SEMICONDUCTORES ELECTRONICA Y ELECTRICIDAD MARTES 14 DE SETIEMBRE 2021

1.- ¿Qué es un semiconductor?

2.- ¿Cuál es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y uno extrínseco?

3.- ¿Qué es una corriente de huecos?

4.- ¿A qué se llaman portadores minoritarios?

5.- ¿Qué tipo de estructura electrónica y atómica tiene el Silicio?

6.- ¿Qué es la banda prohibida en un semiconductor?

7.- ¿Qué ventajas tiene el Silicio sobre los demás semiconductores?

8.- ¿Qué son las bandas de energía?

Los niveles de energía de los electrones en los átomos de un cristal no coinciden con los
niveles de energía de los electrones para átomos aislados. En un gas, por ejemplo, se pueden
despreciar las interacciones de unos átomos con otros y los niveles de energía no se ven
modificados. Sin embargo, en un cristal el campo eléctrico producido por los electrones de los
átomos vecinos modifica los niveles energéticos de los electrones de los átomos de sus
alrededores.

Separación en bandas de los niveles energéticos en el carbono De este modo el cristal se

transforma en un sistema electrónico que obedece al principio de exclusión de Pauli, que
imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo estado, transformándose los niveles
discretos de energía en bandas de energía donde la separación entre niveles energéticos se
hace muy pequeña. La diferencia de energía máxima y mínima es variable dependiendo de la
distancia entre átomos y de su configuración electrónica.

Dependiendo de la distancia interatómica y del número de electrones de enlace entre otros

factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacías o
separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas prohibidas, formándose así bandas
de valencia, bandas de conducción y bandas prohibidas.
9.- Describa a un semiconductor N y a un semiconductor P

SEMICONDUCTORES DE TIPO N

extrínseco - semiconductor dopado - tipo n – donante. Un semiconductor extrínseco que ha

sido dopado con átomos donadores de electrones se llama semiconductor de tipo n, porque la
mayoría de los portadores de carga en el cristal son electrones negativos. Como el silicio es un
elemento tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro
electrones de valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos del grupo III
y del grupo V. Los elementos del grupo V (pentavalente) tienen cinco electrones de valencia, lo
que les permite actuar como donantes. Eso significa que la adición de estas impurezas
pentavalentes como el arsénico, el antimonio o el fósforo contribuye a la formación de
electrones libres, lo que aumenta en gran medida la conductividad del semiconductor
intrínseco. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor
de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un
semiconductor de tipo n.

Los electrones de conducción están completamente dominados por la cantidad de electrones

donadores. Por lo tanto:

El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al número de sitios

donantes, n≈N D .

La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los sitios donantes
excitados equilibran los electrones de conducción. El resultado neto es que el número de
electrones de conducción aumenta, mientras que el número de agujeros se reduce. El
desequilibrio de la concentración de portadores en las bandas respectivas se expresa por el
número absoluto diferente de electrones y agujeros. Los electrones son portadores
mayoritarios, mientras que los agujeros son portadores minoritarios en material de tipo n.

SEMICONDUCTORES TIPO P

extrínseco - semiconductor dopado - tipo p – aceptador. Un semiconductor extrínseco que ha

sido dopado con átomos aceptores de electrones se llama semiconductor de tipo p, porque la
mayoría de los portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de
carga positiva). El silicio semiconductor puro es un elemento tetravalente, la estructura
cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia. En el silicio,
los dopantes más comunes son los elementos del grupo III y del grupo V. Los elementos del
grupo III (trivalentes) contienen tres electrones de valencia, lo que hace que funcionen como
aceptores cuando se usan para dopar silicio. Cuando un átomo aceptor reemplaza un átomo
de silicio tetravalente en el cristal, se crea un estado vacante (un agujero de electrones). Un
agujero de electrones (a menudo simplemente llamado agujero) es la falta de un electrón en
una posición en la que uno pudiera existir en un átomo o en una red atómica. Es uno de los
dos tipos de portadores de carga que son responsables de crear corriente eléctrica en
materiales semiconductores. Estos agujeros cargados positivamente pueden moverse de un
átomo a otro en materiales semiconductores a medida que los electrones abandonan sus
posiciones. La adición de impurezas trivalentes como boro, aluminio o galio. A un
semiconductor intrínseco crea estos agujeros de electrones positivos en la estructura. Por
ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p,
mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de
tipo n.
El número de agujeros de electrones está completamente dominado por el número de sitios
aceptores. Por lo tanto:

El número total de orificios es aproximadamente igual al número de sitios donantes, p ≈ N A .

10.- ¿Qué es la zona de agotamiento en una unión PN?

Las uniones P-N se forman mediante la unión de materiales semiconductores tipo n y de tipo
p. Puesto que la región de tipo n tiene una concentración de electrones alta y la de tipo p tiene
una concentración alta de agujeros, los electrones se transportarán desde el lado de tipo n
hasta el lado de tipo p. Del mismo modo lo hará el flujo de huecos por difusión desde el lado
de tipo p hasta el lado de tipo n. Si no tuvieran carga los electrones y los huecos, este proceso
de difusión continuaría hasta que la concentración de electrones y agujeros en los dos lados
fueran los mismos, como sucede cuando dos gases entran en contacto unos con otros. Sin
embargo, en una unión pn, cuando los electrones y los huecos se mueven hacia el otro lado de
la unión, dejan atrás las cargas expuestas en los sitios de átomos dopantes, que están fijados
en la red cristalina y son incapaces de moverse. En el lado de tipo n, núcleos de iones positivos
están expuestos. En el lado de tipo p, los núcleos de iones negativos están expuestos. Se forma
un campo eléctrico E entre los núcleos positivos en el material de tipo n y núcleos negativos en
el material de tipo p. Esta región es llamada la "región de agotamiento", ya que el campo
eléctrico transporta fuera rápidamente portadores libres, por lo tanto, la región se agota de
portadores libres. Un "potencial de contacto” Vbi se forma en la unión debido a E.

12.- ¿Qué es la barrera de potencial una unión PN?

Es la barrera en la que la carga requiere fuerza adicional para cruzar la región. En otras
palabras, la barrera en la cual el portador de carga se detuvo por la fuerza obstructiva se
conoce como la barrera potencial.

13.- ¿Por qué no hay conducción de corriente cuando se polariza inversamente un diodo?

En polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón libre tiene que subir una
barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no hay
conducción de electrones libres o huecos, no hay corriente.

14.- ¿Cuál es el mecanismo de conducción de corriente en polarización directa de un diodo?

Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. El polo negativo de la batería repele los
electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.

15.- Describa los principales parámetros eléctricos de un diodo.

Parámetros en bloqueo

Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo
de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.

Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo
puede destruirse o degradar las características del mismo.

Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.

Parámetros en conducción

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos

sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una
duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).

Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una
vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conducción.

Cuando en un material semiconductor, se introduce una impureza con 3 valencias...

. Se consiguen semiconductores de tipo N, con menos electrones libres

. Se consiguen semiconductores de tipo P, con menos electrones libres

. Se consiguen semiconductores de tipo P, con más electrones libres

Un hueco:

. Transporta la carga en el mismo sentido que la corriente

. Transporta la carga en sentido contrario a la corriente

. No transporta carga

Si en un cristal semiconductor ponemos en una parte impurezas receptoras y en el otro

portadoras, ¿Que se crea?

. Un diodo

. La concentración de la carga portadora

. Una difusión
¿Como se le conoce al entorno en el que se crean los electrones libres?

. Burbuja electrónica

. Gas electrónico

. Gas neutro

¿Cuáles son los semiconductores más utilizados?

. Silicio, germanio, galio

. Metal, wolframio, plomo

. Silicio, metal, helio

¿Como pueden ser las impurezas que se crean en un semiconductor?

. De valencia 3 y 5

. De valencia 2 y 7

. De valencia 1 y 2

Los electrones de dentro del metal...

. Se pueden mover libremente

. No se pueden mover sin calor

. No se pueden mover de ninguna manera

¿Como se mueven los electrones en los aislantes?

. Libre

. No se mueven

. Ninguna de las dos

¿Cuál de estas es verdad?

 . En un conductor intrínseco, el número de huecos y de electrones libres es el mismo

. En un conductor intrínseco, el número de huecos es mayor que los electrones libres

¿Los materiales aislantes, son semiconductores?

. Si

. No

. Según la temperatura, a partir de 0 kelvin si

¿Qué carga tienen los semiconductores de tipo N?

. Positiva

. Negativa

. Neutro

¿Qué se puede construir con 3 cristales de carga distinta?

. Un diodo túnel

. Un transistor

. Un diodo Zener de 3 patas

¿Para qué se dopan los materiales, es decir, para que se transforman los cristales de tipo P o
N?

. Para que funcionen mejor con temperaturas altas

. Para que la cantidad de carga libre de los semiconductores aumente y así se vuelvan más
aislantes

. Para que la cantidad de carga libre de los semiconductores aumente y así sean más
conductores

¿A que nos referimos con difusión?

. A la posición que cogen los huecos P en el espacio

 . A la posición que cogen los electrones N en el espacio

. Las dos anteriores

¿Contienen electrones en la banda de conducción los complementos aislantes?

. Si

. No

. Si, y por eso se utilizan cables aislantes como conductores