Circuitos de Microodas (CMW)

Tema I: Introducción a los

circuitos de microondas

Mónica Fernández Barciela

Al contenido de esta asignatura han contribuido las siguientes personas:
Enrique Sánchez, Anselmo Seoane y Alejandro Rodríguez (Univ. Vigo) y Paul J. Tasker (Univ. Cardiff)

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 1

Asignatura Circuitos de Microondas
¿MICROWAVES IN COMMUNICATION
SYSTEMS?

Why microwaves?

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Electromagnetic Spectrum
Electromagnetic waves propagate in free space Periodic waves
c speed of light
 ( wavelength )  
f frequency
A few cm to 1 mm… to 10um

These waves are used as a vehicle to transmit information

MICROWAVES IN COMMUNICATION SYSTEMS 3
E-M Spectrum
Designación Frecuencia Longitud de
onda
Propagation in vacuum
Rayos gamma 300 - 30 EHz 1 - 10 pm c

HX (hard X-rays, rayos X duros) 30 - 3 EHz 10 - 100 pm f
SX (soft X-rays, rayos X blandos) 3 EHz - 30 PHz 100 pm - 10 nm
EUV (extreme ultraviolet, ultravioleta extremo) 30 PHz - 300 THz 10 nm - 1 µm
visible
Incluye el NUV (near ultraviolet, ultravioleta próximo) 
FIR (far infrared, infrarrojo lejano) 300 - 30 THz 1 - 10 µm
Incluye el MIR (mid infrared, infrarrojo medio)
NIR (near infrared, infrarrojo próximo) 30 THz - 300 GHz 10 - 100 µm Sub-milimeterwaves
EHF (extremely high frequency, frecuencia extremadamente alta) 300 - 30 GHz 1 mm - 1 cm Milimeterwaves
1 cm - 1 dm
SHF (super high frequency, super alta frecuencia) 30 - 3 GHz Microwaves
UHF (ultra high frequency, ultra alta frecuencia) 3 GHz - 300 MHz 1 dm - 1 m

VHF (very high frequency, frecuencia muy alta) 300 - 30 MHz 1 m - 1 dam

HF (high frequency, alta frecuencia) 30 - 3 MHz 1 dam - 1 hm

MF (medium frequency, frecuencia media) 3 MHz - 300 kHz 1 hm - 1 km

LF (low frequency, baja frecuencia) 300 - 30 kHz 1 - 10 km

VLF (very low frequency, frecuencia muy baja) 30 - 3 kHz 10 - 100 km

VF (voice frequency, frecuencia vocal) 3 kHz - 300 Hz 100 km - 1 Mm

ELF (extremely low frequency, frecuencia extremadamente baja) 300 - 30 Hz 1 - 10 Mm

E. Sánchez
Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación
Asignatura Circuitos de Microondas
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¿Por qué los modernos sistemas de
comunicaciones transmiten a frecuencias de
microondas (0.3 GHz a 30 GHz) y superiores?
Necesidad de más canales de comunicaciones
Necesidad de mayor ancho de banda
Necesidad de reducir las dimensiones de los equipos
Transceptores y antenas
Necesidad de comunicarnos con satélites y sondas
espaciales…
Problemas de implementación: a altas frecuencias el diseño de
transceptores es más complejo y crítico, el silicio
puede no ser un semiconductor adecuado, en el análisis de la
propagación de las señales ya no se pueden realizar las
simplificaciones habituales en circuitos de baja frecuencia, los
equipos de medida son muy complejos y costosos, …

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 5

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 Introducción
Un poco de historia del desarrollo de la tecnología “convencional” de microondas

Año Responsable Desarrollo

1864 J. C. Maxwell Teoría electromagnética

1884 O. Heaviside Reformulación de la teoría electromagnética. Ecs. telegrafista
1888 H. Hertz Demostración experimental existencia ondas electromagnéticas
1894 J. C. Bose Primera aplicación práctica de la teoría electromagnética
1897-1901 G. Marconi Desarrollo de la telegrafía sin hilos (vía radio, transm. trastlántica)
1920’s Albert Hull Invención del magnetrón (uso posterior en radar)
(“mw vacuum tube”, desplazamiento balístico e- en vacío bajo control
1931 E-M)
“Microwave Vacuum Tubes”:
dispositivos activos para 1937 R. y S. Varian Primera utilización del término microondas

amplificación y generación 1930-40’s Tizard Missión (UK), Invención del klystron (radar)
de las señales MIT Radiation Lab Desarrollo de la tecnología del radar (Ger, UK, EEUU)
Magnetrón, Klystron, 1953 C. H. Townes, J. P.
TWT… Gordon, H. J. Zeiger Desarrollo del primer máser (amp de microondas x emis. estim. rad)
1946 R. Dicke, R. Beringer
1943 R. Kompfner Primera utilización del término microondas en astronomía
1960 T. Maiman Desarrollo del primer TWT (transpondedor en satélites de com.)
Realización del primer láser (amp luz por emisión estimulada de rad.)

E. Sánchez
Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 6
Asignatura Circuitos de Microondas
• Posiblemente tengas en casa un magnetrón.
– ¿Dónde?

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 Introducción Año Responsable Desarrollo

Un poco de historia del

desarrollo de la
tecnología integrada de
microondas
1928-34 J. E. Lilienfeld, O. Heil Patentes sobre FETs
1938 W. H. Schottky Propuesta de diodo Schottky
1948 W. B. Shockley, J. Bardeen, Primer transistor de punta de contacto de Ge
W. H. Brattain Inicio de la tecnología de estado sólido (ctos. integrados)
1950 W. B. Shockley Primer transistor BJT
1952 W. B. Shockley, G. C. Dacey, Invención del J-FET
I. M. Ross
1952 D. D. Grieg, H. F. Engelmann Invención de la línea microstrip

Uso de semiconductores 1954 Industrial Development Primera radio de transistores

Engineering Associates
en la fabricación de 1954 G. K. Teal Primer transistor de Si
dispositivos activos y 1959 M. M. Atalla, E. Tannenbaum, Invención del MOSFET

circuitos E. J. Scheibner
1950´s H. Kroemer Desarrollo de HBTs, fabricación fin 80´s
1959-61 J. Kilby, R. Noyce Primer IC
1963 F. Wanlass Invención de la lógica CMOS.
1965 C. A. Lee, R. L. Batdorf, Desarrollo del diodo Read
W. Wiegman, G. Kaminsky
1965 R. L. Johnston, B. C. DeLoach, Desarrollo del diodo IMPATT
G. B. Cohen
1966 C. A. Mead Invención del MESFET
1975 R. Pengelly, J. Turner Primer MMIC
1980 T. Mimura Invención del MODFET (HEMT)

E. Sánchez
Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 8
Asignatura Circuitos de Microondas
Introduction
Note in Solid-State Technology
• There are many advantages of the Solid-State Technology:
reliability, ruggedness, size, performance and cost.
• In the 1960s a significant advancement in this technology boosted
amplifier development for power generation, control and
amplification. SSPA became a critical factor in reducing cost and size
of communication subsystems.
• Using Si substrates, made it possible to integrate both active and
passive components on the same substrate, thus the realization of
ICs and MMICs. The resulting circuits were could operate a reduced
supply voltages, thus leading to the development of handheld
equipment.

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 “Wireless” Applications
• Microwave Applications
– UHF-Broadcast 0.8 GHz
– Cordless Telephone 0.9/1.8 GHz
– Mobile Telephone 0.9/1.9 GHz 2.1
GHz
– GPS (Global Positioning System) 1.6 GHz
– Wireless LAN/BlueTooth 2.4, 5.2 GHz
– WiMax 2.5/3.5/5.9 GHz
– Satellite Television 11 - 12 GHz

• Millimetre-Wave Applications
– Links for PCN Networks 38 GHz
– Automotive Communications 63 - 64 GHz
– Collision Avoidance Radar 76-77 GHz
– Environmental Monitors 100-200 GHz

MICROWAVES IN COMMUNICATION SYSTEMS Slide 10

Introducción
Sistemas de Comunicación Actuales

Múltiples capas interconectadas:

•Dispositivos de estado sólido (transistores, diodos)
•Circuitos de Microondas (PA, LNA, antenas) MICs
•Circuitos Digitales de Control (Procesado de Señal)
•Control basado en software (Funcionalidad de la red)

Power
Transistor
Power Amplifier

Signal processing, Software layer

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Introducción
Transceptor inalámbrico
Downconverting
Mixer

LNA

or RF Switch
Duplexer
LO Backend
Electronics
BP Filter

PA

Diplexor: entrada & salida separadas en frec.

Conmutador RF: entrada & salida separadas en tiempo
Especificaciones: BW, f0, potencia, eficiencia (bajo consumo DC) & baja distorsión
MICs: Microwave Integrated Circuits

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Asignatura Circuitos de Microondas
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Introducción
Sistemas de Comunicación Actuales

• Aplicaciones de ondas submilimétricas- THz Applications

- Frequency above 300 GHz unallocated by the Federal Communications
Commission
- Strong atmosphere absorption
- Satellite-Satellite transmission (high bandwidth, small antennas), Wireless,
Sensing, etc.

Especificaciones para el transceptor de: mayor ancho de banda, mayor eficiencia, mayor
potencia y mayor linealidad han sido acompañadas de la demanda de menor coste,
productos más pequeños y ligeros, y con mayor funcionalidad.

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Asignatura Circuitos de Microondas
Introducción
Note on actual communication systems demands

Implementation of these applications entails providing a specific modulation

format and output power level. This makes it necessary to provide a unique design
solution for each component in a communication system, for effective usage in
transmitting/receiving technologies.

The demand for “greener” systems, places a demand on portability of devices as

well as an improved battery life, thus the drive for improved power efficiency does
not only come from the mobile handset market: base stations are also prone to
cost, efficiency and power requirements. There are similar constraints on military
and aerospace application whereby reliability, weight and size govern the design
of equipment. (Saini Thesis dissertation, 2013)

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 14

Asignatura Circuitos de Microondas
Transceptor inalámbrico
¿Y las prestaciones de potencia?
P transmisores AF (RF) P RF PAs

T (mw) teléfono celular Pcientos mW

BICMOS, MESFET 10 W, HBT SiGe y III-V (PAs) , PHEMTs (switch)
T (mmw) estación base P decenas W (LDMOS Si, HEMTs GaN)
T (mmw) enlace de microondas P 100 W
T (mmw) transmisor TV P >100 W
PHEMT (mult, switch, PA <3W/mm) y LDMOS (pot >30 W)
P receptores AF (RF) P RF LNAs

“When narrow-down, it is the RF Power Amplifier (RFPA) stage which governs how efficient and
portable the communication system is. For example, in the mobile handset industry, power
requirements of the low power amplifiers within the handset control how long the battery life is.
Maximising the output power as well as the DC-to-RF conversion (also called the efficiency) of the
RFPA is therefore paramount in designing such demanding wireless components.”
(Saini Thesis dissertation, 2013)
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Asignatura Circuitos de Microondas
 Introducción
Tecnología “convencional” de microondas
• Dispositivos activos: másers, tubos microondas (modo pulsado, MW)
Mw vacuum tubes
• Dispositivos pasivos: guías de onda, cables coaxiales
• Estaciones terrenas radar: guías rectangulares huecas
• Cable coax: telefonía, conex. antena-TV, TV por cable e internet…
• Principales características:
• Equipos voluminosos (necesidad de refrigeración)
• Frecuencias limitadas
• Potencias muy elevadas Kystron Amp: NEC 14 GHz, 3 kW, 40 Kg

• Aplicaciones: radar, comunicaciones vía satélite, medicina, hornos, corte de

materiales, fusión nuclear

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Introducción

Tecnología integrada de microondas

• Dispositivos activos: transistores (amp, osc), diodos (conv. frec.)
• Dispositivos pasivos: líneas planares; microstrip y coplanar (cable coax. o
guía, conexión con exterior)
• Principales características:
• Tamaño reducido (no necesitan refrigeración)
• Frecuencias elevadas (hasta THz)
• Potencias limitadas ( hasta aprox. 3 kW)
• Aplicaciones: sistemas de comunicación de datos (telefonía móvil, TV,
comunicaciones vía satélite…), WPANs, radares de corto alcance, exploración de
la atmósfera, radioastronomía (270 GHz, Amp HEMTs InP)

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HMICs-MMICs
• Derivados de los circuitos electrónicos convencionales
• Circuitos Híbridos (HMICs):
• Mayor tamaño (≈ cm2)
• Formados por dispositivos activos discretos encapsulados
• Líneas planares microstrip como elementos pasivos
• Sustrato plástico, cerámico…
• Circuitos Monolíticos (MMICs): Plessey 1975
• Tamaño reducido (≈ mm2)
• Dispositivos de estado sólido-semiconductores como elementos activos y
pasivos: transistores y diodos
• Líneas planares microstrip o coplanar de conexión y para elementos
pasivos
• Sustrato semiconductor

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 MMICs
Microwave Transistor HMIC vs MMICs
Versatilidad Mayor en HMICs
Ajuste tras fabricación Mayor en HMICs
Reproducibilidad Mayor en MMICs
Máxima frecuencia Mayor en MMICs
Ancho de banda Mayor en MMICs
Potencia entregada Mayor en HMICs
Coste Menor en MMICs
Tamaño y peso Menores en MMICs

Hewlett Packard 0.1-Micrometer Gate-Length AlInAs/GaInAs/GaAs MODFET MMIC Proccess

Transistor Layer structure

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MMICs: fabricación
De lingotes a circuitos integ.
http://www.youtube.com/w
atch?v=aWVywhzuHnQ

Lingotes
Semiconductor
monocristalino Obleas sin procesar Reactor Epitaxial MBE para crecimiento
h= 0.2-0.8 mm de capas semiconductoras

Cortesía del INL en Braga

Oblea procesada
en “foundry”
http://www.episerve.de/RIBER/riber_production_systems.htm
20
Summary of wafer processing for ICs
• Wafer cleaning
• Wafer Patterning through multiple (Mask) lithography/etch steps:
Dielectric film deposition, photoresist coating and baking, mask
alignment and UV exposure (lithography), photoresist development &
resist removal, dry-etch dielectric removal, wet-etch photoresist
removal.
– Lithography (e-beam-lit, optical UV or X)
– Etching (Wet and Dry (RIE))
Cortesía del INL en Braga
• Thin-film formation on the wafer by epitaxy (semiconductors: MOCVE, MBE) or
film deposition (dielectric or metal: CVD,PECVD,PVD-sputtering…)
• Semiconductor Layer Doping by thermal diffusion or ion implantation
• Wafer characterization by optical/electronic scanning.
• Wafer electrical characterization, dicing, bonding & packaging
Questions
• ¿How many mask/lithography steps or
layers do they need to process to obtain
the final IC?
• ¿Which semiconductor material are they
using to obtain the wafers?

• Note: processing wafers for analog

MMICs gets much more difficult than for
very low frequency analog ICs. In
conventional Silicon ICs it is used mainly
diffusion, while in GaAs, GaN MMICs it is
mainly used epitaxial growth.
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Asignatura Circuitos de Microondas
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Hewlett Packard 0.1-Micrometer Gate-Length AlInAs/GaInAs/GaAs
MODFET MMIC Process for Applications in High-Speed Wireless
Communications

http://www.hpl.hp.com/hpjournal/98feb/feb98a4.pdf

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 Microondas y Circuitos Analógicos
• Retos:
– Análisis y Diseño en Microondas:
• Los MMICs son caros. Conseguir reducir coste y mejorar eficiencia supone
elegir el tipo de transistor y la tecnología más adecuados.
• Un mismo circuito se puede fabricar en distintos sustratos y usando distintas
tecnologías de líneas de transmisión. ¿Cuál elegir?
• Hay muchos tipos de transistores y diodos. Cada uno es adecuado para trabajar
en una determinada banda de frecuencias, potencia y niveles de ruido. ¿Cuál
elegir?
• Un mismo tipo de transistor se puede muchas veces fabricar con distintos
semiconductores, originando prestaciones distintas, por ello se eligen distintos
sustratos para MMICs. ¿Cuál elegir?
• No siempre nuestro transceptor es implementable con la tecnología disponible
El diseñador de MICs tiene que dedicar tanto tiempo a evaluar el tipo de tecnología óptimo
(sustrato y transistores) para su aplicación, como a realizar el diseño en el simulador de circuitos.
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Asignatura Circuitos de Microondas
24
¿Qué tecnología usar en MICs?

III-Vs: GaAs, InP, GaN, InGaP, InGaAs, AsIn… (compound semic.)

IVs: Si (Silicon), SiGe, SiC

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 25

Asignatura Circuitos de Microondas
¿Qué tecnología usar?
Los sistemas de radio actuales a menudo requieren decenas, centenas ,o incluso
miles de vatios (W) de potencia transmitida para que el sistema funcione
adecuadamente.

Un W de potencia RF es consecuencia de la corriente y el voltaje de las señales, y

de la eficiencia del circuito, de forma que los requisitos de alta potencia implican
alto voltaje, alta corriente y elevada eficiencia.

Alta potencia & frec: SiC, GaN

Alta potencia & baja frec: Si (LDMOS)

From RF & Microwave Circuits, Measurements and Modelling, M. Golio.

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Asignatura Circuitos de Microondas
¿Qué tecnología usar?
Ejemplo: Collision avoidance radar 77 GHz/ 81 GHz

VCO
VCO x MPA Switch LNA Mix
InGaP HBT pHEMT pHEMT VPIN pHEMT HBT

Frec >80 GHz

Metamorphic HEMT (MHEMT) GaAs o HEMT InP
Frec >100 GHz obtención imágenes radiométricas
MHEMT LNA (ft= 172 GHz, fmax> 300 GHz)

¿Y el Silicio?
Se usa siempre que se pueda.
En general, rango de bajas frecuencias de microondas.

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación 27

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¿Qué representa la siguiente gráfica?

¿?

http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-ECSE-6290%20SDM-2/1%20Semiconductor%20heterostructures.pdf

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Asignatura Circuitos de Microondas
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Otra similar donde aparece el Silicio y
algo más…

https://ccnet.stanford.edu/cgi-bin/course.cgi?cc=ee243&action=handout_download&handout_id=ID132677927330268

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Transmisión mediante onda guiada

Una estructura “guíaondas” es aquella que lleva una

señal (o potencia) desde un punto a otro.
Hay tres tipos:
• Líneas de transmisión oTransmission lines
• Guías de fibra óptica o Fiber-optic guides
• Guías de onda o Waveguides

Una alternativa a la transmisión por soporte físico o mediante onda

guiada es la transmisión inalámbrica utilizando antenas.

30
 Línea de Transmisión
Propiedades
• Dos conductores separados por un dieléctrico
• En teoría, podría propagar una señal de cualquier frecuencia
• Presenta pérdidas a frecuencias elevadas
• Puede manejar potencias bajas y moderadas
• Podría ser inmune a interferencias
• No presenta componentes en la dirección de propagación, Ez or Hz

Cable coaxial

31
 Línea de Transmisión
Líneas de transmisión planares en circuitos integrados (MICs)

Conductor
(metálico)

Plano de tierra (“Ground”, GND)

(metálico)
Línea Coplanar
Coplanar waveguide (CPW)
Stripline w

er
h er h
w

32
HMICs y MMICs: Tecnología Microstrip
X-band time division duplex (TDD) MMIC transceiver
Sudow et al.

33
 MMICs: Tecnología Coplanar

http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1517002
94 GHz (W-band) power amplifier MMICs for use in high-resolution
synthetic aperture radar (SAR) systems (A. Tessmann et al., IAF)

Esta tecnología se utiliza a más altas frecuencias que la

Microstrip, reduce acoplamiento entre líneas próximas,
permite mayor empaquetamiento del circuito,o sea,
reduce dimensiones MMIC y, por lo tanto, coste.
Con o sin Plano de tierra
(metálico) 34