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11.0-Transistor BJT
11.0-Transistor BJT
Ic = ß * Ib
Transistores bipolares
• Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que
Ic, sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro
caso sale de él, o viceversa.
Transistores bipolares
La capa asociada al terminal Base posee un ligero nivel de impurezas, lo que indica que
tiene una alta resistencia para los portadores mayoritarios
Polarización de las uniones en
un transistor BJT PNP
Unión E B
Unión B C
Conducción de corriente.
• IE = IB + IC
Polarización de las uniones
en un transistor BJT NPN
Relación entre las
corrientes BJT
Configuración del BJT como
amplificador de señales
Configuración del BJT como
amplificador de señales
Configuración de base común
Transistor PNP
En este caso un cristal N está situado entre dos
cristales P. La flecha en el transistor PNP está en el
terminal del emisor y apunta en la dirección en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
Transistor Bipolar o BJT (Bipolar Junction
Transistor) : APLICACIONES
Transistor Bipolar o BJT (Bipolar Junction
Transistor) : APLICACIONES
Transistor Bipolar o BJT (Bipolar Junction
Transistor) : APLICACIONES
Transistor DARLINGTON
➢ La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el
ingeniero de los Laboratorios Bell, Sidney Darlington quien solicitó la patente el 9 de mayo de
1952.1La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea
de poner un número arbitrario de transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.
Transistor DARLINGTON
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de
corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales
en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los
transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.
La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para
transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington se halla
multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la
intensidad de la base por la beta total.
Muchas Gracias