UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

CURSO: CIRCUITOS DE RADIOCOMUNICACION

TEMA: AMPLIFICADORES SINTONIZADOS

PROFESOR: ING. LUIS LEONCIO FIGUEROA SANTOS

INTEGRANTES:
CHERO OLAZABAL DIEGO ALEXANDER 1513210153
INFANTES HUACANCA MICHAEL JUNIOR 1513220575
OLARTE QUISPE BRYAN 1513220449
PECHE MECHATO JOSE ANTHONY 1613225454
PEREZ PIMENTEL FREDY NICOLSON 1423225761
ROMUALDO LAZARO GRACE 1613225301

CICLO: 2020 A
BELLAVISTA – CALLAO
2020
 Ejercicios resueltos

P1: (Pág. 59)- Partiendo del Circuitos de la Figura 38 y considerando Rs = 56 kΩ,

R2= 8.2 kΩ, RE= 1.5 kΩ, β= 90, ro= 100 kΩ y Vcc = 22 V., calcular:
a) El Valor de la capacitancia C requerida para una frecuencia de resonancia
de 10 Mhz si la inductancia es de 40 µH y tiene una QL de 75.
b) El factor de calidad efectivo del circuito, Qeff.
c) El ancho de banda BW.
d) El voltaje Vout de salida cuando se le aplica una señal de entrada Vin de 5
mV.

SOLUCION
a) De la ecuación para calcular la frecuencia de resonancia:
1
fo 
2 LC
Y teniendo el valor de la inductancia y la frecuencia de resonancia, podemos
despejar el valor de la capacitancia:
1 1
C  2  6.3325 pF
4 L. f o 4 (40uH ).(10 MHz )
2

C  6.3325 pF

b) Primero debemos obtener la resistencia de pérdidas del inductor

R p  0 LQL  2 (10 MHz )(40uF ).(75)  188.49 K 

R p  188.49 K 
Luego obtener la resistencia equivalente en paralelo, 𝑅𝑠ℎ

(188.49 K  *100 K )
Rsh  R p || r0   65.33K 
(188.49 K   100 K )
Rsh  65.33K 
Ahora sí, podemos calcular 𝑄𝑒𝑓𝑓.

Rsh 65.33K 
Qeff    25.99
0 L 2 .(10 MHz ).(40uH )
Qeff  25.99

c) Para obtener el ancho de banda BW

 f0
BW 
Qeff
10 MHz
BW   384.76 KHz
25.99
BW  384.76 KHz

d) Debido a que estamos trabajando a frecuencia de resonancia, usaremos la

fórmula de ganancia de voltaje en frecuencia de resonancia:

  Rsh
Ares 
r  rx  Rg

Siendo r el equivalente a  re , rx la resistencia interna del transistor y Rg la

resistencia del generador, la cual en este caso es igual a cero.
Calculando re :
Por divisor de tensión tenemos que el voltaje en base:
R2 8.2 K 
VB  Vcc  .22  2.8v
R1  R2 8.2 K   56 K 
Sabiendo que la diferencia de potencial entre base y colector es 0.7volts:
VBE  VB  VE  0.7
VE  VB  0.7  2.1v

Entonces:
VE  I E .RE  2.1v
I E .RE  2.1v
2.1v
IE   1.406mA
1.5K 

Se sabe que:
25mV 25mV
re    17.78
IE 1.406mA

Calculando r :

r    re  90 *17.78  1.6 K 

Ahora que ya tenemos todos los valores necesarios, podemos calcular la

ganancia de voltaje:
   Rsh 90 * 65.33K 
Ares    57.87
r  rx 1.6 K   100 K 

Vout  57.87 * Vin  57.87 * 5mV  0.289V

P1: (Pág. 59)- Partiendo del Circuitos de la Figura 38 y considerando Rs = 56 kΩ,

R2= 8.2 kΩ, RE= 1.5 kΩ, β= 90, ro= 100 kΩ y Vcc = 22 V., calcular:
e) El Valor de la capacitancia C requerida para una frecuencia de resonancia
de 10 Mhz si la inductancia es de 40 µH y tiene una QL de 75.
f) El factor de calidad efectivo del circuito, Qeff.
g) El ancho de banda BW.
h) El voltaje Vout de salida cuando se le aplica una señal de entrada Vin de 5
mV.

SOLUCION
e) De la ecuación para calcular la frecuencia de resonancia:
1
fo 
2 LC
Y teniendo el valor de la inductancia y la frecuencia de resonancia, podemos
despejar el valor de la capacitancia:
1 1
C   6.3325 pF
4 L. f o 4 (40uH ).(10 MHz )
2 2

C  6.3325 pF

f) Primero debemos obtener la resistencia de pérdidas del inductor

R p  0 LQL  2 (10 MHz )(40uF ).(75)  188.49 K 

R p  188.49 K 
Luego obtener la resistencia equivalente en paralelo, 𝑅𝑠ℎ

(188.49 K  *100 K )
Rsh  R p || r0   65.33K 
(188.49 K   100 K )
Rsh  65.33K 
Ahora sí, podemos calcular 𝑄𝑒𝑓𝑓.

Rsh 65.33K 
Qeff    25.99
0 L 2 .(10 MHz ).(40uH )
Qeff  25.99
g) Para obtener el ancho de banda BW
f0
BW 
Qeff
10 MHz
BW   384.76 KHz
25.99
BW  384.76 KHz

h) Debido a que estamos trabajando a frecuencia de resonancia, usaremos la

fórmula de ganancia de voltaje en frecuencia de resonancia:

  Rsh
Ares 
r  rx  Rg

Siendo r el equivalente a  re , rx la resistencia interna del transistor y Rg la

resistencia del generador, la cual en este caso es igual a cero.
Calculando re :
Por divisor de tensión tenemos que el voltaje en base:
R2 8.2 K 
VB  Vcc  .22  2.8v
R1  R2 8.2 K   56 K 
Sabiendo que la diferencia de potencial entre base y colector es 0.7volts:
VBE  VB  VE  0.7
VE  VB  0.7  2.1v

Entonces:
VE  I E .RE  2.1v
I E .RE  2.1v
2.1v
IE   1.406mA
1.5K 

Se sabe que:
25mV 25mV
re    17.78
IE 1.406mA

Calculando r :

r    re  90 *17.78  1.6 K 

Ahora que ya tenemos todos los valores necesarios, podemos calcular la

ganancia de voltaje:
   Rsh 90 * 65.33K 
Ares    57.87
r  rx 1.6 K   100 K 

Vout  57.87 * Vin  57.87 * 5mV  0.289V

P3: (Pág. 66). Basado en el siguiente diseño (Ver Fig. 42), calcule los valores de R1,
R2, C1 y C2 para la correcta polarización del circuito. Considere Vcc = 15V.
Asimismo Calcule los valores necesarios del capacitor e inductor necesarios para
obtener las siguientes frecuencias:
Desarrollo:
Para este ítem, utilizaremos la hoja de datos de la empresa ISI Inductors. (Disponible
en: http://www.ing.unp.edu.ar/electronica/asignaturas/ee016/anexo/l-
inductorsupply.pdf)

Trabajaremos con el inductor LCH1816-471K, cuyos parámetros de interés son:

L  470  H
Q  10
Rs  4.55

Desarrollando:
 R p  Q   2  f o   L 
R p  10   2  2.7 MHz    470 10 6 
R p  80k 
1 1
C    7.39 10 12 F
o  L
2
 2  2.7 MHz    470 10 
6

C  7.39 pF
 Rp 
 R   20k  
E 4
 R  64 R  1280k  
 1 E 
 R2  11RE  220k  
 
 R p  4 RE  80k  

Hallamos el Ancho de banda:

f 2.7 MHz
BW  o   270kHz
Q 10
Entonces, el límite inferior:
270k
f L  2.7 M 
2
f L  2565000 Hz
f L  2.5MHz

Según el libro Electrónica Básica para Ingenieros de Gustavo A. Ruiz Robredo, el

condensador conectado al emisor se escoge según la siguiente fórmula:
1 1
C E  C2  
L RCE 2 f L RCE

Y el condensador C1 :
10
C1 
L RC1
Donde:
r  R1 R2
RCE  RE
 1
Y:
RC1  R1 R2 r
RCE RC1
Para hallar y necesitamos los parámetros híbridos del transistor:
 26mV 15
re  , I E  IC   0.075mA
IE 2  R p  RE 
26mV
 re   346.6
0.075mA
Para hallar el parámetro híbrido r , utilizamos la equivalencia encontrada en el libro de
Boylestad y Nashelsky.
r  hie    re
r  110.346
r  38133.3
Entonces:
38133.3  1280k 220k
 RCE  20k
110  1
38133.3  187.7 K
RCE  20k
111
RCE  20k  2034.53
RCE  1846.674
 RC1  R1 R2 r
RC1  1280k 220k 38133.3
RC1  1280k 32499.9
RC1  31695.14
Ahora podemos hallar el valor de los capacitores restantes:

1
 C E  C2 
2  2.5MHz 1846.674
C2  34.4 pF
10
 C1 
2  2.5MHz  31695.14
C1  20 pF
Resultados:
 R1  1280k  
 R  220k  
 2 
C1  20 pF 
 
C2  34.4 pF 
 L  470  H 
 
C  7.39 pF 