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de un generador
ultrasnico para la
evaluacin de la erosin
y corrosin por cavitacin
en recubrimientos duros
Design and construction of an ultrasonic generator to be
used on erosion and corrosion testing in hard coatings
Recibido: Diciembre 4 de 2012
Aprobado: Diciembre 7 de 2012
Resumen
Los generadores ultrasnicos son dispositivos de potencia que proporcionan la tensin
y frecuencia adecuadas para el buen funcionamiento de los transductores piezoelctricos.
Los nuevos desarrollos en la electrnica de potencia contribuyen al logro de un mejor
desempeo de los generadores permitindoles alcanzar las frecuencias y tensiones
necesarias, al tiempo que reducen los armnicos del sistema alargando la vida til de
los transductores. En este artculo se presenta el proceso de diseo de un generador
ultrasnico para un transductor Langevin de 1Kw de potencia que ser utilizado para
la evaluacin de la corrosin y erosin por el fenmeno de cavitacin en recubrimientos
duros.
Ingeniero Mecatrnico, Universidad de San Buenaventura, Bogot. Maestra en Mecatrnica de la Universidad Militar Nueva Granada.
Docente de tiempo completo, Universidad de San Buenaventura. E-mail:hmacias@usbbog.edu.co
**
Ingeniero Mecatrnico, Universidad Militar Nueva Granada. Maestra en Mecatrnica, Universidad Militar Nueva Granada. Docente
de tiempo completo, Universidad Militar Nueva Granada. E-mail: uledoux@gmail.com
*** Fisico, Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia. Magster en Metalurgia y Ciencia de los Materiales (UPTC). Doctor en
Ingeniera - rea de Materiales, Universidad Del Valle. Vicedecano de Ingenieras y Director de postgrados, Universidad Militar Nueva
Granada. E-mail: william.aperador@unimilitar.edu.co
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Palabras clave
Inversor, spwm, transductor piezoelctrico, ultrasonido.
Abstract
Ultrasonic generators are power equipments that supply the voltage and frequency
to drive piezoelectric transducers. The development of power electronics in recent years
helps to improve the control in piezoelectric transducers reducing harmonic loses and
increasing transducers lifetime. In this paper is presented an electronic design to drive a
1Kw langevin transducer which is going to be used to evaluate the corrosion and erosion
on hard coatings.
Keywords
Inverter, spwm, piezoelectric transducer, ultrasound.
I. Introduccin
El ultrasonido se refiere a ondas sonoras de frecuencias superiores a los 18 khz que
no son percibidas por el odo humano. Al tener una frecuencia muy alta su longitud de
onda se acorta lo que les permite a las ondas ultrasnicas atravesar objetos sin dificultad. Esta propiedad es aprovechada para disear aplicaciones en distintos sectores
de la industria y la medicina, por ejemplo, es comn encontrar equipos de ultrasonido
para el diagnstico mdico, tratamientos estticos, limpieza de productos, soldadura de
componentes, anlisis y prediccin de fallas, ensayo de materiales entre otros.
La manera en que se obtienen las ondas de alta frecuencia es a travs de un sistema
de ultrasonido (ver figura1) el cual est compuesto por una seccin mecnica y una seccin elctrica. La seccin mecnica est dividida a su vez por un transductor y una gua
de onda. El transductor aprovecha el comportamiento de ciertos cristales no conductores
bajo cargas elctricas [1] conocido como efecto piezoelctrico. El efecto piezoelctrico
consiste en el cambio de dimensin del cristal cuando se le aplica una carga elctrica o la
generacin de una carga elctrica cuando se le aplica una fuerza [2].
Este efecto permite generar un movimiento mecnico en funcin de una seal elctrica.
Un ejemplo es el transductor Langevin que acopla una serie de anillos piezoelctricos
para lograr un movimiento longitudinal. Seguido del transductor se halla la gua de onda
ultrasnica encargada de orientar y amplificar mecnicamente las dbiles vibraciones
provenientes del transductor.
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Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
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Rectificador
Mdulo de
Potencia
Filtro LC
SPWM
Unipolar
Transductor
120Vac/60Hz
mf1
Esta etapa inicia con un arreglo de cuatro diodos (puente rectificador) encargados de
invertir el semiciclo negativo de la seal de corriente alterna obtenindose una seal del
doble de la frecuencia de la seal de la fuente (Hart).
Carga
Carga
120Vac/60Hz
120Vac/60Hz
Rectificador
Rectificador
Debido a por
las las
prdidas
de voltaje de
generadas
por el
las caractersti
Debido a las prdidas de voltaje generadas
caractersticas
los diodos,
voltaje de salida de la rectificacin es:rectificacin es:
IV.
Etapa de inversin
Los inversores tienen mltiples aplicaciones que van desde el control de velocidad de
hasta sistemas de alimentacin ininterrumpida (UPS por su
motores de induccin hasta sistemas de alimentacin ininterrumpida (UPS por sus siglas
caractersticas
de la salida,
los inversores
se pueden
en ingls). De acuerdo con las caractersticas
de la salida,
los inversores
se pueden
cla-clasificar en(5
sificar en [5]:
Medio puente
Puente completo monofsico
Puente completo trifsico
Medio puente
Puente completo monofsico
Puente completo trifsico
Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
En lugar de manejar dos niveles de voltaje como sucede en el inversor de onda cuadrada, la topologa de onda seno modificada maneja tres niveles: alto, bajo y nulo o cero.
El estado nulo se presenta entre la transicin del estado bajo al estado alto o viceversa,
lo cual se conoce como zona muerta. Esta topologa se asemeja ms a una onda seno,
pero an conserva suficientes armnicos para generar prdidas en el sistema.
C.
Es una tcnica que consiste en generar pulsos a una frecuencia determinada variando
el ciclo de trabajo de la seal.
Cuando en la tcnica de PWM la seal de control se obtiene a partir de la comparacin
de una seal seno y una seal triangular se denomina SPWM por sus siglas en ingls (sine
pulse width modulation). Bajo estas circunstancias, la seal de referencia seno, que es de
baja frecuencia, se denomina moduladora; la seal triangular, que es de alta frecuencia,
recibe el nombre de portadora; y la seal obtenida de la comparacin se llama modulada.
SPWM es una tcnica que se caracteriza porque se obtiene una seal modulada con
bajo contenido en armnicos [5] tiene dos variantes: unipolar y bipolar.
1.00
Comparacin
-1.00
6.00
V salida
2.00
0.00
5.00m
10.00m
15.00m
Tiempo (s)
45
20.00m
La tcnica SPWM bipolar utiliza una nica seal de referencia senoidal y una seal
triangular. En la Figura 4 se observa el resultado de la comparacin de estas dos seales.
Generalmente se selecciona un valor mf que sea entero e impar.
Por otro lado, la tcnica SPWM unipolar utiliza dos seales senoidales pero desfasadas
180 entre s y una onda triangular. En la Figura 5 se observan las dos seales digitales
que resultan de la comparacin. Estas seales posteriormente se llevan al mdulo de
potencia y la carga va a recibir una serie de pulsos de distinto ancho y un voltaje que
cambia en funcin de la seal modulada.
1.00
Comparacion
-1.00
5.00
S1, NS2
0.00
5.00
S3, NS4
0.00
10.00
Vsalida
-10.00
0.00
5.00m
10.00m
15.00m
20.00m
Time (s)
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Investigacin
+ Vdc
S3
S1
Z1
S2
S4
El valor de voltaje que llega a la carga depende de la secuencia en que los mosfet
conmuten (ver Tabla 1). Se puede apreciar que la carga va a tener tres momentos, voltaje
positivo, cero, y voltaje negativo, que irn variando segn lo haga la seal de referencia.
S1S1
ON
ON
OFF
OFF
ON
ON
OFF
OFF
S2S2
OFF
OFF
ON
ON
OFF
OFF
ON
ON
S3S3
OFF
OFF
ON
ON
ON
ON
OFF
OFF
S4S4
ON
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
ON
ON
VoVo
+V
+V
-V
0
0
0
-V-V
0
V.
Para valores
mf pequeos,
es decir menores
iguales ao21,
se recomienda
que corresponda
a un nmero
Parade
valores
de mf pequeos,
es decir,omenores
iguales
a 21, se recomienda
que co-
a un nmero
enterofundamental
y que las seales
de voltaje
y lasincronismo,
portadora sepues de lo
entero rresponda
y que las seales
de voltaje
y la portadora
sefundamental
encuentren en
contrario se pueden genera armnicos indeseables (9). Por otra parte, cuando se tienen valores altos de mf
ndice dendice
modulacin
de amplitud
Es la
razn
la amplitud
de la moduladora
y la amplitud de la
de modulacin
de (ma):
amplitud
(ma):
esentre
la razn
entre la amplitud
de la moduladora
portadora
y la amplitud de la portadora
puedendos
presentar
dos situaciones [6]:
Se puedenSe
presentar
situaciones(8):
ma<=1 la amplitud de la frecuencia fundamental del voltaje de salida es proporcional a ma. En esta condicin
los armnicos los armnicos se sitan a alta frecuencia, que 47
significa que:
Se pueden ma<=1
presentar la
dos
situaciones(8):
amplitud
de la frecuencia fundamental del voltaje de salida es pro-
ma.
En esta condicin
losdel
armnicos
sitan
a alta frecuencia,
ma<=1porcional
la amplituda de
la frecuencia
fundamental
voltaje de se
salida
es proporcional
a ma. Enque
esta condicin
significa
que:
los armnicos los armnicos se sitan a alta frecuencia, que significa que:
ma>1 la amplitud de la frecuencia fundamental es mayor que la portadora y no vara proporcionalmente a ma.
ma>1 la amplitud de la frecuencia fundamental es mayor que la portadora y no vara
Igualmente se genera el aumento en el contenido armnico del voltaje de salida.
De las dos situaciones anteriores se desprenden tres zonas del funcionamiento del
Zona
lineal: la(Estrella
amplitud lvaro,
de la componente
fundamental
es proporcional
a ma,
los armnicos estn alrededor
inversor
2009): lineal,
sobremodulacin
y onda
cuadrada.
de mf, 2mf, 3m, etc.
Zona
sobremodulacin:
el ndicededelamodulacin
de fundamental
amplitud es mayor
que uno, poraloma,
quelos
la amplitud de
de Zona
lineal: la amplitud
componente
es proporcional
la componente
fundamental
no
slo
depende
de
ma,
sino
tambin
de
mf.
Se
producen
muchos
armnicos
armnicos estn alrededor de mf, 2mf, 3m, etc.
Onda cuadrada: la amplitud de la componente fundamental toma el valor mximo durante todo el periodo y
Zona
de sobremodulacin:
el nmero
de armnicos
es mximo. el ndice de modulacin de amplitud es mayor que uno,
[Escriba texto]
VI. Procedimiento
Las seales modulante (seno) y portadora (triangular) presentan frecuencias superiores a los 20 kHz, esto requiere que el circuito generador de las seales sea lo
suficientemente robusto y flexible para garantizar una seal de comparacin precisa.
Para la generacin de estas seales se escogi el circuito integrado XR2206 gracias
a su robustez, facilidad de montaje y configuracin.
Para la seal fundamental (seno) se configur el circuito generador a una frecuencia
de 20KHz con amplitud de 2 Vpp. Para la seal triangular, la frecuencia se estableci
diez veces mayor que la fundamental (mf=10), es decir 200 kHz. En la Figura 7 se
aprecian las seales obtenidas:
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Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
La seal seno se lleva a un amplificador inversor para obtener la segunda seal desfasada 180. Ambas seales senoidales son comparadas independientemente con la seal
triangular en el circuito LM339 (ver Figura 8).
Las seales que resultan de la comparacin son acondicionadas para conseguir seales
digitales compatibles con dispositivos TTL. Una vez se tienen la seales de los generadores XR2206 (Corporation) se llevan a un comparador. En la Figura. 9 y en la Figura 10
se observa la seal seno y las seales TTL que manejarn los interruptores S1 y S3 se
distingue claramente como vara el ancho de los pulsos segn la variacin de la amplitud
de la onda seno.
El circuito que lleva la seal seno original y el circuito que lleva la seal desfasada 180
son iguales.
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Durante el anlisis de los circuitos se visualiz que las seales de salida del comparador
y las seales digitales presentaron retrasos tanto para el flanco de ascenso como para
el flanco de descenso y a pesar de que ambos circuitos son iguales no se presentan los
mismos retrasos (ver Tabla 2). En la Figura 11 se presentan los retrasos de la seal seno
original y tambin los correspondientes a la seal seno desfasada 180 con sus respectivas
salidas desfasadas.
Ascenso
Descenso
Seal onda 1
490 ns
520 ns
Seal onda 2
475 ns
401 ns
Figura 11. Desfase entre la salida del comparador y seal s1 ttl. (a) en ascenso, (b) en descenso.
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Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
Figura 12. Desfase entre salida del comparador y seal s3 ttl. (a) en ascenso, (b) en descenso.
VII. Conclusiones
En la primera parte del proyecto se plante un inversor de voltaje para un generador
ultrasnico integrado por dos etapas. La primera etapa denominada de rectificacin consisti en la seleccin de un puente de diodos de onda completa. En la segunda etapa,
denominada de inversin, se escogieron como elementos de conmutacin cuatro mosfest
ordenados en la topologa de puente completo (full bridge). Como mtodo de excitacin
de los mosfets se opt por la topologa SPWM unipolar, que a pesar de su complejidad
en la implementacin, produce un nmero menor de armnicos en comparacin con la
topologa SPWM bipolar. Para su realizacin y montaje se escogi el generador de seal
integrado XR2206.
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Se observ que una vez realizadas las etapas de comparacin para la generacin de
las seales digitales que regularn la conmutacin de los mosfets existen prdidas ocasionadas por el comportamiento de los amplificadores en alta frecuencia. Los desfases
generados por los retrasos en la conmutacin podran llegar a afectar el ancho del pulso,
lo que traera como consecuencia prdidas de energa y/o desbalance en el voltaje entregado en el semiciclo positivo y en el semiciclo negativo.
La siguiente etapa del proyecto consistir en el acople del circuito SPWM unipolar
con el circuito de potencia y se tratarn de cuantificar las prdidas o los efectos de los
desfases debido a las caractersticas de los elementos electrnicos en altas frecuencias.
Referencias
[1]
P. Kwasniak, Construction and testing of ultrasonic transducer for biofilm removal. Espaa: Universidad de Toledo, 2011.
[2]
[3]
Q. Peng, A. Wang, X. Su, X. Lu, A New Design of the High-Power Ultrasonic Generator, 2008.
[4]
[5]
[6]
I. Crowley, H. F. Leung, PWM Techniques: a pure sine wave inverter (p.p. 16-32) . Worcester Polytechnic Institute, 2011.
[7]
S. Islam, F. Nuzhat, N. Hoque Nadim, AC sine wave generation by using SPWM inverter. BRAC University, 2012.
[8]
A. D. Estrella, Diseo de un inversor monofsico autnomo de baja frecuencia ajustable mediante bus DC. (p.p. 30-40) .
Universidad Caros III de Madrid Escuela Politcnica Superior, 2009.
[9]
T. L. Skavarenina, Power Electronics Handbook. West Lafayette, Indiana: CRC Press, 2002.
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