Ciencia e Ingeniería de

los Materiales
TEMA
VACANCIAS E IMPUREZAS

ISMAEL AGUILAR ORTEGA

 VACANCIAS Defecto Puntual
Es cuando en una red cristalina falta un átomo en la red.
Se crean durante la solidificación a altas temperaturas.
O por la reordenaciones atómicas en un cristal ya existente debido a
la movilidad de sus átomos.
En los metales la concentración de vacantes en el equilibrio,
raramente excede 1 átomo por cada 10000.
Tambien pueden introducirse vacantes adicionales durante la
deformación plástica, por enfriamiento rápido desde elevadas a
bajas temperaturas y por bombardeo con partículas de alta energía.
Determinación de vacancias en un
material
DATOS:
Energía de activación para la formación de
vacantes 0.9 eV/átomo.

Peso atómico cobre: 63.5 g/mol

Densidad: 8.4 g/cm3
K=R constante de los gases 8.62x10-5 eV/K
Impurezas
No es posible encontrar un material puro. Las impurezas siempre
están presentes y a veces existen como defectos cristalinos
puntuales.
La mayoría de los metales mas comunes, no son altamente puros
sino aleaciones en las cuales se añaden intencionalmente átomos
extraños para conseguir un metal de características especificas.
Normalmente los metales se alean para conseguir resistencia
mecánica y resistencia a la corrosión.
Ejemplo
La plata contiene 92.5% plata y 7.5%
de cobre.
En ambientes normales la plata pura
tiene una elevada resistencia a la
corrosión, pero es muy blanda.
Aleando la plata con el cobre se
incrementa considerablemente la
resitencia mecánica sin disminuir la
resitencia a la corrosión.
La plata contiene 92.5% plata y 7.5% de cobre.
Atomos de Plata
Disolvente (Elemento presente
en mayor cantidad)

Atomos de Cobre
Soluto (Elemento presente en
menor cantidad)

Sustitucional: tomos de impurezas o soluto

reemplazan atomos del disolvente.
Átomo de soluto Átomo de soluto
Intersticial Sustitucional En los defectos intersticiales los atomos de
las impurezas llenan los vacíos o los
intersticios atomicos del disolvente
Condiciones que determinan el grado de
solubilidad en los defectos SUSTITUCIONALES.
Factor tamaño: Átomos de un soluto pueden acomodarse
en la red de un disolvente, solo si la diferencia entre los
radios atómicos es menor del 15%.
Factor Electroquímico: cuanto mas electronegativo es un
elemento y mas electronegativo es el otro hay mas
probabilidad de que se forme un defecto sustitucional.
 Condiciones que determinan el grado de
solubilidad en los defectos INTERSTICIALES
Factor tamaño. Los diámetros de los átomos de las impurezas
(soluto) deben ser considerablemente menores que los del
disolvente.
Ejemplo: El carbono forma disoluciones intersticiales al
adicionarse al hierro.
El radio atómico de los átomos del carbono es de 0.71
Armstrong
El radio atómico del hierro es 1.24 Armstrong.
Los átomos del carbono son considerablemente mas
pequeños que los del hierro.