmutaciones hace necesario que hasta
que el control no cierre este MOSFET la corriente sea conducida por este lazo para
que no cargue la capacidad parásita del principal. De esta forma se evita que se
produzcan los picos de tensión enclavando la tensión del principal en un valor que
será la suma de la tensión de entrada y la del condensador de enclavamiento. En la
siguiente Figura se muestra la comparación de las formas de onda de la tensión en
el MOSFET principal de un Flyback clásico y un Flyback AC donde la relación
entre la inductancia magnetizante y la de dispersión es de 150:1 operando a 1 MHz.
33
Figura 2-20: Tensión drenador-fuente del MOSFET principal sin y con enclavamiento activo
• El lazo de enclavamiento activo es un circuito de recirculación de la energía de

dispersión no disipativo, es decir, la energía de la inductancia de dispersión y parte
de la energía magnetizante que no va a la carga, en vez de ser disipada en la
capacidad parásita del MOSFET principal a causa de los picos de tensión que se
producen, se almacena en el condensador de enclavamiento, para posteriormente
ser recirculada hacia la carga a través del transformador, ese momento se produce
cuando la corriente por la inductancia de dispersión se vuelve negativa y el
MOSFET auxiliar se encuentra cerrado, ya que la corriente en ese momento no
puede circular por el diodo parásito de ese interruptor debido a que en ese sentido
el diodo se encuentra polarizado inversamente. Existen distintos tipos de circuitos
de enclavamiento [18], aunque no todos son no disipativos. Para la topología
propuesta se empleará el lazo de enclavamiento reflejado en la Figura 2.9 por su
sencillez y por ser no disipativo, por lo que sería posible de reciclar parte de la
energía de dispersión aumentando el rendimiento del convertidor.
• El hecho de que parte de la energía de dispersión se pueda reciclar nos da la ventaja
de poder construir un transformador muy sencillo con mal acoplamiento, y por
tanto que pueda tener una alta inductancia de dispersión, lo que reduce
enormemente el coste de fabricación y montaje del componente magnético, aunque
esta cualidad se analizará más detenidamente en el siguiente capítulo, dedicado
exclusivamente al modelado y diseño de los componentes magnéticos del
convertidor.
34
• El lazo de enclavamiento activo también presenta como otra gran ventaja la

posibilidad de que la corriente magnetizante sea negativa. En un Flyback esto no
puede ocurrir ya que la presencia del diodo en el lazo secundario únicamente
permite que esta corriente circule en un sólo sentido. Esto puede provocar que en
algún punto de funcionamiento del convertidor la corriente magnetizante se haga
nula durante una parte del periodo, lo que provoca que el convertidor trabaje en
modo de funcionamiento en corriente discontinua (MCD). Cuando se alcanza ese
modo de funcionamiento la función de transferencia pasa a ser dependiente de la
carga. Esto produce que la función de transferencia deje de ser lineal para todo el
rango de funcionamiento, lo que aumenta ligeramente la complejidad del sistema
de control necesario.
• El lazo de enclavamiento activo añade un camino alternativo a la corriente
magnetizante para que esta pueda hacerse negativa cuando se produce la
resonancia entre la bobina serie y el condensador de enclavamiento, y por tanto se
evita que esta topología pueda entrar en modo de funcionamiento en corriente
discontinua [6].
• La posibilidad de que la corriente magnetizante pueda hacerse negativa es una
ventaja para la obtención de conmutación a tensión nula. Este proceso de ZVS
ayudará a reducir las pérdidas por conmutación, que serán importantes por la
necesidad de trabajar a alta frecuencia para reducir el tamaño de los componentes
magnéticos y de los condensadores de salida, como se verá en los próximos
capítulos, con el fin de reducir el coste del convertidor.
2.4.6 Análisis en régimen permanente: Modelo eléctrico

A través de este modelo se busca obtener la ganancia en continua del sistema, de esta
forma se puede conocer en cualquier punto de funcionamiento del sistema el ciclo de
trabajo necesario y las intensidades y tensiones en todos los componentes del
convertidor.
Para la obtención del modelo se realizarán una serie de hipótesis para simplificar su
funcionamiento, estas suposiciones son:
• Se supondrá constante en régimen permanente la tensión en el condensador de
enclavamiento. Si esta capacidad es suficientemente alta esta afirmación es cierta.
• Se considerarán bien ajustados los tiempos muertos entre las conmutaciones de los
MOSFETs en cualquier punto de funcionamiento, evitando que se pueda producir
durante algunos instantes algún funcionamiento anómalo del convertidor.
• No se tendrán en cuenta en el modelo las resistencias asociadas a las pistas,
condensadores y MOSFETs por considerarse despreciables frente a la impedancia
de los elementos inductivos que componen el convertidor. Únicamente se
considerará la resistencia interna del diodo del lazo secundario por el alto valor de
la corriente que circula por él, lo que provoca altas caídas de tensión en el
semiconductor que no se pueden despreciar frente a la baja tensión de salida
requerida.
• Las caídas de tensión en los interruptores cuando conducen se supone nula, al igual
que en sus diodos parásitos. Esta hipótesis se puede aceptar considerando que la
tensión de entrada es bastante más alta que las caídas de tensión típicas en un
MOSFET (0´2-0´4V). Por el contrario la caída de tensión en conducción del diodo
35
del lazo secundario se tendrá en cuenta por la misma razón que la expresada en el
punto anterior.
• Las etapas 2, 3 y 5 no se tendrán en cuenta al ser de muy poca duración, debidas a la
carga o descarga de alguna capacidad parásita o a la transición de alguna tensión o
corriente hasta establecerse en algún valor fijo. Por lo tanto solamente se
considerarán las etapas 1, 4, 6 y 7, por ser las fases más características y de mayor
duración.
La nomenclatura para las tensiones, corrientes y componentes empleada en el análisis
matemático del convertidor es la representada previamente en la Figura 2.7, además las
denominaciones de los periodos de tiempo de cada una de las etapas que componen un
ciclo de operación se expresan en la siguiente imagen.
VGSprim VGSaux
Fases Fase Fase

6y7 1 4
D1·T
(1-D)·T
D·T
Figura 2-21: Control de los MOSFETs
D·T es el periodo de magnetización de la bobina serie, siendo por tanto D el ciclo de

trabajo del convertidor. D1·T es el periodo de magnetización de la inductancia
magnetizante y por tanto es el espacio de tiempo en el cual el diodo del lazo
secundario no conduce, almacenándose energía en el núcleo del transformador.
La inductancia L22 está referida al terminal secundario del transformador, cualquier
impedancia puede ser representada en cualquiera de los dos devanados de un
transformador a partir de la siguiente relación:
2 (2.2)
L2 L22⋅ (rt)
Donde L2 es L22 pero referida al primario.

El modelo eléctrico del transformador incluye un transformador ideal con sus
respectivos terminales correspondientes, por lo tanto entre sus terminales se cumple:
VT1 (2.3)
rt
VT2
IT1 (2.4)
−1
ID rt
36
La tensión en el diodo (VD) se puede dividir en una caída constante en conducción (Vf)
y en una caída debida a la corriente que circula por él (rd·ID). Por lo tanto:
VD Vf + rd ⋅ ID (2.5)
En este documento no se mostrará todo el análisis matemático debido a su extensión,

solamente se expresarán las ecuaciones características de las tres etapas de
funcionamiento y la forma de obtener el conjunto de expresiones que componen la
función de transferencia del sistema.
2.4.6.1 Análisis matemático de la etapa A

Durante la etapa A, compuesta por la fase1, el interruptor de primario (MOSFET
principal) esta conduciendo y el interruptor de enclavamiento (MOSFET auxiliar) esta
apagado mientras que el interruptor de secundario (Diodo rectificador) no conduce al
estar inversamente polarizado (Figura 2.22).
VL1 VL22
L1 rt : 1 L22= L2/n2
IL1 IT1
Imag
Cencl
IE
IC
ID
VE CE Iencl VDSaux VD
IS
VDSprim
Figura 2-22: Circuito equivalente de la etapa A
Las expresiones características del convertidor durante la etapa A son:
IL1 IE Imag (2.6)
(2.7)
IT1 ID Iencl 0
VDSaux VE + Vencl (2.8)
VDSaux VE + Vencl (2.9)
VT1
(2.10)
VT2
rt
37
VT2 + VD + VS 0 (2.11)
Lmag (2.12)
VT1 ⋅ VE
L1 + Lmag
L1 (2.13)
VL1 ⋅ VE
L1 + Lmag
(2.14)
⎛ Lmag VE ⎞
VD −⎜ VS + ⋅ ⎟
L1 + Lmag rt
⎝ ⎠
También se puede calcular el incremento que sufre la corriente que circula por los lazos
primario y secundario.
(2.15)
VE (L1 + Lmag)⋅ ddt IL1
(2.16)
D 1⋅ T
VE ⌠
IL1( t ) ⋅⎮ 1 dt
L1 + Lmag ⌡ D −D T
1 ( )
(2.17)
VE
ΔIL1 ΔImag ΔIE ⋅ D1⋅ T
L1 + Lmag
ΔID 0
(2.18)
2.4.6.2 Análisis matemático de la etapa B

Durante la etapa B, compuesta por las fase 4, el interruptor de primario (MOSFET
principal) esta apagado mientras que los interruptores de enclavamiento (MOSFET
auxiliar) de secundario (Diodo rectificador) están conduciendo (Figura 2.23).
38
VL1 VL22
L1 rt : 1 L22= L2/n2
IL1 IT1
Imag
Cencl
IE
IC
ID
IS
VDSprim
Figura 2-23: Circuito equivalente de la etapa B
Durante la etapa B del funcionamiento del convertidor las ecuaciones características

serán:
VDSaux 0 (2.19)
VE VL1 + VT1 + VDSprim (2.20)
VE + Vencl VDSprim (2.21)
VT1 (2.22)
+ VD + VS VL22
rt
−ID (2.23)
IL1 − Imag
rt
También se puede calcular las pendientes, y por lo tanto los incrementos durante este
periodo de tiempo de la corriente que circula por las inductancias magnetizante, la de
dispersión y por el diodo. Estas pendientes las emplearemos posteriormente para el
cálculo de la función de transferencia y para obtener una aproximación matemática de
la forma de onda de estas corrientes.
( )
−Vencl ⋅ L2 + Lmag + rt ⋅ Lmag⋅ VS + VD ( ) (2.24)
d
dt
( )
IL1
L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag
(2.25)
⎡ Vencl⋅ L2 + rt⋅ L1⋅ ( VS + VD) ⎤
d
( Imag ) −⎢ ⎥
dt ⎣ L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag⎦
(2.26)
2
( )(
−rt ⋅ L1 + Lmag ⋅ VS + VD + rt ⋅ Lmag⋅ Vencl )
d
( )
dt
ID
39
2.4.6.3 Análisis matemático de la etapa C

La etapa C es realmente que diferencia entre las dos topologías. Durante la etapa C,
compuesta por las fases 6 y 7, los dos interruptores de primario (MOSFET principal) y
de secundario (Diodo rectificador) están conduciendo (Figura 2.24) desde que la
corriente en el diodo empieza a bajar lentamente antes de que se bloquea y al mismo
tiempo que el transformador empiece a magnetizarse de forma lenta.
VL1 VL22
L1 rt : 1 L22= L2/n2
IL1 IT1
Imag
Cencl
IE
IC
ID
IS
VDSprim
Figura 2-24: Circuito equivalente de la etapa C
Se realiza el mismo procedimiento anterior para el análisis de la etapa C.
VDSprim 0 (2.27)
VE VL1 + VT1 (2.28)
VT1 (2.29)
+ VD + VS VL22
rt
−ID (2.30)
IL1 − Imag
rt
Los resultados analíticos de las pendientes de las intensidades a lo largo de estas dos
fases son:
( )
VE⋅ L2 + Lmag + rt⋅ Lmag⋅ VS + VD ( ) (2.31)
d
dt
( )
IL1
(
VE⋅ L2 − rt⋅ L1⋅ VS + VD ) (2.32)
d
dt
(Imag ) L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag
(2.33)
⎡ rt2⋅ ( L + L ) ⋅ ( V + V ) + rt⋅ L ⋅ V ⎤
⎢ mag E⎥
( )
d 1 mag S D
−
ID
⎢ L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag ⎥
dt ⎣ ⎦
40
2.4.6.4 Función de transferencia del convertidor en régimen permanente

A partir del conocimiento de las pendientes de estas tres intensidades se puede conocer
la función de transferencia del convertidor. A través de una serie de relaciones que
deben cumplirse en el convertidor en régimen permanente se consigue obtener tres
ecuaciones independientes, estas relaciones son:
La corriente por el diodo asciende linealmente, según las hipótesis planteadas hasta
ahora, durante la Etapa B, descendiendo en la Etapa C hasta hacerse nula. Por lo tanto
el incremento sufrido en (1-D)·T es el mismo que el experimentado en (D-D1)·T, pero
de signo contrario.
⎡d I ( Etapa_4 ) ⎤ ⋅ ( 1 − D) ⋅ T + ⎡d I ( Etapa_6 , 7) ⎤ ⋅ D − D ⋅ T 0 (2.34)

⎢ (D )⎥ ⎢ (D )⎥ ( 1)
⎣d t ⎦ ⎣dt ⎦
Operando se obtiene:
( ) ( )( )
D⋅ Lmag⋅ VE + Vencl + rt⋅ VS + VD ⋅ L1 + Lmag − Lmag⋅ Vencl (2.35)
VE⋅ Lmag + rt⋅ ( L1 + Lmag) ⋅ ( VS + VD)
D1
La corriente que circula por la carga, supuesta constante, es la corriente media que
circula por el diodo, debido a que en régimen permanente y sometido a una tensión
periódica la corriente media por un condensador debe ser nula.
IDmedia ICmedia + IS (2.36)
ICmedia 0 (2.37)
Por lo tanto:
VS (2.38)
IDmedia
RS
Conociendo analíticamente la forma de onda de la corriente por el diodo, por lo que

operando se obtiene la segunda ecuación:
(2.39)
2
( )( )
−rt ⋅ L1 + Lmag ⋅ VS + VD + rt⋅ Lmag⋅ Vencl
1
R ⋅
2 S L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag
( )
⋅ (1 − D)⋅ 1 − D1 ⋅ T VS
En régimen permanente la corriente que circula por la bobina serie es periódica, por lo
que la suma algebraica de los incrementos de la intensidad a lo largo de las tres etapas
consideradas es nula.
ΔI L1( Etapa_A ) + ΔI L1( Etapa_B) + ΔI L1( Etapa_C) 0 (2.40)
Sustituyendo y simplificando se obtiene la expresión de la tensión del condensador de

enclavamiento.
41
D (2.41)
Vencl VS⋅
1−D
Una vez obtenidas estas tres expresiones podemos sustituir la tensión del condensador
de enclavamiento y el valor de la duración de la etapa 1 en la segunda ecuación
logrando la función de transferencia del convertidor de forma implícita.
2
VS ⋅ rt⋅ LP + VS ⋅ ⎡A ⋅ rt ⋅ ( 1 − D ) ⋅ LP + VE⋅ Lmag + VD ⋅ rt⋅ LP⎤ − ⎡A ⋅ D ⋅ V E⋅ Lmag − A ⋅ rt⋅ ( 1 − D ) ⋅ VD ⋅ LP⎤
⎣ ⎦ ⎣ ⎦ 0 (2.42)
Siendo los valores de A, LP y VD los que se muestran a continuación:
rt⋅ RS⋅ T⋅ VE⋅ Lmag (2.43)

A
2
2Leq
(2.44)
2
Leq L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag
LP L1 + Lmag (2.45)
VS (2.46)
VD Vf + rd ⋅
RS
La ecuación 2.42 es una expresión muy complicada. En la Figura 2.25 se muestra una
representación grafica de la ganancia (Vs/VE) en función del ciclo de trabajo y para
diferentes cargas.
1
1.1kΩ
0.8
1.1Ω
0.6
Vs/VE
0.4
0.5Ω
0.2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
D
Figura 2-25: función de transferencia de la topología propuesta para diferentes cargas
Se puede comprobar que si L1 y L2 tienden a ser nulas, al igual que la caída en

conducción del diodo, la función de transferencia resultante es la misma que la del
Flyback AC clásico:
42
VS 1 D (2.47)
⋅
VE rt 1 − D
Mediante simulaciones se puede demostrar la validez de este modelo, y su gran

exactitud aún considerando las resistencias de alta frecuencia de los devanados y las de
conducción de los dos MOSFETs, por lo que se cumplen las hipótesis supuestas
descritas al inicio de este apartado.
2.5 Diferencias entre la topología propuesta y el Flyback

con enclavamiento activo
Como se ha mencionado al principio de este capítulo la única diferencia física entre
ambas topologías es la presencia de una bobina serie en el primario del transformador.
En este apartado se demostrará como la presencia de este componente inductivo otorga
un comportamiento totalmente distinto al del Flyback con enclavamiento activo.
A continuación se describen las tres ventajas que presenta el uso de una bobina en serie
con el transformador en esta topología:
• La presencia de una bobina serie permite realizar un transformador con mal
acoplamiento, al tener la posibilidad de que se genere una relativamente alta
inductancia de dispersión por el aire.
• Ese mal acoplamiento se traduce en una reducción muy importante en coste al
no necesitar un entrelazado manual de los devanados del transformador que
disminuya la energía de dispersión, por lo que las espiras pueden ir
directamente impresas sobre la placa de circuito impreso (PCB),
automatizando enormemente el montaje de los componentes magnéticos.
• En un transformador donde las espiras de ambos devanados están formadas
por hilos de cobre entrelazados entre sí para aumentar el flujo común la
relación entre la inductancia magnetizante y la de dispersión estará en torno a
100:1 o 1000:1, mientras que si los devanados se encuentran separados entre sí
por la PCB, y las espiras son pistas sobre ella esta relación puede reducirse
hasta 10:1 aproximadamente.
• La energía almacenada en la inductancia de dispersión es la que permite descargar
las capacidades parásitas de los MOSFETs, facilitando el proceso de obtención de
ZVS.
• Observando la pendiente de bajada de la corriente por el diodo durante las Fases 6 y
7:
⎡ rt2⋅ ( L + L ) ⋅ ( V + V ) + rt⋅ L ⋅ V ⎤ (2.48)

⎢ mag E⎥
( )
d 1 mag S D
−
ID
⎢ L1⋅ L2 + L1⋅ Lmag + L2⋅ Lmag ⎥
dt ⎣ ⎦
• Si supone que L2 es prácticamente nula, que será cierto en el caso de que no se
genere dispersión por flujo que recorre el núcleo en el devanado secundario
(ver capítulo 3), la expresión anterior quedaría de la siguiente forma:
43
⎡ 2 ⎛ L1 ⎞ ⎤ (2.49)
⎡rt2⋅( L + L )⋅( V + V ) + rt⋅L ⋅V ⎤ ⎢rt ⋅⎜ L + 1⎟ ⋅(VS + VD) + rt⋅VE⎥
⎢ mag E⎥ ⎢ ⎝ mag ⎠ ⎥
d
( )
ID −
⎢
1 mag S
L1⋅Lmag
D
⎥ −⎢ ⎥
dt ⎣ ⎦ ⎣ L1
⎦
• L1/Lmag siempre será en nuestro caso más pequeño que la unidad, ya que si
esa relación es demasiado alta se transfiere muy poca energía al secundario
necesitando un ciclo de trabajo muy alto, elevando enormemente las pérdidas
por conducción.
• Según la ecuación de la pendiente, al elevar la inductancia de la bobina serie
se disminuye la pendiente de bajada de la corriente por el diodo, lo que
produce que éste se apague lentamente, suprimiendo las pérdidas que se
producen en un diodo cuando se le fuerza a dejar de conducir bruscamente,
estas pérdidas por conmutación.
Por otra parte esta bobina también proporciona una serie de desventajas:
• Para generar esa inductancia serie se necesita un número adicional de vueltas que se
suman a las del transformador incrementando las pérdidas por conducción,
además de otras pérdidas adicionales en el núcleo magnético de la bobina,
ocasionadas por la circulación del flujo magnético.
• Una bobina serie con una alta inductancia produce un divisor de tensión con la
inductancia magnetizante, repartiéndose la energía almacenada entre estas dos
inductancias, con la diferencia de que la energía almacenada en el transformador se
transfiere posteriormente a la carga, mientras que la de la bobina serie se recicla en
el lazo primario. Esto produce un aumento en el ciclo de trabajo que genera una
mayor corriente por el lazo primario, aumentando las pérdidas por conducción en
el convertidor (Energía circulante).
• Si no se integra en el transformador, la presencia de otro componente adicional
supone un aumento de coste, mayor aún al tratarse de un componente magnético
ya que presenta un coste importante de montaje.
Aparte de las ventajas e inconvenientes que pueda presentar el empleo de la
inductancia en serie con el transformador, su presencia confiere al convertidor un
funcionamiento diferente al de un Flyback con enclavamiento activo, esto permite a la
solución propuesta ser considerada como una topología diferente al Flyback con
enclavamiento activo.
En la Figura 2.26 se muestra una comparación entre las funciones de transferencia de
ambas topologías para las condiciones nominales a la salida, y con una relación entre la
inductancia magnetizante y la inductancia serie de 100 en el Flyback AC y de 14 en la
topología propuesta, donde se pueden apreciar visiblemente las diferencias.
44
0.8
Flyback AC
0.6
Vs/VE
0.4
0.2
Topología propuesta
(1.1Ω)
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
D
Figura 2-26: Comparación de las funciones de transferencia de la topología propuesta

(Lmag=21μH, L1=1´5μH) y de un Flyback AC clásico
2.6 Modelo de pérdidas del convertidor

A través del modelo eléctrico conocemos el ciclo de trabajo necesario para que a partir
de un valor de entrada dado y de los datos de los componentes que la integran, se
consigue un valor fijo a la salida, y también sabemos las expresiones de las pendientes
de las corrientes en cada etapa además de la duración de éstas. Con todos esos datos se
conoce la forma de onda de las tensiones y corrientes del convertidor para cualquier
punto de funcionamiento bajo las hipótesis consideradas en el apartado anterior.
En el modelo de pérdidas el objetivo es obtener una aproximación de las pérdidas
producidas en todos los componentes de la etapa de potencia, de esta forma se puede
seleccionar el diseño con mejor rendimiento entre varias soluciones que cumplan con
las especificaciones.
A continuación se describirá el modelado de cada componente, describiendo los tipos
de pérdidas que podemos encontrar en él. En este apartado no se pretende representar
matemáticamente el modelo, sólo describir como se ha obtenido. El modelo analítico
completo para uno de los diseños propuestos se encuentra en la hoja de cálculo del
Anexo I.
2.6.1 Pérdidas en los MOSFETs

Aunque en el modelo eléctrico se consideró despreciable, estos semiconductores se
modelan con una resistencia de conducción entre drenador y fuente. Por lo tanto
conociendo las formas de onda por los lazos primario y de enclavamiento activo, y por
tanto la corriente eficaz que circula por ellos, se puede calcular las pérdidas por
conducción en los dos MOSFETs del convertidor.
Las pérdidas de conmutación en el encendido se supondrán nulas bajo el supuesto de
que se logra obtener ZVS.
También se introducen las pérdidas de control dedicadas a su excitación, estas
expresiones se obtienen de los fabricantes, y son dependientes de la frecuencia.
45
2.6.2 Pérdidas en el diodo

El diodo se ha modelado por una caída de tensión en conducción, por lo tanto las
pérdidas de conducción del diodo serán el producto de la caída constante de tensión
por la corriente media que circula por él, más las pérdidas producidas por su
resistencia serie (producto de esta resistencia por la corriente eficaz que la recorre).
2.6.3 Pérdidas en los componentes magnéticos

Al ser el modelado de los componentes magnéticos más complejo, el modelo de
pérdidas para estos componentes se describe en detalle en el siguiente capítulo.
Solamente se consideran estos componentes por ser los que producen la mayor parte
de las pérdidas, las generadas por el resto de componentes se desprecian frente a las
causadas por los semiconductores y los componentes magnéticos, al igual que con las
pérdidas de control, por no ser objeto de análisis de esta tesis.
2.7 Análisis dinámico del convertidor

Para analizar el comportamiento dinámico [12] y cerrar el lazo de control (Figura 2.27)
de este convertidor es necesario conocer la función de transferencia que relaciona la
tensión de salida del convertidor, es decir, la variable controlada, con el ciclo de
trabajo, que es la variable de control [21]. Para deducir esa relación hay que obtener un
modelo lineal del convertidor.
Z0 Comparador
+
Regulador
Z1 Perturbaciones
- Vs
+ PWM
V ref Convertidor
d
Figura 2-27: Lazo de control en un convertidor PWM
2.7.1 Modelo promediado de la nueva topología

La clave en el promediado de la topología está en remplazar en el convertidor las
partes que conmutan (diodos y transistores) por fuentes dependientes de intensidad o
de tensión, con el fin de obtener modelo que no varíe en el tiempo [10], [14], [46], [53] y
[75]. El valor de estas fuentes de tensión o de intensidad debe ser idéntico al valor
promediado de la forma de onda de tensión o de corriente, según corresponda, de los
interruptores del convertidor original a los que están sustituyendo.
46
Para modelar este convertidor se va a usar la técnica, del modelo promediado de orden
reducido, explicada en [53]. En principio, esta topología tiene cuatro variables de
estado; las tensiones de las capacidades de enclavamiento y de salida, la corriente en la
bobina magnetizante y la corriente por la bobina serie L1 (Figura 2.28).
VGSprim
Imag
IL1
δ VE.Lmag
d
d 1-d
Lmag + L1
VT1
-rt.Vs
Ipk
ID
Vencl + VE
VDSprim
Etapa A Etapa B Etapa C
Figura 2-28: Formas de ondas características del convertidor
Para facilitar el estudio de la topología se supone que:

• El efecto de las inductancias de dispersión del transformador se va a suponer
concentrado en la inductancia serie del primario L1. Tal y como se mostró en el
estudio estático de esta topología, esta aproximación es muy razonable y afecta
muy poco al comportamiento de la topología.
• Los valores de los componentes parásitos (capacidades y resistencias parásitas) de
los interruptores (MOSFETs y diodo) y el transformador van a ser despreciados.
Con estas consideraciones se pueden simplificar las ecuaciones: 2.16, 2.24 y 2.31. Las
tres ecuaciones que describen la corriente en la inductancia serie, durante las tres
etapas de funcionamiento del convertidor, son las siguientes:
(rt ⋅ VS + VE ) (2.50)
I L1 (t) = I mag + [
⋅ (t − δ ⋅ T), 0, δ ⋅ T ]
L1
I L1 (t) = I mag , [δ ⋅ T, d ⋅ T ] (2.51)
(rt ⋅ VS − Vencl ) (2.52)

I L1 (t) = I mag + [
⋅ (t − d ⋅ T), d ⋅ T, T ]
L1
47
A partir de la forma de onda de la corriente de la inductancia serie (Figura 2.28) se

puede escribir:
I L1 (0) = I L1 (T) (2.53)
Con un simple cálculo se deduce el tiempo que dura la etapa C:
(Vencl − rt ⋅ VS ) (2.54)
δ = ⋅ (1 − d )
(VE + rt ⋅ VS )
El MOSFET principal va a ser modelado por una fuente de tensión cuya expresión es la
siguiente:
<V >=< V > ⋅d + < V > ⋅d + < V > ⋅d (2.55)

DSprim DSprim A A DSprim B B DSprim C
Donde :
<VDSprim>A es el promediado de la tensión que soporta el MOSFET principal durante la
etapa A, y dA es la porción de tiempo que dura la etapa A medida respecto al periodo.
<VDSprim >B es el promediado de la tensión que soporta el MOSFET principal durante
la etapa B, y dB es la porción de tiempo que dura la etapa B medida respecto al periodo.
<VDSprim>C es el promediado de la tensión que soporta el MOSFET principal durante la
etapa C, y dC es la porción de tiempo que dura la etapa C medida respecto al periodo.
A partir de la Ecuación 2.55 y la forma de onda de la tensión VDSprim de la Figura 2.28 se
obtiene:
<V >= (< V > + < V >) ⋅ (1 − d ) (2.56)

DSprim E encl
El MOSFET auxiliar va a ser modelado por una fuente de corriente cuya expresión es la
siguiente:
1 T (2.57)
= ∫ I (t) ⋅ dt
T d⋅T L1
A partir de las Ecuaciones 2.52 y 2.57 se puede escribir:
⎡ (< V > −rt⋅ < VS >) ⎤ (2.58)

I aux >= (1 − d ) ⋅ ⎢ − encl ⋅ (1 − d )⎥
⎢⎣ 2 ⋅ L1 ⋅ F ⎥⎦
Siendo F la frecuencia de conmutación del convertidor.

El diodo rectificador va a ser cambiado por una fuente de corriente cuya expresión
depende de la corriente en primario del transformador y de la relación de vueltas.
= rt⋅ (2.59)

D P
Por otro lado se puede sacar estas dos ecuaciones:
48
= − (2.60)

p L1 mag
1 (2.61)
= ⋅ I ⋅ (1 − d + δ ) ⋅ T
p 2 ppk
Siendo Ippk el valor máximo de la corriente en el primario del transformador que se

puede calcular a partir de la siguiente expresión:
I = I (T) (2.62)
ppk p
La corriente en el primario del transformador tendrá la siguiente expresión:
1 (2.63)
= (δ + 1 − d) ⋅ (1 − d) ⋅ (< V > − < rt ⋅ V >)
p 2⋅L ⋅F encl S
1
Por consiguiente, la corriente en el diodo rectificador será:
rt (2.64)
= (δ + 1 − d) ⋅ (1 − d) ⋅ (< V > −rt⋅ < V >)
D 2⋅L ⋅F encl S
1
La corriente por la inductancia magnetizante y por la inductancia serie no son variables

de estado independientes, de hecho, durante la etapa A (Figura 2.5 a), estas dos
inductancias en serie por tanto tienen la misma corriente. Por lo tanto estas dos
variables de estado se pueden reducir en un variable de estado y una fuente de
corriente. Como la corriente por la bobina serie tiene una dinámica más rápida (Figura
2.28) que la corriente magnetizante se ha sustituido la inductancia serie por una fuente
de corriente cuyo valor medio está en función del resto de los variables de estado del
circuito:
 (2.65)

=− D
L1 mag rt
Finalmente para completar el promediado del circuito se va a calcular los valores del
transformador.
El primario del transformador va a ser modelado por una fuente de tensión de la
siguiente forma:
< V >=< V > .d + < V > .d + < V > .d (2.66)

T1 T1 A A T1 B B T1 C C
Donde:
<VT1>A es el promediado de la tensión del primario del transformador durante la etapa
A.
<VT1>B es el promediado de la tensión del primario del transformador durante la etapa
B.
<VT1>C es el promediado de la tensión del primario del transformador durante la etapa
C.
49
Usando las Ecuaciones 2.12 y 2.22 y teniendo en cuenta las simplificaciones planteadas
(valores de L2 y los valores de los componentes parásitos de los interruptores) se
deduce el valor promediado de la tensión del primario del transformador.
L (2.67)
mag
< V >=< V > ⋅ ⋅ (d − δ) − < V > ⋅rt ⋅ (1 − d + δ)
T1 E L +L S
mag 1
El secundario del transformador va a ser promediado por la misma fuente de corriente

usada para modelar el diodo puesto que se trata de la misma corriente que circula en
los dos.
Después de determinar las ecuaciones necesarias para modelar los semiconductores y
el transformador del convertidor se cambian los interruptores y los terminales del
transformador por fuentes de tensión y corriente correspondientes como se ve en la
Figura siguiente.
< IL1 >
< Imag >

_
+
< Vencl > Lmag _+ < ID > < VS >
_
< VE > +
< VT1 >
< Iaux > +

_+
_ < VDSprim >
Figura 2-29: Circuito promediado equivalente de la topología propuesta
2.7.2 Validación del modelo promediado de la nueva topología

Mediante simulaciones se ha podido demostrar la validez de este modelo. En régimen
permanente, el modelo promediado se comporta de forma muy parecida al modelo
conmutado cuando se aplica un cambio del ciclo de trabajo (Figura 2.30). En este caso,
se ha aplicado un escalón del ciclo de trabajo del 34% al 40%, viéndose como el modelo
promediado se ha comportado de la misma forma que el conmutado.
50
8.0 V
Vspro
4.0 V
Vscon
D= 0,342 D= 0,4
2.0 V
0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
t
Figura 2-30: Comparación entre el modelo conmutado y el promediado ante un escalón del ciclo
de trabajo
El segundo ensayo es una simulación donde se ha aplicado un cambio de tensión de

entrada de 30V a 42V (Figura 2.31).
40 V
42V
Ve
30V
20 V
Vspro Vscon
1.4 ms 1.5 ms 1.6 m s 1.7 ms

tensión de entrada
El tercer ensayo es una simulación donde se ha aplicado un escalón de corriente de

salida que varia desde 3A hasta 4A (Figura 2.32).
51

corriente de salida
2.7.3 Análisis de la respuesta en frecuencia

La función de transferencia de la topología propuesta en esta tesis tiene tres polos y
dos ceros; uno en el semiplano derecho y el otro en el izquierdo (RHP y LHP). La
Figura 2.33 muestra el Bode (ganancia y fase) de la función de transferencia Vs/d
cuando L1=21µH, L2=0µH y Lmag=21µH. El primer efecto que aparece al usar una
inductancia serie grande es la aparición a baja frecuencia de un polo que empieza a
bajar la ganancia y la fase de la función de transferencia. El cero del semiplano derecho
es igual que éste polo, cancelando así decremento de la ganancia (ganancia constante
alrededor de 10kHz) pero favoreciendo el decrecimiento de la fase. Los dos polos
complejos aparecen alrededor de 20kHz finalmente el cero del semiplano derecho lleva
la fase a -270º.
La respuesta en frecuencia de esta topología es muy complicada y va a limitar el ancho
de banda.
-0d 50
1 2
Magnitude (dB)
-100d
-200d
Phase
>>
-300d -50
100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
1 Vp(VOUT) 2 VDB(VOUT)
Frequency
Figura 2-33: Bode de la topología propuesta
52
El efecto de la inductancia serie en la dinámica de la nueva topología esta estudiado

usando el modelo promediado y manteniendo el mismo punto de funcionamiento es
decir se cambia el valor de la bobina serie al mismo tiempo se cambia el ciclo de trabajo
para conseguir la misma tensión de salida. Para tres valores diferentes de la
inductancia serie L1=1´5µH, L1=10µH y L1=21µH se han obtenido los Bodes de la
Figura 2.34.
Figura 2-34: Bode de la topología propuesta para diferentes valores de la inductancia serie
Según la Figura 2.34 al subir la inductancia serie baja la frecuencia del cero del
semiplano derecho de la función de transferencia del Flyback con enclavamiento
activo.
El incremento de la inductancia en serie conlleva a un menor ancho de banda, según
[73] el máximo ancho de banda de un sistema con un cero en el semiplano derecha es:
FRHPcero (2.68)
Maximo _ ancho _ de _ banda =
2
Siendo FRHPcero la frecuencia del cero en el semiplano derecha.

Para comprobar la validación experimental del modelado obtenido de la topología
propuesta (Figura 2.35) se ha medido la respuesta en frecuencia de un prototipo
fabricado (L1= 1´5 μH, L2≈ 0 μH, Lmag= 21 μH) mediante un analizador de impedancias
y comparada con una simulación del modelo promediado.
53
Medida
Simulada
Figura 2-35: Validación del modelo promediado: Comparación entre la función de transferencia
medida y simulada de la topología propuesta.
2.8 Conclusiones
Esta topología se analiza matemáticamente para obtener un modelo eléctrico en
régimen permanente, que servirá de gran ayuda durante la etapa de diseño. A través
de este análisis matemático de la topología se puede demostrar que la presencia de la
bobina serie otorga al convertidor un comportamiento diferente al Flyback AC.
La gran ventaja de esta topología se encuentra en que recicla la energía circulante que
genera la inductancia serie, parte se invierte en realizar conmutación a tensión cero
(ZVS) y parte se inyecta a la salida. De esta forma el transformador puede ser sencillo,
y por tanto de bajo coste gracias a que su inductancia de dispersión queda integrada
dentro del funcionamiento de la topología.
Por el contrario la bobina serie aumenta las pérdidas por conducción a causa de la
energía circulante así como de la resistencia provocada por los efectos de alta
frecuencia en las espiras. Por otra parte, reduce las pérdidas de conmutación al poderse
obtener gracias a ella ZVS y un apagado más suave del diodo. La superposición de
estos dos efectos contrarios se cuantificará a través de los resultados experimentales
para comparar el beneficio o no de introducir esta inductancia, en términos de
rendimiento. En coste esta solución propuesta puede ser más ventajosa gracias al uso
de un transformador muy sencillo y de muy bajo coste ya que la inductancia de
dispersión sería la inductancia serie de esta topología.
La frecuencia de conmutación deseada del convertidor es alta para disminuir el
tamaño de los componentes magnéticos y de los condensadores de salida, lo que
provoca una reducción del coste del convertidor, pero una frecuencia de trabajo alta
provocará unas pérdidas elevadas en los semiconductores. Con el fin de evitar este
inconveniente, la obtención de conmutación a tensión nula, para minimizar las
pérdidas por conmutación en los dos MOSFETs, se convierte en un punto muy
importante en el desarrollo de esta topología.
54
El modelado de esta topología demuestra que la solución propuesta tiene una

dinámica complicada (3 Polos y 2 ceros).
El análisis dinámico de la solución topológica demuestra la gran influencia de la
inductancia serie sobre el comportamiento en frecuencia de la topología. El ancho de
banda de esta topología viene limitado por el valor de la inductancia serie de forma
que cuanto mayor sea ese valor menor será el máximo ancho de banda del convertidor,
limitándose la respuesta dinámica del mismo. El ancho de banda esta limitado a la
mitad de la frecuencia del cero en el semiplano derecha ( FRHPCERO/2).
El análisis estático y dinámico efectuado en este capítulo han demostrado que la
adición al Flyback con enclavamiento activo de una bobina serie en el primario del
transformador cambia el comportamiento de la topología.
Asimismo conviene observar la importancia que tendrá el diseño de los componentes
magnéticos para obtener esa inductancia serie que nos proporcione unas ventajas
adicionales que no se pueden obtener en el Flyback AC, además de la dificultad de su
modelado para integrarlos en una aproximación bastante precisa de la topología. Por
tanto el diseño de los magnéticos constituirá la otra parte esencial en el desarrollo de
esta tesis doctoral.
55
3. ALTERNATIVAS PARA LA INTEGRACIÓN DE
LA INDUCTANCIA CON EL TRANSFORMADOR
Índice
3.1 Introducción
3.2 Realización física de la integración magnética
3.3 Modelado del componente magnético
3.3.1 Modelado analítico de la estrategia de devanados laterales
3.3.2 Modelado analítico de la estrategia de devanados centrales
3.3.3 Modelado analítico de la estrategia de devanados combinados
3.3.3.1 Método general de análisis
3.3.3.2 Análisis del modelo A+ (Devanados combinados)
3.3.3.3 Devanados combinados: modelo A-
3.3.3.4 Devanados combinados: modelo B+
3.3.3.5 Devanados combinados: modelo B-
3.3.3.6 Devanados combinados: modelo C+
3.3.3.7 Devanados combinados: modelo C-
3.3.3.8 Devanados combinados: modelo D+
3.3.3.9 Devanados combinados: modelo D-
3.3.3.10 Devanados combinados: modelo E++
3.3.3.11 Devanados combinados: modelo E- -
3.3.3.12 Devanados combinados: modelo E+- (o E-+)
3.3.3.13 Comparación de las once estrategias de devanado combinados
3.4 Modelo de pérdidas del componente magnético
3.5 Conclusiones
57
Alternativas para la integración de la
inductancia con el transformador
3.1 Introducción
Una de las ventajas de la solución topológica que se propone en esta tesis es que
permite abordar especificaciones donde el coste sea un parámetro muy restrictivo. En
este sentido y dado que los componentes magnéticos son de alto coste (por montaje
principalmente), en esta tesis también se han planteado y analizado soluciones que
permitan la integración de la bobina serie y el transformador en un único núcleo
magnético, lo que supondría una reducción de ese coste.
Para conseguir la integración magnética se propondrán, en este capítulo, diferentes
estrategias de devanado de un núcleo magnético. Además para que esta integración se
pueda realizar en un tamaño reducido, es necesario que la frecuencia de trabajo del
convertidor sea alta, entre 400kHz y 1MHz, para poder integrar la bobina y el
transformador en un tamaño reducido.
El siguiente propósito de este capítulo será obtener un modelo analítico de aquellas
estrategias más interesantes, de tal forma que consigamos una aproximación sencilla
pero suficientemente completa del componente magnético. Debe tenerse en cuenta que
este modelo debe ser compatible con el modelo eléctrico del convertidor definido en el
capítulo anterior.
3.2 Realización física de la integración magnética

En un modelo sencillo de un componente magnético las inductancias se pueden
clasificar en dos tipos:
• Inductancia mutua o magnetizante: es consecuencia del flujo común entre dos o más
devanados del componente magnético.
• Inductancia serie o de dispersión: consecuencia del flujo generado por algún
devanado que el resto de arrollamientos no percibe.
Desde el punto de vista clásico un transformador bien acoplado es aquel en el que la
mayor parte de la inductancia es magnetizante (en torno al 98%), por lo tanto necesita
que los dos devanados del transformador estén muy próximos, y que las espiras del
primario y del secundario se encuentren entrelazadas entre sí para conseguir que todo
el flujo que genere un devanado se cierre a través del otro. Por tanto el concepto de
inductancia de dispersión en este caso es el de líneas de flujo que se cierran a través del
aire y que sólo abarcan al arrollamiento que lo genera, siendo está dispersión muy
dependiente de la situación y de la proximidad de las espiras de los devanados, y por
tanto de parámetros geométricos.
A partir de ahora consideraremos a la inductancia de dispersión dentro de un concepto
más amplio que el anterior, pudiendo obtener ese flujo no común de dos formas
distintas:
59
Capítulo 3. Alternativas para la integración de la inductancia con el transformador
• Separando las espiras de los dos devanados para conseguir que una mayor
proporción del flujo no llegue a cerrarse por los dos devanados, generando
inductancia de dispersión por el aire. Este flujo dependerá de la proximidad entre
las espiras de ambos devanados, siendo esta dispersión dependiente de múltiples
parámetros geométricos.
Figura 3-1: Flujo de dispersión por el aire
• Distribuyendo los flujos a través del núcleo de tal forma que existan caminos
magnéticos alternativos en el propio núcleo que no engloben a los dos devanados,
de esta forma se consigue inductancia de dispersión por flujo que circula a través
del núcleo. Este flujo disperso dependerá de la geometría del núcleo y de la
estrategia de bobinado, por lo que será mucho más sencillo de modelar
matemáticamente. En este concepto, la idea ya ha sido planteada en estos trabajos
[7], [34], [43], [48], [50], [55], [62], [63], [64], [69], [70], [87], [92] y [102] siendo
denominado como integración de componentes magnéticos.
Figura 3-2: Flujo de dispersión por el núcleo
El componente magnético que se busca estará basado en alguno de los dos supuestos
anteriores, o en ambos, de tal forma que la inductancia de dispersión obtenida por esos
dos métodos será nuestra inductancia serie deseada.
Para obtener dispersión por medio de la primera opción habrá que separar los
devanados primario y secundario lo máximo posible. En este sentido, una solución de
muy bajo coste consistiría en teniendo integradas las espiras del transformador en la
propia PCB del convertidor, la generación de la inductancia serie se podría realizarse
de dos formas diferentes:
60
• Situando los dos devanados en una misma columna del núcleo, cada uno de ellos en
una cara distinta de la PCB, estando separados por el propio espesor de la PCB, y
por tanto cuanto mayor sea éste mayor será la dispersión.
Figura 3-3: Flujo de dispersión en espiras arrolladas en la misma columna
• Situando los dos devanados en dos columnas distintas del núcleo, y por tanto
cuanto mayor sea esta distancia también será mayor la dispersión.
Figura 3-4: Flujo de dispersión en espiras arrolladas en distintas columnas
La dispersión por flujo que recorre el núcleo se podrá conseguir por medio del uso de
un núcleo magnético que contenga varios caminos magnéticos, para lo cual se pueden
emplear núcleos con más de dos columnas, la razón es que de esta forma podemos
distribuir los flujos por las columnas según nos convenga teniendo como grados de
libertad:
• Elección de las columnas a devanar.
• Número de vueltas en cada una de las columnas elegidas.
• Introducción de entrehierro en las columnas del núcleo.
El núcleo seleccionado será del tipo E o E plano, los cuales poseen tres columnas, y por
tanto tres caminos magnéticos distintos. Este tipo de núcleos de ferrita son
ampliamente utilizados por lo que su coste es bajo. Todos los modelos analíticos de las
diversas estrategias de devanado estarán basados en un núcleo genérico del tipo E
plano (EI).
61
En el núcleo genérico elegido la mayor parte de la dispersión la generaremos por flujo

que circula a través del núcleo y por tanto lo podremos calcular teóricamente con
bastante exactitud, aunque siempre se generará cierto flujo por el aire, que no
podremos calcular empleando un modelo sencillo.
Figura 3-5: Flujos en un núcleo E plano
Una vez seleccionado el tipo de núcleo y después de haber analizado las distintas
posibilidades de generación de flujo disperso, se proponen para este tipo de núcleo tres
estrategias distintas de devanado, las cuales se describen a continuación:
• Estrategia de devanados laterales: Los devanados primario y secundario se
encuentran arrollados en las dos columnas laterales del núcleo respectivamente
(Figura 3.6), quedando la columna central como camino magnético alternativo para
el flujo generado por los dos arrollamientos. Dependiendo del entrehierro en la
columna central se controla el flujo de dispersión.
N1
N2
Figura 3-6: Estrategia de devanados laterales
• Estrategia de devanados centrales: Los dos devanados se encuentran situados en la

columna central (Figura 3.7) de tal forma que todo el flujo por el núcleo es común a
ambos devanados, generándose únicamente dispersión por el aire.
62
N1
N2
Figura 3-7: Estrategia de devanados centrales
• Estrategia de devanados combinados: Se denomina así por ser una combinación de

las dos anteriores. El devanado primario está constituido por dos o tres
arrollamientos situados en otras tantas columnas del núcleo, mientras que el
secundario está formado por un solo arrollamiento (Figura 3.8). De esta forma
alguno de los arrollamientos del devanado primario siempre encuentra algún
camino magnético por el núcleo que no encierra al devanado secundario.
N1’’
N1’
N2
Figura 3-8: Estrategia de devanados combinados
En el siguiente punto se describe el modelo que se quiere obtener del componente

magnético, es decir, los parámetros que más información nos proporcionen, para que
sea compatible con el modelo eléctrico del convertidor, y así poder integrar los dos en
una aproximación teórica del comportamiento de la topología propuesta en su
conjunto.
Una vez determinado el modelo se realizará el estudio analítico de cada una de las tres
estrategias de bobinado para extraer de forma teórica todos los parámetros necesarios.
3.3 Modelado del componente magnético

Un modelo suficientemente completo de una bobina y un transformador integrados se
encuentra representado en la siguiente Figura:
R1 L1 Laire L22 R22
rt : 1
Lmag1
Figura 3-9: Circuito equivalente completo de la integración magnética
63
Siendo:
R1 : Resistencia del devanado primario.
R22 : Resistencia del devanado secundario referida al secundario.
L1 : Inductancia de dispersión del devanado primario debida al flujo que circula por
el núcleo de ferrita.
L22 : Inductancia de dispersión del devanado secundario debida al flujo por el núcleo
vista en secundario.
Laire : Inductancia de dispersión causada por el flujo que circula por el aire
Lmag1: Inductancia magnetizante del transformador vista en primario. Se denominará

Lmag1 o Lmag indistintamente.
Lmag2 : Inductancia magnetizante del transformador vista en secundario.
rt: Relación de transformación del transformador.
Este modelo posee algunos parámetros que son excesivamente complicados de obtener
analíticamente, por lo que primero obtendremos un modelo que contenga los
parámetros más sencillos, éste será integrado en el modelo del convertidor y lo
emplearemos para una primera fase de diseño donde seleccionaremos varios diseños
válidos que cumplan con las restricciones y que no tengan excesivas pérdidas.
Posteriormente haremos un nuevo modelo del componente magnético obteniendo el
resto de parámetros a través de la herramienta de análisis por elementos finitos PEMag
[8], esta herramienta realiza un modelado del componente magnético en 2D, este
nuevo modelo mucho más completo será integrado por segunda vez en el modelo del
convertidor, a través del cual podemos seleccionar el diseño con mejor rendimiento,
del cual se montará un prototipo para probarlo y verificar la validez del modelo a
partir de él.
Las hipótesis que vamos a suponer para simplificar el circuito equivalente del
componente magnético hasta conseguir el modelo teórico más sencillo son las
expuestas a continuación:
• Sólo se tendrá en cuenta el flujo que circula por la ferrita, ya que el análisis del flujo
por el aire necesita de potentes herramientas de simulación como PEMag.
• Las resistencias de los devanados no se tendrán en cuenta al ser debidas
fundamentalmente a los efectos de la alta frecuencia, más difíciles de modelar,
salvo las resistencias en continua que sí se emplearán al realizar los análisis de
sensibilidad del convertidor. De cualquier forma las resistencias en continua
dependen únicamente de los parámetros geométricos de las pistas de cobre por lo
que por ahora pueden ser obviadas.
Por tanto para el primer modelo analítico solamente emplearemos las inductancias
causadas por flujo magnético que circula por la ferrita, siendo su circuito equivalente:
64
L1 rt : 1 L22
Lmag1
L1 L2 rt : 1
Lmag1
Figura 3-10: Circuito equivalente simple de la integración magnética
L2 y L22 es la misma inductancia de dispersión pero vista desde los devanados primario
o secundario respectivamente. Para pasar una impedancia del secundario al primario
del transformador se multiplica su valor por la relación de transformación al cuadrado,
es decir:
L2 L22⋅ ( rt )
2 (3.1)
Lo mismo ocurre con la inductancia magnetizante, dependiendo del terminal del

transformador que estemos tomando como referencia en un momento determinado
trabajaremos con Lmag1 o Lmag2, por tanto también se cumple:
Lmag1 Lmag2⋅ ( rt)

2 (3.2)
Una vez seleccionados los parámetros deseados de este primer modelo del componente
magnético el siguiente paso será realizar los análisis analíticos de cada una de las tres
estrategias de bobinado con el fin de obtener esos parámetros de forma teórica.
3.3.1 Modelado analítico de la estrategia de devanados laterales

Cada uno de los dos devanados se encuentra en cada una de las dos columnas laterales
del núcleo, de tal forma que por la columna central circula parte del flujo generado por
ambos arrollamientos generando flujo de dispersión a través de la ferrita (Figura 3.6).
El circuito magnético equivalente del transformador es el siguiente:
65
Φ1 Φ2
Φc
R1 Rc R2
+
-
N 1 ·I1 N 2 ·I2
-
+
Figura 3-11: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados laterales
Siendo:
R1, Rc, R2: Reluctancias de las columnas izquierda, central y derecha respectivamente.
I1, I2: Intensidades entrantes por los devanados primario y secundario

respectivamente.
N1, N2: Número de vueltas de los dos devanados del transformador.
Φ1,Φc, Φ2: Flujos por las tres columnas del núcleo.
Si alimentamos por tensión el primario del transformador dejando abierto el devanado

secundario (ensayo de vacío en primario) la corriente en secundario será nula y por lo
tanto también lo será la fuerza magnetomotriz (f.m.m) de ese devanado. El circuito
magnético del transformador en este caso será:
Figura 3-12: Circuito magnético equivalente del ensayo de vacío
Siendo:
Φ11, Φc1, Φ21: Flujos por las tres columnas del núcleo en el ensayo de abierto.
En este ensayo podemos calcular la inductancia total vista desde primario. La

inductancia de un arrollamiento es el cuadrado del número de vueltas dividido por la
reluctancia equivalente del núcleo vista desde ese devanado. Realizando el mismo
ensayo de vacío pero dejando abierto el devanado primario obtenemos como
expresiones de las inductancias vistas desde los dos terminales del transformador:
En el primario tendremos:
66
N1
2 (3.3)
Lp
Req1
Con
R2⋅ Rc (3.4)
Req1 R1 +
R2 + Rc
En el secundario tendremos:
N2
2 (3.5)
Ls
Req2
Con
R1⋅ Rc (3.6)
Req2 R2 +
R1 + Rc
Siendo:
Lp, Ls : Inductancias de los ensayos de vacío vistas desde primario y secundario,

respectivamente.
Req1, Req2 : Reluctancias equivalentes del núcleo vistas desde el devanado primario y el
secundario.
Por otra parte en este mismo ensayo de vacío el circuito eléctrico equivalente de la
bobina y el transformador que estamos empleando como modelo (Figura 3.9) quedará
de la siguiente forma:
I1 L1 L2 I2=0
I2/rt=0 rt : 1
+
U1 Lmag1 U2·rt U2
-
Figura 3-13: Circuito eléctrico equivalente del ensayo de vacío
En este circuito calcularemos la impedancia y por tanto la inductancia total vista en

primario, realizando un análisis en alterna:
U1 (3.7)
Zp j⋅ ω⋅ Lp
I1
j⋅ ω⋅ Lmag1⋅ ⎛⎜ I1 −
I2 ⎞ (3.8)
U2⋅ rt ⎟ j⋅ ω⋅ Lmag1⋅ I1
⎝ rt ⎠
U1 j⋅ ω⋅ L1⋅ I1 + U2⋅ rt j⋅ ω⋅ ( L1 + Lmag1) ⋅ I1 (3.9)
67
U1 (3.10)
Zp j⋅ ω⋅ ( L1 + Lmag1) j⋅ ω⋅ Lp
I1
Por tanto la inductancia vista desde primario al realizar el ensayo de vacío

alimentando por tensión el primario será:
Lp L1 + Lmag1 (3.11)
La inductancia total vista desde primario será la suma de la inductancia de dispersión

en primario más la magnetizante. Al no circular corriente por el secundario no puede
generar flujo ese devanado y por tanto no aporta energía de dispersión, podemos
comprobar esta afirmación en la Figura anterior, cumpliéndose que L2 no participa de
la impedancia total vista en primario ya que no circula corriente por ella al estar abierto
el devanado secundario. Realizando el mismo ensayo de vacío pero alimentando por
tensión el secundario llegaríamos a la misma conclusión, por lo tanto las expresiones
de las inductancias vistas desde los dos devanados al realizar los dos ensayos de vacío
son:
Lp Lmag1 + L1 (3.12)
Ls Lmag2 + L22 (3.13)
El concepto de inductancia dispersión es el flujo generado por un devanado que el otro

no percibe mientras que la inductancia magnetizante es originada por el flujo común a
los dos devanados, por lo tanto la inductancia magnetizante y de dispersión son
proporcionales a unos coeficientes que indican la cantidad de flujo común a dos
devanados respecto al flujo total generado por cada uno de ellos, y por tanto son unos
indicadores del acoplamiento de los dos devanados del transformador.
Lmag1 K1⋅ Lp (3.14)
Lmag2 K2⋅ Ls (3.15)
2 (3.16)
⎛ N1 ⎞ ⋅ Lmag2
Lmag1 ⎜ ⎟
⎝ N2 ⎠
L1 ( 1 − K1) ⋅ Lp (3.17)
L22 ( 1 − K2) ⋅ Ls (3.18)
Φ21 Rc (3.19)
K1
Φ11 R2 + Rc
Φ12 Rc (3.20)
K2
Φ22 R1 + Rc
Siendo:
Lmag1, Lmag2: Inductancia magnetizante vista en primario y secundario.
L1, L22: Inductancias de dispersión debidas al flujo por la ferrita, sin considerar
68
flujo por el aire, del primario y secundario.
L2: Inductancia de dispersión del secundario vista desde primario.
K1, K2: Coeficientes de acoplamiento de flujos de los dos devanados.
Φ11: Flujo total por el núcleo debido al devanado primario.
Φ22: Flujo total por el núcleo debido al devanado secundario.
Φ12: Flujo originado por el devanado primario que se cierra por el secundario.
Φ21: Flujo originado por el devanado secundario que se cierra por el primario.
Sustituyendo en las ecuaciones anteriores obtenemos:
N1
2 (3.21)
L1 R2⋅
R1⋅ R2 + R1⋅ Rc + R2⋅ Rc
N2
2 (3.22)
L22 R1⋅
R1⋅ R2 + R1⋅ Rc + R2⋅ Rc
N1
2 (3.23)
Lmag1 Rc⋅
R1⋅ R2 + R1⋅ Rc + R2⋅ Rc
Podemos suponer que R1=R2(=R) por la simetría del núcleo y debido a que en caso de
que exista entrehierro en alguna de las columnas laterales será el mismo en las dos por
simplicidad de montaje, y por tanto por coste. Después de esta simplificación las
inductancias vendrán expresadas de la siguiente forma:
2 (3.24)
N2
L22
R + 2⋅ Rc
2 2 (3.25)
L2 L22⋅ ⎛⎜
N1⎞ N1
⎟ L1
⎝ N2⎠ R + 2Rc
2 (3.26)
Rc N1
Lmag1 ⋅
R R + 2Rc
Un inconveniente de los resultados obtenidos en este análisis es que mediante esta

estrategia de devanado se consigue inductancia de dispersión tanto en el primario
como en el secundario del transformador. El hecho de que se encuentre en un terminal
o en el otro es indiferente para lograr las ventajas de funcionamiento del convertidor
descritas en el capítulo anterior.
A continuación expresaremos los flujos en cada una de las columnas del núcleo,
omitiendo todo el cálculo previo, en función de los números de vueltas de cada uno de
los arrollamientos, de las intensidades que circulan por ellos y de las reluctancias de las
tres columnas. Estas expresiones serán de gran utilidad al introducirlas en una hoja de
cálculo del convertidor (ver Anexo I), realizada en el programa matemático Mathcad,
69
con el fin de conocer si el núcleo satura en algún punto de funcionamiento del

convertidor.
En la columna lateral 1 tendremos:
R + Rc Rc (3.27)
N1⋅ I1( t) ⋅ + N2⋅ I2( t) ⋅
R R
Φ1( t)
R + 2Rc
Φ1( t) (3.28)
B1( t)
Aef
2
En la columna lateral 2 tendremos
Rc R + Rc (3.29)
N1⋅ I1( t) ⋅ + N2⋅ I2( t) ⋅
R R
Φ2( t)
R + 2Rc
Φ2( t) (3.30)
B2( t)
Aef
2
En la columna central tendremos
N1⋅ I1( t) − N2⋅ I2( t) (3.31)

Φc( t)
R + 2Rc
Φc( t) (3.32)
Bc( t)
Aef
Siendo:
Φ1, Φ2, Φc: Flujo por las columnas laterales y central respectivamente.
I1(t): Intensidad que entra al devanado primario del transformador en función del
tiempo.
I2(t): Intensidad entrante por el secundario del transformador, y por tanto será la
corriente que circule por el diodo del convertidor.
B1, B2, Bc: Densidades de flujo (inducciones magnéticas) en cada una de las columnas del
núcleo.
Aef: Área efectiva del núcleo, coincidente con la sección transversal de la columna
central. En este tipo de núcleos se cumple que el área de las columnas laterales
es la mitad del área de la columna central.
70
3.3.2 Modelado analítico de la estrategia de devanados centrales

Los dos devanados se encuentran arrollados en la columna central, por lo tanto todo el
flujo generado por los dos devanados se cierra a través de ellos, es decir, sólo se genera
flujo de dispersión por el aire, no por el núcleo (Figura 3.7).
El análisis en este caso será muy similar al efectuado en el caso de devanados laterales,
manteniéndose la hipótesis de no almacenamiento de energía en el aire a causa de
flujo disperso. El circuito magnético equivalente del transformador es:
Figura 3-14: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados centrales
Realizando los ensayos de vacío del transformador tanto en primario como en

secundario obtenemos como ecuaciones de partida.
Lp L1 + Lmag1 (3.33)
Ls L22 + Lmag2 (3.34)
2 (3.35)
L22⋅ ⎛⎜
N1 ⎞
L2 ⎟
⎝ N2 ⎠
Ya sabemos que la dispersión por el núcleo es nula, por tanto:
2 (3.36)
N1
Lp Lmag1
Req1
2 (3.37)
N2
Ls Lmag2
Req2
2 (3.38)
Lmag2⋅ ⎛⎜
N1 ⎞
Lmag1 ⎟
⎝ N2 ⎠
Req1 y Req2 son las reluctancias equivalentes del núcleo respecto de cada, que serán
iguales al estar situados ambos en la misma columna.
71
R (3.39)
Req1 Req2 Rc +
2
Sustituyendo esta reluctancia equivalente en las ecuaciones de partida obtenemos el

modelo en inductancias equivalente del transformador.
2 (3.40)
2⋅ N1
Lmag1
R + 2Rc
2 (3.41)
2⋅ N2
Lmag2
R + 2Rc
L1 L2 L22 0⋅ μH (3.42)
Por último expresaremos los flujos y la inducción magnética en cada columna en

función de las corrientes en los dos devanados del transformador en cada instante de
funcionamiento del convertidor.
N1⋅ I1( t) + N2⋅ I2( t ) Φc( t ) (3.43)

Φ1( t ) Φ2( t )
R + 2Rc 2
2 N1I1( t) + 2N2⋅ I2( t) (3.44)

Φc( t)
R + 2Rc
En este tipo de núcleos las secciones de cada columna cumplen la siguiente relación:
Ac (3.45)
A1 A2
2
Por lo tanto las inducciones magnéticas en las tres columnas son iguales:
B1 B2 Bc (3.46)
La nomenclatura empleada en el análisis de esta estrategia es la misma que la utilizada

en la de devanados laterales.
Nótese que en el análisis teórico de esta estrategia se pierde gran cantidad de
información al no poder obtener ninguna aproximación de la inductancia de
dispersión, de ahí la importancia del modelado en 2D de PEMag.
3.3.3 Modelado analítico de la estrategia de devanados combinados

Como tercera opción (Figura 3.8) se propone una forma distinta de devanar las
columnas del núcleo, empleando dos o tres arrollamientos en serie situados en otras
dos o tres columnas distintas como devanado primario del transformador. El
secundario será un arrollamiento situado en una única columna. De esta forma alguno
de los arrollamientos del primario siempre encontrarán al menos un camino magnético
72
que no encierra al secundario, generando inductancia de dispersión a través del núcleo,

mientras que el flujo generado por el secundario siempre encontrará algún
arrollamiento del primario, por lo que el secundario solamente almacenará energía de
dispersión en el aire, no en el núcleo.
El devanado secundario solamente se compone de un arrollamiento, mientras que el
primario se divide en varios para generar inductancia de dispersión por flujo a través
del núcleo solamente en el primario, y no en secundario, por la misma razón que la
comentada en el apartado 3.3.1.
Se analizarán once modelos distintos que se diferencian en las columnas devanadas y
en los sentidos de los arrollamientos. Solamente se mostrará el análisis de uno de ellos
por poderse generalizar este análisis para los demás.
Como en los análisis anteriores se supone únicamente flujo por el núcleo. Las ligeras
variaciones en las inductancias debidas al flujo por el aire sólo se tendrán en cuenta en
aquellos modelos seleccionados como posibles soluciones para el convertidor,
empleando la herramienta PEMag [8] de simulación de componentes magnéticos para
completar los modelos.
Cada uno de los once modelos se designa por una letra (A, B, C, D o E) y uno ó dos
signos (“+”ó “-“). Cada letra indica una posición distinta de los arrollamientos sobre
las columnas del transformador. El signo positivo indica que todos los arrollamientos
que componen el devanado primario del transformador generan flujos que se suman
en el devanado secundario, mientras que el signo negativo indica que esos flujos se
restan en el secundario. Si existen dos signos en vez de uno significa que el primario
estará compuesto por tres arrollamientos situados en el mismo número de columnas, y
cada uno de esos dos signos se refiere a los dos arrollamientos que no se encuentran en
la misma columna que el devanado secundario.
3.3.3.1 Método general de análisis

El método de análisis genérico empleado para cualquiera de los once modelos para
obtener todos los parámetros que definen el circuito eléctrico equivalente del
componente magnético es el siguiente:
• Ensayo de vacío con el secundario abierto: La inductancia total vista desde el
primario (Lp) es la suma de la dispersión en primario más la inductancia
magnetizante vista en primario.
Lp L1 + Lmag1 (3.47)
• Ensayo de vacío con el primario abierto: La inductancia total vista desde el
secundario (Ls) será la suma de la inductancia de dispersión en secundario más la
magnetizante vista en secundario.
Ls L22 + Lmag2 (3.48)

• Al suponer que no existe flujo por el aire la dispersión en el secundario será nula en
los once modelos, ya que en todos ellos el flujo generado por el secundario es visto
en su totalidad por los arrollamientos de primario, como puede verse en los dibujos
detallados de cada modelo de la estrategia de devanados combinados que se
encuentran en analizados en este capítulo.
73
2 (3.49)
L2 L22⋅ ( rt)
L22 L2 0⋅ μH (3.50)
Ls Lmag2 (3.51)
• Como cuarta ecuación tenemos la relación entre las inductancia magnetizante vista
desde primario y secundario, que como cualquier impedancia, el paso de un
devanado a otro se realiza a través del cuadrado de la relación de transformación.
En este análisis es de gran importancia la forma de obtener la relación de
transformación, al no ser conocida a priori por estar los arrollamientos de primario
en columnas distintas y por tanto no todas las espiras contribuyen al flujo total de
la misma forma, es decir, en estos casos la relación de transformación no es la suma
de las espiras de los dos arrollamientos de primario divida por las espiras de
secundario, como a priori pudiera pensarse.

2 (3.52)
• La quinta y última ecuación necesaria para obtener todos los parámetros del
transformador se obtendrá a través de un ensayo de vacío dejando abierto el
devanado primario y midiendo la tensión en éste (en el segundo ensayo se medía la
tensión en secundario para obtener la impedancia total vista desde ese devanado).
Al ser la intensidad en ese devanado nula por ser un ensayo de vacío, la tensión
sólo es producida por la inductancia magnetizante. Esta tensión también puede
expresarse como una variación del flujo generado por el devanado secundario que
ven los arrollamientos del devanado primario.
d d (3.53)
U1 Lmag2⋅ rt ⋅ ( I2) f ( R , Rc, N1) ⋅ ( I2)
dt dt
L1 L22
I1=0 rt : 1 I1·rt=0 I2
+
U1 U2
U1 Lmag2
-
Figura 3-15: Circuito equivalente del ensayo de vacío alimentando el secundario
74
3.3.3.2 Análisis del modelo A+ (Devanados combinados)
Figura 3-16: Modelo A+
La tensión en el devanado primario del transformador (Figura 3.16) es la suma de las

tensiones generadas en cada uno de los dos arrollamientos que lo componen. Se suman
las tensiones porque los dos arrollamientos generan dos flujos comunes entre ambos
que tienen el mismo sentido, en caso de que estos flujos se restaran también se
restarían las tensiones, este es el concepto de terminales correspondientes en un
transformador o en dos bobinas acopladas.
U1 U1´ + U1´´ (3.54)
Siendo:
U1: Tensión en el devanado primario.
U1’: Tensión del arrollamiento perteneciente al devanado primario de la columna izquierda.
U1’’: Tensión del arrollamiento perteneciente al devanado primario de la columna central.
A continuación se muestra el circuito equivalente magnético para este tipo de bobinado

donde se puede observar el sentido de los flujos que genera cada arrollamiento:
Figura 3-17: Circuito magnético equivalente del modelo A+
Empleando las leyes de Faraday y Lenz en cada uno de los tres arrollamientos
obtenemos las siguientes expresiones:
75
⎛ d Φ1 ⎞ (3.55)
U1´ N1´⋅ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠
⎛ d Φc ⎞ (3.56)
U1´´ N1´´⋅ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠
⎛ d Φc ⎞ (3.57)
U2 N2⋅ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠
Como los arrollamientos N1’’ y N2 están situados en la misma columna entre ellos se
comportan como un transformador ideal en las condiciones que estamos suponiendo
cumpliéndose:
U1´´ N1´´ (3.58)

U2 N2
Para calcular la inductancia total vista desde primario realizaremos el ensayo de vacío
con el secundario abierto (I2=0 y por tanto también la f.m.m. del devanado
secundario), quedando el circuito equivalente de la siguiente forma:
Figura 3-18: Circuito magnético equivalente del ensayo de vacío del modelo A+
Expresamos los flujos en cada columna en función de los parámetros del circuito:
( N1´ + 2⋅ N1´´) ⋅ I1( t) (3.59)

Φc1( t) Kc1⋅ I1( t)
R + 2⋅ Rc
Rc (3.60)
N1´⋅ − N1´´
R
Φ21( t) ⋅ I1( t) K21⋅ I1( t)
R + 2Rc
⎛ R + Rc ⎞ ⋅ N1´ + N1´´ (3.61)

⎜ R ⎟
Φ11( t)
⎝ ⎠ ⋅ I1( t) K11⋅ I1( t)
R + 2⋅ Rc
76
K11, Kc1 y K21 son constantes independientes del tiempo. El primer subíndice de estos
coeficientes se refiere a la columna del núcleo (izquierda, central y derecha
respectivamente) y el segundo subíndice es un 1 referido a que esas constantes
pertenecen al ensayo de vacío alimentado por el primario. Estos subíndices también se
ven reflejados en los flujos.
Volviendo a la ecuación de partida y sustituyendo estas expresiones obtenemos:
U1´ + U1´´ N1´⋅ ⎜

⎛ d Φ11 ⎞ + N1´´⋅ ⎛ d Φc1 ⎞ (3.62)
U1 ⎟ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠
Φ11 K11⋅ I1 (3.63)
Φc1 Kc1⋅ I1 (3.64)
N1´⋅ K11⋅ ⎜
⎛ d I1 ⎞ + N1´´⋅ Kc1⋅ ⎛ d I1 ⎞ (3.65)
U1 ⎟ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠
Por otra parte en el ensayo de vacío se cumplen estas dos condiciones:
⎛ d I1 ⎞ (3.66)
U1 Lp ⋅ ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠
I2 O (3.67)
Por lo tanto la inductancia total desde primario tiene la siguiente expresión:
Lp N1´⋅ K11 + N1´´⋅ Kc1 (3.68)
Sustituyendo los valores de K11 y Kc1 obtenemos:
N1´ ⋅ ⎛⎜
2 R + Rc ⎞ 2 (3.69)
⎟ + N1´⋅ N1´´ + N1´´
Lp
⎝ 2⋅ R ⎠ L1 + Lmag1
R
Rc +
2
A continuación calculamos la inductancia total pero vista en secundario, para lo cual

realizamos el ensayo de vacío dejando abierto el devanado primario, el circuito
equivalente quedaría de la siguiente forma:
N2
2 (3.70)
Ls
Req2
R (3.71)
Req2 Rc +
2
El flujo generado por las N2 espiras del secundario es visto en su totalidad por los dos
arrollamientos que componen el devanado primario (N1’ y N1’’), por lo que el flujo de
dispersión del secundario es nulo, y por tanto también lo será la inductancia de
dispersión L22. La expresión anterior quedaría de la siguiente forma:
77
N2
2 (3.72)
Ls Lmag2 + L22 Lmag2
R
Rc +
2
La tercera ecuación la obtenemos de la relación entre la inductancia magnetizante vista

en primario o secundario:

2 (3.73)
La cuarta ecuación, quinta si consideramos la dispersión del devanado secundario

nula como otra ecuación más, será el tercer ensayo de vacío alimentando desde el
devanado secundario, el circuito magnético equivalente del transformador en este caso
quedará de la siguiente forma.
Figura 3-19: Circuito magnético equivalente del ensayo de vacío alimentando en secundario del
modelo A+
Los subíndices empleados para los flujos y las constantes K son equivalentes a los
mencionados anteriormente, el primero indica la columna del núcleo (1-izquierda, c-
central y 2-derecha) y el segundo indica el tipo de ensayo de vacío realizado (1-ensayo
de vacío alimentado por tensión en primario y 2-ensayo de vacío alimentado por
tensión en secundario y por tanto con el devanado primario abierto).
En este ensayo al alimentar por tensión el devanado secundario éste genera un flujo
que se cerrará a través de los dos arrollamientos que componen el primario,
induciendo diferencias de tensión sobre ambos que se sumarán o restarán al estar los
dos arrollamientos conectados entre sí. Si los flujos originados por el devanado
secundario llegan a los arrollamientos del primario con el mismo sentido que los
supuestos en el ensayo de abierto alimentado desde primario entonces los signos de las
tensiones se conservan, en caso contrario habrá que cambiar alguno de ellos o los dos.
En este modelo los sentidos de Ф11 y Ф12 coinciden, igualmente ocurre con Фc1 y Фc2,
por lo que los signos de las tensiones se conservan sumándose entre sí. Por lo tanto
tenemos como expresiones:
d (3.74)
U1 Lmag2⋅ rt⋅ ( I2)
dt
78
d ( (3.75)
Φ12) + N1´´⋅ ( Φc2)
d
U1 N1´⋅
dt dt
Calculamos la expresión de los flujos Ф12 y Фc2.
N2⋅ I2( t ) (3.76)

Φc2( t ) Kc2⋅ I2( t )
R
Rc +
2
N2⋅ I2( t ) (3.77)

Φ12( t ) K12⋅ I2( t )
2⋅ ⎛⎜ Rc +
R⎞
⎟
⎝ 2 ⎠
Sustituyendo estos valores e igualando las dos expresiones anteriores obtenemos:
d N1´⋅ N2 d N1´´⋅ N2 d (3.78)

Lmag2⋅ rt⋅ ( I2) ⋅ ( I2) + ⋅ ( I2)
2⋅ ⎛⎜ Rc + ⎟⎞
dt R dt R dt
Rc +
⎝ 2⎠ 2
2 (3.79)
N2 d N1´⋅ N2 d N1´´⋅ N2 d
⋅ rt⋅ ( I2) ⋅ ( I2) + ⋅ ( I2)
Rc +
R dt ⎛ R
2⋅ ⎜ Rc + ⎟⎞ dt
Rc +
R dt
2 ⎝ 2⎠ 2
Simplificando llegamos a la expresión buscada de la relación de transformación:
N1´ (3.80)
+ N1´´
2
rt
N2
Se muestran a continuación las expresiones obtenidas a partir de las cinco ecuaciones

de partida, para obtener a partir de estas los cuatro parámetros buscados del
transformador:
N1´ (3.81)
+ N1´´
2
rt
N2
R + Rc ⎞ (3.82)
N1´ ⋅ ⎛⎜
2 2
⎟ + N1´⋅ N1´´ + N1´´
L1 + Lmag1
⎝ 2⋅ R ⎠
R
Rc +
2
N2
2 (3.83)
Lmag2
R
Rc +
2

2 (3.84)
79
L2 0⋅ μH (3.85)
Operando obtenemos los cuatro parámetros buscados.
N1´ (3.86)
+ N1´´
2
rt
N2
2 (3.87)
⎛ N1´ ⎞ + 2⋅ ⎛ N1´ ⎞ ⋅ N1´´ + N1´´2
⎜ 2 ⎟ ⎜ ⎟
Lmag1
⎝ ⎠ ⎝ 2 ⎠
R
Rc +
2
2 (3.88)
N1´
L1
2R
L2 0⋅ μH (3.89)
En este modelo se observa como la inductancia de dispersión del primario es

independiente de las vueltas del arrollamiento de la columna central y de su
reluctancia, y por tanto del posible entrehierro que esa columna pueda tener. Otro dato
importante a considerar en este modelo es que una espira de la columna central
equivale exactamente a dos espiras de las columnas laterales, sin considerar la
aportación de las espiras laterales a la inductancia de dispersión.
Para terminar el análisis de este modelo se transcriben las expresiones de los flujos de
cada columna del transformador, omitiendo todos los cálculos previos necesarios para
su obtención, en función de las corrientes entrantes por ambos devanados del
componente magnético. Los sentidos considerados para los tres flujos se encuentran
representados en la Figura 3.17.
⎛ N1´⋅ R + Rc + N1´´⎞ ⋅ I1( t) + N2⋅ I2( t) (3.90)

⎜ ⎟
Φ1( t )
⎝ R ⎠
R + 2Rc
( N1´ + 2N1´´) ⋅ I1( t) + 2N2⋅ I2( t) (3.91)

Φc( t)
R + 2Rc
⎛ N1´´ − N1´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1( t) + N2⋅ I2( t) (3.92)

⎜ ⎟
Φ2( t)
⎝ R ⎠
R + 2Rc
Usando el mismo procedimiento seguido para el Análisis del modelo A+ se puede

hacer un análisis parecido para los demás modelos de la estrategia de devanados
combinados.
A continuación se muestra un resumen de todos los otros modelos de transformador
analizados de la estrategia de devanados combinados incluyendo un dibujo
descriptivo de la posición y sentido de los arrollamientos, las expresiones de los cuatro
parámetros del transformador y de los flujos por las tres columnas empleados para el
análisis de saturación.
80
3.3.3.3 Devanados combinados: modelo A-
Figura 3-20: Modelo A-
Figura 3-21: Circuito magnético equivalente de la estrategia de devanados combinados:

Modelo A-
Circuito eléctrico equivalente
2 (3.93)
⎛ N1´ − N1´´⎞
⎜ ⎟
Lmag1
⎝ 2 ⎠
R
Rc +
2
N1´
2 (3.94)
L1
2R
N1´ (3.95)
N1´´ −
2
Rt
N2
N2
2 (3.96)
Lmag2
R
Rc +
2
L2 0 (3.97)
81
Descomposición de flujos
⎛ N1´´ − N1´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.98)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R ⎠
R + 2Rc
( 2N1´´ − N1´) ⋅ I1 + 2N2⋅ I2 (3.99)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´ + N1´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.100)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R ⎠
R + 2Rc
3.3.3.4 Devanados combinados: modelo B+
Figura 3-22: Modelo B+

Modelo B+
2 (3.101)
⎡ Rc R + Rc⎤
⎢N1´⋅ + N1´´⋅ ⎥
Lmag1
⎣ R⋅ ( R + Rc) R ⎦
R + 2Rc
82
N1´
2 (3.102)
L1
R + Rc
Rc (3.103)
N1´´ + N1´⋅
R + Rc
Rt
N2
2
N2 ⋅ ( R + Rc)
(3.104)
Lmag2
R⋅ ( R + 2Rc)
L2 0 (3.105)
⎛ N1´´⋅ Rc + N1´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ Rc ⋅ I2 (3.106)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R R ⎠ R
R + 2Rc
( N1´´ − N1´) ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.107)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´⋅ R + Rc + N1´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ R + Rc ⋅ I2 (3.108)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R R ⎠ R
R + 2Rc
3.3.3.5 Devanados combinados: modelo B-
Figura 3-24: Modelo B-
83

Modelo B-
2 (3.109)
⎡N1´⋅ Rc
− N1´´⋅
R + Rc⎤
⎢ ⎥
Lmag1
⎣ R⋅ ( R + Rc) R ⎦
R + 2⋅ Rc
N1´
2 (3.110)
L1
R + Rc
Rc (3.111)
N1´´ − N1´⋅
R + Rc
Rt
N2
2
N2 ⋅ ( R + Rc)
(3.112)
Lmag2
R⋅ ( R + 2Rc)
L2 0 (3.113)
⎛ N1´´⋅ Rc − N1´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ Rc ⋅ I2 (3.114)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
( N1´´ + N1´) ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.115)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´⋅ R + Rc − N1´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ R + Rc ⋅ I2 (3.116)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
84
3.3.3.6 Devanados combinados: modelo C+
Figura 3-26: Modelo C+

Modelo C+
2 (3.117)
⎛ ⋅ R R + Rc ⎞
⎜ N1´ + N1´´⋅ ⎟
Lmag1
⎝ R + Rc R ⎠
R + 2⋅ Rc
N1´
2 (3.118)
L1
R + Rc
R (3.119)
N1´´ + N1´⋅
R + Rc
Rt
N2
2
N2 ⋅ ( R + Rc)
(3.120)
Lmag2
R⋅ ( R + 2Rc)
L2 0 (3.121)
85
⎛ N1´´⋅ Rc − N1´⎞ ⋅ I1 + N2⋅ Rc ⋅ I2 (3.122)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
( N1´´ + 2N1´) ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.123)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´⋅ R + Rc + N1´⎞ ⋅ I1 + N2⋅ R + Rc ⋅ I2 (3.124)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
3.3.3.7 Devanados combinados: modelo C-
Figura 3-28: Modelo C-

Modelo C-
2 (3.125)
⎛ R R + Rc ⎞
⎜ N1´⋅ − N1´´⋅ ⎟
Lmag1
⎝ R + Rc R ⎠
R + 2⋅ Rc
86
N1´
2 (3.126)
L1
R + Rc
R (3.127)
N1´´ − N1´⋅
R + Rc
Rt
N2
2
N2 ⋅ ( R + Rc)
(3.128)
Lmag2
R⋅ ( R + 2Rc)
L2 0 (3.129)
⎛ N1´´⋅ Rc + N1´⎞ ⋅ I1 + N2⋅ Rc ⋅ I2 (3.130)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
( N1´´ − 2N1´) ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.131)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´⋅ R + Rc − N1´⎞ ⋅ I1 + N2⋅ R + Rc ⋅ I2 (3.132)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
3.3.3.8 Devanados combinados: modelo D+
Figura 3-30: Modelo D+
87

Modelo D+
2 (3.133)
⎡ ⋅ Rc R ⎤
⎢N1´ + N1´´⋅
+
⎥
Lmag1
⎣ R⋅ ( R + Rc) R Rc⎦
R + 2⋅ Rc
2 (3.134)
( N1´ − N1´´)
L1
R + Rc
R Rc (3.135)
N1´´⋅ + N1´⋅
R + Rc R + Rc
Rt
N2
2 (3.136)
N2 ⋅ ( R + Rc)
Lmag2
R⋅ ( R + 2Rc)
L2 0 (3.137)
⎛ N1´´ − N1´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 − N2⋅ Rc ⋅ I2 (3.138)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
( 2N1´´ − N1´) ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.139)

Φc :=
R + 2Rc
88
⎛ N1´´ + N1´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ R + Rc ⋅ I2 (3.140)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
3.3.3.9 Devanados combinados: modelo D-
Figura 3-32: Modelo D-

Modelo D-
2 (3.141)
⎡N1´⋅ Rc
− N1´´⋅
R ⎤
⎢ ⎥
R + Rc⎦
Lmag1
⎣ R⋅ ( R + Rc)
R + 2⋅ Rc
2 (3.142)
( N1´ + N1´´)
L1
R + Rc
R Rc (3.143)
N1´´⋅ − N1´⋅
R + Rc R + Rc
Rt
N2
89
2 (3.144)
N2 ⋅ ( R + Rc)
Lmag2
R⋅ ( R + 2Rc)
L2 0 (3.145)
⎛ N1´´ + N1´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 − N2⋅ Rc ⋅ I2 (3.146)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
( 2N1´´ + N1´) ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.147)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´ − N1´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ R + Rc ⋅ I2 (3.148)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R ⎠ R
R + 2⋅ Rc
3.3.3.10 Devanados combinados: modelo E++
Figura 3-34: Modelo E++
90

Modelo E++
2 (3.149)
⎛ N1´´ + N1´ + N1´´´ ⎞
⎜ ⎟
Lmag1
⎝ 2 2 ⎠
R
Rc +
2
2 (3.150)
( N1´ − N1´´´)
L1
2R
N1´ N1´´´ (3.151)

N1´´ + +
2 2
Rt
N2
2 (3.152)
N2
Lmag2
R
Rc +
2
L2 0 (3.153)
(3.154)
⎛ N1´´ + N1´⋅ R + Rc − N1´´´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2
⎜ ⎟
Φ1
⎝ R R ⎠
R + 2⋅ Rc
( 2N1´´ + N1´ + N1´´´) ⋅ I1 + 2N2⋅ I2 (3.155)

Φc
R + 2Rc
91
⎛ N1´´ − N1´⋅ Rc + N1´´´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.156)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R R ⎠
R + 2⋅ Rc
3.3.3.11 Devanados combinados: modelo E- -
Figura 3-36: Modelo E- -

Modelo E- -
2 (3.157)
⎛ N1´´ − N1´ − N1´´´ ⎞
⎜ ⎟
Lmag1
⎝ 2 2 ⎠
R
Rc +
2
2 (3.158)
( N1´ − N1´´´)
L1
2R
92
N1´ N1´´´ (3.159)

N1´´ − −
2 2
Rt
N2
2 (3.160)
N2
Lmag2
R
Rc +
2
L2 0 (3.161)
⎛ N1´´ − N1´⋅ R + Rc + N1´´´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.162)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R R ⎠
R + 2⋅ Rc
( 2N1´´ − N1´ − N1´´´) ⋅ I1 + 2N2⋅ I2 (3.163)

Φc
R + 2Rc
⎛ N1´´ + N1´⋅ Rc − N1´´´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.164)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R R ⎠
R + 2⋅ Rc
3.3.3.12 Devanados combinados: modelo E+- (o E-+)
Figura 3-38: Modelo E+-
93

Modelo E+-
2 (3.165)
⎛ N1´´ + N1´ − N1´´´ ⎞
⎜ ⎟
Lmag1
⎝ 2 2 ⎠
R
Rc +
2
2 (3.166)
( N1´ + N1´´´)
L1
2R
N1´ N1´´´ (3.167)

N1´´ + −
2 2
Rt
N2
2 (3.168)
N2
Lmag2
R
Rc +
2
L2 0 (3.169)
⎛ N1´´ + N1´⋅ R + Rc + N1´´´⋅ Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.170)

⎜ ⎟
Φ1
⎝ R R ⎠
R + 2⋅ Rc
( 2N1´´ + N1´ − N1´´´) ⋅ I1 + 2N2⋅ I2 (3.171)

Φc
R + 2Rc
94
⎛ N1´´ − N1´⋅ Rc − N1´´´⋅ R + Rc ⎞ ⋅ I1 + N2⋅ I2 (3.172)

⎜ ⎟
Φ2
⎝ R R ⎠
R + 2⋅ Rc
3.3.3.13 Comparación de las once estrategias de devanado combinados

Se han analizado once modelos diferentes basados en esta tercera alternativa de
bobinado, pero la existencia de tal cantidad de modelos imposibilita el hecho de hacer
un análisis de sensibilidad de cada uno de ellos con el fin de obtener un diseño óptimo
por modelo. Por esta razón se propone como alternativa previa la realización de una
tabla para cada modelo, en la cual se representen los resultados más importantes
obtenidos a través de la hoja de cálculo de unos 10 ó 12 diseños que permitan
representar todo el rango de posibles soluciones. Con este método podemos
seleccionar cuales son los modelos inadecuados para esta aplicación, suprimiéndolos y
evitando de esta forma obtener un diseño óptimo de todos ellos. Estas tablas se
encuentran expuestas en el Anexo III.
A través de un estudio de cada una de estas tablas se puede llegar a las siguientes
conclusiones:
• Modelo A+: Este modelo proporciona un muy buen compromiso entre pérdidas y
capacidad de generar inductancia de dispersión.
• Modelo A-: Con la misma inductancia de dispersión que le A+ las pérdidas que
produce son mayores, debido a la cancelación de flujos que reduce el acoplamiento
entre los devanados.
• Modelo B+: Las pérdidas producidas en el núcleo a causa de las excursiones de flujo
son excesivas.
• Modelo B- : Tiene un comportamiento aún peor que el anterior.
• Modelo C+: Este modelo es muy semejante al A+, pero sin aportar ninguna ventaja
adicional, por lo que en igualdad de condiciones su comportamiento es algo peor al
del primero.
• Modelo C- : La cancelación de los flujos de los dos arrollamientos que conforman el
primario le confieren unas pérdidas mucho mayores que el C+.
• Modelo D+: Las excursiones de flujo son grandes lo que produce unas pérdidas
elevadas en el núcleo.
• Modelo D- : Su comportamiento es más aproximado al de una bobina que al de un
transformador, al producirse una cancelación de los flujos comunes entre los dos
devanados.
• Modelo E++: Este modelo es muy semejante al A+ en pérdidas, pero la gran
cantidad de vueltas que hay que realizar en el núcleo es un inconveniente que no
proporciona ninguna ventaja adicional.
• Modelo E- -: La cancelación del flujo común produce que igualdad de inductancia
de dispersión con el modelo E++ la magnetizante sea bastante más pequeña, lo que
aumenta considerablemente las pérdidas por conducción y en el núcleo magnético.
95
• Modelo E+ -: A pesar de poseer un comportamiento algo diferente al E++, los

resultados obtenidos son muy semejantes, por lo que la conclusión es la misma que
en el E++.
3.4 Modelo de pérdidas del componente magnético

Una vez terminado el modelado teórico de las inductancias de las distintas alternativas
propuestas para integrar la bobina y el transformador, el siguiente paso es obtener el
modelo de las pérdidas producidas en el componente magnético con el fin de ser
introducido en el modelo creado del convertidor, para obtener una aproximación lo
más realista posible de su comportamiento.
Para obtener una aproximación de las pérdidas se necesita el modelado del
transformador a través de PEMag para conseguir las resistencias de los dos devanados
debidas al efecto de la alta frecuencia.
Distinguiremos dos tipos de pérdidas en el transformador:
• Pérdidas en el núcleo debidas al flujo que circula por él: Estas pérdidas se
aproximan por medio de las curvas dadas por el fabricante, las cuales dependen de
la frecuencia de trabajo, de las excursiones de flujo producidas y del volumen y
material del núcleo. Para el material seleccionado se han aproximado las curvas de
pérdidas a cuatro frecuencias distintas con el fin de obtener un modelo lo más
realista posible.
• Pérdidas por conducción en las espiras de los dos devanados debidas
principalmente a los efectos de la alta frecuencia: Las resistencias de los devanados
las proporciona PEMag, empleando la resistencia del ensayo de abierto en primario
cuando no circula corriente por el diodo, y la resistencia del ensayo de cortocircuito
en secundario cuando la corriente entra por los dos terminales.
Este modelo se encuentra implementado en la hoja de cálculo que se documenta en el
Anexo I.
3.5 Conclusiones
Una inductancia relativamente grande en serie (sea una bobina en serie o inductancia
de dispersión) con el transformador confiere al Flyback un comportamiento diferente
lo que significa que se trata de una topología diferente del Flyback con enclavamiento
activo clásico . La nueva topología tiene ventaja de poder conseguir el ZVS y un
apagado suave del diodo debido a la aparición de una nueva etapa. La solución a esta
problemática se ha basado en conseguir una inductancia serie suficientemente grande
por la aplicación de técnicas de integración de magnéticos en un solo núcleo, para así
mantener el bajo coste de la solución.
Para obtener la integración magnética, aparte de necesitar una frecuencia de trabajo
alta, nos fundamentamos en una variación de la forma clásica de devanar un
transformador. Se han analizado tres estrategias distintas de bobinado de un núcleo
magnético de tres columnas, obteniendo los modelos teóricos de trece alternativas
diferentes, para posteriormente ser integrados en los modelos de la topología,
96
constituyendo la herramienta principal de diseño para optimizar en pérdidas una

solución de bajo coste.
Las conclusiones principales de cada estrategia son:
• Estrategia de devanados laterales: Se puede obtener una gran inductancia de
dispersión, por flujo que recorre el núcleo, en los dos devanados del transformador,
lo cual supone un inconveniente al preferir la bobina serie en el devanado primario
para no incrementar las pérdidas por conducción. Aún así la capacidad de generar
dispersión es muy importante, pero también las pérdidas en el núcleo al circular la
mayor parte del flujo por él.
• Estrategia de devanados centrales: El inconveniente de esta estrategia es la
imposibilidad de conseguir flujo disperso por el núcleo, siendo la capacidad de
almacenar energía en el aire debida al flujo de dispersión la que permite tener una
cierta inductancia serie. Aunque los valores de la inductancia de dispersión que se
pueden alcanzar no son muy grandes, esta estrategia tiene la ventaja de generar
unas pérdidas muy pequeñas en el núcleo, siendo una alternativa interesante.
• Estrategia de devanados combinados: Esta estrategia es un punto intermedio entre
las dos anteriores, pudiendo obtener valores más altos de inductancia serie que la
estrategia de devanados centrales pero a costa de aumentar las pérdidas en el
núcleo. Existe un gran número de alternativas posibles para hacerlo, once en total,
lo cual supone un importante trabajo de análisis y de comparación de alternativas.
En resumen, según los resultados obtenidos mediante hojas de cálculo específicas
para cada caso y mostrados en las tablas del Anexo III, se han suprimido los
modelos A-, B-, C-, D+, D- y E-- a causa de las elevadas pérdidas en el núcleo y por
conducción, mientras que los modelos B+, C+, E++ y E+- tiene un comportamiento
similar aunque algo peor al A+, el cual tiene un muy buen compromiso entre
inductancia de dispersión y pérdidas.
97
4. METODOLOGÍA DE DISEÑO DE LA SOLUCIÓN
PROPUESTA
Índice
4.1 Introducción
4.2 Aspectos críticos en el diseño de la nueva topología
4.3 Descripción del proceso de diseño
4.3.1 Primera etapa: Diseño preliminar del convertidor usando el Flyback equivalente
Paso 1: Valor inicial de la relación de vueltas
Paso 2: Cálculo de la energía manejada por la inductancia equivalente del convertidor
Paso 3: Valor inicial de la frecuencia de conmutación
Paso 4: Valor inicial de la Inductancia magnetizante
4.3.2 Segunda etapa: Aplicación de los valores iniciales en el diseño de la topología
propuesta en esta tesis
Paso 5: Inductancias serie y magnetizante
Paso 6: Cálculo de tensiones y corrientes
Paso 7: Verificación de la Conmutación a Tensión Cero (ZVS)
Paso 8: Verificación de la Energía circulante
Paso 9: Selección de los componentes
Paso 10: Cálculo de las pérdidas en los semiconductores
Paso 11: Diseño del Transformador
Paso 12: Estudio de la saturación del transformador
Paso 13: Cálculo de las pérdidas en el transformador
Paso 14: Cálculo de las pérdidas totales del convertidor
Paso 15: Fin de diseño: Prototipado
4.4 Conclusiones
99
Metodología de diseño de la solución propuesta
4.1 Introducción
En este capítulo se presenta una metodología de diseño para la solución topológica
propuesta en esta tesis.
Las soluciones encontradas deben cumplir con las especificaciones y las restricciones
de tamaño y coste y que además estén optimizadas en perdidas.
La presentación de los pasos necesarios para encontrar soluciones óptimas, se
acompaña con valores y gráficas basadas en un ejemplo de diseño. Todos los
resultados que se obtienen a través de la hoja de cálculo del Anexo I se generan
automáticamente a través de la inserción de los siguientes datos de las especificaciones
de diseño:
• El rango de la tensión de entrada será del 18V hasta 58V y la tensión nominal será
de 42V.
• Tensión de salida requerida: 3´3V.
• La corriente de salida será de 3A.
La herramienta principal que emplearemos para la fase de diseño es una hoja de
cálculo, implementada en el programa matemático Mathcad (Anexo I), donde se
encuentran representado el modelo eléctrico del convertidor, integrado con el del
componente magnético.
Se han realizado varias hojas de cálculo distintas, al ser cada una de ellas específica
para un núcleo magnético determinado y para una estrategia de devanado
determinada.
Después del cálculo de todos los parámetros eléctricos y la representación de las
formas de onda más características de la topología se encuentra implementado el
modelo de pérdidas de los semiconductores y de los magnéticos, además del cálculo de
saturación del transformador y del valor necesario de la capacidad de salida.
4.2 Aspectos críticos en el diseño de la nueva topología

La solución topológica propuesta presenta un comportamiento característico que va a
permitir simplificar su diseño.
Se considera KL como la relación de inductancias entre inductancia magnetizante y
serie:
Lmag (4.1)
KL =
L1
Las formas de onda de las tensiones y corrientes y los valores característicos de los
mismos no cambian si se mantiene constante la relación de vueltas (rt) la relación de
inductancias (KL) y el producto :
101
Capítulo 4. Metodología de diseño de la solución propuesta
F ⋅ ( Lmag + L1) = cte (4.2)
Es decir mientras que se mantenga la relación de vueltas, la relación de inductancias

(Ecuación 4.1) y este producto (Ecuación 4.2) constantes las tensiones y corrientes del
convertidor permanezcan invariantes.
A modo de ejemplo, la Figura 4.1 representa las formas de onda de la corriente en la
inductancia serie del convertidor para diferentes valores de la relación de vueltas, la
frecuencia, y las inductancias serie y magnetizante de la topología propuesta.
IL
t/T
Figura 4-1: Evolución de la corriente en la inductancia serie de la topología propuesta. Escala de

tiempo normalizada respecto al periodo de conmutación (T).
Mientras que no se cambie la relación de vueltas (casos correspondientes a rt = 6) y el

producto (F.(Lmag+L1)) se mantiene constante (en todos los casos F.(Lmag+L1) ≈ 12.7 ) la
corriente en la inductancia serie del convertidor es invariante. Sin embargo, la corriente
sí varía si se cambia la relación de vueltas (rt = 12) aunque se mantenga el mismo
producto (F.(Lmag+L1)).
Otro aspecto muy importante es la capacidad de conseguir el fenómeno de la
conmutación a tensión nula (ZVS) por tener una gran inductancia serie.
La Figura 4.2 representa la evolución de la Ecuación 4.22 donde se determina
gráficamente los valores mínimos de la inductancia serie (L1) necesarias para conseguir
el ZVS para diferentes valores de la inductancia magnetizante (Lmag).
Siendo EL1 la energía almacenada en la inductancia serie L1 y Ec la energía necesaria
para descargar las capacidades parásitas de los MOSFETs.
102
-6
5uH
5uH
10 0uH
4.10
uH
20 uH
1
30 H
20
u
uH
-6
2.10 ZVS u H
40
H
4 0u
E L1 -E C 0
-6
-2.10
NO ZVS
-6
-4.10
-7 -6 -5
1.10 1.10 1.10
L1
Figura 4-2: Evolución del (EL1-Ec) en función de la inductancia serie L1 para diferentes valores
de la inductancia magnetizante Lmag
Sin embargo cuánto mas grande es la inductancia serie, la energía circulante (Ecir) es
mayor (Figura 4.3) lo cual supone más pérdidas en el convertidor.
0.8
Ecir
0.6
0.4
-7 -6 -5 -4
1.10 1.10 1.10 1.10
L1
Figura 4-3: Evolución de la Energía circulante en el convertidor en función de la inductancia

serie para un valor fijo de la inductancia magnetizante.
Durante el proceso de diseño y en concreto cuando se proponen valores de las

inductancias serie y magnetizante, hay que encontrar un compromiso entre conseguir
el ZVS y valores aceptables de energía circulante del convertidor.
103
4.3 Descripción del proceso de diseño

La siguiente grafica muestra las etapas del procedimiento a seguir en el diseño de
convertidores basados en la topología propuesta en esta tesis.
VE, VS, IS
1 rti
VDSprim_max, D
Kri
2
EL (energía manejada por la inductancia)
3 (Li x Fi) = cte
Primera Etapa ( Flyback equivalente) 4 Fi

Fi → Li
5
Lmagi,
L Lmi,Lsi
mag i, L1i
L1i
( magi+L1i), KLi=Lmagi/L1i
Li= (L
6 Cálculo de tensiones y corrientes
No
7 ZVS
Si
Energía No
8 Circulante
Aceptable
L
Si
(L x F) = cte 11
Transformador (Material, Núcleo,…) 9 Componentes ( MOSFETs, Diodo,…)
F, Kr
rt
Pérdidas No
Si
Saturación 10 Componentes
12 Aceptables
No Si
No Pérdidas
Transformador
13 Aceptables
Si
No Aceptable Pérdidas
+
14 Tamaño
Aceptable
Segunda Etapa ( Topología propuesta) 15 Fin de diseño
Figura 4-4: Resumen de la propuesta de diseño
104
Según la gráfica, el proceso de diseño que se detallará más adelante, está compuesto
por dos etapas y quince pasos. Distribuidos de la siguiente forma:
- En la primera etapa se determinan los valores iniciales de diseño basándose en
el Flyback equivalente. Esta primera etapa se compone de cuatro pasos.
- La segunda etapa se compone de once pasos y está basada el la topología
propuesta en esta tesis.
Esta metodología se detalla en los siguientes apartados y se ilustra desarrollando un
ejemplo de diseño para las especificaciones indicadas en el punto 4.1.
4.3.1 Primera etapa: Diseño preliminar del convertidor usando el

Flyback equivalente
Se inicia el diseño pensando en el Flyback clásico equivalente (ver Figura 4.5) teniendo
en cuenta el producto (L.F = cte).
En un Flyback funcionando en modo de conducción continua (MCC), el valor medio de
la corriente en la inductancia magnetizante (IL_med) depende de las especificaciones del
convertidor (VE, Vs e Is) así como de la relación de transformación rt.
rt : 1
L Cs Vs R
+
VE CE
DR
-
MFprim
Figura 4-5: Flyback equivalente
La función de transferencia de un convertidor Flyback funcionando en modo de

conducción continua [25] es la siguiente:
VE ⋅ D (4.3)
Vs =
(1 − D ) ⋅ rt
De lo anterior se puede obtener la expresión del ciclo de trabajo (d) del convertidor:
Vs ⋅ rt (4.4)
D=
VE + Vs ⋅ rt
El valor del ciclo de trabajo sólo depende de la relación de vueltas puesto que la
tensión de entrada y la tensión de salida son constantes.
105
Una vez fijados estos parámetros se puede determinar los valores del ciclo de trabajo
necesarios para obtener una tensión de salida constante según los distintos valores que
se pueden tener a la entrada y de potencia de salida requerida.
La Figura 4.6 representa la evolución del ciclo de trabajo en función de la relación de
vueltas para diferentes tensiones de entrada y una tensión de salida constante
(Vs=3´3V).
1
18 V
0.8 42 V
58 V
0.6
Dd 0.5
0.4
0.2
0
10 20 30 40 50
rt
Figura 4-6: Ciclo de trabajo en función de la relación de vueltas en el Flyback en modo de

funcionamiento continuo (MCC)
Para un rendimiento ideal, las potencias de entrada y de salida son iguales:
Vs ⋅ Is = V E ⋅ I E (4.5)
Por otro lado la corriente media de la inductancia magnetizante del convertidor tiene el
siguiente valor:
IE (4.6)
I L _ med =
D
La Figura 4.7 representa la forma de onda de la corriente en la inductancia

magnetizante del convertidor Flyback en modo de conducción continuo.
∆IL
∆IL IL_med
D.T t
Figura 4-7: Corriente de la inductancia del Flyback en modo de conducción continuo
106
Teniendo en cuenta las ecuaciones anteriores se consigue la siguiente expresión:
Vs 2 .(VE + Vs.rt ) (4.7)

I L _ med =
VE .Rs.Vs.rt
Donde Rs es la carga de salida del convertidor:
Vs (4.8)
Rs =
Is
Como se ve en la Ecuación 4.7, la corriente media en la inductancia magnetizante

depende solamente de la tensión de entrada, la tensión de salida, la relación de vueltas
y de la carga.
El rizado de la corriente en la inductancia magnetizante se calcula usando la siguiente
formula:
D ⋅ VE (4.9)
ΔI L =
F ⋅L
Por otro lado, se considera Kr como la relación entre el rizado y la corriente media en la
inductancia magnetizante.
ΔI L (4.10)
Kr =
I L _ med
La corriente máxima de la inductancia se calcula a partir de la siguiente ecuación:
ΔI L (4.11)
I L _ max = I L _ med +
2
Paso 1: Valor inicial de la relación de vueltas

En topologías que cuentan con un transformador, la selección de la relación de
transformación es crítica, ya que en muchos casos de ella depende la selección de la
mayoría de los MOSFETs de potencia. Es por ello, que conviene utilizar una relación de
transformación que permita que el convertidor funcione con un ciclo de trabajo
aceptable y con la que se puedan seleccionar MOSFETs de la tensión y corriente
razonables.
• El valor del ciclo de trabajo del convertidor se consigue aplicando la Ecuación 4.4.
La siguiente tabla muestra algunos resultados conseguidos para diferentes valores
de la relación de vueltas.
107
Tabla 4-1: Valores del ciclo de trabajo para diferentes valores de relación de vueltas y tensiones
de entrada siendo Vs=3´3V
rt = 2 rt = 6 rt = 10
VE = 18 0,27 0,53 0,65
VE = 42 0,14 0,32 0,44
VE = 58 0,10 0,25 0,36
• La tensión drendor-fuente que debe soportar el MOSFET de primario es:
V DSprim = V E + rt ⋅ Vs (4.12)
La Figura 4.8 representa los valores de las tensiones Drenador-Fuente del MOSFET de
primario para diferentes tensiones de entrada y para una tensión de salida constante
(Vs=3´3V).
150
58V
120
42V 100
90 18V 80
VDSprim
60
30
0
10 20 30 40 50
rt
Figura 4-8: Tensión drenador-fuente del MOSFET en función de la relación de vueltas
Como ejemplo de los resultados de los valores máximos de la tensión que debe
soportar el MOSFET se puede ver la siguiente tabla:
Tabla 4-2: Valores de la tensión del MOSFET para diferentes valores de relación de vueltas y
tensiones de entrada siendo Vs=3´3V
rt = 2 rt = 6 rt = 10
VE = 18 24,6 37,8 51
VE = 42 48,6 61,8 75
VE = 58 64,6 77,8 91
La elección del MOSFET depende en gran medida de la tensión máxima que soporta,
en este caso, cuando la tensión de entrada es la máxima (58V).
108
• La elección del diodo (o MOSFET en caso de la Rectificación Síncrona) del

segundario. La tensión máxima que debe soportar el diodo será:
V E max (4.13)
VD = + Vs
rt
La Figura 4.9 representa los valores de la tensión en el diodo para diferentes tensiones
de entrada y para una tensión de salida constante (Vs=3´3V).
50
40
30 30
VD
58 V
20
42 V
10
18 V
0
10 20 30 40 50
rt
Figura 4-9: Tensión del diodo del secundario en función de la relación de vueltas
Como orientación se puede sacar los siguientes valores de la tensión del diodo.
Tabla 4-3: Valores de la tensión del diodo par diferentes valores de relación de vueltas y
tensiones de entrada siendo Vs=3´3V
rt = 2 rt = 6 rt = 10
VE = 18 12,3 6,30 5,1
VE = 42 24,3 10,30 7,5
VE = 58 32,3 12,97 9,1
Teniendo en cuenta este análisis se debe elegir un valor inicial de la relación de vueltas
que proporcione un ciclo de trabajo aceptable y una situación equilibrada entre
primario y secundario para la especificación considerada, se puede proponer como
valor inicial rt=6 vueltas lo que significa que:
• El convertidor funcionará con un ciclo de trabajo de 32% para 42V , 25´4% para 58V
y 52´4% para 18V.
• El MOSFET soportará una tensión máxima de casi 80V lo que permite el uso de un
MOSFET de 100V dejando así un margen del 20% de seguridad.
• El diodo soportará una tensión máxima de casi 13V en este caso se puede usar un
diodo de 20V para esta aplicación.
109
Paso 2: Cálculo de la energía manejada por la inductancia equivalente del

convertidor
La energía manejada por la inductancia equivalente se calcula usando la siguiente
ecuación:
1 (4.14)
E= ⋅ L ⋅ I L _ max
2
Teniendo en cuenta las ecuaciones anteriores, se deduce el valor de la energía

manejada por la inductancia equivalente del convertidor Flyback equivalente en MCC:
⎡ Kr ⎤ (4.15)
⎢2 ( + 1) 2 ⎥
1 Vs
E ( Kr ) = ⋅ ⋅⎢ 2 ⎥
2 Rs ⋅ F ⎢ Kr ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
Según la Ecuación 4.15, la energía manejada por la inductancia del Flyback depende de
la frecuencia (F) y de la carga (Rs).
Representando la Ecuación 4.15 en función de Kr para el valor de carga máximo (valor
mínimo de resistencia: 1´1ohm) y para diferentes valores de la frecuencia de
conmutación se consiguen las graficas de la Figura 4.10.
z
KH
100
z
KH
KHz
200
z
300
KH
E
500
Hz
1M
Kr
Figura 4-10: Evolución de la energía manejada por la inductancia equivalente del Flyback
A partir del gráfico se puede sacar las siguientes conclusiones:

• Como es bien conocido, cuanto más alta es la frecuencia de conmutación menos
energía se maneja en la inductancia magnetizante.
• Cuanto más alta es la frecuencia, el intervalo de los valores de Kr que coincide con
las energías mínimas es más amplio. Lo que significa que se podría usar el mismo
transformador para la misma frecuencia y para cualquier valor de Kr en este
intervalo.
110
• Independientemente de la frecuencia, todas las curvas de la energía tienen el

mínimo en el mismo valor de Kr. Derivando respecto a Kr la Ecuación 4.15 e
igualando a cero se obtiene el valor de Kr que proporcione la mínima energía.
⎡ Kr Kr ⎤ (4.16)
⎢
2 ( + 1) ⋅ ( − 1) ⎥
dE ( Kr ) 1 Vs
= ⋅ ⋅⎢ 2 2
⎥
dKr 2 Rs.F ⎢ Kr 2 ⎥
⎣⎢ ⎥⎦
Basándose en el cálculo matemático y en la Figura 4.10, la Ecuación 4.16 se anula

cuando Kr = 2. Por lo tanto para Kr=2 se tiene la mínima energía megnetizante.
Para fijar un valor inicial (Kri) de Kr hay que tener en cuenta que cuanto más alto es ese
valor habrá más rizado de corriente en la inductancia magnetizante y más energía
circulante en el convertidor.
Entonces conviene proponer un valor aproximado para kr (próximo o incluso menor
de 2) que nos proporcione una energía circulante pequeña.
Con un valor determinado de Kr, queda fijado el producto (L·F) según la siguiente
ecuación:
V E .D (4.17)
L.F =
Kr.I L _ med
Según la gráfica de la Figura 4.10, se puede proponer Kri=1´4 que permita elegir para
después entre un rango amplio de frecuencias puesto que este valor coincide con los
valores bajos de la energía manejada por la inductancia magnetizante en cada caso.
Paso 3: Valor inicial de la frecuencia de conmutación

La elección de la frecuencia de conmutación es una de las clásicas decisiones de
compromiso en el diseño de fuentes de alimentación conmutadas. A mayor frecuencia
de conmutación:
• Menor tamaño tienen los elementos reactivos (facilidad de integración de los
magnéticos en la PCB).
• Mayores son las perdidas de conmutación de los interruptores y por lo tanto peor
puede ser el rendimiento global.
Por tanto, un buen diseño del convertidor, alcanza un compromiso razonable entre
estos dos aspectos contrapuestos.
Se propone un valor inicial de la frecuencia y la metodología de diseño nos
proporcionará información cuantificada que nos ayudará a decidir la frecuencia final.
Para las especificaciones consideradas, el valor inicial propuesto será F=500kHz.
Paso 4: Valor inicial de la Inductancia magnetizante

Una vez se propone un valor inicial de la frecuencia de conmutación, el valor inicial de
la inductancia magnetizante del Flyback clásico viene fijado por la siguiente ecuación:
111
VE ⋅ D (4.18)
L=
Kr ⋅ I L _ med ⋅ F
Aplicando la Ecuación 4.18, el valor inicial de la inductancia magnetizante será:

L=26μH.
4.3.2 Segunda etapa: Aplicación de los valores iniciales en el diseño

de la topología propuesta en esta tesis
En esta etapa de diseño, se parte de los valores iniciales para rt, F y L propuestas en la
primera etapa.
A partir de estos valores se pueden calcular tensiones corrientes y pérdidas en todos
los elementos.
Paso 5: Inductancias serie y magnetizante

La energía manejada por la inductancia (L) del Flyback equivalente se reparte, en el
caso de la solución propuesta, entre la inductancia serie y la magnetizante.
Los criterios para la determinación de las inductancias son los siguientes:
• Se supone que la inductancia equivalente del Flyback clásico es la suma de las
inductancias serie y magnetizante de la topología derivada del Flyback con
enclavamiento activo (AC).
L = L1 + Lmag (4.19)
• Teniendo en cuenta la importancia de la relación de inductancias KL para que no se

cambien las formas de ondas de las tensiones y corrientes según la Ecuación 4.2.
• Para conseguir el efecto de la conmutación a tensión nula (ZVS) la energía
almacenada en la inductancia serie (Ecuación 4.20) debe ser mayor que la energía
necesaria para descargar las capacidades parasitas de los MOSFETs (Ecuación 4.21)
según la Ecuación 4.22.
1 (4.20)
E L1 = .L1.I L1 _ max
2
1 (4.21)
EC = .COSS .VOSS
2
2
El valor mínimo de la inductancia serie necesaria para conseguir el ZVS se calculará
a partir de la siguiente ecuación (Ver el punto 4.2 de este capítulo):
E L1 − EC ≥ 0 (4.22)
Al mismo tiempo hay que tener en cuenta que cuanto mas grande es la inductancia
serie más grande es la energía circulante en el convertidor (Ver el punto 4.2 de este
capítulo ).
112
Puesto que uno de los objetivos esenciales de la tesis es conseguir una topología con
una inductancia serie relativamente alta (KL pequeñas) lo que hace que sea diferente
de las otras topologías [6], [33], [86] y [94] que en general tienen una inductancia serie
muy pequeña o despreciable (buen acoplamiento del transformador).
Se puede proponer un valor de KL que no sea excesivamente pequeño ni grande y que
se puede construir en la fase de práctica.
En este ejemplo se propone KL= 16 que es un valor aceptable para esta aplicación de
ilustración.
A partir de este valor de KL propuesto, los valores iniciales para las inductancias
magnetizante será Lmag= 24´6μH y la serie será L1=1´5 μH.
Después de determinar todos los valores iniciales de diseño, el convertidor funcionará
con un ciclo de trabajo del 39% para 42V, 31´3% para 58V y 62´6 % para 18V.
Con estos valores se puede empezar con el cálculo de las diferentes corrientes y
tensiones del convertidor (paso 6).
Paso 6: Cálculo de tensiones y corrientes

Se calculan las tensiones en el condensador de enclavamiento, en los MOSFETs y en el
diodo para la tensión de entrada nominal y para los dos valores extremos que puede
tomar.
Los valores de tensiones y corrientes por los MOSFETs, por el diodo y por el
transformador así como la representación gráfica de ellos, se detallan más ampliamente
en el Anexo I, que es una hoja de cálculo del programa Mathcad utilizada para calcular
los parámetros y pérdidas del convertidor.
Tabla 4-4: Valores de tensiones del convertidor para los valores iniciales de diseño
Tensión de entrada (V) Tensión del componente (V)
VE = 18 47,63
MOSFET principal
VE = 42 68,80
VE = 58 84,39
VE = 18 47,63
MOSFET auxiliar
VE = 42 68,80
VE = 58 84,39
VE = 18 6,13
Diodo
VE = 42 9,89
VE = 58 12,40
En el convertidor, se calculan la corrientes promedia y eficaz de cada uno de los

componentes para las diferentes tensiones de entrada.
113
Los valores de las corrientes que circulan a través de los componentes del convertidor,
dependen de la potencia de diseño y del valor de las inductancias magnetizante y serie.
La tabla siguiente presenta el valor eficaz de la corriente por cada uno de los
componentes del convertidor:
Tabla 4-5: Valores de las corrientes eficaces del convertidor para los valores iniciales de diseño
Tensión de entrada (V) Corriente eficaz (A)
VE = 18 0,91
MOSFET principal
VE = 42 0,53
VE = 58 0,45
VE = 18 0,55
MOSFET auxiliar
VE = 42 0,62
VE = 58 0,65
VE = 18 5,34
Diodo
VE = 42 4,37
VE = 58 4,14
Paso 7: Verificación de la Conmutación a Tensión Cero (ZVS)

Una vez calculadas las tensiones y corrientes del convertidor, se empieza con la
verificación si con los valores iniciales de diseño propuestos se consigue el ZVS.
Para aplicar las Ecuaciones 4.21 y 4.22 hace falta proponer valores aproximados para
las capacidades parasitas de los MOSFETs.
Para el ejemplo de ilustración las capacidades parásitas de los MOSFETs tienen que ser
razonables para esta aplicación. La siguiente tabla muestra los valores de las
inductancias magnetizante y serie necesarios para conseguir el ZVS para tres tipos de
MOSFETs.
Tabla 4-6: Valores de las inductancias necesarios para conseguir el ZVS para diferentes
MOSFETs
MOSFET MTP10N10EL IRF530 IRFI540GPBF

Rds (ohm)/Coss (pF) 0,22/175 0,16/250 0,077/1700
Lmag (μH) 24,7 24,6 17,4
L1 (μH) 1,3 1,5 8,7
Según los valores obtenidos, cuanto más grande es la capacidad parásita del MOSFET
hace falta más inductancia serie o menos inductancia magnetizante para conseguir el
ZVS.
114
Si no se consigue el ZVS, se procede reducir el valor de la inductancia magnetizante y

subir la inductancia serie según el paso 5. Hay que tener en cuenta que para cada
inductancia magnetizante propuesta existe un valor mínimo de la inductancia serie con
la cual se consigue el ZVS (Figura 4.2) lo que significa que hay que proponer un valor
igual o superior a este valor mínimo.
Cuando se consiga el ZVS, se calcula la energía circulante en el convertidor.
Paso 8: Verificación de la Energía circulante

Este paso es muy importante en el diseño de soluciones basadas en la topología
propuesta en esta tesis. Cuando se consiga el ZVS con los valores propuestas de
inductancias magnetizante y serie hay que tener especial cuidado con el valor de la
energía circulante. Según la Figura 4.3 la energía circulante esta relacionada en gran
parte con el valor de la inductancia serie.
Cuanto más grande es la inductancia serie, la energía circulante aumenta pudiendo
alcanzar valores excesivos.
Si con el valor propuesto de la inductancia serie se consigue un valor exagerado de la
energía circulante se podría volver al paso 5 y reducir la inductancia serie pese a no
tener ZVS total. En tal caso convendría evaluar las pérdidas del convertidor para las
dos soluciones dado que la solución de mayor energía circulante tendrá más pérdidas
por conducción y menos por conmutación.
Cuando se consiga un valor aceptable de la energía circulante comienza el proceso de
la selección de componentes que funcionan con las tensiones y corrientes calculados en
el paso 6.
Paso 9: Selección de los componentes

Este proceso se realiza después de calcular las corrientes y tensiones teóricas y asegurar
que los valores iniciales de los parámetros de diseño propuestos satisfacen la obtención
de la ZVS y que la energía circulante en el convertidor no sea excesiva.
La determinación de los componentes nos va a permitir realizar una lista de
componentes previa para comenzar el diseño, los datos de estos componentes se
introducen en la hoja de cálculo para obtener unos resultados más realistas.
Como se ha analizado en el capítulo 1, esta topología presenta un apagado suave del
diodo. Por lo tanto el parámetro más importante para su elección es la caída de tensión
en conducción.
La elección de los condensadores necesarios en la entrada, la salida y en el lazo de
enclavamiento, puede realizarse una vez obtenido un diseño optimizado, es decir, este
proceso se realiza al final de la etapa de diseño, no al principio como el resto.
Las capacidades de estos condensadores deben ser suficientes para mantener las
tensiones prácticamente constantes.
Los condensadores de entrada son dos, uno electrolítico y otro cerámico de 100μF
(63V) y 10μF (100V) respectivamente.
Para el condensador del lazo de enclavamiento activo se empleará uno cerámico de
1000nF, y por tanto adecuado para altas frecuencias, que soporta una tensión de 50V.
115
La alta frecuencia de trabajo del convertidor ayudará a reducir el tamaño de los

condensadores de salida, reduciendo el coste asociado a éstos.
Para el ejemplo de ilustración, los condensadores de salida incluidos en el convertidor
son cuatro cerámicos de 10μF cada uno, con una tensión admisible de 16V.
Paso 10: Cálculo de las pérdidas en los semiconductores

Los parámetros de diseño de los componentes seleccionados se introducen en la hoja
de cálculo para el cálculo de las pérdidas. Estos parámetros se obtienen de las hojas de
especificaciones del fabricante a través de datos, ecuaciones o curvas de
funcionamiento. Se calculan todas las perdidas significantes de los en los
semiconductores como las pedidas de conducción las perdidas parásitas.
Los MOSFETs seleccionados para el ejemplo de aplicación son el IRF530 para el
MOSFET principal y el IRF9530S para el MOSFET auxiliar. Estos MOSFET se han
seleccionado principalmente por su bajo coste.
El diodo elegido para la aplicación es el MBRD640CT, es un diodo Schottky que
soporta una tensión inversa máxima de 40V.
La caída de tensión en conducción de este diodo está en torno a 0´6V a 25˚C, lo cual es
una diferencia de tensión importante en comparación con la tensión de salida.
Las perdidas de los semiconductores usados en el convertidor se estiman entorno al
2´35 W.
Como se verá en el capitulo 5, se plantea la posibilidad de sustituir el diodo del
segundario por un MOSFET para así reducir las pérdidas de conducción, esto es lo que
se denomina rectificación síncrona.
Paso 11: Diseño del Transformador

Una vez determinados el valor de la frecuencia de conmutación, el valor de la relación
vueltas y los valores de las inductancias se busca los componentes del transformador
que nos permiten obtener los mismos valores o similares.
La elección del tipo, tamaño y material del núcleo es también una parte crítica en el
diseño del transformador, ya que una mala decisión puede producir dos efectos
demoledores para el funcionamiento del convertidor:
• Si el núcleo es demasiado pequeño puede no ser capaz de disipar el calor generado
durante el funcionamiento del convertidor, pudiendo la temperatura de la ferrita
superar un punto a partir del cual el material pierde sus propiedades magnéticas
hasta que su temperatura no descienda por debajo de aquel.
• Si el material no es el apropiado o el núcleo es excesivamente pequeño en algún
punto de funcionamiento del convertidor la densidad de flujo (o inducción
magnética) puede llegar a ser excesivamente alta, saturando el transformador.
En el caso de que sea difícil encontrar soluciones que cumplan con las restricciones
mencionadas impuestas por el diseñador, se propondrá como alternativa el empleo de
un núcleo más grande que disipe mejor el calor y que genere unas inductancias
mayores, aún a pesar de aumentar el tamaño del convertidor.
116
El ejemplo de diseño esta basado en la estrategia de devanados centrales estudiada

entre otras estrategias de devanado en el capítulo 3 y el material seleccionado para el
núcleo magnético es el 3F4. El material 3F4 es un tipo de ferrita ampliamente utilizado
y adecuado para la frecuencia de trabajo deseada del convertidor, entre 500kHz y 1
MHz. Esta frecuencia es necesaria para poder realizar la integración magnética y para
poder reducir el tamaño de los condensadores de salida, de tal forma que
disminuyamos el coste total del convertidor que es uno de los objetivos esenciales de
esta tesis.
Paso 12: Estudio de la saturación del transformador

Se calcula el valor máximo de la inducción magnética en cualquier punto de
funcionamiento del convertidor para comprobar si el transformador se satura.
Para las tres columnas del núcleo seleccionado se obtuvo las siguientes gráficas:
0.2
18V 42V 58V
0.12
0.1
0.04
B1
0.04
- 0.1
0.12
0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 4-11: Evolución de la inducción magnética en la pata lateral 1
0.2
18V 42V 58V
0.12
0.1
0.04
B2
0.04
- 0.1
0.12
0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 4-12: Evolución de la inducción magnética en la pata lateral 2
0.2
18V 42V 58V
0.12
0.1
0.04
Bc
0.04
- 0.1
0.12
0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 4-13: Evolución de la inducción magnética en la pata central
117
El valor máximo de saturación obtenido en este caso ha sido 95mT.
Paso 13: Cálculo de las pérdidas en el transformador

Se calculan las pérdidas totales en el núcleo según la frecuencia de trabajo, las
excursiones de flujo producidas y el volumen del núcleo. Con estas pérdidas también
se calcula el incremento de temperatura producido por la disipación de este calor
generado.
El cálculo de las resistencias de los dos devanados del transformador en continua a
partir únicamente de parámetros geométricos, es una aproximación bastante simple,
pero que permite obtener de forma aproximada las pérdidas que se producen.
Se han obtenido 0´44W de pérdidas en el transformador usado en esta aplicación.
La introducción de las resistencias de los devanados del transformador debidas a los
efectos de la alta frecuencia obtenidos a partir de la herramienta de elementos finitos
(PEMag), estos datos solamente se introducirán una vez realizado el modelo de PEMag
para aquellos diseños que resulten más interesantes, y que se quieran modelar con
mayor precisión.
Paso 14: Cálculo de las pérdidas totales del convertidor

Se calculan las pérdidas totales del convertidor en régimen nominal y para los valores
extremos de la tensión de entrada teniendo en cuenta las perdidas en los
semiconductores y las del transformador.
En el ejemplo se han conseguido 2´80W de pérdidas.
Con las pérdidas totales del convertidor se hace una valoración entre las pérdidas
totales conseguidas y el tamaño total del convertidor teniendo en cuenta que uno de
los objetivos mas importantes es conseguir un convertidor con perdidas y tamaño
aceptables y de bajo coste.
Con los resultados obtenidos se pueden producir dos situaciones, que los nuevos
resultados de pérdidas hagan inviable el diseño o que sea una buena solución.
Si los resultados conseguidos (pérdidas y tamaño) no son aceptables se empieza a
cambiar los valores iniciales: la relación de vueltas (rt), la frecuencia de conmutación
(F), la relación entre el rizado y la corriente media en la inductancia equivalente (Kr),
el producto (L·F) o la inductancia equivalente (L) según la Figura 4.4 y luego se
repetirán los pasos anteriores desde el paso 5.
Cuando se consigue un diseño aceptable en pérdidas y tamaño empieza el paso 15.
Paso 15: Fin de diseño: Prototipado

El fin del diseño consiste en poner en practica la solución encontrada. Se construye un
prototipo y se verifican los valores teóricos de las corrientes y tensiones de los
diferentes componentes y se calculan las pérdidas y el rendimiento de la solución
encontrada.
118
4.4 Conclusiones
El proceso de diseño propuesto para encontrar soluciones óptimas, se divide como se
muestra en la Figura 4.4 en dos Etapas:
• En la primera etapa se propondrán valores iniciales para la relación de vueltas, la
frecuencia y la inductancia equivalente. La determinación de estos valores esta
basada en el calculo de la energía manejada en la inductancia equivalente del
convertidor Flyback clásico.
• En la segunde etapa se propondrán valores iniciales para las inductancias de la
topología propuesta en esta tesis. Una vez obtenidos todos los valores de los
parámetros críticos de diseño se verifican el ZVS y la energía circulante y se
calculan las tensiones y corrientes para seleccionar los diferentes componentes del
convertidor; semiconductores capacidades y el transformador. El cálculo de las
pérdidas es clave para determinar las soluciones óptimas y las candidatas para la
fabricación.
Para facilitar la tarea de diseño se han creado hojas de cálculo para evaluar el
comportamiento de las soluciones encontradas. De las características más significativas
de estas hojas de cálculo son:
• La realización a través de análisis de sensibilidad del convertidor, variando cada
uno de los parámetros manteniendo los demás constantes, e introduciendo los
resultados en tablas para ver la evolución del comportamiento de la topología
respecto a cada uno de ellos. Para cada estrategia de devanado los parámetros que
se modifican dejando constantes los demás son:
• Variación de los números de vueltas de los distintos arrollamientos del
transformador.
• Variación del entrehierro de la columna central.
• Variación del entrehierro de las columnas laterales.
• Para cada uno de las alternativas se modelará el componente magnético para el
rango de diseño obtenido a través de la herramienta PEMag, obteniendo un
modelo más aproximado a la realidad. Al introducir estos valores en la hoja de
cálculo se obtiene resultados mucho más precisos del convertidor que los
conseguidos con los valores dimensionales del transformador.
Una vez obtenida la lista de componentes del proyecto se obtienen todos los datos
necesarios para completar la hoja de cálculo, una vez terminada comenzaría el método
de encontrara las soluciones óptimas.
En total se han construido trece hojas de cálculo, una para cada modelo de las tres
estrategias de devanado, además de alguna de ellas se ha llegado a realizar varias
versiones con distintos núcleos magnéticos o materiales.
En el siguiente capítulo se exponen los resultados experimentales de los distintos
prototipos óptimos conseguidos con esta propuesta de diseño montados.
119
5. VALIDACIÓN EXPERIMENTAL DE LA
SOLUCIÓN PROPUESTA EN UNA APLICACIÓN
DE AUTOMOCIÓN
Índice
5.1 Introducción
5.2 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados laterales
5.2.1 Diseño de un prototipo
5.2.2 Resultados experimentales
5.3 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados centrales
5.3.3 Mejoras en el diseño del convertidor: Utilización de la rectificación síncrona
5.3.3.1 Introducción
5.3.3.2 Aplicación de la Rectificación Síncrona en convertidores basados en la topología propuesta
5.3.3.3 Rectificación Síncrona Autoexcitada
5.3.3.4 Rectificación Síncrona Externa
5.4 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados combinados
5.5 Comparación de resultados
5.6 Conclusiones
121
Validación experimental de la solución
propuesta en una aplicación de automoción
5.1 Introducción
En este capítulo se explica la solución topológica propuesta en esta tesis sobre una
especificación concreta para una aplicación de automoción. Se presenta y se validan
experimentalmente tres diseños diferentes basados en tres de las estructuras de
componente magnéticos analizadas en el capítulo 3. Para lograr este objetivo se ha
seguido la metodología de diseño propuesta en el capitulo 4.
Estos experimentos se han llevado a cabo en el contexto de un proyecto industrial
llamado “Convertidores CC/CC para alimentación de elementos de control en nuevos
vehículos a 42V” (A2M) dentro de la división de ingeniería electrónica de la
Universidad Politécnica de Madrid (DIE-UPM) para la empresa Alcatel-España.
Para los diseños seleccionados se han construido diferentes prototipos con el fin de
verificar los modelos y comparar los resultados de las distintas estrategias de
devanados propuestas.
En aplicaciones de baja potencia es frecuente construir el circuito de potencia en la
misma placa (PCB) que la carga [30], lo cual limita el diseño del convertidor a las
características de la tarjeta de la carga. Además, en aplicaciones donde el coste es
crítico, la simplicidad del transformador (Figura 5.1) es muy importante.
a) forma de devanado propuesta: Las vueltas de primario están en azul y b) Vista Top
las de secundario están en rojo
Figura 5-1: Un transformador muy sencillo integrado en una tarjeta (PCB) de dos capas
Teniendo en cuenta este hecho, otro de los objetivos de este trabajo es integrar el
transformador (Figura 5.1) en la misma PCB que la carga (dos capas) como si de un
componente más se tratara (Figura 5.2).
Figura 5-2: Placa (PCB) de dos capas de un convertidor basado en la topología propuesta
123
5. Validación experimental de la solución propuesta en una aplicación de automoción
Para reducir el coste del convertidor se propone una variación de la topología

propuesta inicialmente, en vez de utilizar dos MOSFET de canal N se emplea uno
principal de canal N y el auxiliar de canal P. Las corrientes y tensiones por el
convertidor no se ven afectadas al ser una estructura equivalente a la inicial. El circuito
eléctrico se muestra en la Figura siguiente.
Lserie
Batería rt : 1 Carga
Lp Ls Cs Vs Zs
+
CE VE Cencl DR
-
MFaux MFprim
Control
Figura 5-3: Modificación de la topología propuesta
La razón de la reducción de coste al cambiar a esta nueva estructura se debe a que la

fuente de los dos MOSFET se encuentra conectada a masa por lo que la tensión VGS que
controla a los MOSFETs se encuentra referida a masa. Por lo tanto el interruptor
auxiliar no necesita un controlador con salida flotante o aislada, y por tanto de mayor
coste.
Para validar el funcionamiento y el rendimiento de la topología modificada del
Flyback se diseño tres prototipos, que representan las tres estrategias de devanado
estudiadas en el capitulo 3, que han sido desarrollados para una aplicación de
automoción cuya especificaciones están citadas en la Tabla 5.1 .
Tabla 5-1: Especificaciones de diseño
Rango de la Tensión de entrada 18 – 58V
Tensión de entrada nominal 42V
Rango de la Tensión de salida 3,3 – 5V
Tensión de salida nominal 3,3V
Corriente de salida nominal 3A
Corriente de salida máxima 5A
Cada prototipo esta diseñado con una de las configuraciones estudiadas en el capítulo
3. Teniendo en cuenta el coste y la sencillez, se ha diseñado con las siguientes
restricciones:
124
• El convertidor esta hecho en una placa estándar de dos caras (PCB).

• La bobina y el transformador están integrados bajo un mismo núcleo magnético.
• El circuito del enclavamiento activo esta basado en un MOSFET de canal P.
• El circuito de control usado es un BICMOS de bajo consumo y bajo coste (UCC2813-
3) y los Drivers que disparan a los MOSFETs diseñados con componentes discretos
de bajo coste.
• Los MOSFETs seleccionados para la aplicación son el IRF530 para el MOSFET
principal y el IRF9530S para el MOSFET auxiliar. El diodo elegido es el
MBRD640CT. Estos componentes se han seleccionado principalmente por su bajo
coste.
A continuación se muestran las tensiones de control de los dos MOSFETs principal y
de enclavamiento con los tiempos muertos correspondientes tm1 y tm2, además de la
tensión entre drenador y fuente del MOSFET principal, para las condiciones nominales
de funcionamiento (véase la Figura 5.4).
(1-D).T D.T
VGSprim
VGSaux
tm1 tm2
VDSprim
Figura 5-4: Formas de onda de las tensiones de control de los MOSFETs en el prototipo 8:2
Se han implementado hojas de cálculo en el programa Mathcad del Anexo I con los
valores del núcleo plano EI 18/4/10 mostrado en la Figura 5.5 y las inductancias
teóricas obtenidas a través de cada estrategia de devanados.
10mm
18mm
4mm
E18/4/10. PLT18/10/2.
Figura 5-5: Núcleo E18/4/10 y su complementario PLT18/10/2
125
A continuación se muestran los diseños y los resultados experimentales de unos

prototipos basados en la topología propuesta.
5.2 Diseño del convertidor para la estrategia de devanados

laterales
La primera estrategia diseñada fue la de devanados laterales (Figura 3.6), ésta permite
obtener una gran inductancia de dispersión.

El análisis de sensibilidad de los parámetros de diseño, da las siguientes principales
conclusiones:
• Cuanto mayor es la relación de vueltas del transformador mejora el
comportamiento del convertidor, pero existe un límite a partir de la cual la tensión
de los MOSFETs supera el margen de diseño establecido.
• Se necesitan al menos dos vueltas en el devanado secundario para que las pérdidas
en el núcleo no sean excesivas. Cuantas menos vueltas se den en ese devanado
mejor a causa de la alta corriente que circula por él, lo que evitará que se disparen
las pérdidas por conducción.
• El entrehierro de la columna central debe ser suficientemente grande como para
evitar que la inductancia de dispersión sea excesivamente grande en comparación
con la magnetizante, y por tanto se mejora el comportamiento del convertidor.
• El entrehierro de las columnas laterales reduce el valor máximo de saturación pero
también disminuye las inductancias del componente magnético, lo que genera un
aumento en las corrientes y por tanto de las pérdidas por conducción. Se debe
insertar un pequeño entrehierro para evitar que sature.
Se necesita inductancia de dispersión, pero que no sea muy alta en comparación con la
magnetizante porque sino se transfiere poca energía al secundario, produciéndose
muchas pérdidas por conducción debido a la energía almacenada en los lazos primario
y de enclavamiento activo. Por esta razón el entrehierro de la columna central debe ser
suficientemente grande, así esta columna tendrá una reluctancia mucho mayor que las
laterales y la mayor parte del flujo será común a los dos devanados.
Para evitar la saturación se necesita algo de entrehierro en las tres columnas, con 25μm
se consigue evitar. En el momento de montar el núcleo sobre la PCB este entrehierro se
consigue adhiriendo una hoja de papel especial sobre las tres columnas, el espesor
mínimo conseguido en la realidad con este papel está en torno a 30μm sin embargo se
ha usado un entrehierro de 50μm, lo que amplía el margen de seguridad de saturación
pero incrementa las pérdidas al aumentar las corrientes que circulan por los lazos
como consecuencia de unas menores inductancias.
Los fabricantes de componentes magnéticos venden los núcleos con varias gamas de
entrehierros en la columna central para este tipo de núcleos, el máximo entrehierro
comercial para el núcleo EI 18/4/10 es de 870μm, lo que supone cerca de la mitad de la
columna central.
126
Con estos valores de los entrehierros y con las restricciones de diseño impuestas la
relación de vueltas que optimiza las pérdidas del convertidor para esta estrategia de
devanados laterales es de 8 a 2.
Los valores obtenidos para este diseño, considerando que las resistencias de los
devanados son en continua y que no se almacena energía magnética en el aire, son los
mostrados en la Tabla 5.2.
Tabla 5-2: Diseño 8:2 devanados laterales
Relación de vueltas 8-2
Relación de transformación 4
Inductancias de dispersión en cada devanado 1,62μH
Inductancia magnetizante 10,42μH
Entrehierro columnas laterales 50μm
Entrehierro columna central (870+50) μm
Frecuencia de trabajo 650kHz
Rango del ciclo de trabajo 29-70%
Capacidad de salida 40μF
ZVS Si
MOSFETs
Tensión máxima en los MOSFETs 82,28V
Perdidas por conducción 0,322W
Perdidas por conmutación 0,533W
Diodo
Tensión inversa máxima del diodo 15,85V
Perdidas en el Diodo 1,77W
Transformador
Valor máximo de saturación 157mT
Perdidas en el núcleo 0,35W
Pérdidas totales a 42V, 3´3V y 3A 3,63W
127
La frecuencia de conmutación incluida en las tablas es la frecuencia óptima dada por la

hoja de cálculo, pero las pérdidas en el núcleo están aproximadas mediante unas
ecuaciones obtenidas a partir de unas curvas dadas por el fabricante, estas curvas se
han muestreado a 4 frecuencias de trabajo para el material 3F4 (400, 550, 700 y
1000kHz.). Por lo tanto la frecuencia de trabajo óptima dada por la hoja de cálculo será
una aproximación con un rango de error relativamente amplio, pero siempre servirá
para acotar la solución para que posteriormente no se produzcan excesivas derivas
respecto a la solución real. Por tanto los diseños se realizan para la frecuencia óptima
de la hoja de cálculo, pero una vez realizado el prototipo hay que realizar un barrido
en frecuencia para encontrar el óptimo real.
Una vez obtenida una solución para la primera etapa de diseño, el siguiente paso es
modelar el componente magnético a través de PEMag. Los resultados obtenidos por
esta herramienta de simulación son los mostrados en la Tabla 5.3.
Tabla 5-3: . Modelo PEMag 8:2 devanados laterales
Relación de transformación (rt:1) 4
Inductancia magnetizante (Lmag) 10,20μH
Inductancias de dispersión por el núcleo (L1,L2) 1,60μH
Inductancia de dispersión por el aire (Laire) 1,1μH
Resistencia en continua del primario (Rdc1) 145mΩ
Resistencia en continua del secundario (Rdc2) 6,8mΩ
Resistencia en abierto del primario (Rac1) 607mΩ
Resistencia en cortocircuito del secundario (Rcc2) 79mΩ
La herramienta PEMag realiza, para una simulación determinada, los ensayos de vacío
y de cortocircuito de cada uno de los devanados. Para obtener el circuito equivalente
de este componente, compatible con los modelos eléctricos del convertidor y del
transformador con los que estamos trabajando, a partir de los valores de estos dos
ensayos se necesita realizar una conversión analítica previa que se describe en el Anexo
II.
Los nuevos resultados del transformador obtenidos a través de PEMag validan el
modelo teórico de inductancias analizado en el capítulo 3, además de la aproximación
hecha para las resistencias de continua, pero divergen en gran medida en la resistencia
de alterna debido a los efectos de la alta frecuencia (efecto proximidad, efecto del
entrehierro, etc.).
El modelo de la situación de las espiras sobre la PCB realizado en PEMag que
posteriormente se realizará en un prototipo se muestra en la Figura 5.6.
128
Figura 5-6: Implementación de la estrategia de devanados laterales 8:2
Una vez realizada la actualización de la hoja de cálculo con los nuevos valores de las
inductancias y resistencias del componente magnético los nuevos resultados quedan
mostrados en la Tabla 5-4.
Realizando una comparación entre las tablas de los dos modelos se observa como las
pérdidas por conducción se han disparado, permaneciendo el resto de valores sin
modificaciones sustanciales.
Analizando la causa de estos resultados tan desfavorables, debidos principalmente a
los efectos de la alta frecuencia sobre los arrollamientos, la conclusión es que es el
entrehierro tan grande existente en la columna central el causante de las altas pérdidas.
Este entrehierro genera el denominado efecto del entrehierro o fringing flux, este efecto
se debe a que las líneas de flujo al intentar circular por la columna central encuentran el
entrehierro, lo que produce que estas líneas de flujo se dispersen englobando parte de
la superficie de la PCB y por tanto de las pistas, en la Figura 5.7 puede entenderse
mejor la dispersión del flujo en el entrehierro.
129
Tabla 5-4: 8:2 devanados laterales con modelo de PEMag
Frecuencia de trabajo . 650kHz
Capacidad de salida 40,5μF
ZVS Si
MOSFETs
Diodo
Transformador
Pérdidas totales a 42V, 3´3 V y 3A 4,84W
Las líneas de flujo en los alrededores del entrehierro se cierran a través de las pistas de
la PCB más próximas a la columna central, lo que origina una redistribución de
corrientes en esas espiras disminuyendo su sección eficaz al atraer estas líneas de flujo
a la corriente, por tanto se produce un aumento de la resistencia de los devanados del
transformador y un incremento de las pérdidas. Cuanto mayor sea el entrehierro de la
columna central mayor será la distorsión de las líneas de flujo y mayores las pérdidas.
130
La siguiente Figura muestra la dispersión sobre las líneas de flujo al introducir

entrehierro, por muy pequeño que sea.
Figura 5-7: Líneas de flujo en el EI 18 en el diseño 8:2 de devanados laterales
En el ensayo de abierto alimentado desde primario, mostrado en la Figura 5.8, se

produce un aumento de la resistencia de las espiras más cercanas a la columna central
sin afectar demasiado a las menos próximas a esta columna. Sin embargo en el ensayo
de cortocircuito la resistencia debida al efecto entrehierro es más pronunciada al ser el
secundario solamente una espira, y por tanto estar totalmente desaprovechada su
sección eficaz, ya que toda la corriente que circula por ella se ve atraída por el
entrehierro central.
Figura 5-8: Líneas de flujo en el entrehierro
El hecho de que exista un pequeño entrehierro en las dos columnas laterales provoca
que el efecto del entrehierro central no sea tan pronunciado, ya que en la redistribución
131
de corrientes en las espiras surjan efectos que se anulan por simetría, siendo la
distribución de corrientes algo más favorable que si solamente existe entrehierro en la
columna central.
El efecto del entrehierro es el causante de las altas pérdidas del convertidor, lo que
convierte a la estrategia de devanados laterales en inadecuada para esta aplicación. A
continuación se analiza otra posible solución para mejorar el rendimiento de la
topología.

Este prototipo se ha realizado a una frecuencia de trabajo de 650kHz. La Figura 5.9
muestra la distribución de las espiras impresas sobre la PCB, arrolladas sobre las
columnas laterales del núcleo.
a) Capa superior b) Capa inferior
Figura 5-9: Layout de las espiras del transformador con la estrategia de devanados laterales
La Figura 5.10 muestra el layout completo del convertidor a fabricar.
132
Figura 5-10: Imagen del layout del prototipo 8:2
La Figura 5.11 muestra el convertidor fabricado basado en la estrategia de devanados

laterales.
Figura 5-11: Imagen del prototipo basado en la estrategia de devanados laterales
En la Tabla 5.5 se muestra una estimación de los resultados prácticos después de

incluir en la hoja de cálculo los valores de las inductancias medidas después de la
fabricación del transformador.
133
Tabla 5-5: 8:2 Devanados laterales, estimación de los resultados prácticos
Capacidad de salida 42,10uF
ZVS Si
MOSFETs
Diodo
Transformador
Los resultados experimentales de este prototipo (ver Figura 5.11) se muestran en la

Tabla 5.6.
134
Tabla 5-6: Rendimientos y pérdidas medidos del prototipo 8:2 con devanados laterales
(Ps=10W)
D(%) VE (V) IE(A) VS(V) IS(A) PE(W) PS(W) η (%) Pérdidas(W)
40 51,2 0,267 3,30 2,86 13,67 9,43 70 4,24
53 43,6 0,337 3,31 3,04 14,69 10,07 68.5 4,62
67 31,2 0,426 3,07 2,86 13,29 8,77 66 4,52
Como se puede observar en estos resultados las pérdidas de este diseño son muy
elevadas, debidas principalmente al efecto del entrehierro, y más altas aún por la
presencia del diodo del secundario.
La Figura 5.12 representa la forma de onda de la tensión drenador fuente del MOSFET
principal y la forma de onda de la corriente por el primario, con las tres etapas
características de esta nueva topología.
(1-D).T D.T
iL1 tc ta
VDSprim
ZVS
Figura 5-12: Forma de onda de la corriente por el transformador en el prototipo 8:2 de

devanados laterales
Por la presencia de una considerable inductancia serie se ve claramente que la tercera

etapa dura un tiempo considerable (tc= 0´38μs), mientras que el tiempo que dura el
encendido del MOSFET principal vale D·T=0´66μs. Es decir la tercera etapa dura casi la
mitad del tiempo del encendido del MOSFET principal. Además se ha conseguido el
ZVS, descargando totalmente la capacidad parásita del MOSFET principal.
135

centrales

Dado el importante efecto del entrehierro, se van a estudiar distintas posibilidades que
no requieran de un entrehierro tan grande. Esta posibilidad se resume en situar los dos
devanados en una misma columna del núcleo, cada uno de ellos en una cara distinta de
la PCB, estando separados por el espesor de ésta, y por tanto cuanto mayor sea éste
mayor será la dispersión.
El núcleo que emplearemos será el mismo, el EI 18/4/10, arrollando los dos devanados
en la columna central (Figura 5.14), cada uno de ellos sobre cada una de las dos caras
de la PCB. De esta forma el flujo generado que circula por la columna central se divide
a partes iguales entre las dos columnas laterales, al tener ambas la misma sección igual
a la mitad de la sección de la columna central, de esta forma la altura de las culatas es
la mitad que la de un núcleo con únicamente dos columnas, por tanto la altura total del
núcleo será menor.
Esta estrategia de devanados centrales no generará flujo no común por el núcleo en
ninguno de los dos devanados, solamente flujo de dispersión por el aire causado
principalmente por el desacoplo que produce la separación de ambos devanados por el
espesor de la PCB. Por tanto para esta estrategia será muy importante el modelo 2D de
PEMag para cuantificar la energía que se almacena en el aire.
Al igual que se ha hecho para la estrategia de devanados laterales se construye una
nueva hoja de cálculo con las expresiones obtenidas en el capitulo 3 con el fin de
realizar de nuevo el análisis de sensibilidad de los parámetros de diseño, los resultados
de éstos se relatan a continuación:
• Cuanto mayor es la relación de transformación menores son las pérdidas del
convertidor, pero existe un límite en el cual las tensiones de los MOSFETs superan
el límite impuesto por diseño.
• Una vuelta en el devanado secundario es suficiente para que las pérdidas en el
núcleo no sean demasiado elevadas.
• Con un pequeño entrehierro en las tres columnas es suficiente para evitar el peligro
de saturación, teniendo un margen de seguridad muy amplio. Al estar los
devanados en la columna central este entrehierro en las tres columnas es
equivalente a un entrehierro del doble de longitud situado únicamente en la
columna central, ya que la reluctancia total del núcleo vista desde esta columna es
igual en los dos casos, salvo por el efecto entrehierro que posteriormente se
describirán sus consecuencias para las dos opciones.
Por la misma razón que la comentada en la obtención de un diseño para la estrategia
de bobinado inicial, el entrehierro empleado en las tres columnas será
aproximadamente de 30μm, aunque con 25μm sería suficiente.
Durante la optimización del diseño a través de la hoja de cálculo empleando el modelo
de inductancias teóricas de esta estrategia es necesario dar un valor no nulo a L1
(emplearemos 0´01μH) para que las ecuaciones del modelo eléctrico converjan, ya que
la dispersión por flujo a través del núcleo es nula para este tipo de bobinado.
136
Los resultados de una solución optimizada resultado del proceso de diseño propuesto
en el capítulo 4 para esta estrategia de devanados se muestran en la Tabla 5.7.
Tabla 5-7: Diseño 6:1 de la estrategia de devanados centrales
Inductancia de dispersión por el núcleo 0,01μH
Entrehierro columna central 30μm
ZVS No
MOSFETs
Perdidas parásitas 0,69W
Diodo
Transformador

137
Figura 5-13: Layout Implementación de la estrategia de devanados centrales 6:1
Una vez obtenido un primer diseño se realiza el modelado del componente magnético
en PEMag, obteniendo como nuevos resultados demostrados en la Tabla 5.8.
Tabla 5-8: Modelo PEMag del diseño 6:1 de devanados centrales (Entrehierro del 30 μm en cada
columna)
Inductancias de dispersión por el núcleo (L1,L2) 0μH
Resistencia en cortocircuito del secundario (Rcc2) 11mΩ
Introduciendo estos nuevos resultados en la hoja de cálculo obtenemos una nueva

tabla (ver la Tabla 5.9) con unas mejores aproximaciones del comportamiento del
convertidor:
138
Tabla 5-9: 6:1 devanados centrales con modelo PEMag
ZVS No
MOSFETs
Perdidas por conmutación 0.37W
Diodo
Transformador
Comparando estos resultados obtenidos a partir de PEMag con los obtenidos

mediante aproximaciones teóricas obtenemos las siguientes conclusiones:
• La aproximación teórica de las resistencias de continua tiene un buen grado de
fidelidad.
• El modelado de la inductancia magnetizante posee una gran precisión.
139
• El efecto de la alta frecuencia en este tipo de bobinado no produce unos resultados

tan trágicos como los detectados en la estrategia de devanados laterales, esto se
debe a que el entrehierro empleado en las tres columnas es pequeño.
A continuación se mostrará la comparación de realizar un transformador con un
entrehierro de 30μm en las tres columnas (ver Tabla 5.8), como el analizado hasta
ahora, o realizarlo a través de su equivalente con únicamente 60μm en la columna
central (ver Tabla 5.10), los dos a la misma frecuencia de trabajo de 550kHz. Desde el
punto de vista de nuestro modelo teórico de inductancias los resultados serán los
mismos, pero el efecto del entrehierro afectará en distinta medida a las dos estructuras.
Tabla 5-10: Modelo PEMag 6:1 devanados centrales con entrehierro 60μm solamente en la
columna central
Entrehierro en la columna central 60um
Inductancias de dispersión por el núcleo (L1,L2) 0μH
Resistencia en cortocircuito del secundario (Rcc2) 11,9mΩ
La Tabla 5.11 muestra los resultados del prototipo 6:1 de la estrategia de devanados
centrales con transformador con un entrehierro solo en la columna central.
140
Tabla 5-11: Modelo PEmag 6:1 devanados centrales con entrehierro solamente en la columna
central
ZVS No
MOSFETs
Diodo
Transformador
La conclusión principal de este análisis es que situar exclusivamente entrehierro en la

columna central perjudica en mayor medida la distribución de corrientes por las
espiras del transformador, debido a que una repartición del entrehierro entre las tres
columnas ayuda disminuir los efectos de alta frecuencia.
141
La utilización de un núcleo con entrehierro solamente en la columna central tendrá un

menor coste de montaje que la otra opción. Según el fabricante del núcleo seleccionado
el mínimo entrehierro comercializado es de 170μm, lo que perjudicará en mayor
medida el rendimiento del convertidor a causa de una disminución de las inductancias,
lo que generará mayores pérdidas por conducción, y por una peor distribución de la
corriente sobre las espiras a causa de una influencia más importante del efecto del
entrehierro. De todas formas en caso de una fabricación a gran escala de estas tarjetas
puede ser rentable el encargo de estos núcleos con un entrehierro central a medida.
A falta de un estudio económico que justifique el empleo de un transformador con
entrehierro solamente en la columna central, se seguirá considerando el diseño con
30μm de entrehierro en las tres columnas como la solución de diseño para esta
estrategia de bobinado.

Una vez terminado el diseño teórico de las posibles soluciones a esta aplicación, el
siguiente paso es realizar la fabricación de la solución analizada.
La siguiente Figura muestra la distribución de las espiras impresas sobre la PCB,
arrolladas sobre las columnas laterales del núcleo.
Figura 5-14: Layout de las espiras del transformador 6:1
Los resultados de este prototipo (Figuras 5.15 y 5.16) están medidos a una frecuencia
de trabajo de 550kHz. la Figura 5.15 muestra el Layout del convertidor completo
construido.
142
Figura 5-15: Imagen del layout del prototipo 6:1
La Figura 5.16 muestra las imágenes de las dos caras del convertidor basado en la
estrategia de devanados centrales 6:1 construido.
Figura 5-16: Imagen del prototipo 6:1
Con los valores de las inductancias conseguidas después de la fabricación del

transformador se consigue la siguiente tabla donde se muestra una estimación de los
resultados del convertidor fabricado.
143
Tabla 5-12: Estimación de resultados de la estrategia de devanados centrales 6:1
ZVS Si
MOSFETs
Perdidas por conmutación 0.33W
Diodo
Transformador
La Tabla 5.13 representa los valores de pérdidas y rendimiento obtenidos para

diferentes tensiones de entrada.
144
Tabla 5-13: Medidas experimentales de rendimiento y pérdidas del prototipo 6:1 de devanados
centrales
D(%) VE (V) IE(A) VS(V) IS(A) PE(W) PS(W) η (%) Pérdidas(W)
53,3 21,14 0,65 3,32 3,09 13,82 10,26 74,2 3,56
52 30,53 0,43 3,30 3,06 13,28 10,12 76,2 3,15
32 45,25 0,29 3,31 3,07 13,30 10,21 76,8 3,09
Podemos observar como se han reducido las pérdidas nominales en 1.5W

aproximadamente, respecto al prototipo basado en la estrategia de devanados laterales.
Comparando los resultados de la estimación hecha en la hoja de cálculo y los
resultados prácticos se puede comprobar la buena precisión del modelo del
convertidor realizado en la hoja de cálculo.
Un inconveniente de este convertidor es que no se consigue obtener ZVS en todo el
rango de funcionamiento del convertidor (ver Figura 5.17), lo cual permitiría conseguir
un mejor rendimiento aún.
En la Figura 5.17 se muestran las formas de onda de las tensiones en los MOSFETs y de
la corriente por el primario del transformador en este prototipo.
VGSprim
D.T (1-D.T)
tc
ta
iL1
VDSprim
No ZVS
40V
Figura 5-17: Formas de onda del prototipo 6:1 de devanados centrales
En la Figura anterior se observa como la primera etapa de subida de la corriente por el

devanado primario del transformador es muy corta debido a la pequeña inductancia
de dispersión de esta estrategia de devanados, como consecuencia de ser generada
únicamente por flujo que circula por el aire. También se puede observar como el lazo
de enclavamiento activo enclava la tensión del MOSFET generando un pico de tensión
muy pequeño.
145
5.3.3 Mejoras en el diseño del convertidor: Utilización de la

rectificación síncrona
5.3.3.1 Introducción
Comparando estas dos primeras estrategias objeto del diseño, la de devanados
centrales consigue reducir las pérdidas producidas por el efecto del entrehierro las
cuales son muy significativas en la estrategia de devanados laterales. Sin embargo un
gran porcentaje de las pérdidas del convertidor sigue concentrado en el diodo (ver
Figura 5.18).
Conducción
Núcleo
Diodo
Conmutación
Conducción Mosfets
Transformador
Figura 5-18: Representación de las perdidas más significativas del 6:1 de devanados centrales
Para solucionar este problema se propone como solución el empleo de rectificación

síncrona ([3], [4], [13], [15], [27], [28], [37], [38], [57], [59], [76], [79], [109] y [111]), esto es
la sustitución del diodo por un MOSFET como se muestra en la Figura 5.19, de tal
forma que suprimimos la caída de tensión en conducción por una resistencia entre
drenador y fuente típicamente pequeña.
rt:1 rt:1
L CS R VS L CS R VS
DR
MFRS
a) Rectificación con Diodo b) Rectificación (síncrona) con MOSFET
Figura 5-19: Secundario del convertidor con rectificación Síncrona
Al utilizar un MOSFET como rectificador se reducen las pérdidas de conducción de

forma muy importante ya que en vez de ser proporcionales a (I·Vf) son proporcionales
a (I2·RDSON). Siendo Vf la caída de tensión directa de un diodo y RDSON la resistencia en
conducción de un MOSFET. Gracias a las nuevas tecnologías de semiconductores se
puede reducir mucho esta resistencia en conducción a valores de unos pocos
miliohmios. Así por ejemplo, la caída de un diodo Schottky es al menos 0´3V lo que
daría lugar a unas pérdidas de 1´5W para una corriente de 5A, sin embargo con un
MOSFET de 5mΩ en conducción las pérdidas serían de 0´25W, la sexta parte. El principal
inconveniente de la Rectificación Síncrona es que el MOSFET rectificador hay que gobernarlo
externamente y de forma sincronizada con el resto del convertidor.
146
5.3.3.2 Aplicación de la Rectificación Síncrona en convertidores basados

en la topología propuesta
Como se ha comentado anteriormente, la Rectificación Síncrona es fundamental en los
convertidores de baja tensión de salida y alta corriente para reducir las pérdidas por
conducción, tan importantes en estos convertidores [13], [76] y [111]. La Rectificación
Síncrona se utiliza en multitud de aplicaciones industriales basadas en diferentes
topologías como el Reductor. La reducción de pérdidas que se consigue y las ventajas
derivadas de ello (gestión térmica, tamaño, ahorro energético) compensan
generalmente la mayor complejidad de tener un MOSFET como rectificador en lugar
del diodo de libre circulación y tener por tanto que gobernarlo apropiadamente.
En las topologías con transformador caso de la topología propuesta en esta tesis, las
pérdidas por conducción de la etapa rectificadora son igualmente muy significativas y
también es muy importante utilizar técnicas de Rectificación Síncrona.
El MOSFET de rectificación síncrona debe situarse en la posición indicada en la Figura
5.20 y la Figura 5.23 para reducir el coste del controlador de este interruptor, ya que en
esa posición la tensión VGS estará referida a tierra. La forma de onda de esta tensión
debe encender y apagar el MOSFET de manera similar a como lo hacía el diodo.
El problema de la Rectificación Síncrona está en cómo gobernar los rectificadores
síncronos en la forma y en los tiempos adecuados. El rectificador síncrono debe
conducir exclusivamente en los mismos intervalos de tiempo que lo haría el diodo al
que está sustituyendo. La diferencia entre las distintas técnicas de Rectificación
Síncrona está principalmente en cómo conseguir gobernar adecuadamente los
MOSFETs. Las técnicas básicas de Rectificación Síncrona son:
• La rectificación síncrona Autoexcitada.
• La rectificación síncrona Externa.
5.3.3.3 Rectificación Síncrona Autoexcitada

Se trata de gobernar de forma automática y desde el propio transformador de potencia
los rectificadores síncronos (Figura 5.20).
Lserie
Batería rt : 1 MFRS Carga
Lp Ls Cs Vs Zs
+ Cco Vco
CE VE Cencl
- Lsco
MFaux MFprim
Control
Figura 5-20: Circuito de la topología propuesta con Rectificación Síncrona Autoexcitada
147
En la práctica, para la rectificación síncrona se empleará el MOSFET SI4410 de canal N,

el cual se puede modelar en la hoja de cálculos con una resistencia aproximada de
15mΩ entre drenador y fuente.
Una vez introducida la rectificación síncrona, al sustituir el diodo por un MOSFET, las
pérdidas del prototipo 6:1 en condiciones nominales se reducen hasta casi 1´7W, por lo
tanto el cambio del MOSFET por el diodo supone una disminución de las pérdidas en
la etapa de potencia de 1´4W.
Los resultados de la hoja de cálculo para el mismo diseño obtenido anteriormente para
esta estrategia de devanados centrales, considerando los valores de las inductancias del
transformador construido y sustituyendo el diodo por el MOSFET, se muestran en la
Tabla 5.14.
148
Tabla 5-14: Estimación de los resultados del diseño 6:1 con rectificación síncrona
ZVS Si
MOSFETs
MOSFET rectificación síncrona
Tensión máxima del MOSFET 12,31V
Perdidas en el MOSFET 0,43W
Transformador
En la Tabla 5.15 se muestran los resultados experimentales y los resultados según la

hoja de cálculo, a la frecuencia óptima de 550kHz, de las pérdidas del convertidor:
149
Tabla 5-15: Comparación y verificación de la sustitución del diodo por la RS
6:1 CON DIODO 6:1 CON RECT. SÍNCRONA
η real(%) 77 85
Pérdidas reales(W) 3,01 1,7
Pérdidas hoja de cálculo (W) 3,09 1,5
En la tabla anterior se comprueba que la exactitud de los datos obtenidos por la hoja de
cálculo se mantiene a pesar de introducir la rectificación síncrona y cambiar el Diodo
por un MOSFET.
Como se puede apreciar las pérdidas nominales se reducen en aproximadamente 1´5W,
estas pérdidas eran absorbidas prácticamente en su totalidad por el diodo, lo que
supone un aumento importantísimo en el rendimiento del convertidor (ver Figura
5.21).
100
85.23 %
90
80
Rendimiento %
70
Vs=3.3V
60
Ve=18V
50
48.57 % Ve=30V
40
Ve=42V
30
Ve=58V
20
10
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Figura 5-21: Rendimiento del prototipo 6:1 con rectificación síncrona Autoexcitada
Sin embargo uno de los problemas mas llamativos de la rectificación síncrona

autoexcitada son las altas perdidas a baja carga debidos a la conducción cruzada.
Debido al acoplamiento NO ideal entre el devanado auxiliar y el devanado secundario,
el rectificador síncrono se apaga tarde (Figura 5.22) produciéndose un solape en el que
conduzcan tanto el rectificador síncrono como el MOSFET principal. Durante este
tiempo se produce un pico de corriente que aumente las pérdidas (la Figura 5.22).
150
7V
VGS_RS
-7V
VDSprim
IiL1
Ls
Figura 5-22: Formas de onda de la corriente en el primario del transformador la tensión del
MOSFET principal y la tensión de excitación del MOSFET de Rectificación síncrona
Para resolver este problema se propone excitar el MOSFET de rectificación síncrona a

partir del mismo control usando otro driver independiente lo que se denomina como
Rectificación Síncrona Externa.
5.3.3.4 Rectificación Síncrona Externa

Consiste en un circuito electrónico externo que se sincroniza con la etapa de potencia y
gobierna a los rectificadores síncronos (ver Figura 5.23).
Lserie
Batería rt : 1 MFRS Carga
Lp Ls Cs Vs Zs
+
CE VE Cencl
-
MFaux MFprim
Control
Figura 5-23: Circuito de la topología propuesta con Rectificación Síncrona Externa
El circuito de control usado en este caso sería el mismo circuito de la Figura 5.3 pero
añadiendo un driver de más para excitar al MOSFET de rectificación síncrona . Dado
151
que en esta aplicación no es necesario aislamiento entre primario y secundario, el

rectificador síncrono se puede gobernar externamente de forma muy sencilla.
La Figura 5.24 representa los resultados de la práctica obtenidos en el caso de aplicar la
rectificación sincronía externa a la topología propuesta.
100
90 84.54 %
80
Rendimiento %
70
68.19 % Vs=3.3V
60
Ve=18V
50
Ve=30V
40
Ve=42V
30
Ve=58V
20
10
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Figura 5-24: Rendimiento del prototipo 6:1 con rectificación síncrona Externa
Los resultados en este caso son parecidos a los de la rectificación síncrona autoexcitada
en condiciones nominales con una ligera ventaja que tiene la rectificación síncrona
autoexcitada (Figura 5.25) y esta diferencia es debida a las perdidas adicionales por
usar más componentes electrónicos en la rectificación síncrona externa. Sin embargo a
baja carga se nota la ventaja que tiene la rectificación síncrona externa respecto a la
rectificación síncrona autoexcitada y esto es debido a que el MOSFET de rectificación
síncrona está excitado directamente del driver y no depende del transformador.
100
Ve= 42V, Vs= 3.3V
90 85.23 %
80
68.19 % 84.54 %
Rendimiento %
70
60
50
48.57 %
40
RS Autoexcitada
30
RS Externa
20
10
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Figura 5-25: Comparación de rendimientos del prototipo 6:1 entre rectificación síncrona
Autoexcitada y Externa
152

combinados

Debido al análisis de sensibilidad explicado en el capítulo 3, se han suprimido los
modelos A-, B-, C-, D+, D-, y E-- a causa de las elevadas pérdidas en el núcleo y por
conducción, mientras que los modelos B+, C+, E++ y E+- tienen un comportamiento
similar aunque algo peor al A+, el cual tiene un muy buen compromiso entre
inductancia de dispersión y pérdidas.
El siguiente paso será el de obtener un diseño optimizado en pérdidas del modelo
seleccionados a través de nuestra primera aproximación teórica del componente
magnético, suponiendo las resistencias de los devanados en continua. Se suprime el
análisis de sensibilidad de los parámetros de diseño, mostrando en la siguiente tabla
(ver Tabla 5.16) la solución óptima encontrada para este modelo de devanados
combinados con la Rectificación Síncrona.
153
Tabla 5-16: Diseño 1+5:1 devanados combinados con rectificación síncrona
modelo A+ (1+5↔1)
Relación de vueltas 1+5:1
Relación de transformación 5,5
Inductancia de dispersión en primario 0,15μH
Inductancia de dispersión en secundario 0μH
Entrehierro columnas laterales y central 60μm
Frecuencia de trabajo 550kHz.
ZVS No
MOSFETs
Transformador

154
Figura 5-26: Layout Implementación de la estrategia de devanados Combinados 1+5:1
A continuación (ver Tabla 5.17) se muestran el modelo obtenido en PEMag para este
transformador. En el Anexo III se muestra la forma de descomponer las inductancias
de los ensayos de abierto y cortocircuito, proporcionadas por PEmag, en el modelo de
inductancias con el que estamos trabajando.
Tabla 5-17: Modelo PEMag A+ 1+5:1
modelo A+ (1+5↔1)
Inductancia de dispersión por el núcleo en primario (L1) 0,14μH
Inductancia de dispersión por el núcleo en secundario (L2) 0μH
Introduciendo estos nuevos valores en la hoja de cálculo se obtienen los siguientes

resultados:
155
Tabla 5-18: Diseño con Modelo PEMag del A+ 1+5:1
modelo A+ (1+5↔1)
ZVS No
MOSFETs
Transformador
El modelo 1+5:1 es muy parecido a la solución obtenida con la estrategia de devanados

centrales. La principal ventaja está en que la inductancia serie no depende del grosor
de la PCB, que puede variar de unas cargas a otras.
156
Nótese que en el modelo A+ no es equivalente un entrehierro de 120μm en la columna

central que uno de 60μm en las tres columnas, a causa de las N1’ espiras situadas en
una de las columnas laterales. El modelo en 2D de este componente magnético para
una relación de vueltas 1+5:1 se refleja en la siguiente tabla.
Tabla 5-19: Modelo A+ 1+5:1 con entrehierro en la columna central
modelo A+ (1+5↔1)
Inductancia de dispersión por el núcleo en primario (L1) 0,52μH
Inductancia de dispersión por el núcleo en secundario (L2) 0μH
Introduciendo estos nuevos valores en la hoja de cálculo se obtienen los siguientes

resultados:
157
Tabla 5-20: Diseño con Modelo PEMag del A+ 1+5:1 con entrehierro en la columna central y
con rectificación síncrona
modelo A+ (1+5↔1)
Entrehierro columnas central 120μm
ZVS No
MOSFETs
Transformador
Como se comentó durante el diseño de la estrategia de devanados centrales el

fabricante del núcleo seleccionado proporciona estos núcleos con un entrehierro en la
158
columna central mínimo de 170μm, lo cual supone un mayor detrimento del

funcionamiento del convertidor por el efecto del entrehierro.

En este apartado se presenta los resultados obtenidos de un prototipo basado en la
estrategia de devanados combinados. En este caso se presentaran los resultados
experimentales del prototipo 1+5:1.
La siguiente Figura muestra la distribución de las espiras impresas sobre la PCB,
arrolladas sobre las columnas laterales del núcleo.
Figura 5-27: Layout de las espiras del transformador 1+5:1
Las siguientes imágenes (Figuras 5.28 y 5.29) muestran el prototipo 1+5:1 fabricado con
el fin de evaluar de forma práctica el comportamiento de la estrategia de devanados
combinados de la topología propuesta en esta tesis.
159
Figura 5-28: Imagen del layout del prototipo 1+5:1
La Figura 5.29 muestra las dos caras del convertidor basado en la estrategia de
devanados combinados fabricado.
Figura 5-29: Imágenes del prototipo 1+5:1
A continuación se muestra una tabla con la estimación de los resultados

experimentales de la etapa de potencia del prototipo 1+5:1 basado en el modelo A+ de
devanados combinados.
160
Tabla 5-21: Resultados experimentales del prototipo 1+5:1 basado en el modelo A+ con
modelo A+ (1+5↔1)
ZVS Si
MOSFETs
Perdidas en el MOFET 0,40W
Transformador
A continuación se muestra una tabla con los resultados experimentales (incluidas las
pérdidas de control) del prototipo 1+5:1 basado en el modelo A+ de devanados
combinados.
161
Tabla 5-22: Resultados experimentales del prototipo 1+5:1 basado en el modelo A+ con
VE (V) IE(A) VS(V) IS(A) PE(W) PS(W) η (%) Pérdidas(W)
42,7 0,29 3,32 3,10 12,37 10,32 83,4 2,05
58,2 0,21 3,30 3,01 12,05 9,93 82.4 2,11
18,4 0,67 3,30 3,03 12,40 10,00 80,7 2,39
En la Figura 5.30 se observa como la primera etapa de subida de la corriente por el

devanado primario del transformador es muy corta debido a la pequeña inductancia
de dispersión de esta estrategia de devanados, como consecuencia de ser generada en
gran parte por flujo que circula por el aire además de la pequeña inductancia de
dispersión por flujo que recorre el núcleo lograda con este modelo. También se puede
observar como el lazo de enclavamiento activo enclava la tensión del MOSFET
generando un pico de tensión muy pequeño. Tampoco en este caso se ha conseguido
completamente el ZVS aunque se nota una ligera mejora respecto a la estrategia de
devanados centrales 6:1 comentada anteriormente.
D.T (1-D.T)
tc
ta
iL1
VDSprim
No ZVS
20V
Figura 5-30: Formas de onda del prototipo1+5:1 de devanados combinados
Como se puede observar en la las pérdidas en las condiciones nominales, a 550kHz y

con rectificación síncrona se encuentran próximas a los 2W.
En la Figura siguiente se muestra el rendimiento del prototipo fabricado para distintos
valores de la tensión de entrada en el caso de rectificación síncrona Autoexcitada.
162
100
90 83.34 %
80
Rendimiento %
70
Vs=3.3V
60
Ve=18V
50
48.23 % Ve=30V
40
Ve=42V
30
Ve=58V
20
10
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Figura 5-31: Rendimiento del prototipo 1+5:1 con rectificación síncrona Autoexcitada
En la Figura siguiente se muestra el rendimiento del prototipo fabricado para distintos

valores de la tensión de entrada en el caso de rectificación síncrona Externa.
100
90 82.82 %
80
Rendimiento %
70
66.62 % Vs=3.3V
60
Ve=18V
50
Ve=30V
40
Ve=42V
30
Ve=58V
20
10
0
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Figura 5-32: Rendimiento del prototipo 1+5:1 con rectificación síncrona Externa
Por lo tanto, esta alternativa es interesante, ya que la mayor parte de la inductancia de

dispersión no depende del espesor de la PCB, aunque las pérdidas sean 300mW más
grandes que en el diseño de devanados centrales. Esta alternativa tiene peor
rendimiento que la solución basada en los devanados centrales debido a la mayor
energía circulante a causa de la alta inductancia de dispersión que posee.
Una vez obtenidos los resultados experimentales del prototipo de diseños 1+5:1 y
compararlo con el 6:1 se puede destacar los dos efectos contrarios que se producirán al
aumentar la inductancia serie:
163
• Aumento de la capacidad de lograr conmutación a tensión nula.

• Aumento de las pérdidas por conducción asociadas a la presencia de la inductancia
serie.
Por tanto con este diseño se consigue solucionar el principal problema encontrado en la
estrategia de devanados centrales que es la dependencia del grosor de la PCB.
164
5.5 Comparación de resultados

Como comparación de los tres prototipos anteriores, según la Tabla 5.23, el que obtiene
un mejor rendimiento es el diseño 6:1 basado en la estrategia de devanados centrales.
Tabla 5-23: Comparación de los rendimientos de las diferentes topologías estudiadas
Topología VE (V) IE (A) VS (V) IS (A) η (%)
Reductor (Infineon) 42,46 0,33 3,32 3,04 71,6
Dev.Lat 8:2 con Diodo 43,60 0,33 3,31 3,04 68,5
Dev.Centr 6:1 con Diodo 45,25 0,26 3,31 3,07 76,2
Dev.Centr 6:1 RS Autoexcitada 42,71 0,28 3,39 3,02 85,23
Dev.Centr 6:1 RS Externa 42,74 0,28 3,39 3,02 84,54
Dev.Comb 1+5:1 RS Autoexcitada 42,34 0,29 3,38 3,02 83,34
Dev.Comb 1+5:1 RS Externa 42,33 0,29 3,38 3,02 82,82
Una importante conclusión del análisis de los resultados experimentales de estos

prototipos es que el efecto del aumento excesivo de la inductancia serie perjudica el
rendimiento del convertidor, por lo tanto el aumento de las pérdidas por conducción
asociadas a esta bobina serie terminan siendo más importantes que la disminución de
las pérdidas por conmutación.
La Tabla 5.24 muestra una comparación entre las temperaturas alcanzadas por los
semiconductores y los componentes magnéticos cuando se alcanza el régimen
permanente del convertidor para la solución basada en la estrategia de devanados
centrales y el Reductor empleado actualmente en el sector.
Tabla 5-24: Comparación de las temperaturas de los componentes
MOSFET MOSFET Diodo / Componente

principal auxiliar MOSFET magnético
Reductor 98ºC − 89ºC/− 90ºC
Solución propuesta 39ºC 39ºC 76ºC/52ºC 61ºC
Se puede observar como las temperaturas de los componentes del prototipo de la

solución propuesta son aproximadamente la mitad de las alcanzadas por los
componentes del Reductor, lo que otorga a nuestro prototipo una fiabilidad muy
superior al de la solución empleada actualmente en el sector automovilístico.
La Figura 5.33 muestra la comparación de rendimientos entre el diseño propuesto y la
solución actualmente empleada, teniendo el prototipo 6:1 con devanados centrales un
rendimiento bastante mayor en las condiciones especificadas, y aún superior cuanto
mayor sea la potencia demandada.
165
100
Ve= 42V, Vs= 3.3V
95
90
Rendimiento %
85.23 %
85
84.54 %
80
75 72.06 % 78.04 %
70 69.70 %
68.19 % 71.60 %
65
60
55
48.57 %
50
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Topología propuesta Recti.Sínc Aut

Topología propuesta Recti.Sínc Ext
Topología propuesta con diodo
Reductor (Infineon : TLE6389)

actualmente
La solución de Infineon es un producto que tiene técnicas de reducción de pérdidas a

baja carga (variación de frecuencia). En la solución propuesta habría que estudiar
técnicas de reducción de consumo a baja carga.
5.6 Conclusiones
Se ha validado experimentalmente y sobre una aplicación de automoción la
funcionalidad de la solución topológica propuesta en esta tesis así como la metodología
de diseño propuesta. Además se han diseñado y construido tres prototipos basados en
tres estrategias de componente magnéticos diferentes que han servido para comparar y
analizar la influencia de tener una mayor o menor inductancia serie.
Los efectos de alta frecuencia en el transformador debido al entrehierro han mostrado
ser muy significativos por lo que ha sido necesario utilizar herramientas de elementos
finitos (PEMag) para producir estos efectos.
A partir de los diseños y los resultados se han obtenido las siguientes conclusiones de
cada estrategia de devanado:
• Diseño basado en la estrategia de devanados laterales: El diseño seleccionado para
esta estrategia tiene 8 vueltas en el primario y 2 en el secundario, con un gran
entrehierro en la columna central y 50μm en las laterales para evitar la saturación.
La gran cantidad de pérdidas generadas por el efecto del entrehierro en la columna
central hace inadecuado este diseño, el cual se desecha para esta aplicación. Esta
166
solución proporciona una alta inductancia serie pero a coste de manejar mucha
energía en el núcleo magnético.
• Diseño basado en la estrategia de devanados centrales: El diseño conseguido con
esta estrategia es el de mayor rendimiento y con muy pocas pérdidas en el
transformador, constituido por 6 vueltas en primario y una en secundario, con
30μm de entrehierro en las tres columnas. Pero el gran inconveniente de esta
solución es la generación de inductancia de dispersión únicamente por el aire, lo
que la convierte en una solución excesivamente dependiente del espesor de la
tarjeta de circuito impreso, y por tanto de la PCB de la carga donde iría finalmente
montado este convertidor.
• Diseño basado en la estrategia de devanados combinados: Se propone un diseño
basado en el modelo A+, que es el 1+5:1 con 60μm de entrehierro en las tres
columnas.
• El diseño tiene un buen rendimiento, aunque ligeramente inferior al de
devanados centrales.
• Un inconveniente de esta estrategia son las altas pérdidas que se producen en
el núcleo cuando se intenta encontrar un diseño con una inductancia serie
elevada, lo que genera muchas restricciones de diseño para estos modelos.
• El diseño se ha fabricado para comparar la superposición de los dos efectos
contrarios que se producen al aumentar la dispersión: el aumento de las
pérdidas por conducción y la disminución de las pérdidas por conmutación
debido al proceso de ZVS.
Los diseños obtenidos para todas las estrategias tenían excesivas pérdidas en el diodo,
lo que propicio la introducción de la rectificación síncrona, sustituyendo el diodo por
un MOSFET. Este cambio ha supuesto un ligero aumento en el coste del convertidor,
debido al coste del MOSFET y del control asociado a él, pero también una disminución
muy importante de las pérdidas del convertidor, superiores a 1W (a 10W de carga).
167
6. CONCLUSIONES
Índice
6.1 Aportaciones originales

6.1.1 Nueva solución topológica
6.1.2 Diferentes alternativas de integración de la inductancia serie y el transformador
6.1.3 Metodología de diseño
6.2 Sugerencias para futuros trabajos
169
Conclusiones
En éste trabajo de investigación, se propone y se analiza una solución topológica de
convertidores CC/CC basados en el Flyback con enclavamiento activo pero con una
inductancia en serie de valor relativamente alto comparado con la inductancia
magnetizante (Lmag/Lserie= 2/1, 5/1, 10/1, …). Esta alta inductancia serie afecta de forma
importante al comportamiento de la topología.
Como caso particular de la solución topológica anterior, se propone integrar la
inductancia serie con el transformador en un único componente magnético para así
reducir el coste del convertidor. En esta tesis se han analizado y comparado diferentes
alternativas para integrar estos dos elementos.
Es importante mencionar que, en este trabajo de investigación, se han obtenido
resultados prácticos mediante la elaboración de prototipos de laboratorio, con los
cuales se ha podido validar el funcionamiento teórico de la topología propuesta.
Además esta validación se ha realizado con tres alternativas diferentes para integrar
los elementos magnéticos (la inductancia serie y el transformador).
6.1 Aportaciones originales

A continuación se resumen las aportaciones originales así como las principales
conclusiones que se derivan del presente trabajo.
6.1.1 Nueva solución topológica

La solución topológica que se propone en esta tesis tiene la capacidad de reciclar la
energía manejada por la inductancia serie (sea de dispersión o integrada junto con el
transformador) del convertidor mediante los siguientes mecanismos:
• La conmutación a tensión cero (ZVS) mejorando así el rendimiento.
• La utilización de la red de enclavamiento para eliminar los picos de tensión
Drenador-Fuente del MOSFET principal.
El alto valor de la inductancia serie afecta al funcionamiento del convertidor Flyback,
apareciendo una tercera etapa en la que conducen a la vez el MOSFET de primario y el
diodo rectificador, favoreciendo el apagado suave del diodo y por tanto reduciendo las
pérdidas por recuperación inversa del mismo (Ver punto 2.4).
La inductancia serie permite alcanzar conmutación suave en los semiconductores y por
tanto trabajar a alta frecuencia. Sin embargo esta inductancia serie produce una energía
circulante que eleva las pérdidas de conducción. El diseño de esta topología es bastante
complejo y entre otros debe tener en cuenta el compromiso entre estos dos factores.
Esta topología permite utilizar transformadores muy sencillos y por tanto de muy bajo
coste pese a que tengan una inductancia de dispersión muy elevada.
También se ha realizado una análisis dinámico de la solución topológica (capítulo 2)
prestando especial atención a la influencia de la inductancia serie sobre el
comportamiento en frecuencia de la topología. El ancho de banda de esta topología
viene limitado por el valor de la inductancia serie de forma que cuanto mayor sea ese
valor menor será el máximo ancho de banda del convertidor, limitándose la respuesta
171
6. Conclusiones
dinámica del mismo. Por ejemplo, para el convertidor diseñado y probado para las
especificaciones propuestas por Alcatel el ancho de banda máximo es de 10kHz siendo
la inductancia en serie L1=1´5μH y la magnetizante Lmag=21μH.
Para disminuir las perdidas causadas por la caída de tensión en el diodo de libre
circulación, se ha planteado la utilización de Rectificación Síncrona (RS). Se han
analizado dos formas para gobernar el MOSFET de rectificación síncrona. La primera
forma es la utilización de la rectificación síncrona autoexcitada que consiste en
gobernar al MOSFET de rectificación directamente del transformador. La segunda
forma es la rectificación síncrona externa y sin aislamiento magnético utilizando un
circuito adicional para gobernar al MOSFET de rectificación. Dado que en las
especificaciones planteadas por Alcatel no es necesario el aislamiento eléctrico entre el
primario y el secundario, la rectificación síncrona externa resulta muy interesante para
esta aplicación.
6.1.2 Diferentes alternativas de integración de la inductancia serie y

el transformador
En el capitulo tercero se analizan diferentes formas para conseguir la integración de la
inductancia serie y el transformador que pueden ser utilizadas en la solución
topológica propuesta. En este sentido se presentan las siguientes alternativas de
estrategias de devanado:
• Estrategia de devanados laterales: Se puede obtener una gran inductancia serie, por
flujo no común que recorre el núcleo, en los dos devanados del transformador.
Aunque la capacidad de generar inductancia serie es muy importante, las pérdidas
en el núcleo son también muy altas al circular la mayor parte del flujo por el
mismo.
• Estrategia de devanados centrales: El inconveniente de esta estrategia es la
imposibilidad de conseguir flujo no común por el núcleo, siendo la capacidad de
almacenar energía en el aire debida al flujo de dispersión la que permite tener una
cierta inductancia serie. Aunque los valores de la inductancia de dispersión que se
pueden alcanzar no son muy grandes, esta estrategia tiene la ventaja de generar
unas pérdidas muy pequeñas en el núcleo, siendo una alternativa interesante.
• Estrategia de devanados combinados: Esta estrategia es un punto intermedio entre
las dos anteriores, pudiendo obtener valores más altos de inductancia serie que la
estrategia de devanados centrales pero a costa de aumentar las pérdidas en el
núcleo. Existe un gran número de alternativas posibles para hacerlo, once en total,
lo cual ha supuesto un importante trabajo de análisis y de comparación de
alternativas. Una de estas alternativas, denominada A+ en el capítulo 3 (Figura
3.16), ha dado muy buenos resultados para la especificación de Alcatel y es una
solución a tener en cuenta.
6.1.3 Metodología de diseño

En el capítulo cuarto, para facilitar el diseño de soluciones basadas en la topología
propuesta y debido al gran numero de variables que afectan al comportamiento del
convertidor; frecuencia de conmutación, relación de vueltas, inductancia magnetizante,
inductancia serie (sea de dispersión o integrada junto con el transformador),…etc., se
172
6. Conclusiones
propone una metodología de diseño basada en el cálculo de la energía manejada por la

inductancia equivalente del Flyback clásico equivalente.
Siguiendo la metodología de diseño propuesta en el cuarto capítulo de este trabajo de
investigación, se han diseñado y construido prototipos que representan las tres
estrategias de devanados estudiadas en el tercer capítulo, cumpliendo como premisa
La integración de todos los modelos matemáticos en una hoja de cálculo, en la cual se
obtienen todos los parámetros de funcionamiento del convertidor y las pérdidas de los
componentes que la integran, ha supuesto una potente herramienta de diseño para
obtener, a partir de varias alternativas de bajo coste una solución optimizada en
pérdidas.
Aquellos diseños que han cumplido las especificaciones y las restricciones de diseño, y
que poseían un buen rendimiento han sido implementados en un prototipo con el fin
de validar la metodología de diseño a través de resultados experimentales, y así poder
comparar estos resultados con la solución actualmente utilizada para estas
aplicaciones.
La introducción de la rectificación síncrona, al sustituir el diodo por un MOSFET a
causa de las altas pérdidas que se producían en aquel, a pesar de suponer un ligero
incremento del coste proporciona un aumento muy importante en el rendimiento del
convertidor.
100
Ve= 42V, Vs= 3.3V
95
90
Rendimiento %
85.23 %
85
84.54 %
80
75 72.06 % 78.04 %
70 69.70 %
68.19 % 71.60 %
65
60
55
48.57 %
50
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
Is (A)
Topología propuesta Recti.Sínc Aut

Topología propuesta Recti.Sínc Ext
Topología propuesta con diodo
Reductor (Infineon : TLE6389)

actualmente
Una de las conclusiones más importantes de este trabajo es que la solución topológica
propuesta puede ser de gran interés para aplicaciones de baja potencia y bajo coste
como la planteada por la empresa Alcatel. La viabilidad de la solución topológica
173
6. Conclusiones
propuesta ha sido validada experimentalmente sobre varios prototipos obteniendo

unos resultados muy satisfactorios como compromiso de coste y rendimiento por la
especificación del sector de automoción planteado por Alcatel.
6.2 Sugerencias para futuros trabajos

Una vez concluida la tesis doctoral, varias líneas de investigación se pueden explorar.
El autor quiere destacar a continuación algunas líneas de investigación en las que sería
interesante continuar trabajando, dado la importancia del tema tratado en este trabajo
de investigación.
• El cambio de la tensión de las baterías en los vehículos de 12V a 42V plantea nuevas
necesidades para alimentar cargas electrónicas de baja tensión desde los 42V. Como
propuesta para trabajos futuros queda estudiar el comportamiento de la topología
propuesta para una tensión mucho mas grande como puede ser 400V que se utiliza
en los vehículos híbridos [29].
• Aplicar la metodología utilizada en el Flyback con enclavamiento activo en otras
topologías como el Reductor con toma media y enclavamiento activo ([103], [104] y
[108]) añadiendo una inductancia en serie.
• Es importante mencionar, que la presente tesis está centrada en encontrar y diseñar
convertidores de potencia con transformadores basados en núcleos con tres
columnas. Por lo tanto, resulta interesante desde el punto de vista de los
magnéticos, complementar el trabajo desarrollado en esta tesis con el análisis otras
estructuras magnéticas para integrar la inductancia serie y el transformador.
• Se ha utilizado la rectificación externa para resolver el problema de la conducción
cruzada que aparece al utilizar la rectificación síncrona autoexcitada. La
rectificación síncrona externa es interesante en términos de coste siempre y cuando
no sea necesario aislamiento eléctrico entre primario y secundario. Sería interesante
encontrar formas de rectificación síncrona autoexcitada que permitan mantener el
aislamiento eléctrico y eviten la conducción cruzada.
• La solución utilizada actualmente tiene mejores rendimientos que la topología
propuesta a baja carga. Sería de gran interés estudiar técnicas de reducción de
consumo a baja carga (variación de frecuencia) en la topología propuesta.
174
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[113] Ye. M, Xu.P, Lee F. C, Wei.J y Yao.K, “Study of three topology candidates for
48V VRM” CPES Power Electronics Seminar, 2001.
[114] Ye. M, Xu.P, Yang.B y Lee. F. C, “Investigation of topology candidates for 48V
VRM” IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC’02), 2002.
[115] Yoshida Koji, Ishii Takuya and Nagagata Nobuyoshi. “Zero Voltage Switching
Approch For Flyback Canverter” IEEE Applied Power Electronics Conference,
1992.
[116] Zhang M.T, “Powering Intel(R) Pentium(R) 4 generation processors”, Electrical
Performance of Electronic Packaging, 2001, págs. 215 – 218.
[117] Zhang.M.T, Jovanovic.M.M, Lee F.C, “Design considerations for low-voltage
on-board DC/DC modules for next generations of data processing circuits,” in
International Conference on Power Electronics and Drive Systems, Singapore,
February, 1995.
182
ANEXO I. EJEMPLO DE HOJAS DE CÁLCULO DE
DISEÑO DE SOLUCIONES DE CONVERTIDORES
BASADAS EN LA TOPOLOGÍA PROPUESTA
FLYBACK ACTIVE CLAMP MODIFICADO
DEVANADOS CENTRALES
Datos del Convertidor:

Tensiones de entrada: Vinmin := 18 Vinnom := 42 Vinmax := 58
Tensión de salida: Vout := 3.3
Carga a la salida: Cmax := 1.1 Cmin := 1100
Rizado de la tensión de salida: Rizado := 2%
Variables del diseño

Relación de vueltas : n := 0.1 , 2 .. 100
1 2 6
Frecuencia de conmutación: F := 10 , 10 .. 10
Inductancia magnetiante: Lm := 10− 7 , 10− 6 .. 10− 4
Inductancia serie: L1 := 10− 7 , 10− 6 .. 10− 4
Primera Etapa
En esta Parte de diseño se van a usar las formulas del Flyback clásico para determinar los variables:
L Vout
Vin
D
Función de transferencia del Flyback clásico (MCC) : FTflyback ( D , Nr) :=
( 1 − D) ⋅Nr
Dos condiciones para determinar la relación de vueltas Nr óptima:

1 - Conseguir una tensión máxima del Drenador-Fuente aceptable para el uso de un determinado
MOSFET
Por Ejemplo, para usar un Mosfet de 100V, teniendo en cuenta 20% de margen de seguridad, la tensión
máxima teórica debe ser de 80V.
Vdsmax := 80
Vinmax = 58
Vds ( Vin , Nr) := Vin + Vout ⋅Nr
Vdsmax − Vinmax
Nrop :=
Vout
Que es el valor máximo de Nr permitido para tener el Vdsmax deseado : Nrop = 6.667
Se puede coger como valor exacto: floor ( Nrop) = 6
183
Anexo I. Ejemplo de hojas de cálculo de diseño de soluciones de convertidores basadas en la topología
propuesta
150
120
100
Vds ( 18 , Nr)
90
80
Vds ( 42 , Nr)
60
Vds ( 58 , Nr)
30
0
10 20 30 40 50
Nr
Vds ( 18 , floor ( Nrop) ) = 37.8 Vds ( 42 , floor ( Nrop) ) = 61.8 Vds ( 58 , floor ( Nrop) ) = 77.8
Tensión inversa en el diodo o MOSFET de rectificación (secundario)

Vin
Vdiodors ( Vin , Nr) := + Vout
Nr
50
40
Vdiodors ( 18 , Nr)
30 30
Vdiodors ( 42 , Nr)
20
Vdiodors ( 58 , Nr)
10
0
10 20 30 40 50
Nr
Vdiodors ( 18 , floor ( Nrop) ) = 6.3 Vdiodors ( 42 , floor ( Nrop) ) = 10.3 Vdiodors ( 58 , floor ( Nrop) ) = 12.967
2 - Conseguir un ciclo de trabajo admisible

Determinación del ciclo de trabajo aceptable en función de la relación de vueltas
Vout ⋅Nr
D( Vin , Nr) :=
Vin + Vout ⋅Nr
0.8
D( 18 , Nr)
0.6
D( 42 , Nr) 0.5
0.4
D( 58 , Nr)
0.2
0
10 20 30 40 50
Nr
Con el valor optimo de la relación de vueltas conseguido, se consiguen los siguientes ciclos de trabajo:
Nrop = 6.667 floor ( Nrop) = 6
D( 18 , Nrop) = 0.55 D( 42 , Nrop) = 0.344 D( 58 , Nrop) = 0.275
D( 18 , floor ( Nrop) ) = 0.524 D( 42 , floor ( Nrop) ) = 0.32 D( 58 , floor ( Nrop) ) = 0.254
184
propuesta
Propuesta de valore de relación de vueltas inicial

rt := floor( Nrop)
La condición para determinar el (Leq.F)=cte:
2
⎛⎜ 1 +
kr ⎞
⎟
2
Grafica de la energía manejada por la inductancia del Flyback clásico: E ( kr, F) :=
1
⋅
Vout
⋅
⎝ 2⎠
2 F ⋅Cmax kr
−4
2×10
1.2 2
−4
(
E kr, 0.1 ⋅10
6 ) 1.6 ×10
E ( kr, 0.3 ⋅10 )

6 −4
1.2 ×10
E ( kr, 0.5 ⋅10 )

6
−5
E ( kr, 0.7 ⋅10 )
6 8×10
E ( kr, 1 ⋅10 )
6 −5
4×10
0
0.1 1 10 100
kr
Cuanto más grande la frecuencia, menos energía manejada por la inductancia equivalente. El valor de
Kr que coincide con el valor mínimo de la energía manejada, en todos los casos, es Kr=2.
F= 300 KHz (Frecuencia adecuada para usar Material Magnético 3F3)
F= 500 KHz (Frecuencia adecuada para usar Material Magnético 3F4)
Propuesta de valore de frecuencia inicial

Propuesta de Kr inicial Kri
Kri := 1.4
Fop := 0.56 .10

6
Para Kr = 2 : −5
E ( 2 , Fop) = 1.768 × 10
Para Kr = Kri: −5
E ( Kri , Fop) = 1.825 × 10
El valor de la relación (L.F)=cte viene determinada de la siguiente forma:
2 2
Vin ⋅Nr ⋅Cmax
LF( Vin , Nr , Kr) :=
2
Kr ⋅( Vin + Vout ⋅Nr)
En el caso Nr=Floor(Nrop) Tendremos lo siguiente
Para Kr = 2: LF( Vinnom , floor ( Nrop) , 2) = 9.145
Para Kr = Kri: LF( Vinnom , floor( Nrop) , Kri) = 13.064
las combinaciones posibles para determinar L y F serán infinitas, por ejemplo se puede coger la
siguiente propuesta:
LF( Vin , Nr , Kr)
Lmeq( Vin , Nr , Kr , Fs) :=
Fs
La inductancia equivalente del Flyback clásico será:
Lmeqpro := Lmeq( Vinnom , floor ( Nrop) , Kri , Fop )
−5
Lmeqpro = 2.333 x 10
185
propuesta
Segunda Etapa
En esta parte de diseño se va aplicar lo determinado en La Primera Parte en la topología propuesta.
L1
Lmag Vout
Vin
Relación de vueltas: rt = 6
Frecuencia de conmutación: Fs := Fop
1
T :=
Fop
f := Fs
Inductancias serie L1 y magnetizante Lm.
Se supone que la suma de las dos inductancias (serie y magnetizante) es la Lmeq
Si L1 es KL veces de Lm
Lmeq( Vin , Nr , Kr , Fs)
Lme( Vin , Nr , Kr , Fs , KL ) :=
1
1 +
KL
Ls ( Vin , Nr , Kr , Fs , KL ) := Lmeq( Vin , Nr , Kr , Fs) − Lme( Vin , Nr , Kr , Fs , KL )
Propuesta de relación de inductancias inicial KLi :
KLi := 14
−5 −6
Lme( Vinnom , floor ( Nrop) , Kri , Fs , KLi ) = 2.177 × 10 Ls ( Vinnom , floor ( Nrop) , Kri , Fs , KLi ) = 1.555 × 10
Propuesta de valores de inductancias iniciales

Lmag:= Lme( Vinnom, floor( Nrop) , Kri, Fs, KLi)
−5
Lmag = 2.177 x 10
Ls := Ls( Vinnom, floor( Nrop) , Kri, Fs, KLi)

−6
Ls = 1.555 x 10 L2 := 0
y
Lmag
KLPmag := KLPmag = 14
Ls
Hipótesis sobre los componentes de conmutación que se van a usar:
Caída de tensión y resistencia equivalente del Diodo
Vf := 0.4
−3
rd := 0 ⋅10
Resistencia equivalente de la capacidad de salida: − 12
ESR := 1 ⋅10
Modelo eléctrico del convertidor

Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) := L1 + Lm y Leq( R , L1 , Lm , F , n ) := L1 ⋅L2 + L1 ⋅Lm + L2 ⋅Lm
1
T( F) :=
F
n .R .T( F) .Lm
A( R , L1 , Lm, F , n) :=
2 .Leq( R , L1 , Lm, F , n)
rd
Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) := Vf + ⋅Vout
R
2
Vout ⋅n ⋅Lp + Vout ⋅[ A( R ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ⋅( 1 − D) + Vin ⋅Lm + Vdiodo ( R ) ⋅n ⋅Lp ] − [ A( R ) ⋅Vin ⋅D ⋅Vin ⋅Lm − A( R ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ⋅( 1 − D) ⋅Vdiodo ( R ) ] = 0
Cálculo de la tensión de entrada para un ciclo de trabajo y una tensión de salida dados
La ecuación tiene dos soluciones:
186
propuesta
−1
A1( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
2 ⋅[ A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D ⋅Lm) ]
A2( R , L1 , Lm , F , n ) := −Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
A3( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
A4( R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅Lm − A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
A5( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
A6( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A2( R , L1 , Lm , F , n ) + A3( D , R , L1 , Lm , F , n ) − A4( R , L1 , Lm , F , n ) + A5( D , R , L1 , Lm , F , n )
2
A7 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D ⋅Lm
2 2 2 2
A8( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
2 2 2 2 2
A9( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
A10( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅Lm ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
2 2 2 2
A11( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
2 2 2 2
A12( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
2 2 2 2
A13( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
2
A14( R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Lm
2 2 2
A15( R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
2 2 2
A16( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 4 ⋅Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
2 2 2 2
A17 ( R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
2 2 2 2 2 2 2
A18( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅Lm + A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
A19( D , R , L1 , Lm , F , n ) := 2 ⋅Vout ⋅Lm ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D
A20( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A7 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A8( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A9( D , R , L1 , Lm , F , n )
A21( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A10( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A11( D , R , L1 , Lm , F , n )
A22( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A14( R , L1 , Lm , F , n ) + A15( R , L1 , Lm , F , n )
A24( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A17 ( R , L1 , Lm , F , n ) + A18( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A19( D , R , L1 , Lm , F , n )
A25( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A23( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A22( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A24( D , R , L1 , Lm , F , n )
(
Vin( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅ A6( D , R , L1 , Lm , F , n ) − A25( D , R , L1 , Lm , F , n ) − A26( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
Función de transferencia del convertidor:

Vout
FT( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n )
0.8
FT( d , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)0.6
FT( d , Cmin , Ls , Lmag , f , rt)

0.4
0.2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
Cálculo del ciclo de trabajo necesario para pasar de una tensión de entrada fija a una de salida
también fijada
Vf := 0.4
2
A27 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
A28( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
A29( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Vin ⋅Lm + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
A30( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
A31( Vin , R , L1 , Lm , F , n , D2) := Vout ⋅[ A28( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( 1 − D2) + A29( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ]
A32( Vin , R , L1 , Lm , F , n , D2) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅D2 ⋅Vin ⋅Lm
A33( Vin , R , L1 , Lm , F , n , D2) := A30( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( 1 − D2) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
A27 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + A31( Vin , R , L1 , Lm , F , n , D2) − ( A32( Vin , R , L1 , Lm , F , n , D2) − A33( Vin , R , L1 , Lm , F , n , D2) ) = 0
2
A34( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) + Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
187
propuesta
A35( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅Vin ⋅Lm + Vout ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )

A36( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
A37 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Vout ⋅A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n )
2
A38( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅Lm
A39( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vin ⋅n ⋅Lp ( R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n )
A40( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A34( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + A35( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + A36( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
A41( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A37 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + A38( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + A39( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
−( A40( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
D2( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) :=
−A41( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
Valores del ciclo de trabajo necesarios para obtener la tensión de salida requerida:
Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n )
Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n )
Dmax0 ( Vinmin , Cmin , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vinmin , Cmin , L1 , Lm , F , n )
Dmin0( Vinmax , Cmin , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vinmax , Cmin , L1 , Lm , F , n )
Dnom( Vinnom , Cmax , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vinnom , Cmax , L1 , Lm , F , n )
Dnom0( Vinnom , Cmin , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vinnom , Cmin , L1 , Lm , F , n )
Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.283
Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.356
Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.589
Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.268
Dnom0( Vinnom , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.336
Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.541
1
rt
0.8
D2( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , n )0.6
D2( Vinnom , Cmin , Ls , Lmag , f , n ) 0.4
0.2
0
1 10.8 20.6 30.4 40.2 50
n
Valor del porcentaje del periodo de conmutación donde el diodo no conduce (D1). Etapa A:
n ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅( L1 + Lm)
D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
[ n ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅( L1 + Lm) ] + Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Lm
DA( D , R , L1 , Lm , F , n ) := D1( D , R , L1 , Lm , F , n )
Valor del porcentaje del periodo de conmutación de la ETAPA C:
DC( Vin , D , R , L1 , Lm , F , n ) := D2( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − DA( D , R , L1 , Lm , F , n )
Valor del porcentaje del periodo de conmutación de la ETAPA B:

DB( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := 1 − D2( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
Tensión del condensador de enclavamiento:

⎛ D ⎞⎟
Vclamp( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅⎜
⎝ 1 − D⎠
Vclamp( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 25.835
188
propuesta
200
160
Vclamp( d , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)120
Vclamp( d , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) 80
40
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
Tensión en los MOSFETs:
Vmosfet ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Vclamp( D , R , L1 , Lm , F , n )
Vmosfet ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 43.835
Vmosfet ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 80.873
Vmosfet ( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 39.218
Vmosfet ( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 79.216
200
160
130
Vmosfet ( d , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)120
Vmosfet ( d , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) 80 75
40
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
Forma de onda de la Tensión en los MOSFETs

Vmosfetfun ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Vclamp( D , R , L1 , Lm , F , n ) if t ≥ D
0 if t < D
80
75
63.8
47.6
Vmosfetfun ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
31.4
15.2
−1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Tensión inversa en el diodo o MOSFET de rectificación síncrona (RS)
VD( D , R , L1 , Lm , F , n ) := ⎡⎢
Lm ⋅Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⎤
⎥ + Vout
⎣ ( L1 + Lm) ⋅n ⎦
VD( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 6.1
VD( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 12.322
VD( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 6.1
VD( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 12.322
30
24
VD( d , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)18
VD( d , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) 12
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
d
189
propuesta
Pendientes de las tres corrientes características del convertidor (las corrientes por los 2
MOSFETs, el principal y el auxiliar, y por el diodo)
Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( L2 + Lm) + n ⋅Lm ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) )
der1( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
Leq( R , L1 , Lm , F , n )
Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n )
der2( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
L1 + Lm
−Vclamp( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( L2 + Lm) + n ⋅Lm ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) )
der3( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
Leq ( R , L1 , Lm , F , n )
Expresiones de la corriente por el MOSFET auxiliar
−der3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( 1 − D) ⋅T ( F)
a3( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
2
b3 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := der3( D , R , L1 , Lm , F , n )
Iaux1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := a3( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b3 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( t ⋅T( F) − D ⋅T ( F) )
Iaux2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := 0
Iaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Iaux1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≥ D
Iaux2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t < D
2
1.2
0.4
Iaux ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
− 0.4
− 1.2
−2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Iaux [ Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag ⋅2 , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag ⋅2 , f , rt) ) ] = 1.274
Iaux [ Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) ] = 1.423
Iaux [ Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) ] = 1.265
Cálculo de la corriente eficaz por el MOSFET auxiliar

3
( 1 − D)
IEFaux ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := −der3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅T ( F) ⋅
12
IEFaux ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag ⋅2 , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.593
Intensidad eficaz por el MOSFET auxiliar:

IEFaux ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.526
IEFaux ( Dmax ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.146
IEFaux ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.619
IEFaux ( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.294
IEFaux ( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.146
Expresiones de la corriente por el MOSFET principal

T ( F)
a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) := der3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( 1 − D) ⋅
2
a2( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅T ( F)
I1main ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅t ⋅T ( F)
I2main ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := a2( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅T( F) ⋅[ t − ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ]
I3main ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := 0
Imain ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := I1main ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≤ D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n )
I2main ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if D ≥ t > D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n )
I3main ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t > D
190
propuesta
1.2
0.4
Imain ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
− 0.4
− 1.2
−2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Imain [ Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) ] = 1.275
Imain [ Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) ] = 1.423
Imain [ Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) ] = 1.265
Cálculo de la corriente eficaz por el MOSFET principal:

2
A42( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A43( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅T ( F)
2
2 3 T( F)
A44( D , R , L1 , Lm , F , n ) := b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅
3
2
A45( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a2( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D1( D , R , L1 , Lm , F , n )
2
A46( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a2( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅b2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅T ( F)
3
2 D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) 2
A47 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := b2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅ ⋅T( F)
3
A49( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A45( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A46( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A47 ( D , R , L1 , Lm , F , n )
IEFmain ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A50( D , R , L1 , Lm , F , n )
IEFmain ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.804
Cálculo de la corriente eficaz por el MOSFET auxiliar

solamente cuando el transformador funcione en vacío, es decir, en la primera etapa se considera
esta corriente nula
2
2
3
2 D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) 2
A53( D , R , L1 , Lm , F , n ) := b2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅ ⋅T ( F)
3
IEFmain2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A54( D , R , L1 , Lm , F , n )
IEFmain2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.788
Intensidad eficaz por el MOSFET principal:

IEFmain ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.473
IEFmain ( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.158
IEFmain ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.399
IEFmain ( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.178
Expresiones de la corriente por el primario del transformador

Ip1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅t ⋅T ( F)
Ip2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := a2( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅[ t − ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ] ⋅T ( F)
Ip3 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := a3( D , R , L1 , Lm , F , n ) + b3 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( t − D) ⋅T ( F)
Ip ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Ip1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≤ D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n )
Ip2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) < t < D
Ip3 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≥ D
191
propuesta
1.2
0.4
Ip ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
− 0.4
− 1.2
−2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Ip [ Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) ] = 1.423
Cálculo de la corriente eficaz por el primario del transformador
2
A55( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A56( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅T ( F)
2
2 3 T ( F)
A57 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := b1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅
3
2
2
3
2 D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) 2
A60( D , R , L1 , Lm , F , n ) := b2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅ ⋅T ( F)
3
2
A61( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( 1 − D)
2
A62( D , R , L1 , Lm , F , n ) := a3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅b3 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅T ( F) ⋅( 1 − D)
2 2 3
b3 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅T( F) ⋅( 1 − D)
A63( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
3
A64( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A55( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A56( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A57 ( D , R , L1 , Lm , F , n )
A67 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A64( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A65( D , R , L1 , Lm , F , n ) + A66( D , R , L1 , Lm , F , n )
IEFp ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A67 ( D , R , L1 , Lm , F , n )
Intensidad eficaz por el primario del transformador:

IEFp ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.757
IEFp ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.736
IEFp ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.961
IEFp ( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.215
IEFp ( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.344
Pendientes y expresiones de la corriente por el diodo

2
−n ⋅( L1 + Lm) ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ) − n ⋅Lm ⋅Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n )
derID1( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
Leq( R , L1 , Lm , F , n )
2
n ⋅Lm ⋅Vclamp( D , R , L1 , Lm , F , n ) − n ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅( L1 + Lm)
derID3( D , R , L1 , Lm , F , n ) :=
Leq( R , L1 , Lm , F , n )
c1( D , R , L1 , Lm , F , n ) := derID3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( 1 − D) ⋅T ( F)
ID1( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := c1( D , R , L1 , Lm , F , n ) + derID1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅t ⋅T ( F)
ID2( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := 0
ID3( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := derID3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( t − D) ⋅T ( F)
ID( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ID1( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≤ ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
ID2( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if D > t > ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
ID3( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≥ D
192
propuesta
13
10
7
ID( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
4
−2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
ID( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag ⋅2 , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0) = 8.938
ID( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0) = 13.071
ID( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0) = 8.195
Cálculo de la corriente eficaz por el diodo

2
A68( D , R , L1 , Lm , F , n ) := c1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A69( D , R , L1 , Lm , F , n ) := c1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅derID1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅T ( F)
3
2 ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) 2
A70( D , R , L1 , Lm , F , n ) := derID1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅ ⋅T( F)
3
3 2
2 ( 1 − D) ⋅T ( F)
A71( D , R , L1 , Lm , F , n ) := derID3( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅
3
IDEF( D , R , L1 , Lm , F , n ) := A73( D , R , L1 , Lm , F , n )
IDEF( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag ⋅2 , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 4.228
Intensidad eficaz por el diodo y secundario del transformador:

IDEF( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 4.25
IDEF( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 5.113
−3
IDEF( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 4.048 × 10
IDEF( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 4.048
−3
IDEF( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 5.113 × 10
Pendientes y expresiones de la corriente en la bobina magnetizante:

ID1( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
ILm( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := + Ip1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≤ ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) )
n
Ip2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if ( D − D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) ) < t < D
ID3( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
+ Ip3 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) if t ≥ D
n
1.6
1.4
1.2
ILm( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
1
0.8
0.6
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Cálculo de la capacidad de salida necesaria para el rizado requerido de la tensión de salida
d1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := ⎛⎜
Vout ⋅Leq ( R , L1 , Lm , F , n ) ⎞ 1
⎟⋅
⎝ R ⋅T ( F) ⎠ n ⋅Lm ⋅Vin ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + n 2 ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n ) ) ⋅(
d2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := ⎛⎜ Vout ⋅Leq( R , L1 , Lm , F , n ) ⎞⎟ ⋅ 1
⎝ R ⋅T ( F) ⎠ n ⋅Lm ⋅Vclamp( D , R , L1 , Lm , F , n ) − n 2 ⋅( Vout + Vdiodo ( R , L1 , Lm , F , n
193
propuesta
Cout ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := ⎛⎜ T( F) ⎞⎟ ⋅⎛⎜ D1( D , R , L1 , Lm , F , n ) +

d1 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + d2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⎞
⎟
⎝ R ⋅Rizado ⎠ ⎝ 2 ⎠
Capacidad del condensador de salida necesario para obtener un rizado dado, suponiendo que no
se produce rizado por la ESR del condensador:
−5
Cout ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 4.819 × 10
Rizado producido por la ESR del condensador:

¡¡¡Si el rizado producido por esta ESR es mayor que el de la especificación, hay que cambiar los
condensadores ya que este rizado no se puede corregir!!!
c1( D , R , L1 , Lm , F , n )
RizadoESR ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := ESR ⋅
Vout
− 10
RizadoESR ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 2.737 × 10 ⋅%
Los componentes del convertidor
Los Mosfets
EL principal
−9 −9 − 12 − 12 −9
Rdson_p := 0.16 trp := 34 ⋅10 tfp := 24 ⋅10 Cissp := 670 ⋅10 Cossp := 250 ⋅10 Qgp := 28 × 10 Vgsp := 4
EL auxiliar
−9 −9 − 12 − 12 −9
Rdson_a := 0.3 tra := 52 ⋅10 tfa := 39 ⋅10 Cissa := 860 ⋅10 Cossa := 340 ⋅10 Qga := 31 × 10 Vgsa := 4
EL Diodo o El Mosfet de RS
EL Diodo
Vf = 0.4
−3
rd := 13.5.10
El Mosfet de RS
−3
rd_M := 13.5 ⋅10
El condensador de salida
− 12
ESR := 1.10
Condición de la obtención de ZVS

EL1p ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⎛⎜ ⋅L1 ⋅Ip ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) ⎞⎟
1 2
⎝2 ⎠
1 2
Ecoss( D , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅Vmosfet ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( Cossp + Cossa)
2
ZVSp( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := EL1p ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) − Ecoss( D , R , L1 , Lm , F , n )
ZVScrip( D , R , Lcri , Lm , F , n , t ) := ( EL1p ( D , R , Lcri , Lm , F , n , t ) − Ecoss( D , R , Lcri , Lm , F , n ) ) ≥ 0
ZVSpro := ZVSp( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
−5 −6
Lmag = 2.177 × 10 Ls = 1.555 × 10
−9
ZVSpro= 8.447 x 10
ZVSp( Dnom( Vinnom , Cmax , L1 , Lmag , f , rt) , Cmax , L1 , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , L1 , Lmag , f , rt) )
ZVSpG( L1 , Lm) := ZVSp( Dnom( Vinnom , Cmax , L1 , Lm , f , rt) , Cmax , L1 , Lm , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , L1 , Lm , f , rt) )
Ls
−6
4×10
(
ZVSpG L1 , 10 ⋅10
−6 )
ZVSpG( L1 , Lmag) −6
2×10
(
ZVSpG L1 , 30 ⋅10
−6 )
(
ZVSpG L1 , 40 ⋅10
−6 ) 0 0
−6
− 2×10
−7 −6 −5
1×10 1×10 1×10
L1
194
propuesta
Pérdidas en el MOSFET principal

Pérdidas según el punto de funcionamiento del convertidor
Pérdidas por conducción
2
Pcon_main( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Rdson_p ⋅IEFmain ( D , R , L1 , Lm , F , n )
Pcon_main( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.026
−3
Pcon_main( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 5.049 × 10
Pcon_main( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.103
−3
Pcon_main( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 4.009 × 10
Pérdidas de excitación
Pexc_main ( F) := Qgp ⋅Vgsp ⋅F
Pexc_main ( f ) = 0.063
Pérdidas de Conmutacion
F tfp
Pconmmain1( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⋅Imain ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) ⋅Vmosfet ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅
2 6
Pconmmain1( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.07
F trp
Pconmmain2( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⋅Imain ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) ⋅Vmosfet ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅
2 6
Pconmmain2( Dmax ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.023
Pconmmain( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Pconmmain1( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + Pconmmain2( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
Pérdidas TOTALES en el MOSFET principal

PMmain( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Pcon_main( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Pexc_main ( F) + Pconmmain( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
PMmain( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.324
PMmain⎛⎜ Dnom⎛⎜ Vinnom , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt⎞⎟ , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt , Dnom⎛⎜ Vinnom , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt⎞⎟ ⎞⎟
f f f
⎝ ⎝ 2 ⎠ 2 ⎝ 2 ⎠⎠
Pérdidas en el MOSFET auxiliar

Pérdidas por conducción
2
Pcon_aux ( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Rdson_a ⋅IEFaux ( D , R , L1 , Lm , F , n )
Pcon_aux ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.115
Pcon_aux ( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 0.026
Pcon_aux ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.083
−3
Pcon_aux ( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) = 6.411 × 10
Pérdidas de excitación
Pexc_aux ( F) := Qga ⋅Vgsa ⋅F
Pexc_aux ( f ) = 0.069
Pérdidas de Conmutacion
F tfa
Pconmaux1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⋅Iaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) ⋅Vmosfet ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅
2 6
Pconmaux1 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.114
F tra
Pconmaux2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⋅Iaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) ⋅Vmosfet ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅
2 6
Pconmaux2 ( Dmax ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.036
Pconmaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Pconmaux1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + Pconmaux2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
Pérdidas TOTALES en el MOSFET auxiliar

PMaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Pcon_aux ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Pexc_aux ( F) + Pconmaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
PMaux ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.527
⎛ ⎛ f ⎞ f ⎛ f ⎞⎞
PMaux ⎜ Dnom⎜ Vinnom , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt ⎟ , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt , Dnom⎜ Vinnom , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt ⎟ ⎟ =
⎝ ⎝ 2 ⎠ 2 ⎝ 2 ⎠⎠
Pérdidas parasitas (efecto del ZVS)
F 2
Pparazvs( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⋅2 ⋅2 ⋅Vmosfet ( Dmax ( Vinmin , R , L1 , Lm , F , n ) , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅( Cossp + Cossa) if ZVSp
2
0 if ZVSp( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) > 0
Pparazvs( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0
Pérdidas totales en los 2 MOSFETs del Primario

PMprimario( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := PMmain( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + PMaux ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + Pparazvs( D , R , L1 , Lm , F
PMprimario( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ) = 0.851
195
propuesta
Pérdidas en el diodo o MOSFET de RS

¡¡¡Estas pérdidas solamente son debidas a la resistencia equivalente serie del diodo o MOSFETRS !!!
Pérdidas por la resistencia de conducción
2
Pconrec( D , R , L1 , Lm , F , n ) := IDEF( D , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rd
2
IDEF( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rd = 0.353
2
IDEF( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rd = 0.221
2 −7
IDEF( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rd = 3.529 × 10
2 −7
IDEF( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rd = 2.213 × 10
Pérdidas por la caída de tensión de conducción en el diodo:

¡¡¡La corriente media en el diodo es la de salida, ya que la corriente media por el condensador de
salida es cero!!!
Vout
Pfmax := Vf ⋅
Cmax
Vout
Pfmin := Vf ⋅
Cmin
Pfmax = 1.2
−3
Pfmin = 1.2 × 10
Pérdidas por excitación (sólo para el MOSFETRS)

¡¡¡De esta forma si Vf=0 hay un MOSFET de RS y necesita una potencia de excitación, si Vf>0 es
un diodo que no necesita control, y por tanto será nula esa potencia necesaria!!!
−9
Qg_aux := 43 × 10
Vgs := 6.6
Pexc_sin ( F) := Qg_aux ⋅Vgs ⋅f if Vf = 0
0 if Vf > 0
Pexc_sin ( f ) = 0
Pérdidas TOTALES del componente del segundario

PRs( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Pconrec( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Pexc_sin ( F) + Pfmax
PRs( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 1.444
⎛ ⎛ f ⎞ f ⎞
PRs⎜ Dnom⎜ Vinnom , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt⎟ , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt ⎟ = 1.444
⎝ ⎝ 2 ⎠ 2 ⎠
Pérdidas por conducción en el convertidor (Energía circulante)

Pcon( D , R , L1 , Lm , F , n ) := Pcon_aux ( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Pcon_main( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Pconrec( D , R , L1 , Lm , F , n )
PEC := Pcon( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)
PEC = 0.384
PconG( L1 , Lm) := Pcon( Dnom( Vinnom , Cmax , L1 , Lm , f , rt) , Cmax , L1 , Lm , f , rt)
Ls
(
PconG L1 , 10 ⋅10
−6 )
0.5
PconG( L1 , Lmag)
(
PconG L1 , 30 ⋅10
− 6)
PconG( L1 , 40 ⋅10 )
0.4
−6
0.3
−7 −6 −5
1×10 1×10 1×10
L1
Pérdidas totales de los interruptores
Pint ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := PMprimario( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + PRs( D , R , L1 , Lm , F , n )
Pintmax := Pint ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
196
propuesta
Pintnom := Pint ( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Pintmin := Pint ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Pintmax = 2.305 Pintnom = 2.295 Pintmin = 3.675
EI componente magnético
Dimensiones del núcleo EI (o E plano): EI18 _4_10
Números de vueltas en los dos devanados: N1 := 6 N2 := 1

Entrehierro columnas laterales: LgapL := 50 ⋅10− 6
Entrehierro columna central: LgapC := 0 ⋅10− 6 + LgapL
Dimensiones del núcleo
−3
L := 18.10 S1 := 2 ⋅10
−3
Hb := 2 ⋅10
−3
Lgap := LgapL Hcore := 4 ⋅10
−3
S2 := 2 ⋅10
−3
Hp := 2 ⋅10
−3
−3 −3
LgapC := LgapC Wcore := 10 ⋅10 Sc := 4 ⋅10
A1 := S1 .Wcore A2 := S2 .Wcore Ac := Sc .Wcore
EI material : 3F4
Aproximación de los parámetros de las curvas de pérdidas en función de la frecuencia, dadas por
el fabricante (Ferroxcube) para el Material 3F4
3 3 3 3
a( F) := 2.905 if 850 ⋅10 ≤ F ≤ 1200 ⋅10 b ( F) := 2.73 if 850 ⋅10 ≤ F ≤ 1200 ⋅10
3 3 3 3
2.94 if 630 ⋅10 ≤ F < 850 ⋅10 2.83 if 630 ⋅10 ≤ F < 850 ⋅10
3 3 3 3
2.98 if 480 ⋅10 ≤ F < 630 ⋅10 2.86 if 480 ⋅10 ≤ F < 630 ⋅10
3 3 3 3
3.02 if 100 ⋅10 ≤ F < 480 ⋅10 2.90 if 100 ⋅10 ≤ F < 480 ⋅10
−9
k := 7.8 ⋅10 a( f ) = 2.98 b ( f ) = 2.86
Datos de permeabilidad magnética del material 3F4:

μσ:= 900 μο:= 4 ⋅π ⋅10− 7 μ := μσμο
⋅
Reluctancia columna lateral izquierda (R1):

⎛ L − S1 L S1 Hp Hb ⎞
1
⎜ 2 2 2
−
2
Hcore +
2
−
2
⎟ 1 ⎛ Lgap ⎞
⋅⎜ ⎟ 6
R1 := + + + ⋅⎜ ⎟ R1 = 2.874 × 10
μ ⎝ Hp ⋅Wcore Hb ⋅Wcore A1 ⎠ μο ⎝ A1 ⎠
197
propuesta
¡¡¡Al ser R1=R2 las denominamos por Rlat!!! 6

Rlat := R1 Rlat = 2.874 × 10
Reluctancia columna lateral derecha (R2):
⎛ L − S2 L S2 Hp Hb ⎞
1
⎜ 2 2 2
−
2
Hcore +
2
−
2
⎟ 1 ⎛ Lgap ⎞
⋅⎜ ⎟ 6
R2 := + + + ⋅⎜ ⎟ R2 = 2.874 × 10
μ ⎝ Hp ⋅Wcore Hb ⋅Wcore A2 ⎠ μο ⎝ A2 ⎠
Reluctancia columna central (Rc):

Hp Hb
Hcore + − + Lgap − LgapC
1 2 2 1 ⎛ LgapC ⎞ 6
Rc := ⋅ + ⋅⎜ ⎟ Rc = 1.083 × 10
μ Ac μο ⎝ Ac ⎠
Valores analíticos:
2 2
N1 −5 N2 −7
Lmag1 := Lmag1 = 1.429 × 10 y Lmag2 := Lmag2 = 3.968 × 10
Rlat Rlat
Rc + Rc +
2 2
Lk1 := 0 Lk1 = 0 Lk2 := 0 Lk2 = 0
Valores de PEMag o analíticos
−6 −6 −6
Ls_Pemag := 0.44 ⋅10 Ls2_Pmag := 0 ⋅10 Lmag_Pemag := 15.21 ⋅10
Valores Prácticos
−6
Ls_Placa := 1.54 ⋅10
−6
L2 := 0 .10 Lmag_Placa := 21.15 ⋅10
−6
Valores propuestos
−6 −5
Ls = 1.555 × 10 L2 = 0 Lmag = 2.177 × 10
¡¡¡Si no hay modelo PEMag se introducen L1=Lk1, L2=Lk2 y Lm=Lmag1, pero si hay modelo de
PEMag se introducen los valores directamente!!!
Modelo de pérdidas del convertidor

CÁLCULO DE LOS FLUJOS E INDUCCIONES MAGNÉTICAS POR LAS TRES
COLUMNAS DEL NÚCLEO
N1 ⋅Ip ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + N2 ⋅ID( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
Φ1( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) :=
2 ⋅Rc + Rlat
Φ1( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
B1 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) :=
A1
N1 ⋅Ip ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + N2 ⋅ID( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
Φ2( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) :=
2 ⋅Rc + Rlat
Φ2( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
B2 ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) :=
A2
2 ⋅N1 ⋅Ip ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + 2 ⋅N2 ⋅ID( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
Φc( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) :=
Rlat + 2 ⋅Rc
Φc( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
Bc( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) :=
Ac
Cálculo de las excursiones de la inducción en el nucleo del transformador para cada columna y
para las dos situaciones extremas [curvas roja (r) y azul (a)]:
A74( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n )
A75( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
A76( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) )
A77 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1 ( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A78( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , 0)
A79( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A80( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A74( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − A75( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
A81( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A76( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − A77 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
1
ΔB1a ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅max ( A80( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A81( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A82( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A83( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n )
A84( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
A85( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) )
A86( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A87 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , 0)
198
propuesta
A88( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B1( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A91( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A87 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − A88( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
1
ΔB1r ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅max ( A89( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A90( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A91( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A92( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) )
A93( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
A94( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) )
A95( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A96( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , 0)
A97 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A100( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A96( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − A97 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
1
ΔBCa ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅max ( A98( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A99( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A100( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A101( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n
A102( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
A103( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) )
A104( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A1041( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , 0)
A105( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A107 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A103( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − A104( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
1
ΔBCr ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅max ( A106( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A107 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A108( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A109( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n
A110( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
A111( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) )
A112( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A113( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , 0)
A114( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmin( Vinmax , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A117 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := A113( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) − A114( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
1
ΔB2a ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅max ( A115( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A116( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A117 ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
2
A119( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
A121( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
A122( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , 0)
A123( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := B2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) , Cmax , L1 , Lm , F , n , Dmax ( Vinmin , Cmax , L1 , Lm , F , n ) −
1
ΔB2r ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := ⋅max ( A124( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A125( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , A126( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
2
Gráfica de la inducción por la columna de primario:
B1max ( t ) := B1( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
B1min ( t ) := B1( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
B1max0 ( t ) := B1( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , t )
B1min0 ( t ) := B1( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , t )
199
propuesta
0.2
0.12
B1max ( t )
0.05
B1min ( t ) 0.04
B1max0 ( t )
− 0.04 − 0.05
B1min0 ( t )
− 0.12
− 0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Gráfica de la inducción por la columna de secundario:
B2max ( t ) := B2( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
B2min ( t ) := B2( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
B2max0 ( t ) := B2( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , t )
B2min0 ( t ) := B2( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , t )
0.2
0.12
B2max ( t )
0.05
B2min ( t ) 0.04
B2max0 ( t )
− 0.04 − 0.05
B2min0 ( t )
− 0.12
− 0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
Gráfica de la inducción por la columna central:
Bcmax ( t ) := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
Bcmin( t ) := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , t )
Bcmax0 ( t ) := Bc( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , t )
Bcmin0( t ) := Bc( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , t )
0.2
0.12
Bcmax ( t )
0.05
Bcmin( t ) 0.04
Bcmax0 ( t )
− 0.04 − 0.05
Bcmin0( t )
− 0.12
− 0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
t
CÁLCULO DE LAS PÉRDIDAS EN EL NÚCLEO
Cálculo de los volúmenes parciales y total del núcleo
L − Sc L − Sc −7
V1 := ⋅Hb ⋅Wcore + ⋅Hp ⋅Wcore + ( Hcore − Hb ) ⋅S1 ⋅Wcore V1 = 3.2 × 10
2 2
L − Sc L − Sc −7
V2 := ⋅Hb ⋅Wcore + ⋅Hp ⋅Wcore + ( Hcore − Hb ) ⋅S2 ⋅Wcore V2 = 3.2 × 10
2 2
−7
Vc := ( Hcore + Hp + Lgap − LgapC ) ⋅Sc ⋅Wcore Vc = 2.4 × 10
1 3
Vt := V1 + V2 + Vc Vt = 880 ⋅mm
3
m
Cálculo de las resistencias térmicas del núcleo
200
propuesta
50 50 50 50
Rθ1 := Rθ2 := Rθc := Rθt :=
6 6 6 6
V1 ⋅10 V2 ⋅10 Vc ⋅10 Vt ⋅10
Cálculo de las pérdidas e incrementos de temperaturas en el núcleo para las dos condiciones
extremas
⋅ΔB1a ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
a( F) b ( F)
P1a( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := k ⋅V1 ⋅F
ΔT1a ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := P1a( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθ1
⋅ΔB2a ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
a( F) b ( F)
P2a( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := k ⋅V2 ⋅F
ΔT2a ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := P2a( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθ2
⋅ΔBCa ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
a( F) b ( F)
Pca( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := k ⋅Vc ⋅F
ΔTca ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Pca( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθc
Ptrafoa( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := P1a( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + P2a( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + Pca( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
ΔTta ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Ptrafoa( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθt
⋅ΔB1r ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
a( F) b ( F)
P1r( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := k ⋅V1 ⋅F
ΔT1r ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := P1r( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθ1
⋅ΔB2r ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
a( F) b ( F)
P2r( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := k ⋅V2 ⋅F
ΔT2r ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := P2r( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθ2
⋅ΔBCr ( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
a( F) b ( F)
Pcr( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := k ⋅Vc ⋅F
ΔTcr ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Pcr( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθc
Ptrafor( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := P1r( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + P2r( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + Pcr( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
Pérdidas e incrementos de temperatura máximos en el núcleo del transformador a Dmax y Dmin:

ΔTtr ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := Ptrafor( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅Rθt
ΔTtr ( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.917
Ptrafoa( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.064
Ptrafor( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.017
ΔTta ( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 3.415
Ptrafo( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := max ( Ptrafoa( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , Ptrafor( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
Ptrafo( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.064
ΔTt ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) := max ( ΔTta ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) , ΔTtr ( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) )
ΔTt ( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 3.415
¡¡¡Se supone que las pérdidas en el núcleo a plena carga son las máximas mientras que a carga
mínima estas pérdidas son nulas!!!
Cálculo del valor máximo de saturación para cualquier punto de funcionamiento del convertidor
y en cualquier columna:
max11 := B1 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
max12 := B1 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
max13 := B1 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
max14 := B1 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
max15 := B1 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) − D1( Dmax (
max16 := B1 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) − D1( Dmin(
maxC1 := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
maxC2 := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
maxC3 := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
maxC4 := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
maxC5 := Bc( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) − D1( Dmax
maxC6 := Bc( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) − D1( Dmin(
max21 := B2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
max22 := B2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
max23 := B2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
max24 := B2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , 0)
max25 := B2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) − D1( Dmax (
max26 := B2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) − D1( Dmin(
max1 := max ( max11 , max12 , max13 , max14 , max15 , max16 )
maxC := max ( maxC1 , maxC2 , maxC3 , maxC4 , maxC5 , maxC6 )
max2 := max ( max21 , max22 , max23 , max24 , max25 , max26 )
201
propuesta
Valor máximo de saturación

saturacion := max ( max1 , maxC , max2 )
saturacion= 0.085
¡¡¡La restricción de diseño impuesta para el material 3F4 es que el valor máximo de saturación no
puede superar los 200mT!!!
Pérdidas de conducción en el transformador:

Se aproximan cada una de las espiras del transformador por una espira de longitud la media de
todas, y de forma cuadrada, que rodea a una columna del transformador
¡¡¡En este caso de estrategia de devanados centrales las espiras se encuentran rodeando a la
columna central, por lo tanto la espira cuadrada aproximación de todas tiene como dos longitudes
características s+Wcore y s+Sc, en vez de s+S1, como en el caso mostrado en la figura, donde esa
espira se encuentra arrollada en una columna lateral!!!
Cálculo de 's':
L − S1 − S2 − Sc
s :=
2 −3
s = 5 × 10
Resistividad del Cobre: ρ := 2.21 ⋅10− 8

Longitud total de cada espira: lmv := 2 ⋅( s + Wcore) + 2 ⋅( s + Sc) lmv = 0.048
Altura de las pistas (o espiras) de Cobre: −6
espesor := 70 × 10
−3
s − ( N1 + 1) ⋅0.35 ⋅10
Aproximación del ancho de las espiras del primario: ancho1 :=
N1
−4
ancho1 = 4.25 × 10
−3
s − ( N2 + 1) ⋅0.35 ⋅10
Aproximación del ancho de las espiras del secundario: ancho2 :=
N2
−3
ancho2 = 4.3 × 10
¡¡¡Se supone que entre las espiras hay una separación mínima necesaria de 0.35mm, al igual que
la separación necesaria entre las espiras extremas y las paredes del núcleo!!!
202
propuesta
lmv N1 lmv ⋅N2

Resistencias en continua de cada uno de los devanados: r1 := ρ⋅ ⋅ r2 := ρ⋅
espesor ancho1 espesor ⋅ancho2
Resistencias en continua r1 = 213.943 ⋅10− 3 r2 = 3.524 × 10− 3
Resistencias en alterna (PEMag) rac1 := 407 ⋅10− 3 rcc2 := 11 ⋅10− 3
Estas resistencias son las de los ensayos de abierto y cortocircuito desde los dos devanados
¡¡¡R1 se asigna a Rac1, y R2 a Rcc2 si no hay modelo PEMag, de esta forma se cálcula de forma
automática las pérdidas por conducción en continua, sin incluir los efectos de la alta frecuencia. Si
hay modelo PEMag se introducen los valores del programa y así se obtiene una aproximación
teórica más real del transformador!!!
Pérdidas por conducción en el transformador durante la etapa 2 (cuando la corriente por el diodo
es nula)
¡¡¡Se supone que cuando el transformador trabaja en vacío en el secundario la resistencia total de
los devanados es Rac1, y la única corriente que circula por el transformador es Ip, pero solo
durante la etapa 2!!!
2
IEFmain2 ( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rac1 = 0.253
2
IEFmain2 ( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rac1 = 0.062
2
IEFmain2 ( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rac1 = 0.01
2
IEFmain2 ( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rac1 = 0.013
Pérdidas por conducción en el transformador durante las etapas 1 y 3 (cuando entra corriente
por los dos terminales del transformador, es decir, cuando el diodo conduce)
¡¡¡Se supone que cuando por los dos terminales del transformador entra corriente la resistencia
total de los devanados es Rcc2 (vista en secundario), y la corriente total se puede aproximar por la
del diodo ID!!!
2
IDEF( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rcc2 = 0.288
2
IDEF( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rcc2 = 0.18
2 −7
IDEF( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rcc2 = 2.876 × 10
2 −7
IDEF( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) ⋅rcc2 = 1.803 × 10
Pérdidas en el transformador
Pérdidas en el núcleo magnético
Ptrafo⎛⎜ Vinnom , Cmax , Ls ⋅2 , Lmag ⋅2 , , rt⎞⎟ = 0.037
f
Ptrafo( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) = 0.064
⎝ 2 ⎠
Resistencias de continua r1 = 0.214 −3
r2 = 3.524 × 10
Resistencias de alterna rac1 = 0.407 rcc2 = 0.011
Pérdidas por conducción en las espiras del transformador

2 2
PerconmTR( D , R , L1 , Lm , F , n ) := IEFmain2 ( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅rac1 + IDEF( D , R , L1 , Lm , F , n ) ⋅rcc2
203
propuesta
Perdidas totales el transformador

Per_TR( D , R , L1 , Lm , F , n ) := PerconmTR( D , R , L1 , Lm , F , n ) + Ptrafo( Vin , R , L1 , Lm , F , n ) + Ptrafo( Vin , R , L1 , Lm , F , n )
3
rt
2.4
Per_TR( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , n )
1.8
PerconmTR( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , n ) , Cmax , Ls , Lmag , f , n )
1.2
Ptrafo( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , n )
0.6
0
1 10 100
n
Perdidas totales del transformador
Per_TRmax := Per_TR( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)
Per_TRnom := Per_TR( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)
Per_TRmin := Per_TR( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt)
Per_TRmax= 0.669 Per_TRnom= 0.414 Per_TRmin= 0.37
Pérdidas totales del convertidor a baja carga:
Ptot( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Pint ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + Per_TR( D , R , L1 , Lm , F , n )
Ptotmax0 := Ptot( Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , Dmax0 ( Vinmin , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) )
Ptotnom0 := Ptot( Dnom0( Vinnom , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , Dnom0( Vinnom , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) )
Ptotmin0 := Ptot( Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) , Cmin , Ls , Lmag , f , rt , Dmin0( Vinmax , Cmin , Ls , Lmag , f , rt) )
Ptotmax0 = 2.923 Ptotnom0= 2.989 Ptotmin0= 3.065
Pérdidas totales del convertidor a plena carga:
Ptot( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := Pint ( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) + Per_TR( D , R , L1 , Lm , F , n )
Ptotmax := Ptot( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Ptotnom := Ptot( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Ptotmin := Ptot( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Ptotmax = 2.974 Ptotnom= 2.709 Ptotmin= 4.045
Redimiento del convertidor a plena carga:

2
Vout
R
Rend( D , R , L1 , Lm , F , n , t ) := ⋅100
2
Vout
+ Ptot( D , R , L1 , Lm , F , n , t )
R
Rendmax := Rend( Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmax ( Vinmin , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Rendnom := Rend( Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dnom( Vinnom , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Rendmin := Rend( Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) , Cmax , Ls , Lmag , f , rt , Dmin( Vinmax , Cmax , Ls , Lmag , f , rt) )
Rendmax = 76.9 Rendnom = 78.515 Rendmin = 70.992
204
ANEXO II. ADAPTACIÓN DE LOS PARÁMETROS
DEL TRANSFORMADOR OBTENIDOS EN LA
HERRAMIENTA PEMAG
La herramienta PEMag, de análisis de componentes magnéticos por elementos finitos,
proporciona un modelo del transformador a partir de los ensayos de vacío y
cortocircuito desde cada uno de los devanados que lo componen. Los parámetros
obtenidos como consecuencia de estos ensayos son:
• Lcc1, Lcc2: inductancias de cortocircuito vistas desde cada uno de los devanados.
• Lab1, Lab2: inductancias del ensayo de vacío realizado desde cada uno de los
devanados
• Rac1, Rac2, Rcc1, Rcc2: Resistencias de los ensayos de vacío y cortocircuito referidas
a cada devanado respectivamente. Estas resistencias incluyen los efectos de la alta
frecuencia.
• Rdc1, Rdc2: Resistencias de continua de cada uno de los devanados.
El circuito equivalente que se va a emplear para modelar el transformador es el
representado en la siguiente Figura.
Laire L1 rt : 1 L22
Lmag1 N1 N2
Figura AII-1: Circuito equivalente del transformador
Al realizar los mismos cuatro ensayos sobre este circuito equivalente podemos obtener
las equivalencias entre ambos parámetros:
Lab 1 Laire + L 1 + Lmag 1 (AII.1)
Laire (AII.2)
Lab 2 + L 22 + Lmag 2
2
rt
2
rt ⋅ L 22⋅ Lmag 1
(AII.3)
Lcc 1 Laire + L 1 +
2
rt ⋅ L 22 + Lmag 1
Laire L 1⋅ Lmag 1 1 (AII.4)

Lcc 2 + L 22 + ⋅
2 L 1 + Lmag 1 2
rt rt
Teniendo en cuenta que se cumplen las dos siguientes relaciones.
L2 L 22⋅ rt
2 (AII.5)
205
Anexo II. Adaptación de los parámetros del transformador obtenidos en la herramienta PEMag
Lmag 1
2
rt ⋅ Lmag 2
(AII.6)
Sustituyendo estas dos expresiones en las cuatro ecuaciones características del circuito
obtenemos todos los parámetros relacionados al primario del transformador.
Lab 2⋅ rt
2
Laire + L 2 + Lmag 1
(AII.8)
L 2⋅ Lmag 1 (AII.9)
Lcc 1 Laire + L 1 +
L 2 + Lmag 1
2 L 1⋅ Lmag 1 (AII.10)
Lcc 2⋅ rt Laire + L 2 +
L 1 + Lmag 1
A continuación se expone el método de obtención de estos parámetros para cada una

de las estrategias de devanados propuestas.
Devanados centrales: En esta estrategia se cumple que L1=L2=0 al existir flujo de
dispersión por el núcleo, por lo tanto en PEMag se cumplirá que Lab1 será
prácticamente idéntica a Lab2 vista en primario, y lo mismo ocurrirá con los valores
del ensayo de cortocircuito. Por tanto para esta estrategia solamente se pueden emplear
dos ecuaciones siendo las expresiones resultantes como siguen:
N1 (AII.11)
rt
N2
L1 L2 .0 (AII.12)
Lab 1 Laire + Lmag 1 (AII.13)
Lcc 1 Laire (AII.14)
Devanados combinados: En esta estrategia de devanados se cumple que L2=0 y que L1

es variable, además tampoco conocemos la relación de transformación, solamente de
forma teórica. Por tanto tenemos cuatro ecuaciones con un total de cuatro incógnitas.
Las expresiones finales se muestran a continuación:
L2 0 (AII.15)
Lcc 1 Laire + L 1 (AII.17)
Lab 2⋅ rt
2
Laire + L 1
(AII.18)
206
2 L 1⋅ Lmag 1 (AII.19)
Lcc 2⋅ rt Laire +
L 1 + Lmag 1
Devanados laterales: En esta estrategia se cumple que L1=L22, lo cual supone el mismo
problema que en la estrategia de devanados centrales, que los ensayos desde primario
y secundario dan los mismos resultados pero referidos al respectivo terminal el
transformador, por lo cual perdemos dos grados de libertad, necesitando una tercera
ecuación para obtener las tres incógnitas (L1, Lmag y Laire).
La tercera ecuación se obtiene a través de la simulación del modelo obtenido de PEMag
en Pspice. El ensayo que hay que realizar es alimentar un devanado por corriente
dejando el otro en vacío, midiendo la tensión en ese mismo devanado. En la siguiente
Figura se refleja mejor el ensayo a realizar.
Laire L1 rt : 1 L22
I U·rt Zmag1 N1 N2 U
Figura AII-2: Ensayo de alimentar un devanado por corriente dejando el otro en vacío
Donde Zmag es la impedancia formada por la inductancia magnetizante y la

resistencia del núcleo de ferrita, en paralelo con aquella.
Zmag 1⋅ I rt⋅ U (AII.20)
rt⋅ ⎛⎜
U⎞ (AII.21)
Zmag 1 ⎟
⎝I⎠
Zmag 1 Rmag 1 + i⋅ Lmag 1 (AII.22)
rt⋅ imag⎛⎜
V⎞ 1 (AII.23)
Lmag 1 ⎟⋅
⎝ I ⎠ 2⋅ π⋅ f
De esta forma podemos obtener la inductancia magnetizante, por tanto una vez
conocida ésta el resto de expresiones serán:
N1 (AII.24)
rt
N2
L 1⋅ Lmag 1 (AII.26)
Lcc 1 Laire + L 1 +
L 1 + Lmag 1
Una vez adaptadas las inductancias, obtenidas por PEMag, a nuestro modelo, el
siguiente paso es adaptar las resistencias de los devanados al modelo de pérdidas del
componente magnético.
207
• Las resistencias de continua dadas por PEMag solamente nos servirán para validar
el método de aproximación de las resistencias de los devanados implementado en
la hoja de cálculo, empleado para realizar una aproximación de las pérdidas del
convertidor durante la primera etapa de diseño.
• Las resistencias que incluyen los efectos de la alta frecuencia se emplearán para
obtener una aproximación bastante precisa de las pérdidas del convertidor para un
diseño determinado. Usaremos la resistencia en primario del ensayo de abierto
(Rac1) para la etapa 1 del convertidor, es decir cuando no circula corriente por el
diodo del lazo secundario, y por tanto operando el transformador en vacío,
mientras que emplearemos la resistencia del secundario (Rcc2) de cortocircuito
para el resto de las etapas, al circular una corriente elevada por el diodo.
208
ANEXO III. TABLAS DEL ANÁLISIS DE
SENSIBILIDAD DE LA ESTRATEGIA DE
DEVANADOS COMBINADOS
En este Anexo se documentan las tablas realizadas para cada uno de los once modelos
propuestos como alternativas para la estrategia de devanados combinados.
Estas tablas están realizadas suponiendo las resistencias en continua de los devanados
del transformador, y las inductancias calculadas según nuestros modelos analíticos,
por tanto no parten de los modelos realizados en PEMag. La frecuencia de trabajo es la
misma para todos ellos (550kHz.), al igual que el entrehierro en las tres columnas, de
50μm, y empleando la técnica de rectificación síncrona en vez del diodo en el lazo
secundario.
En cada una de las tablas se muestran como resultados la relación de transformación
del transformador, las inductancias obtenidas de forma analítica, el ciclo de trabajo
máximo necesario, las tensiones máximas que soportan los MOSFETs y el diodo, o
MOSFET de rectificación síncrona, el valor máximo de la densidad de flujo en el
transformador, el incremento de temperatura y las pérdidas en el núcleo magnético, y
por último las pérdidas del convertidor en las condiciones nominales de
funcionamiento, excluyendo en éstas las pérdidas en el núcleo magnético.
Estas tablas se han empleado para seleccionar los modelos más adecuados, para ser
implementados en un prototipo, excluyendo los demás para esta aplicación, y de esta
forma se reduce la carga de trabajo que supone obtener un diseño óptimo de cada uno
de ellos.
209
Anexo III. Tablas del análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados
AIII.1 Modelo A+
A+
A+ 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+1...1 3+3...1 3+5...1 5+1...1 5+3...1 1+3...2
n 1,5 3,5 5,5 2,5 4,5 6,5 3,5 5,5 1,75
L1 (µH) 0,175 0,175 0,175 1,58 1,58 1,58 4,39 4,39 0,175
Lmag (µH) 0,90 4,89 12,07 2,50 8,08 16,86 4,89 12,07 4,89
Dmax % 27 41 51 55 56 61 78 73 27
VMOSFET(V),(58V) 64,5 70,4 76,8 75 78 83,4 89 88,9 64,5
VMOSFET (V),(18V) 24,7 30,6 37,1 39,7 41,3 46,6 82,6 66,3 24,7
Vdiodo (V) 35,6 19,3 13,7 17,5 14,1 11,4 12 11 35,3
Bmax (mT) 161 124 113 197 152 139 205 166 135
IncT (K) 52,5 22,5 15,4 94 36 21,4 104 45,9 6,4
Ptrafo (W) 0,94 0,40 0,27 1,68 0,64 0,38 1,86 0,82 0,11
Pnom (W) 7,28 1,86 1,25 2,67 1,43 1,20 1,69 1,31 2,20
A+ 1+5...2 3+3...2 3+5...2 3+5...3
n 2,75 2,25 3,25 2,167
L1 (µH) 0,175 1,58 1,58 1,58
Lmag (µH) 12,07 8,08 16,86 16,86
Dmax % 35 46 49 44
VMOSFET(V),(58V) 67,6 70,2 72,3 69,2
VMOSFET (V),(18V) 27,8 33,4 35 32,1
Vdiodo (V) 24,1 24,9 19,6 27,8
Bmax (mT) 134 175 167 202
IncT (K) 4,20 19,7 10,4 13,3
Ptrafo (W) 0,07 0,35 0,18 0,24
Pnom (W) 1,51 1,74 1,46 1,97
210
AIII.2 Modelo A-
A-
A- 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+1...1 3+3...1 3+5...1 5+1...1 5+3...1 1+3...2
n 0,5 2,5 4,5 0,5 1,5 3,5 1,5 0,5 1,25
L1 (µH) 0,175 0,175 0,175 1,58 1,58 1,58 4,39 4,39 0,175
Lmag (µH) 0,10 2,49 8,08 0,10 0,90 4,89 0,90 0,10 2,50
Dmax % 27 34 47 119 63 54 116 241 22
VMOSFET(V),(58V) 64 67,3 73,6 *** 77,6 75,9 *** *** 63
VMOSFET (V),(18V) 24,6 27,5 33,8 *** 48,3 39,6 *** *** 23,2
Vdiodo (V) 45,4 25 15,9 *** 17,3 15,8 *** *** 46,7
Bmax (mT) 279 135 117 *** 259 168 *** *** 141
IncT (K) 341 30,2 18,2 *** 258,3 53,5 *** *** 9,40
Ptrafo (W) 6,10 0,54 0,33 *** 4,62 0,96 *** *** 0,17
Pnom (W) 59,88 3 1,46 *** 5,98 1,99 *** *** 3,38
A- 1+5...2 3+3...2 3+5...2 3+5..3
n 2,25 0,75 1,75 1,167
L1 (µH) 0,175 1,58 1,58 1,58
Lmag (µH) 8,08 0,90 4,89 4,89
Dmax % 31 66 47 47
VMOSFET(V),(58V) 66 75 69,8 68,9
VMOSFET (V),(18V) 26,2 53,5 33,7 34
Vdiodo (V) 28,5 31,3 28,3 40,9
Bmax (mT) 133 266 186 226
IncT (K) 5,0 226,2 31,8 47,2
Ptrafo (W) 0,09 4,05 0,57 0,84
Pnom (W) 1,76 6,95 2,39 3,32
211
AIII.3 Modelo B+
B+
B+ 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+3...1 3+5...1 3+7...1 5+3...1 5+5...1 5+7...1
n 1,275 3,275 5,275 3,825 5,825 7,825 4,375 6,375 8,375
L1 (µH) 0,25 0,25 0,25 2,29 2,29 2,29 6,36 6,36 6,36
Lmag (µH) 0,45 2,95 7,66 4,03 9,34 16,85 5,27 11,18 19,30
Dmax % 31 41 51 64 65 68 91 83 81
VMOSFET(V),(58V) 65,5 70,3 76,5 81,8 85 90 103,6 100,4 102,5
VMOSFET (V),(18V) 26 30,6 36,9 49,6 50,9 55,6 197,2 107,8 96,5
Vdiodo (V) 32,3 19,6 13,9 13 11,3 9,8 9,3 9,1 8,5
Bmax (mT) 181 175 170 163 162 160 199 153 155
IncT (K) 158 59,2 41,3 103,7 55,3 37,4 150 75,4 47,8
Ptrafo (W) 2,82 1,06 0,74 1,85 0,99 0,67 2,68 1,35 0,85
Pnom (W) 15,40 2,74 1,50 1,93 1,34 1,18 1,53 1,25 1,17
B+ 3+7...2 3+7...3 5+3...2 5+3...3
n 3,912 2,608 2,187 1,458
L1 (µH) 2,29 2,29 6,36 6,36
Lmag (µH) 16,85 16,85 5,27 5,27
Dmax % 56 52 101 117
VMOSFET(V),(58V) 76 72,1 *** ***
VMOSFET (V),(18V) 40,9 37,2 *** ***
Vdiodo (V) 16.3 22,9 *** ***
Bmax (mT) 184 217 *** ***
IncT (K) 15,1 15,5 *** ***
Ptrafo (W) 0,27 0,28 *** ***
Pnom (W) 1,37 1,80 *** ***
212
AIII.4 Modelo B-
B-
B- 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+3...1 3+5...1 3+7...1 5+3...1 5+5...1 5+7...1
n 0,725 2,725 4,725 2,175 4,175 6,175 1,625 3,625 5,625
L1 (µH) 0,25 0,25 0,25 2,29 2,29 2,29 6,36 6,36 6,36
Lmag (µH) 0,14 2,04 6,14 1,30 4,80 10,49 0,73 3,62 8,71
Dmax % 33 38 49 72 63 65 146 97 85
VMOSFET(V), (58V) 66,2 68,7 74,7 84,9 82,1 85,7 *** 108,5 100,7
VMOSFET (V),(18V) 27,1 29 35,1 64,3 49,3 51,6 *** 638,6 121
Vdiodo (V) 32,3 22,2 15,1 13 12,7 11 *** 9,1 9,3
Bmax (mT) 205 177 171 190 163 162 *** 187 152
IncT (K) 267 55,6 40,9 186,1 56,3 36 *** 143,7 58
Ptrafo (W) 4,77 0,99 0,73 3,33 1,01 0,64 *** 2,57 1,04
Pnom (W) 45,05 3,72 1,69 4,01 1,81 1,35 *** 1,84 1,42
B- 3+7...2 3+7...3 5+3...2 5+3...3
n 3,088 2,058 0,813 0,542
L1 (µH) 2,29 2,29 6,36 6,36
Lmag (µH) 10,50 10,50 0,73 0,73
Dmax % 55 52 203 265
VMOSFET(V),(58V) 74,4 71,6 *** ***
VMOSFET (V),(18V) 39,8 37,6 *** ***
Vdiodo (V) 18,7 26,4 *** ***
Bmax (mT) 175 206 *** ***
IncT (K) 13,4 18,7 *** ***
Ptrafo (W) 0,24 0,33 *** ***
Pnom (W) 1,56 2,06 *** ***
213
AIII.5 Modelo C+
C+
C+ 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+1..1 3+3...1 3+5...1 5+1...1 5+3...1 1+3...2
n 1,725 3,725 5,725 3,175 5,175 7,175 4,625 6,625 1,863
L1 (µH) 0,25 0,25 0,25 2,29 2,29 2,29 6,36 6,36 0,25
Lmag (µH) 0,82 3,82 9,02 2,77 7,37 14,17 5,89 12,08 3,82
Dmax % 32 44 53 65 64 67 89 83 29
VMOSFET(V),(58V) 66,2 71,6 77,9 81,9 83,6 88,2 102,7 100,5 65,2
VMOSFET (V),(18V) 26,6 32 38,3 51,5 49,8 53,9 168,9 105,1 25,5
Vdiodo (V) 28,9 17,9 13,1 13,3 11,8 10,3 9,3 9 32,5
Bmax (mT) 180 174 168 163 163 161 158 153 167
IncT (K) 73 47,2 35,9 86,1 43,3 31 84,9 43,6 9,6
Ptrafo (W) 1,31 0,84 0,64 1,54 0,77 0,55 1,52 0,78 0,17
Pnom (W) 8,62 2,27 1,42 2,44 1,50 1,28 1,53 1,33 2,38
C+ 1+5...2 3+3...2 3+5...2 3+5...3
n 2,863 2,588 3,588 2,392
L1 (µH) 0,25 2,29 2,29 2,29
Lmag (µH) 9,02 7,37 14,17 14,17
Dmax % 37 55 55 52
VMOSFET(V),(58V) 68,2 73,8 75,3 71,8
VMOSFET (V),(18V) 28,6 39,9 40,3 37,2
Vdiodo (V) 23 20,4 17,2 24,2
Bmax (mT) 176 169 180 212
IncT (K) 7,7 18,4 10,6 13,4
Ptrafo (W) 0,14 0,33 0,19 0,24
Pnom (W) 1,61 1,71 1,48 1,95
214
AIII.6 Modelo C-
C-
C- 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+1..1 3+3...1 3+5...1 5+1...1 5+3...1 1+3...2
n 0,275 2,275 4,275 1,175 0,825 2,825 2,625 0,625 1,137
L1 (µH) 0,25 0,25 0,25 2,29 2,29 2,29 6,36 6,36 0,25
Lmag (µH) 0,02 1,42 5,03 0,38 0,19 2,20 1,90 0,11 1,42
Dmax % 57 35 47 96 118 67 112 274 24
VMOSFET(V),(58V) 74,9 67,5 73,3 102,4 *** 82,4 *** *** 63,3
VMOSFET (V),(18V) 42,1 27,8 33,7 481,5 *** 53,9 *** *** 23,7
Vdiodo (V) 19,2 24,9 16,2 10,3 *** 13,3 *** *** 46,6
Bmax (mT) 610 178 172 340 *** 204 *** *** 161
IncT (K) 4030 79,9 48,5 806,6 *** 176,3 *** *** 22,4
Ptrafo (W) 72,11 1,43 0,87 14,43 *** 3,15 *** *** 0,40
Pnom (W) 240 5,19 1,95 9,17 *** 3,37 *** *** 4,80
C- 1+5...2 3+3...2 3+5...2 3+5...3
n 2,137 0,412 1,412 0,942
L1 (µH) 0,25 2,29 2,29 2,29
Lmag (µH) 5,03 0,19 2,20 2,20
Dmax % 32 152 65 71
VMOSFET(V),(58V) 66 *** 75,8 76,1
VMOSFET (V),(18V) 26,3 *** 50,9 61,9
Vdiodo (V) 29,1 *** 23,4 33,5
Bmax (mT) 169 *** 194 230
IncT (K) 11,3 *** 110,6 141,9
Ptrafo (W) 0,20 *** 1,98 2,54
Pnom (W) 2,09 *** 3,57 4,74
215
AIII.7 Modelo D+
D+
D+ 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+1..1 3+3...1 3+5...1 5+1...1 5+3...1 5+5...1
n 1 2,45 3,9 1,55 3 4,45 2,1 3,55 5
L1 (µH) 0 1,02 4,07 1,02 0 1,02 4,07 1,02 0
Lmag (µH) 0.28 1,65 4,19 0,66 2,48 5,45 1,21 3,47 6,88
Dmax % 16 50 78 54 36 54 98 51 48
VMOSFET(V),(58V) 61,4 73,4 91,6 74,6 68 77 106,5 74,9 74,7
VMOSFET (V),(18V) 21,4 36 81,7 39,4 28 38,9 119,3 36,9 34,7
Vdiodo (V) 61,3 17,9 10,8 18 22,6 14,3 9,6 15,9 14,9
Bmax (mT) 189 171 156 248 178 168 297 170 171
IncT (K) 71,2 82,1 86,4 308 51,6 44,4 474 78,8 39,4
Ptrafo (W) 1,27 1,47 1,55 5,51 0,92 0,79 8,47 1,40 0,70
Pnom (W) 28,13 4 1,81 8,53 3,29 1,78 3,52 2,37 1,65
D+ 1+3...2 1+5...2 3+3...2 3+5...2 3+5...3 5+3...2 5+5...2
n 1,225 1,95 1,5 2,225 1,483 1,775 2,5
L1 (µH) 1,02 4,07 0 1,02 1,02 1,02 0
Lmag (µH) 1,65 4,19 2,48 5,45 5,45 3,47 6,88
Dmax % 42 80 22 41 37 40 32
VMOSFET(V),(58V) 68,2 82,90 63 68,9 66,7 68,2 66,4
VMOSFET (V),(18V) 31,1 89,80 23 30,7 28,7 30,2 26,4
Vdiodo (V) 32,6 18,40 42 25,3 36,2 28,6 26,5
Bmax (mT) 157 183 165 168 196 163 173
IncT (K) 40 76,40 8,9 12,9 13,2 30,8 7,6
Ptrafo (W) 0,71 1,37 0,16 0,23 0,23 0,55 0,14
Pnom (W) 4 2,08 3,21 1,96 2,53 2,51 1,82
216
AIII.8 Modelo D-
D-
D- 1+1...1 1+3...1 1+5...1 3+1..1 3+3...1 3+5...1 3+7...1 5+1...1 5+3...1
n 0,45 1,9 3,35 0,1 1,35 2,8 4,25 0,65 0,8
L1 (µH) 1,02 4,07 9,16 4,07 9,16 16,28 25,44 9,16 16,28
Lmag (µH) 0,07 1,04 3,16 10-4 0,60 2,35 5,25 0,06 0,28
Dmax % 99 103 121 847 205 187 192 354 463
*** *** *** *** *** *** *** ***

VMOSFET(V),(58V) 101,1
*** *** *** *** *** *** *** ***
VMOSFET (V),(18V) 2268
*** *** *** *** *** *** *** ***

Vdiodo V) 11,2
*** *** *** *** *** *** *** ***

Bmax (mT) 593
*** *** *** *** *** *** *** ***

IncT (K) 2975
*** *** *** *** *** *** *** ***
Ptrafo (W) 43,20
*** *** *** *** *** *** *** ***

Pnom (W) 44,80
D- 5+5...1 1+3...2 1+3...3 5+1...2
n 2,25 0,95 0,633 0,325
L1 (µH) 25,44 4,07 4,07 9,16
Lmag (µH) 1,66 1,04 1,04 0,06
Dmax % 294 125 154 608
*** *** *** ***

VMOSFET(V),(58V)
*** *** *** ***
VMOSFET (V),(18V)
*** *** *** ***

Vdiodo V)
*** *** *** ***

Bmax (mT)
*** *** *** ***

IncT (K)
*** *** *** ***
Ptrafo (W)
*** *** *** ***

Pnom (W)
217
AIII.9 Modelo E++

E++
E++ 1+1+1...1 1+3+1...1 1+5+1...1 2+3+1...1 2+5+1...1 4+3+1...1 5+2+1...1
n 2 4 6 4,5 6,5 5,5 5
L1 (µH) 0 0 0 0,175 0,175 0,175 2,81
Lmag (µH) 1,60 6,39 14,37 8,08 16,86 8,08 9,98
Dmax % 27 43 53 47 55 59 65
VMOSFET(V),(58V) 64,7 71,4 78,1 73,6 80,1 80,6 83,1
VMOSFET (V),(18V) 24,7 31,4 38,1 33,8 40,4 43,8 50,9
Vdiodo (V) 32,3 17,8 13 15,9 12,1 12,6 12,3
Bmax (mT) 102 99 99 117 114 142 160
IncT (K) 20,7 15,5 12 18,2 13,2 27 41,7
Ptrafo (W) 0,37 0,29 0,21 0,33 0,24 0,48 0,75
Pnom (W) 4,44 1,61 1,19 1,44 1,16 1,26 1,33
E++ 5+3+1...1 5+4+1...1 3+3+3...1 3+3+3...2 4+3+1...2 4+3+1...3
n 6 7 6 3 2,75 1,833
L1 (µH) 2,81 2,81 0 0 1,58 1,58
Lmag (µH) 9,98 19,56 14,37 14,37 12,07 12,07
Dmax % 65 67 53 36 47 44
VMOSFET(V),(58V) 83,1 87,7 78,1 68 71,1 68,7
VMOSFET (V),(18V) 50,9 54,8 38,1 28 34,1 31,9
Vdiodo (V) 12,3 10,5 13 22,6 21,9 31,3
Bmax (mT) 160 149 99 118 169 205
IncT (K) 41,7 24,3 12 2,4 13,8 18,5
Ptrafo (W) 0,75 0,43 0,21 0,04 0,25 0,33
Pnom (W) 1,33 1,20 1,21 1,47 1,54 2,12
218
AIII.10 Modelo E- -
Tabla AIII-10: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados
Modelo E--
E- - 1+1+1...1 1+3+1...1 1+5+1...1 2+3+1...1 2+5+1...1 4+3+1...1 5+2+1...1
n 0 2 4 1,5 3,5 0,5 1

***
L1 (µH) 0 0 0,175 0,175 1,58 2,81
***
Lmag (µH) 1,60 6,39 0,90 4,89 0,10 0,40
***
Dmax % 27 43 27 41 119 111
*** *** ***

VMOSFET(V),(58V) 64,7 71,4 64,5 70,4
*** *** ***
VMOSFET(V),(18V) 24,7 31,4 24,7 30,6
*** *** ***

Vdiodo (V) 32,3 17,8 35,6 19,3
*** *** ***

Bmax (mT) 102 99 161 124
*** *** ***

IncT (K) 20,7 15,5 52,5 22,5
*** *** ***
Ptrafo (W) 0,37 0,28 0,94 0,40
*** *** ***

Pnom (W) 4,50 1,67 7,45 1,97
E- - 5+3+1...1 5+4+1...1 4+3+1...2 4+3+1...3 2+5+1...2 2+5+1...3
n 0 1 0,25 0,167 1,75 1,167
L1 (µH) *** 2,81 1,58 0,158 0,175 0,175
Lmag (µH) *** 0,40 0,10 0,10 4,89 4,89
Dmax % *** 111 160 208 27 21
*** *** *** ***

VMOSFET(V),(58V) 64,5 62,6
*** *** *** ***
VMOSFET(V),(18V) 24,7 22,8
*** *** *** ***

Vdiodo (V) 35,3 51,3
*** *** *** ***

Bmax (mT) 135 163
*** *** *** ***

IncT (K) 6,4 4,5
*** *** *** ***
Ptrafo (W) 0,11 0,08
*** *** *** ***

Pnom (W) 2,32 3,25
219
AIII.11 Modelo E+-

Tabla AIII-11: Tabla de análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados combinados
Modelo E+-
E+- 1+1+1...1 1+3+1...1 1+5+1...1 2+5+1...1 2+5+2...1 3+3+1...1 3+5+1...1 1+5+2...1
n 1 3 5 5,5 5 4 6 4,5
L1 (µH) 0,70 0,70 0,70 1,58 2,81 2,81 2,81 1,58
Lmag (µH) 0,40 3,59 9,98 12,07 9,98 6,39 14,37 8,08
Dmax % 47 44 52 59 65 65 66 56
VMOSFET (V),(58V) 70,5 71,1 76,7 80,6 83,1 81,6 85,2 78
VMOSFET (V),(18V) 33,8 32,3 37,8 43,8 50,9 50,8 52,5 41,3
Vdiodo (V) 24,3 19,5 14,1 12,6 12,3 13,4 11,4 14,1
Bmax (mT) 268 156 131 142 160 176 152 152
IncT (K) 295 43 22,5 27 41,7 60,5 31 36
Ptrafo (W) 5,27 0,77 0,40 0,48 0,75 1,08 0,55 0,64
Pnom (W) 13,23 2,22 1,34 1,27 1,37 1,55 1,24 1,47
E+- 1+5+3...1 1+5+1...2 1+5+1...3 2+5+1...2 3+5+1...2 1+5+3...2 1+5+3...3
n 4 2,5 1,667 2,75 3 2 1,333
L1 (µH) 2,81 0,70 0,70 0,70 2,81 2,81 2,81
Lmag (µH) 6,39 9,98 9,98 9,98 14,37 6,39 6,39
Dmax % 65 38 33 38 57 61 65
VMOSFET(V),(58V) 81,6 68,2 65,7 68,2 74,8 74,6 74,3
VMOSFET (V),(18V) 50,8 29,2 26,7 29,2 42 45,6 51,3
Vdiodo (V) 13,4 25 35,8 25 19,5 23,4 33,5
Bmax (mT) 176 153 185 153 184 201 246
IncT (K) 60,5 8,7 9 8,7 20 42,8 71,6
Ptrafo (W) 1,08 0,16 0,16 0,16 0,36 0,77 1,28
Pnom (W) 1,67 1,63 2,23 1,63 1,51 2,04 2,83
220
“Si buscas resultados distintos, no hagas siempre lo mismo”
Albert Einstein 1879-1955
221

Ahmed Bakkali Tahiri

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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID

ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES

ESTUDIO Y ANÁLISIS DE UNA NUEVA SOLUCIÓN

AHMED BAKKALI TAHIRI

M.C.T en Informática, Electrónica, Electrotécnica y Automática (IEEA)

Por la Universidad Abdelmalek Essaadi Tánger–Marruecos

Homologado al Título Español de Ingeniero en Electrónica

Por el Ministerio de Educación y Ciencia 2004

Para la obtención del Grado de Doctor Ingeniero Industrial

Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales

Estudio y análisis de una nueva solución

Autor: Ahmed Bakkali Tahiri

Director: Pedro Alou Cervera

Tribunal nombrado por el Mgfco. y Excmo. Sr. Rector de la Universidad Politécnica de

Presidente: Dr. Javier Uceda Antolín

Realizado el acto de lectura y defensa de la Tesis Doctoral el día 15 de Abril

A todos los profesores y personal del departamento, por su interés y su ayuda.

A Todos Muchas Gracias.

Lista de acrónimos ........................................................................................................ v

Lista de nombres de variables..................................................................................vii

Lista de figuras ...............................................................................................................x

Lista de tablas .............................................................................................................xiii

Planteamiento y resumen de la tesis....................................................................... xv

1. Motivación de la Tesis ..............................................................................................1

2. Análisis estático y dinámico de la topología propuesta...................................15

2.6.3 Pérdidas en los componentes magnéticos ............................................................................. 46

3. Alternativas para la integración de la inductancia con el transformador.....57

4. Metodología de diseño de la solución propuesta..............................................99

Paso 13: Cálculo de las pérdidas en el transformador .............................................................................. 118

5. Validación experimental de la solución propuesta en una aplicación de

Anexo I. Ejemplo de hojas de cálculo de diseño de soluciones de

Anexo II. Adaptación de los parámetros del transformador obtenidos en la

Anexo III. Tablas del análisis de sensibilidad de la estrategia de devanados

AIII.5 Modelo C+.................................................................................................................... 214

AUX Devanado auxiliar de un transformador

Aef Área efectiva del núcleo magnético

Flyback con enclavamiento activo

I. STEADY STATE AND DYNAMIC ANALYSIS OF THE PROPOSED TOPOLOGY

a) Stage A: (D-δ).T b) Stage B: (1-D).T

VL1 VL2 rt.Vout

Operation stages of the proposed topology

< IL1 >

< Imag >

< Iaux > +

Reduced-order average model circuit of the proposed topology

II. POSSIBLE INDUCTOR + TRANSFORMER CONFIGURATIONS

Two series inductor + transformer

Classical transformer with very bad coupling

3. Series inductor + transformer: This strategy is an intermediate point between

Series inductor + transformer

Depending on the specification, one of these configurations or other possibilities can be

III. DESIGN METHODOLOGY OF THE PROPOSED SOLUTION

3 (Li x Fi) = cte

First stage (Equivalent Flayback) 4 → Li

6 Voltages and Currents calculation

Proposed design methodology

Proposed Topology Self Syn. Rec

Proposed Topology with Rectifier Diode

1.2 Sistema de alimentación en el sector de la automoción

1.3 Especificaciones de funcionamiento

1.4 Análisis preliminar de topologías candidatas

1.4.1 Reductor (Buck)

Figura 1-1: Reductor