3.

4 Polarización con divisor de voltaje

En las configuraciones polarizadas precedentes, la comente de polarización ICQ y del
voltaje Vceq eran una función de la ganancia de corriente (β ) del transistor. Sin embargo,
ya que β es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor
real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar un circuito de
polarización menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La
configuración de polarización con divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red de ese tipo.
Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante
pequeña. Si los parámetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes
de ICQ y vCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde, de las
discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de ICQ y VCEQ, como se
ilustra en la figura 4.26. El nivel de IBQ se modificará con el cambio en beta, pero el punto
de operación sobre las características, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si
se utilizan los parámetros apropiados del circuito.
Como se observó anteriormente, existen dos métodos que se pueden aplicar al análisis de la
configuración con divisor de voltaje. La razón para la elección de los nombres para esta
configuración se hará evidente en cuanto avancemos en los análisis siguientes. El primero
que se demostrará es el método exacto que puede aplicarse a cualquier configuración con
divisor de voltaje. El segundo se denominará como método aproximado, y puede aplicarse
sólo si se satisfacen ciertas condiciones especificas. El enfoque aproximado permite un
análisis más directo con un ahorro en tiempo y energía. Es también particularmente útil en
el modo de diseño que se describirá en una sección posterior. Sobre todo, el enfoque
aproximado puede aplicarse a la mayoría de las situaciones; por ello, debe examinarse con
el mismo interés que el método exacto.

Figura 4.25 Configuración de polarización con divisor de voltaje.

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Figura 4.26 Definición del punto Q para la configuración de polarización con divisor
de voltaje.
Análisis exacto
La parte de entrada de la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar, como se muestra en
la figura 4.27, para el análisis de cd. La red de Thevenin equivalente para la red a la
izquierda de la terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera:
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en
la figura 4.28.
RTh = R1// R2
ETh: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thevenin del circuito
abierto de la figura 4.29 se determina como sigue: Aplicando la regla del divisor de voltaje:
ETh = VR2 = R2.VCC / (R1 + R2)
La red Thevenin se vuelve a dibujar entonces, como se ilustra en la figura 4.30,e IBQ se
puede determinar al aplicar en primer lugar la ley de voltaje de Kirchoff en dirección de las
manecillas del reloj para la malla indicada:
ETh - IBRTh - VBE -IERE = 0

Sustituyendo IE = (β + 1)IB y resolviendo IB, llegamos a

Aunque inicialmente la ecuación (4.30) parece distinta de las desarrolladas con

anterioridad, nótese que el numerador es de nueva cuenta una diferencia de dos niveles de

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voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de base más el resistor de emisor
reflejado por (β + 1), en verdad muy parecido a la ecuación (4.17).
Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse del mismo
modo que se hizo para la configuración polarizada de emisor. Esto es:
VCE = VCC - IC(RC + RE)
que es exactamente igual que la ecuación (4.19). Las ecuaciones restantes para VE, VC y
VB son también las mismas que se obtuvieron para la configuración polarizada de emisor.

Figura 4.27 Detalle del extremo de entrada para la red de la figura 4.25

Figura 4.28 Determinación de RTh

Figura 4.29 Determinación de ETh

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Figura 4.30 Inserción del circuito equivalente de Thevenin

Análisis aproximado
La sección de entrada de la configuración con divisor de voltaje puede representarse por
medio de la red de la figura 4.32. La resistencia R¡ es la resistencia equivalente entre base y
tierra para el transistor con un resistor de emisor RE. Recuerde que la resistencia reflejada
entre la base y el emisor se define por Ri = (β + 1) RE, Si Ri es mucho mayor que la
resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la
trayectoria de menor resistencia) e I2 será aproximadamente igual a I1. Si aceptamos la
aproximación de que IB es de 0 amperios comparada con I1 o I2 entonces I1 = I2 y R1 y R2
pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a través de R2, que es en realidad el
voltaje de base, puede determinarse por medio de la regla del divisor de voltaje (y de aquí
proviene el nombre para la configuración). Es decir,
VB = R2. VCC / (R1 + R2)

Puesto que R1 = ( β+ 1) RE = β RE la condición que definirá si el enfoque aproximado

puede aplicarse será la siguiente:

β RE ≥ 10 R2
En otras palabras, si el valor de beta multiplicado por RE es al menos 10 veces el valor de
R2, el enfoque aproximado puede aplicarse con un alto grado de precisión. Una vez que se
determina VB, el nivel de VE se puede calcular a partir de
VE = VB - VBE
y la comente de emisor se puede determinar a partir de
IE = VE / RE

ICQ ≈ IE
El voltaje de colector a emisor se determina por
VCE = VCC - ICRC - IERE
pero, ya que IE = IC,
VCEQ = VCC - IC(RC + RE)

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