ESCUELA MILITAR DE INGENIERÍA

MCAL. ANTONIO JOSÉ DE SUCRE

“BOLIVIA”

NOMBRES:
JORGE FABRICIO CONDE GUTIERREZ
DOCENTE:
ING.MSc. RAFAEL EDUARDO PAZ CASTELLON
MATERIA:
COMUNICACIONES OPTICAS
TEMA:
TRABAJO DE INVESTIGACION
SEMESTRE:
7° SEMESTRE
CARRERA:
ING.TELECOMUNICACIONES
GESTION:
II/2020
¿Qué es Gap en los leds?

El fosfuro de galio ( Ga P ), un fosfuro de galio , es un material

semiconductor compuesto con un intervalo de banda indirecto de 2,24 eV a
temperatura ambiente. El material policristalino impuro tiene la apariencia de
piezas de color naranja pálido o grisáceo. Los cristales individuales sin dopar
son de color naranja, pero las obleas fuertemente dopadas aparecen más
oscuras debido a la absorción del portador libre. Es inodoro e insoluble en
agua.  
GaP tiene una microdureza de 9450 N / mm 2 , una temperatura de Debye de
446 K (173 ° C) y un coeficiente de expansión térmica de 5.3 × 10 - 6 K −1 a
temperatura ambiente. El azufre , el silicio o el teluro se usan
como dopantes para producir semiconductores de tipo n . El zinc se usa como
un dopante para el semiconductor tipo p .
El fosfuro de galio tiene aplicaciones en sistemas ópticos. Su constante
dieléctrica estática es 11.1 a temperatura ambiente. Su índice de
refracción varía entre ~ 3.2 y 5.0 en todo el rango visible, que es más alto que
en la mayoría de los otros materiales semiconductores.
Diodos emisores de luz
El fosfuro de galio se ha utilizado en la fabricación de diodos emisores de
luz (LED) rojos, naranjas y verdes de bajo costo con brillo bajo a medio desde
la década de 1960. Se usa de forma independiente o junto con fosfuro de
arseniuro de galio .
Los LED de GaP puro emiten luz verde a una longitud de onda de 555
nm. La GaP impregnada de nitrógeno emite luz verde-amarilla (565 nm),
la GaP impurificada con óxido de zinc emite rojo (700 nm).
El fosfuro de galio es transparente para la luz amarilla y roja, por lo tanto, los
LED GaAsP-on-GaP son más eficientes que los GaAsP-on- GaAs.

 Led Rojo

Formado por GaP consiste en una unión p-n obtenida por el método de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato.
La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un
complejo de ZnO, cuya máxima concentración está limitada, por lo que su
luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de Led
funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad,
utilizándose como dispositivo de visualización en equipos portátiles.

El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusión de Zn

durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de
GaAs, por el método de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los Led de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El máximo de radiación se halla en la longitud de onda 660 nm. 
  Led anaranjado y amarillo

Están compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero en este
caso para conseguir luz anaranjada y amarilla así como luz de longitud de onda
más pequeña, lo que hacemos es ampliar el ancho de la “banda prohibida”
mediante el aumento de fósforo en el semiconductor.
Su fabricación es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento
epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formación de la unión p-n se realiza por
difusión de Zn.
Como novedad importante en estos Leds se mezcla el área emisora con una
trampa isoelectrónica de nitrógeno con el fin de mejorar el rendimiento
 

 Led Verde

El Led verde está compuesto por GaP. Se utiliza el método de crecimiento

epitaxial del cristal en fase líquida para formar la unión p-n.
Al igual que los Leds amarillos, también se utiliza una trampa isoelectrónica de
nitrógeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de Led posee
una baja probabilidad de transición fotónica, es importante mejorar la
cristalinidad de la capa n.  La disminución de impurezas a larga la vida de los
portadores, mejorando la cristalinidad.
Su máxima emisión se consigue en la longitud de onda 555 nm
Crecimiento cristalino
A temperaturas superiores a ~ 900 ° C, el fosfuro de galio se disocia y el
fósforo escapa como un gas. En el crecimiento de cristales a partir de una
fusión de 1500 ° C (para obleas LED), esto debe evitarse manteniendo el
fósforo con una capa de óxido bórico fundido a una presión de gas inerte de 10
a 100 atmósferas. El proceso se llama crecimiento de Czochralski encapsulado
en líquido (LEC), una elaboración del proceso de Czochralski utilizado para
obleas de silicio.

BIBLIOGRAFIA

Wilson, Dalziel J .; Schneider, Katharina; Hönl, Simon; Anderson,

Miles; Baumgartner, Yannick; Czornomaz, Lukas; Kippenberg, Tobias
J .; Seidler, Paul (enero de 2020). "Fotónica no lineal de fosfuro de galio
integrado" . Nature Photonics . 14 (1): 57–62. doi : 10.1038 / s41566-019-
0537-9 . ISSN   1749-4893 .

Cambiasso, Javier; Grinblat, Gustavo; Li, Yi; Rakovich, Aliaksandra; Cortés,

Emiliano; Maier, Stefan A. (08/02/2017). "Cerrar la brecha entre la
nanofotónica dieléctrica y el régimen visible con antenas de fosfuro de galio sin
pérdida efectiva" . Nano Letters . 17 (2): 1219–1225. doi : 10.1021 /
acs.nanolett.6b05026 . ISSN   1530-6984

 
Constante de PLANCK
En el año 1901, el físico alemán Max Planck afirmó que sólo era posible
describir la radiación del cuerpo negro con una fórmula matemática que
correspondiera con las medidas experimentales, si se aceptaba la suposición
de que la materia sólo puede tener estados de energía discretos y no
continuos.
Esto quiere decir que ciertas propiedades físicas sólo toman valores múltiplos
de valores fijos en vez de un espectro continuo de valores.

La "constante de Planck", desempeña un papel central en la teoría de

la mecánica cuántica y recibe su nombre de su descubridor, Max Planck, uno
de los padres de dicha teoría. Expresada como  , es la constante física que
frecuentemente se define como el cuanto elemental de acción. Inicialmente
Planck la denominaría precisamente "cuanto de acción" . Fue inicialmente
propuesta como la constante de proporcionalidad entre la energía   de
un fotón y la frecuencia   de su onda electromagnética asociada. Esta relación
entre la energía y la frecuencia se denomina "relación de Planck":

Dado que la frecuencia  , la longitud de onda  , y la velocidad de la luz   

cumplen   , la relación de Planck se puede expresar como:

Otra ecuación fundamental en la que interviene la constante de Planck es la

que relaciona el momento lineal   de una partícula con la longitud de onda de
de Broglie λ de la misma:

En aplicaciones donde la frecuencia viene expresada en términos de radianes

por segundo o frecuencia angular, es útil incluir el factor 2π dentro de la
constante de Planck. La constante resultante, "constante de Planck reducida" o
"constante de Dirac" , se expresa como ħ ("h-bar"):
De esta forma la energía de un fotón con frecuencia angular ω, donde ω = 2πf,
se podrá expresar como

Por otro lado, la constante de Planck reducida es el cuanto del momento

angular en mecánica cuántica. Los valores que puede tomar el momento
angular orbital , de spin o total, son múltiplos enteros o semienteros de la
constante reducida. Así, si   es el momento angular total de un sistema
con invariancia rotacional y   es el momento angular del sistema medido
sobre una dirección cualquiera, por ejemplo la del eje z, estas cantidades sólo
pueden tomar los valores: