Lit Ht abhes etn Wokce bk das sade 9 iad, i lle — Compare AL n°. of n'de dfomos por Gi ent | et citrazhara Crislalina Gide} don ona Wel Gon _una an aaa ie Un pese nat nd asi ff (e4 oB49R , De Hejming I Jura C. dats - chTema D 12) & fea ba C snes meachss Bs hireccie CB ami ol Lee yz) Uso yd 3 pt a | CT ror uleriles plan i ler 2) Uy cl 7 T ae Ti 8: (6. | | Delermine bos indi fra 2 bs si Steet 1 8-i 1 i | | Cre "| Perit ttre Lit | I We Trace los Tgasttes Planos y Avecejones : CCor | CEE LTT yy] Tt | | | I as [esfol _ J Zo] Fowl TTI | | foie I | i | CI co E 10) (677A) | T oni 42, beer = hee 97 ee eo eelas impesfecciones Gistalnas, a Sblichdes Sélidas : La meazorts de hs miley Heads on tegeniet’s pe. Combinae Cn Cheer miTsler 0.00 eg Tales pita Contagetr wnsfor [escslonaxr mecente, ail cheba [ye Wordboh |, feee| propidader dosercdns, tna alezein méfilia, o Minflemert dna hacia, at0n2 mescla de fs omis malas ode on mele! Pe melol, bas alescrinet pueden pee peeccellas Como pl lalon (Cer 2n) 9 Lomplefos Como [ed tnconel guse Conftene /O alemenlet. # AA Tied las Aacedhel oe blade a, sJie Lick Bike | oie Tedd olen ge Conte ot oles © mals elemanles sone adles ober CS aoincamalle 7 foomon tym sihaters ce tna eh fo, dG tes Tepes 4 SS! Suttiaonsls e InTec[eaer. ~ Las SS. Suctfacionales: es afomos he Sole past Mnsstes la bs ewal Al Avtdied pu (ab poswesnes dele feo Catia Jina. Les Condiicinss gee fatoregen ore gran prolalil dad te un demenh pe. he pow : ax Les dedmilvo! de lor Tome: no deben Aerie ok ap mas ool J5%, Fowe be Las Etfaslaras Bes7aboe: Flinn, gsr ase las Sys Tebphe Tht Cn Wo cake Kabuc ifosnuanyoferiable ot, shcty rept ere ilar formar Compuenleh d~ Ls dos deménTos deben Terer fa meima Valence = Las 8.5. wbisheeales: Vos a lomashe old sx peian on lac appacris Jue hay -sthe le aloes Bl Aiicleite . Gly express Ohuecer he Lerominan juleiliees , Se formar 3.5.4 Quando in alone 14 rbacke tg ot Tha. bos alomes Gue mn formar aes BAe fesgestrio a yr Hedrigeno, Cacbono, niltigency o¥'geno,HEH | | | Ht 00.185 CCC i ct x. & im: corr —. a | i ij 0.188.0.228 0.414.0.732 0.732-1.000 4 26 Locatizacién del intersticial _ Raz6n de los radios Centro del tetraedro | mw Nimero de coordinacién y razén de los radios Lineal Centro de riénguio Cento del actaearo (centro gel cubo | SOlida intersticial de carbono en hierto y FOC llustracién esquematica de una solucién | Néimero de coordinacién | 14 | pe - cece “HEE L-PROBLEMA DE EJEMPLO ‘Con los datos de la tabla siguiente, prediga la solubilidad relativa de los siguientes ele- mentos en el eobre: ®) Zine d) Niguel ») Plomo —e) Aluminio © Silico )- Berilio Aplique la escala muy alta, 70-100%, alta, 30-70%; moderada, 10-30%, baja, 1-10%; y muy baja, <1 por ciento. Radio Estructura Electro- Elemento atémico (nm) cristina negatividad Valencia Cobre 0.128 FCC 18 42 Zine 04133 HCP. 17 42 Plomo 04175 FCC 16 42, 44 Silicio oan Cubica diamante 18 +4 Niguel 0.125 FCC 18 +2 Aluminio 0.143 Foc 15 43 Berilio og HCP 15, +2. @ Solucién Una muestra de c6mo calcular la diferencia de radios at6micos del sistema Cu-Za, es Diferencia de un radio atémico “Grado de Solublidad Diferencia solubiidad, _méxima en el de radio enestado estado sélido atsmico Diferencia de sélida relative observada Sistema @ leetronepatividad ___ prevsto (en %) Coa 39) on Ala 383 cu-P +367 02 Muy baja on co-Si -86 ° Moderada 112 ad Gui =23 ° Muy baja 10 | Curl +7 03 Moderada we) Cube =109 03 Moderada 164 Las predicciones se pueden hacer principalmente con respecto a las diferencias de los r- dios atémicos. En el caso del sistema Cu-Si, la diferencia de sus estructuras eristalinas es) importante, En todos los sistemas las diferencias de electronegatividad son muy pequetis. Las valencias son todas las mismas, excepto para el Al y el Si. En iltima instancia, de-/ ben tomarse en cuenta los valores experimentales a los que se hace referencia.PROBLEMA DE | Calcule el radio del mayor hueco intersicial en la red FCC del hiero y, sabiendo que el EJEMPLO ‘@ Solucién s ¥ ‘ Ena figura” se muestra un plano (100) dela red FCC en el plano yz Sie indica por fel radio de un stm de hero y por rel del eco inersiial en la poscién! (0,4, 0) segin la figura » Se tendra by siete s: 2k + 2r= el mismo modo, a partir de la figura 4.150, an? = Ga? + Ge? Despejando a, se tiene que 0 a=2VIR ‘Combinando las ecuaciones 4.4 y 4.6, se obtiene 2R + 2r = 2VIR r= (V2-1)R= 0414 = (0.414)(0.129 sim) = 0.053 nm Figura Pano (100) de la red FCC conteniendo un atomo intersticial en la posicién de coordenadas (0, 3,0).1) Jit perfeecrones aLalnas : = Wo weisJen Lass oer Conlenan Varies Ties ae low Alef eos los fap faces fitetas Moaaee |! ts, ymaceok en Lt a CondenFhentad alecfuea, fa eda y mig(weisd ce Jonas yh Corres), ake bos meloler, iS pita Aah rf base Pal: bs Dey eg Aiwcalas fas he fle ae ie et Valeo, a- WD. cots At: | ef ntas Are “Vacarh ple es ee lo Ocupaba . Ds Fomeh cee rm paeons To sstbbzinal © piles fres! Tam bury foee (ait poke En los castle writes fos deface fe ctl ray ms | Complsfes debeclo a. la 'nrceusclad cle ae nec la feal-dad slide Intersil a) Vacante, b) Interstcial 0 autointerstcial, defectos untuales en una red metilica compacta. Ke pals dcFreatel 2-77.) O.,) Figura Ropresentacién en dos dimensiones de un cristal idnico ilustrando un defecto de fecto de Frenkel€ CTI I i 1TT ‘ eripeatitaambicns (~298 R), a concetaciba de vacanclasc equelia, pero po i T ELLE la concentracién de éstas aument ‘ura, como se muestra por medio del siguiente comporiamiento de tipo Arrhenius: donde ta exponencialmente a medida que se incrementa la tempera- as =) fi = rn, es el niimero de vacancias por em?; ‘mesel ntimero de étomos por em’, L 2, ‘lacrosse eal ope = Joules ii Reslaconstante de los gases, 1.987 —T—> w 8.314 ey WW Tes la temperatura en kelvins, T T a [TT l Ht | | H+ T | L I [ Cor [ _Calcule la concentracién de las vacancias en el cobre a temperatura ambiente (25 °C). Qué temperatura se necestard para tratartérmicamente el cobre de tal manera que ls concentracién de las vacancias producidas sea 1000 veces mayor que la concentracién < equilibrio de ls vacancias a temperatura ambiente? Suponga que se requieren 20 000 cal para producir un mol de vacancias en el cobre. SOLUCION EI pardmetro de red del cobre CCCa es de 0.36151 nm. Hay cuatro tomos por celda unitaria; por tanto, el nimero de atomos de cobre por em! es: 4 atomosicelda Deep Pi = 8-466 x 107 dtomos de cobrefem? (3.6151 x10 emy> A temperatura ambiente, T= 25 + 273 = 298 K: wre) ae =20 090 $2 = (846 x 1024 2) exp| ——_mal_ on (1987 cl 238k) eT mol K 1.814 x 10* vacancias/em? Se desea encontrar una temperatura de tratamiento térmico que conduzca a una concen- tracién de las vacancias que sex 1000 veces mayor que este mimeo, 0 my = 1.814% 10 vacanciasfem’. Se puede hacer esto calentando el cobre a una temperatura a la cual se forme este riimero de vacancias: 1si4 x 10" = nexp (32) : os ‘RT = (8.466 X 10) exp (—20 000)/(1.9877) : ( 20000 _ 1.814 x 10! oP oer) ~ 8466 x 107 oe > Hy eo Doerr = 10.214 x 1071) = ~26.87 20.000 Taeneasy 7 375K = w2sc Al calentar el cobre ligeramente arriba de 100 °C, esperando hasta que se alcance el equilibrio y después enfriando ripidamente el cobre de regreso a temperatura ambiente, el namero de vacancias atrapadas en la estructura puede ser 1000 veces mayor que el niimero de equilibrio de vacancias a temperatura ambiente. Por tanto, las eoncentracio- nes de las vacancias encontradas en los materiales con frecuencia estan determinadas Por factores termodinmicos y cinéticos.Calcul la densidad tebrica del hierro y después determine el niimero de las vacancias pandeaes Bara que un cristal de hierro CCCu tenga una densidad de 7.874 gem" El parimetro de red del hierro es de 2.866 10-* em. SOLUCION ‘a densidad te6rica esperada del hierro puede calcularse a partir del pardmetro de red } Ia masa atbmica. Dado que el hier é CCCu, estin presentes dos itomos de hens fn cada celda unitaria. (2 dtomos/celda)(55.847 g/mol) a (2.866 x 10°* cm)*(6.022 x 107 dtomos/mol) Fste cileulo supone que no hay imperfecciones en el cristal, Se calcula el nimero de atomos de hierto y vacancias que estarian presentes en cada celda uniterin para una densidad de 7.874 g/cm} = (X atomos/celda)(55.847 g/mol) (2.866 x 10-® em)*6.022 x 10 dtomos/mol) 7874 gi (7.874 g/cm) (2.866 x 10-* cm)3(6,022 x 10% tomos/mol) xa = = 1.99878 X &tomos/celda (SST pinay Debe haber 2.00 ~ 1.99878 cias por em? es 00122 vacancias por celda unitaria. El nimero de vacan- 0.00122 vacancias/celda Vacancias/em? = ue (2.866 x 10°F em)? = 5.18 x 10° Observe que otros defectos como fs limites de grano ea un material polcrstalino com- tribuyen a una densidad menor que el valor tedrico,aun < Movinaisle de Ash ceavnas t ps JMovimiento de escalada de una dloca [a inica opcion de movimiento ese! movmientovertca miento contin par un nuevo plano de desizemiento } Ley de Schmid ‘Se pueden comprender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen estruc- turaserstalinasdistintas examninando la fuerearequerida para iniciar el proceso del desiza- miento, Suponga que se aplica una fuerza unidireccional Fa un cilindro de metal que es un rmonocrstal(Sigura) _. Se pueden orientar el plano de deslizamiento y la direecién de | deslizamiento a la fuerza aplicada definiendo los angulos Ay . El Angulo entre la direeién | de deslizamiento y la fuerza aplicada es A y $ es el Angulo entre la normal al plano de desli- ~~~ gamiento y la fuerza aplicada. Observe que la suma de los angulos y A puede, pero no necesa- riamente debe ser de 90° - n de cuha. (a) Ladslocacion desiza hasta topar con un obstécuo. (b) Una vex dete da) aprovechanda la presencia de ura ea de vacates. Posterormente, © Dislocgeién Plano de eslizamiento ») ° Figura. _a) Se produce un estuergo cortante r resuelto en el sistema de deslizamiento. (Note: (6 + A) no tiene que ser 90°, b) El movimiento ce la dislocaciones en el sistema de desiizamiento deforma el material c) ResoluciGn de la fuerza. Para que la dslocacion se mueva en su sistema de deslizamiento, debe producirse por | medio de la fuerza aplicada una fuerza de corte que acti en la direccién de deslizamiento. Esta fuerza de corte resuelta F, esti dada por: F,= Feosa Si se divide la ecuacién entre el area del plano de deslizamiento, A = Ag/cosd. se obtiene ls siguiente ecuacin conocida como le de Schmid, cesgeoth | dont : | 4, = 3 = exfuerzo cortante resuelto en Ia dieceiOn de deslizamiento Y o= 2+ ef oomal apis stintsAplique la ley de Schmid para una situacién en la que el monocristal esté orientado de b+} tal manera que el plano de deslizamiento es perpendicular al esfuerzo de tensién apli- | cado, | SOLUCION ‘Suponga que el plano de deslizamiento es perpendicular al esfuerzo aplicado ¢, como en lafigura — . Entonces $ = 0, A = 90%/cos A = 0, y por tanto #, = 0. Como se observe anteriormente, los angulos 6 y A pueden pero no siempre sumar 90°. Aun si el esfuerzo aplicado o es enorme, no se desarrolla ningin esfuerzo cortante a lo largo de la diree- ci6n de deslizamiento y la dislocacién no puedo moverse. (Podria desarrollar un expe- rimento sencillo para demostrar esto con un mazo de cartas Si presiona el mazo en un Angulo, las cartas se deslizardn una sobre otra, como en el proceso del delizamiento. Sin ‘embargo, si presiona de manera perpendicular al mazo las cartas no se deslizardn,) No puede ocurrir deslizamiento si el sistema de deslizamiento esté orientado de tal manera que A 0 d es de 90°. Figura (Cuando el plano de deslizamiento es perpendicular al esfuerzo aplicade e, el Angulo A es de 90° y no se resuelve ningin estuerzo cortante El esfuerzo cortante resuelto critico Ze €8 el esfuerzo cortante requerido para que ccurra el deslizamiento. Por tanto el deslizamiento ocurre, ocasionando que el material se” deforme de manera plistica, cuando el esfuerzo aplicado (7) produce un esfuerzo cortante | resuelto (f) que €s igual al esfuerzo cortante resueltocritico:Importancia de las dislocaciones Primero, las dislocaciones son de mayor importancia en los metales y aleaciones dado que proveen un mecanismo para la deformacién plistica, la cuales el efecto acumulativo del des- lizamiento de numerosas dislocaciones. La deformacion plistica se refiere a la deformacin o cambio irreversible de la forma en que s leva a cabo cuando se elimina la Fuerza oe esfuerzo que Ja ocasions. Es devit, debido a que el esfuerzo aplicado ocasiona el movimiento de las islo- caciones que a su vez ocasiona una deformacion permanente. Sin embargo, existen otros meca- aismos que ocasionan una deformacién permanente. En capitulos posteriores se examinariin éstos Debe distinguirse la deformacién pléstica de la deformacién elistiea la cual es un cam- bio temporal de la forma que ocurre cuando se sigue‘aplicando una fuerza o un esfuerzo a un material. En la deformacién elistica el cambio de forma es resultado del estramiento de los enlaces interatémicos y no se lleva a cabo ningin movimiento de las dislocaciones. El desliza- miento puede ocurrir en algunas cerimicas y polimeros; sin embargo, otros factores (por «ejemplo, la porosidad en las cerdmicas, el desenredado de las cadenas en los polimeros, ec) dominan el comportamiento mecénico casi a temperatura ambiente de los polimeros y ceré~ ‘micas. Los materiales amorfos como los vidrios de silicato no poseen un arreglo periédico de jones y por tanto no contienen dislocaciones. Por tanta el proceso del deslizamiento es particu- larmente importante en la comprensién del comportamiento mecénico de los metales. Primero, 1 deslizamiento explica por qué la resistencia de los metales es mucho menor que el valor pronosticado a partir del enlace metélico. Si ocurre el deslizamiento, slo se necesita romper una pequefiafraccién de todos los enlaces metilicos que atraviesan la interfaz en cualquier ‘momento y la fuerza requerida para deformar el metal es pequefia. Puede demostrarse que la resistencia real de los metales es de 10° a 10* veces menor que a esperada a partir de la fuerza de los enlaces metilicos. Segundo, el desiizamiento provee ductilidad en los metals. Si no se presentaran dis- locaciones, una barra de hicrro seria quebradiza y el metal no podria moldearse por medio de procesos de metalisteria, tales como la forja, en formas ities. ‘Tercero, las propiedades mecénicas de un metal o una aleacién se controlan interf- riendo el movimiento de las dislocaviones. La introduccin de un obstculo en el cristal pre- viene que una dislocacién se deslice a menos que se apliquen fuerzas mayores. Por tanto, la presencia de dislocaciones ayuda a endurecer los materiales metélicos, En los materiales se encuentran cantidades enormes de dislocaciones La densidad de las dislocaciones, o longitud total de dislocaciones por unidad de volumen, se utiliza por lo general para representar a cantidad de dislocaciones presentes. Las densidades de las dislo- caciones de 10° cm/em? son comunes de los metales més blandos, mientras que pueden alcan- zarse densidades de hastx 10°? cmjem? deformando el material, Ay Ay Dislocacién b) Sin distocaciones (0), el material fallaré, «al romperse todas las uniones a través de la superticio As. Sin embargo, cuando se desiiza una dislooaclén fb), las Uuniones se rompen slo ¢ lo largo de la linea de dsiocacién,\epresentacion esquemtica d necesariamente se Fate ia ausencia de Limite de grano de Angulo pequetoXY des masks Cok eb ee cp La oa bal bedimension2|, Una ptacle pe fine co regrih en ta gure avr ina imagen de espefo ce le Gh 72 @ Thawes ate on leno 0 on borate: “S fomen cane slrcfeni/ etapa Jnsibecenent, Famkic Ausselen aparece oe Aree Veceifalzeccat , fas m2dles r= (alee LAA Ree Fermacios de ona macle. oN “s emt 4 Pn id Se Som, ‘ache un rete pcb ree Maclas en la estructura de grano del lat6n. + Maclas de Ceeritalieacces (Templads) en one mice cthuctara he tain.v - Delete de aprlenier : ona impesfeccon /rsparfeis!”Consecaansin otal apelarsiile de on plano alemvo! fuera Le bes Atcinencia Corrects . (0) \ Ceeeecccecees \ i) \eeccecceseee 5 B 222333239999 B BIsII 55559999 B Pee Pererrrre ar Neecceetee 008 |\ \ 00900Saggeee |) Secs asc0 99009 |B ficusseses BS Sioa s |e Esss 379 723299 |B eeeerecccece < sevsoveecece|\ B222999555505 IB B 339599999000 18 \eceecoocooce | f € 2239399909000 6 B292999009000 B Fee He ° ite [amano de Prano ‘Un método para controlar las propiedades de un materiales por medio del control del tamafo del grano. Al reduce el tamafo del grano, se incrementa el nimero de granos y, por tanto, aumenta la cantdad del rea de os limites de los granos. Cualguier dislocacin solo se mueve una distancia corta antes de que se encuentre con un limite de grano y se inerementa Ja resistencia del material metic. La eeuacton de Hall-Petch relaciona el tama del grano con el limite elstco, a= 0+ Kd" amie donde a, sel limite estco (el nivel de esfuerzonecesario para ocasionar na certacantidad de defortuacién permanente), des el diimetzo promedio dels granos y v9 K son constantes 99999900) 0% 2000000 /9%9' 2090000 2, a} Los étomos cerca de os Iimites de los tres granos no tienen un espaciado © arreglo de equilbrio, b) Granes y limites de grano en una muestra de acero inoxidable.a> 10. eee r fas Cc Un método para medir el tamatio de grano es el de la American Society for Tes- ‘ing and Materials (ASTM), en el que el nimero de tamaiio de grano n se define por —> FT tlonde Ves el niimero de granos por pulgada cuadrada en la superficie de un material ulida y atacada, a un aumento de 100X, yn es un ntimero entero definido como el ~~~ mimero de tamafto de grano ASTM. 248 496 320 992 640 1980 128 9 3970 256 10 7940 512 Fuente: “Metals Handbook” vol. 7, 8a. ed, Ameian Society for Metal, 1972, p. 4 “Algunos tamafos de grano ASTM de laminas de acero bajo en carbono: a) nim. 7:8) ‘Adm. 8 y ) num. 9. (Ataque: rital; ampliacién 100%.) > _m material puede clasificarse como de grano tosco cuando — ns 3: de grano medio, 4 Sp Sustitucional (vacancia) Son menores para Figura Se requiere de una energie de activation Q para forzar ‘tomes entre si durante la difusin. Por lo general se requiere mas energia para un ‘tomo sustitucional que para tun atemo interstitial51 Datos de ditusién para los materiales selecclonados Par de difusion (cal mol) Dg (om?/s) Difusin Interstitial: Cen hierto CCCe 32900 023 Cen hierra CCCu 20900 oon Nen hierro CCCa 34.600 0.0034 Neen hierra CCCu 18300 0.0047 Hen hierro CCCa . 10300 0.0063 Hen hierro CCCu 3600 o.co12 ‘Autoditusign (ctusi6n por vacancia): I Pb en Pb CCCa 25900 127 I ‘Alen AlCCCa 32.200 0.10 Cuen Cu Ccca 49.300 036 f Feen Fe CCCa 66 700 06s | Zn en Zn CH 21.800 on Mgen Mg CH 32200 10 Feen Fe CCCu 58900 41 Wen W cccu 143 300 188 Sien Si (covelente) 110000 18000 Cenc (covelente) 163.000 50 Ditusién heterogénea (ditusién por vacancia) Nien Cu 57.900 23 ‘ Cuen Ni 61500 065 Znen Cu 43.200 078 i 7 Nien hierro CCCa 4.000 al Auen ag 45.500 026 | Agen su 40.200 072 Alen Cu 39.500 0.0485 Alen AlO5 114.000 280 | en Ai03 152000 19000 Mg en MgO. 79.000 0.289 O en MgO 82 100 0.000048 Informacisn a partir de varias fuente, iniuyencio Adda, ¥. y Philibert, J, La Diftusen dane les Solides, Val. 2, 1966. Velocidad de difusién [primera ley de Fick] Adolf Eugen Fick (1829-1901) fue el primer cientifico en prover una descripeién cuantitativa el proceso de difusion. De manera interesante, jFick también fue el primero en experimentar con lentes de contacto en animales y el primero en implantar un lente de contacto en ojos ‘humanos en 1887-1888! La velocidad a la que los étomos, iones, particulas u otras especies se difunden en un material puede medirse por medio del flujo J. Aqui se trata principalmente con la difusién de jones 0 atomos. El flujo J se define como el niimero de étomos que pasan a través de un plano de unidad de area por unidad de tiempo (figura). La primera ley de Fick explica el fujo neto de los dtomos:Factores que afectan la difusion Temperatura y el coeficiente de difusion Lacinética de la difu- sion depende en gran medida de la temperatura. El coeficiente de difusidn D se relaciona con |___._ la temperatura por medio de una ecuacién de tipo Arrhenius, Eo o-na(2) donde Q es la energia de activacién (en unidades de cal/mol) para la difusidn de la especie bajo t consideracién (por ejemplo, Al en Si), R es la constante de los gases (1.987 <4) y T es la r temperatura absoluta (K). Dp es el término preexponencial, similar a cy en la ecuacién 5-1. Ba Do es una constante para un sistema de difusién dado y es igual al valor del coefi- ciente de difusion a 1/T = 00 T= Tipos de difusi6n — Ena difusién por volumen, los dtomos se mueven a través del cristal de un sitio regular o intersticial a otro. Debido a los atomos circundantes, la energia de activacién es grande y la velocidad de la difusion es relativamente lenta. it Los étomos también pueden difundirse a lo largo de los limites, interfaces y superfi- | cies en el material, Los atomos se difunden con facilidad por difusién por limite de grano debido a que el empaquetamiento atomico es desordenado y menos denso en los limites de i grano. Debido a que los atomos pueden forzarse mis facilmente a través del limite de grano, ~-—~-—~—~ la energia de activacién es baja (tabla) _. La difusion por superficie es atin mis facil debido @ que hay aun menos restriccidn en los dtomos que se difunden en la superficie. —> Tiempo La difusién requiere de tiempo. Las unidades para el flujo son SEE. Si debe |. difundirse un gran nimero de dtomos para producir una estructura uniforme, se requieren | tiempos largos, aun a altas temperaturas. Los tiempos para los tratamientos térmicos pue- den reducirse utilizando temperaturas mayores o haciendo las dstancias para la difusién (rela- __|___. cionadas con Ax) lo més pequeiias posibles. ra la autodiusia en I aid t 1 iz 0 da cit io en tungstena Pit rey Da (em?) Qcal/mol) Da (om?) (cal/mo) } + Por superficie oa7 6 400 0.088 8900 Tech Por limite de grano ora 30.000 028 22750 cpa Por valumen 100 120000 0.99 45700 | * Dados por las pardmetros para la ecuacién 5,Serre) 0 0 O55 05635 13 0.9340 0025 | 0,0282 0,60 0,6039 1a 0,953 0,05 6.0564 0.65 0,6420 4s 0,9661 010 12s 0.70 0.6778 16 09763 os 01680 0,75 om qT 0.9838 0,20 02227 0,80 07421 18 0.9891 025 02763 086 0.7107 19 0.9928 0,30 03286 090 0,7970 20 09953 02s 0,3794 095 10,8209 22 0,9981 040 04284 10 08027 24 0,9993 os 04755 aL 0,902 26 0.9998 050 10,5205 12 0.9103 28 09999 eV/étomo. T= temperatura absoluta (K). Ti TT 1 1 l | Do= factor de frecuencia independiente de la temperatura (m/s). energia de activacién para la difusién (J/mol 0 eV/stomo), R= la constante de los gases, 8,31 J/mol-K, 1,987 cal/mol-K 0 8,62 10°Tein en: + Eglade Sfhcionario ...-. | Ley Fee. -~D de i Pray Ue dengidad di {le feces ke nis o nis D: Coeficiente de dfsssh .... af/s 0! Leis de. GCs Gadén d gsm Zisrzs dx Xa-Xo Concer tcioh ine . Estado no. Esfacjonasio AeA. 24 Ly Fite. MW Sse 2 ed. (_ ) gst cd te @ Geto 4 ef (ee) @® D-D., e(@) Cyd Pohediffaclodia dtfoealX Cot |Coacertraeias nical ce = Concenracoh ob Se a] fer ee ef eacionk an m, em, me. de Aifes ifs, ois 2 Tel baa fusion, 3 Bae cape ee fe fi je, ev/st. Jamper=tara absoll: z 2 chit ser: 8,31 J ie, B62,18 “Vad J 484 cal nde In “a t bef = =founseed Qrror presane: “oooTRIGA tra etapa en la fabricacién de transistores ls cuales funcionan como conmutadores electrénicos en circuitos integrados, involucra la difusiOn de tomos impuros en un ‘material semiconductor como el silicio (Si). Suponga que una oblea de silicio de 0.1 cm de grosor, la cual contiene originalmente un étomo de fosforo por cada 10 millones de atomos de silico, se trata de tal manera que hay 400 itomos de fésforo (P) por cada 10 millones de étomos de Si en la superficie (figura) —_. Caleule el gradiente de con- centracién a) en porcentaje atémico/cm y b) en S82. El parimetro de red del silicio es de 5.4307 A. SOLUCION . a) Primero, se calculan las composiciones inicial y de la superficie en porcentaje at6- mico: c= THOMOSEP 109 = 0.00001 % atP 107 étomos 400 atomos de P cg = EEE x 100 = 0.004 % at P 107 &tomos Ae _ 0.00001 0.004 %atP_ 4 agg %atP ax O.lem ) Para encontrar el gradiente en términos de #98, se debe encontrar el volumen 4e la celda unitaria. La estructura cristalina del Sie la cllbica del diamante (CD). El parimetro de red es de 5.4307 X 10-8 em. Por tanto, Veeida= (5.4307 X10 em)? = 1.6 x 107 El volumen ocupado por 107 atomos de Si, los cuales estin arreglados en una estructura CD con 8 atomos/celda, es: ae Th (a) x 10S em? c= #00stomosdeP Figura F ** 10" diomos de Si _Oblea de silcio que muestra la variécién fen la concentration de los atomos de P (Gara ejemplo). Oblea de silicio | tomo de P 1 TOF atomos de Si Las composiciones en dtomos/em? son: eg = —Litomede P_ 995 x 10! p( sag 2x 10% er _ 400 dtomos de P 2 x 1088 p(#20 2x 10° em* ( Por tanto, el gradiente de composicién es 0.005 x 10'8 — 2 x 10!* p (Bs!) Ae es ax” Olen = 1,995 x 1019 P(Sg7S5Se deposita una capa de 0.05 em de xido de magnesio (MgO) entre capas de niquel (Ni) y tantalio (Ta) para proveer una barrera de difusion que prevenga reacciones entre los dos metales (figura). A 1400 °C, los iones niquel se diftunden a través de la cerdmica ide MgO al tantalio. Determine el nimero de iones miquel que pasan a través del MgO por segundo. A 1400°C, el coeficiente de difusin de los jones niquel en el MgO es de 5x 10 cm?/s yel parimetro de red del niquel a 1400 °C es de 3.6 X 10S em. SOLUCION La composicién del niquel en I erfaz Ni/Mg0 es de 100% Ni, 0 4Nigguat 2 3 exo = = 2.573 x 10 NuMe0 G6 x 10° cm)? La composicién del niquel en la interfaz Ta/MgO es de 0% Ni. Por tanto el gradiente de concentracién es Ac _ 0- 8.573 x 10S sa dint = ieaa = -1715 x 10S El flujo de los ‘ftomos de niquel a través dela capa de MgO es Je-DE=-0* 107! em?/s)(-1.715 x 10°52) 71.543 x 10! somageNE El mimero total de étomos de nique! que atraviesan Ia interfaz de 2 x 2 em por se- gundo es “Total de étomos de Ni por segundo = (/)(Area) = (1.543 x 10" EH)(2cm)(2.em) 3.17 x 10" atomos de Nils ‘Aunque ésta parece ser muy ripida, en un segundo, el volumen de los tomes de niquel climinados de la interfaz de Ni/MgO es 6.17 x 10 esepeeNt on! In ee O72. 10° El grosor en que se reduce la capa de niquel cada segundo es 072 x 109 4em? = 18 x 1071S Para un micrémetro (10~* cm) del nique! a eliminarse, el tratamiento requiere 10 cm 18 x 1010S = 556.0005 = 154hL - ft SE CConsidere un par de difusién colocado entre tungsteno puro y una aleacién de tungsteno {que contiene 1% de étomos de torio. Después de varios minutos de exposicién a 2000 °C, se establece una zona de transicién de 0.01 cm de grosor. {Cuil es el flujo de los étomos de torio en ese tiempo si la difusin se debe a a) difusién por volumen, b) difusién por limite de grano y ¢) difusién por superficie? (Véase la tabla) SOLUCION El pardmetro de red del tungsteno CCCu es de 3.165 A. Por tanto, el numero de tomos/em? de tungsteno es 7 ‘itomos de W 2 dtomos/eelda = 63 x 107 ° (3.165 x 10°) emiVcelda mn de tungsteno con 1% de étomos de torio, el ntimero de atomos de torio es tm = (0.01)6.3 x 10) = 6.3 x 10° Th Hanes En el tungsteno puro, el nimero de étomos de torio ¢s cero. Por tanto, el gradiente de | coucentracién es = 6.3 x 19% iene 2) arp tomes ose 6.3 x 10° Th. D = 1.0% exp] ———_.——_| = 2.89 x 10°? aitx)(2273 K), v8 «(29x (03x a) : = 18,2 x 1010 somopdeTh Difusién por limite de grano ci 90 000 2 D = 0.145% exp] —— ost. 1.64 x 10-FemVs (1.987 s2'z)(2273 Ky, d= -(is x w9) C63 x raze) 10.3 x 10!9 HomeedeTh . Difusién por superficie 66 400 $4 D = 087 exp| Oss __] < 1.94 x 10-7em'ss (1.987 $4e)(2273 k), 122 x to! damaygeTsLa superficie de un engrane de acero con 0.1% C se tiene que endurecer por carbura- ccidn, En la carburacion gaseosa, los engranes de acero se colocan en una atmésfera que —~ provee 1.2% C en la superficie del acero a una temperatura alta (figura). El carbono se difunde de la superficie hacia el acero. Para las propiedades éptimas, el acero debe contener 0.45% C a una profundidad de 0.2 em debajo de la superficie. Disefie un trata- | ~~ miento térmico de carburacién que produzea estas propiedades éptimas. Suponga que la | temperatura es lo suficientemente alta (al menos de 900 °C) de tal manera que el hierro tiene la estructura CCCa SOLUCION 7 Dado que las condiciones limitantes para las cuales se dedujo la cuacién se suponen villidas, se puede utilizar esta ecuacién: & Se sabe que ¢, = 1.2%C, ey = 0.1%C, ¢ = 0. % Cy x= 0.2m. A partir dela segunda ley de Fick: p= be _ LMC - 045% gaan) «(24 2Vvdi vt = @ 12%C=O1%C = 0.68 A partir de la tabla, se encuentra que: O.Lem o1y? Vip 7 OTe Dt = (&) Cualquier combinacién de D y 1 con un producto de 0.0198 em? funcionard. Para la difusién de carbono en hierro CCCa, el coeficiente de difusién se relaciona con la tem- peratura por medio de la ecuacion 1.0198 cm? o- no) A partir de la tabla D = 023 exp| —eamol = 023exn( 1.987 ate T(K) =16s58) 1 T a Por tanto, la temperatura y el tiempo del tratamiento térmico se relacionan por medio de | 0.0198 em 0.0861 0.23 exp(—16558/7) = eXP(—16 5598/7) i 0.0198 em’ Algunas combinaciones tipicas de temperaturas y tiempos son: ae Si T = 900°C = 1173 K, entonces ¢ = 1162735 = 32.3h + 1273 K, entonces t = 38 362s = 10.7 h 1373 K, entonces ¢ = 14 876s = 4.13 h = 1473 K, entonces 1 = 6 5605 = 1.82h La combinacién exacta de temperatura y tiempo dependera de la temperatura maxima ‘que pueda alcanzar el horno para el tratamiento térmico, de la velocidad a la que deben ~~) producirse las partes y de la economia de los balances entre las altas temperaturas con- tra tiempos mayores. Otro factor a considerar son los cambios en la microestructura. || que ocurren en el resto del material, Por ejemplo, mientras el carbono se difunde en la superficie, el resto de la microestructura puede comenzar a experimentar un crecimiento —- del grano u otros cambios.Se requieren 10 h para carburar de manera exitosa un lote de S00 engranajes de acero a 900 °C, donde el hierro tiene la estructura CCCa. Se encuentra que cuesta SI 000 (d6la- res) por hora operar el horno para la carburacién a 900 °Cy $1 $00 por hora para operar elhorno a 1 000 °C. {Es econémico incrementar la temperatura de la carburacién a 1 000 C2 {Qué otros factores deben considerarse? SOLUCION De nuevo, se supone que se puede utilizar la solucién de la segunda ley de Fick dada por medio dela ecuacién = 2 Oy be = 1.82, por tanto, 1222 9.67 x 105 ° x= 1.7610 em ° - 10* wm (1.76 x 107 om( 7 ) 1.76 um Observe que se ha expresado la respuesta final en micrémetros dado que ésta es la escala de longitud que es apropiada para esta aplicacién. Las suposiciones principales que se realizaron son (1) el valor de D no cambia mientras se incorpora e! fésforo (P) en la ‘oblea de silicio y (2) la difusién de P slo es una dimensién (es decir, se ignora cualquier difusion lateral),‘Considere el gas carburizante de un engranais de acero 1020 a 927°C (1 700°), Caleule el ‘Sempo en minutos necesario para incrementar el contenido en carbono a 0.40%, a 0.50 mm ebajo de la superficie. Suponga que el contenido de carbono en la superficie es de 0.90% ¥ que el acero tiene un contenido nominal en carbono de 0.20 por ciento, Dogg = 1.28% 107" mips mSolucién C, = 0.99%. x= 03mm = 50x 10m C= 0.20% — Dyayrg = 1.28 x 107! mis C. = 0.40% 1=2s Sustituvendo los valores anteriores en la ecuaci6n 5.12, resulta 0.90 — 0.40 [ 5.0 x 10m 0.90 — 0.20 2V(1.28 x 10-* ms)(0) 0.50 69.88 070 =e (' Vi ) 0.7143 69.88 ee = 0714: Z= FF entonces exf Z = 0.7143 Es necesario un mimero Z cuya funcién de error (erf) sea 0.7143. En Ia tabla 5.3 se en- ‘cuentra este niimero por interpolacién, que es 0.755: 0.7143 - 0.7112 __x~ 0.75 0.7421 = 07112 ~ 080 - 0.75 se oma 075 x ~ 0.75 = (0.1003)(0.05) 07183 ‘ x= 0.75 +0.005 = 0.755 0.7821 080 2-22 ~ 0755 ess ME 0755 = ane 8567s = 143 min€Sl Considere et gas carburizante de un engranaje de acero 1020 a 927°C (1 700°F) como en el problema de ejemplo 5.2. Calcule en este problema el contenido de carbono a 0:50 mm por Eebajo de Ia superficie de la pieza durante un periodo de carburizacién de 5h. Tenga en ~~ cuenta que el carbono contenido en la superficie del engranaje es de 0.90% y que la pieza un contenido nominal de 0.20% de carbono. Solucién f Dore £1.28 ¥ 10! m/s 7 7 GHG, x | - GG” (Sm) C,= 090% 0.50 mm = 5.0 x 10~ m ry eee Co - 0.20% — Doge = 1.28 x 10°"! m/s 1 = 2% Sh=5Sh X3600 sh 1 7 90 - C, ef } esse 0.90 — 0.20 2.28 x I | alia 0.90 — | |__ Puesto que Z = 0.521, Es necesario saber cusl es Ia funcién de error que corresponde al valor de Z de 0.521. Para determinar este nimero a partir de la tabla 5.3, se debe interpox lar el dato como se muestra en el cuadro adjunto, 0521-0500 x ~ 9.5205 | a : az 0550 — 0.500 ~ 0.5633 — 0.5205 Lijit = = 0.5265 0.500 0.5205 ee, fetecbete: 0421 x 00 = Gus ote } 7 _ 2550. 5633 x — 0.5205 = (0.42)(0.0428) | x= 0.0180 + 0.5205 | fe | Por tanto, 7 0.90 - Ge _ O70 7 erf0.521 = 0.538 | C. = 0.90 — (0.70)(0.538) | 0.52% | Observe que al inerementar cl tiempo de carburizacién de 2.4 a 5 h para el acero 1020, ef == contenido de earbono « 0.5 mm por debajo de Ia superficie del engranaje aumenta sélo de: t 04 a 0.52 por cient,Considere tn difusién de impurezas de galio en una oblea de silicio, $i el galio se difun- de en una obtea de silicio que anteriormente no tenia galio, a una temperatura de 1 100°C! durante 3 h, Zcul es la profundidad por debajo de la superficie a Ia cual Ia concentraci¢e ¢s de 10 Stomos/m* si la concentracién en la superficie es de 10 stomos/m*? Para lal difusién de galio en silicio a 1 100°C, la solucién es como sigue: | Solucion Di ore 2 7.0 X 107" ms GoG, x | e267 (aa) f , = 10 siomosém* x = 2m (profundidad a ta que C, = 10% atomosm') | C, = 10” ftomos/m? — Dy yar = 7.0 X 1077 m/s Cy = 0 4t0mosim? t= 3h = 3h x 3600 sh= 1.08 x 108s ‘Sestituyendy estos valores en Ia ecuacién 5.12, se obtiene es | 1-001 =e4( iB) = 093 } Asi. ef. ‘2 partir de ta tabla 5.3 por interpolacién). Por tanto, x= (ZM(1.74 % 10-6 m) = (1.82)(1.74 x 10° m) \ = 37x 10m Calcule el valor la capacidad de difusién D en metros cuadrados por segundo para la di- fusién del carbono en hierro -y (FCC) a 927°C (1700°F). Utilice los valores de Do = 2.0 x 10-$ m/s, Q = 142 ki/mol, y R = 8.314 J/(mol-K). © Solucién D = Den RT =1421 7 = 20% 10° mn) { 142000 tine! | XP Tg.314 J/mol « K)](1 200 K)) ) (2.0 * 1075 m/s)(e" 2.0 % 1075 m*/s)(0.661 x 107°) 32x 10°" milsYv 5-40 541 542 S43 L de composicién (segunda ley de Fick) 5-2 Los transistores se fabrican dopando silicio ‘monocristalino con distintos tipos de impure zas para generar regiones del tipo my p. ELf®s- foro (P) y el boro (B) son especies dopantes comunes del tipo n y p, respectivamente. Suponiendo que se utiliza un tratamiento tér- mico a 1 100°C durante 1h para ocasionar la dif sion de los dopantes, calcule la concentra cin constante de la superficie del P y el B necesaria con el fin de aleanzar una concentra- 544 545 TTT Pe cign de 10'8 dtomos/em* a una profundidad de 0.1 am de la superficie para las regiones del tipo ny p. Los coeficientes de difusion del P y el Ben uasilicio monocristalino a 1100°C son de 6.5 x 10-3 ems y de 6.1 X 10-8 cm/s, respectivamente. Considere una oblea de silico (Si) de 2 mm de grosor que se va a dopar utilizando antimonio (Sb). Suponga que la fuente del dopante (mez- cla gaseosa de cloruro de antimonio y otros {gases) provee una concentracin constante de 10? dtomos/m. Se necesita un perfil del dopante tal que la concentracién de Sb a una pprofundidad de 1 micrémetro sea de 5 x 102! ‘Atomos/m, cual es el tiempo requerido para el tratamiento térmico de la difusién? Suponga que la oblea de silicio con la que se comienza ro contiene impurezas o dopantes. Suponga que la energia de activacién para la difusién del Sb en silicio es de 380 kI/mol y el Dp para la difusion del Sb en Si es de 1.3 X 10-9 m?/s, Suponga que T = 1250° Considere el dopado del Si con galio (Ga). Suponga que el coeficiente de difusion del galio en Sia | 100 °C es de 7 x 10-8 cm/s Calcule la concentracién del Ga a una profun- didad de 2.0 micrémetros si la concentracién del Ga en la superficie es de 10°? atomos/em’. Los tiempos de difusién son de I, 2 y 3 horas. ‘Compare la velocidad a la que los iones oxi- geno se difunden en la alimina (Al;O3) con la ‘Yelocidad a la que los jones aluminio se difun- den en la AlOs a 1500 °C. Explique la dife- rencia. Se lleva a cabo un proceso de carburacién en ‘un acerocon 0.10% C introduciendo 1.0%Cen fa superficie a 980 °C, donde el hierro es CCCa. Calcule el contenido de carbono a 0.01 em. 0.05 em y 0.10 cm debajo de la superficie des- pués de ih. Se calienta a 912 °C un hierro que contiene 0.05% Cen una atmésfera que produce 1.20% ‘Cem a superficie y se mantiene durante 24 h. Calcule el contenido de carbono a 0.05 em debajo dela superficie si a) et hierro es CCCu y ).elhierro es CCCa. Explique la diferencia {Qué temperatura se requiere para obtener 0.50% C a una distancia de 0.5 mm debajo de la superficie de un acero con 0.20% C en 2 ‘cuando esti presente 1.10% C en la superficie? Suponga que el hierro es CCCa. | —- TT TTI COOeTT TT Perr Ee | | | | | | I {tt | an Pitt | === lho5.47 | 548 5.50 553 554 i Se va a carburizar un acero con 0.15% C a 1100 °C, to que da 0.35% Ca una distancia de | mm debajo de la superficie. Si la compo- siciin de la superficie se mantiene a 0.90% C, qué tiempo se requiere? Se va a carburizar un acero con 0.02% C a 1200 °C en 4 b, con el contenido de carbono 0.6 mm debajo de la superficie que alcanza 0.45% C. Caleule el contenido de carbono requerido en la superficie det acero. Una herramienta de acero con 1.2% C mante- nida a 1150 °C se expone a oxigeno durante 48 h. El contenido de carbono en la superficie del acero es cero. ¢A qué profundidad se des- carburiza el acero a menos de 0.20% C? ‘Unacero con 0.80% C debe operara 950°C en un ambiente oxidante para el que el carbono conte- nido en la superficie del acero sea cero, Sélo los 0.02 cm de la parte mas externa del acero pue- den bajar de 0.75% C. {Cuil es el tiempo ‘maximo que puede operat esa parte de acero? Un acero con estructura cristalina CCCu que contiene 0.001% N se nitrura a $50 °C durante Sh, Sil nitrdgeno contenido en la superficie del acero es de 0.08%, determine el nitrogeno contenido a 0.25 mm de la superficie. {Qué tiempo se requiere para nitrurar un acero con 0.002% N para obtener 0.12% N a una distancia de 0.002 pulg debajo de la superfi- cle a 625 °C? El contenido de nitrégeno en la superticie es de 0.15%. Se puede desarrollar de manera exitosa un trata- miento térmico de carburacién a 1 200°Cen 1 h. En un esfuerzo para reducir el costo de reempla- zar el revestimiento de los ladrillos enel homo, se propone reducir la temperatura de carburaciéna 950°C. ;Qué tiempo se requeriri para obtener un tratamiento de carburacién similar? Durante Ia solidificacién de una aleacién de (Cu-Zn, se encuentra que la composicién no es uniforme, Al calentar la aleacién 2 600 °C durante 3 h, la dfusion del zinc ayuda a hacer ‘mis uniforme la composicion. ;Qué tempera- ‘tra se requeriria si se desea desarrollar este tra~ tamiento de homogenizaciin en 30 minutos? Para controlar la profundidad de la unin en Jos transistores, se introducen cantidades preci- sas de impurezas a profundidades relativamente superficiales por medio de la implantacién de iones y se difunden en el sustrato de silicio en un tratamiento térmico subsecuente. Esto Tritt tii LETT TT Trt rt onde aprestanro somo ux protien ile Sono a gle Bit. Aan diciones limitantes apropiadas, la solucion 2 segunda ley de Fick en estas condiciones ¢s cnn = 2 eo( 2), donde @ ¢s la concentracién inicial en la superficie con unidades de dtomos/em?, Suponga que se implantan 10" itomos/em? de fosforo en la superficie de la oblea de silicio con una concentracién del boro de fondo de 10'° étomos/em’ y esta oblea se recoce de ma- nera subsecuente a 1100 °C. El coeficiente de difusidn (D) del fsforo en silicio a 1 100°C es de 6.5 x 10" em?/s. a) Trace una grifica de la concentracién ¢ (atomos/em:) en funcién de x (em) para un tiempo de recocido de 5, 10 y 15 minutos. {Cua es el tiempo de recocido requerido para que la concentracién del fésforo sea igual a la concentracién del boro a una profundidad de I um? b) CT ae iss | cr LL LI | LT ttt | o I