Grado en Ingeniería Mecánica

Grado en Ingeniería Eléctrica

Grado en Ingeniería Electrónica y Automática Industrial

Electrónica General. Convocatoria septiembre 2018.

Nombre y apellidos……………………………………………………………………..……………………………………………………………………………. D.N.I:……………………………..…………………….

Grado en Ingeniería…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………..………………………

Resuelva los siguientes problemas explicando el procedimiento seguido.

1. Un circuito rectificador de onda completa proporciona a su salida un valor de rizado de 0,325 V. Determine el valor de la tensión de pico de entrada, Vi(t),
si el condensador de filtrado tiene un valor de 10mF y la corriente continua que circula por la carga es de 200 mA. Considera que la tensión de entrada tiene
una frecuencia de 50 Hz. ¿Cuál debería ser el valor de condensador para reducir el valor de rizado a la mitad? (2 p).

2. Suponiendo que los amplificadores operacionales son ideales y están alimentados con tensión simétrica de ±15V.
a) Calcule la expresión para Vo en función de V1 ,V2 y las resistencias del circuito (1,25 p).
b) Calcule el rango de valores posibles de RG para que el circuito funcione en zona lineal, suponiendo que R1=R2=1kΩ; V1=15V; V2=20V (1 p).

3. El circuito de la figura permite obtener una corriente constante a través de una carga independientemente de su valor resistivo. Datos: R1:300Ω; Vz:3,6V
(tensión zener), VDLED:1,4 V (tensión codo); VCC:6V; β:45;
a) Calcula el valor de la resistencia RE para lograr alimentar el diodo LED con una corriente continua de 260mA. (1 p).
b) Represente la recta de carga y el punto de trabajo del transistor bajo las especificaciones del apartado a). (1 p).
c) Si la potencia máxima que es capaz de disipar el transistor (BD135G) es de 1,25 W, determine la necesidad de añadir un disipador de calor al
componente. (0,5 p).

4. Calcule la ganancia en tensión Av=Vo/Vi. Exprese el resultado en función de los parámetros del circuito. (2,25 p).
CUESTIONES (1 p). Marque la respuesta correcta. Cada cuestión bien contestada suma 0,25p. Las respuestas incorrectas no descuentan.

1. En un semiconductor extrínseco de tipo p, el nivel de Fermi:

a. Se encuentra en la banda de conducción, por encima del nivel energético asociado a la impureza aceptadora.
b. Se encuentra en la banda de valencia, por debajo del nivel energético asociado a la impureza aceptadora.
c. Se encuentra en la banda de valencia, por encima del nivel energético asociado a la impureza donadora.
d. Se encuentra en la banda de conducción, por encima del nivel energético asociado a la impureza donadora.
2. En un diodo de unión tipo pn:
a. Si se polariza en directa, la zona de carga espacial aumenta.
b. Si se polariza en directa, la corriente de difusión aumenta y es mayor que la de arrastre.
c. Si se polariza en inversa, la zona de carga espacial disminuye.
d. Si se polariza en inversa, la corriente arrastre disminuye y es menor que la de difusión.
3. En cuanto a los tranistores BJT y FET:
a. Los FET tienen mejor respuesta en frecuencia que los BJT.
b. Los BJT tienen mejor respuesta en frecuencia que los FET.
c. Ambos tienen la misma respuesta en frecuencia.
d. Nos e posible determinar la respuesta en frecuencia al ser dispositivos multipolares.
4. En un BJT tipo npn:
a. Si polarizamos la unión base-emisor en directa y la unión base-colector en inversa decimos que el transistor está trabajando Activa Inversa.
b. Si polarizamos la unión base-emisor en inversa y la unión base-colector en directa decimos que el transistor está trabajando Activa Inversa.
c. Si polarizamos la unión base-emisor en directa y la unión base-colector en directa decimos que el transistor está trabajando Corte.
d. Si polarizamos la unión base-emisor en directa y la unión base-colector en inversa decimos que el transistor está trabajando Saturación.