Introducción a la Física del Estado Sólido Semana 10

El Movimiento de los Electrones en una Red Periódica

El modelo de electrones libres que utilizamos desprecia los efectos de interacción de

los electrones con la red cristalina. Ahora, comenzaremos a considerar este efecto haciendo
algunas observaciones sobre el efecto de la variación periódica del potencial. Antes de nada,
la periodicidad de la red hace con que las funciones de onda para una red infinitamente larga
no sea ondas progresivas senoidales de amplitud constante, pero si ondas que tiene la
periodicidad de la red en su amplitud. Además de eso, los electrones pueden ser propagados
por la red. Como en el caso de una onda electromagnética que sufre una reflexión de Bragg,
cuando la condición de Bragg es satisfecha, también los electrones interaccionan fuertemente
con la red, cuando la longitud de onda de De Broglie de estos, corresponde a la periodicidad
en el espaciamiento de los iones. Veremos que esos efectos producen, entre otras cosas, un
cambio de la resistencia del cristal a la conducción de electricidad.
En el formalismo que utilizamos, la determinación de las energías permitidas de los
electrones en un sólido fue realizada considerando el efecto de aproximar los átomos que
constituyen para la formación del cristal. Si, en vez de eso, hubiésemos comenzado por
representar el potencial periódico, visto por un electrón en la red cristalina, por una sucesión
de pozos rectangulares y barreras, y luego hubiésemos desarrollado la ecuación de
Schröedinger para un determinado potencial, hubiésemos encontrado soluciones de ondas
senoidales para ciertos intervalos de energía (las bandas permitidas) y soluciones de onda
exponenciales reales decrecientes en otros intervalos de energía (las bandas prohibidas). Ese
formalismo permite cálculos cuantitativos detallados, pero presentaremos aquí solamente una
descripción cualitativa.
Aunque los electrones tiendan a suavizar las variaciones en el potencial debido a los
iones, el potencial no es constante y varía de forma periódica. La forma real del potencial
determina la solución exacta de la ecuación de Schröedinger para un electrón en una red
cristalina, pero el hecho más importante del potencial es su periodicidad. El efecto de la
periodicidad es cambiar la autofunción, onda progresiva, de la partícula libre de forma que,
en vez de una amplitud constante, ella tiene una amplitud variable que muda con la
periodicidad de la red. Según Bloch, si la periodicidad espacial de la red es “ a ”, las
autofunciones para un sistema unidimensional no tiene la forma de onda progresiva de la
partícula libre:

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( x) = A  e ik x (10-1)

Pero sí de la forma:

( x) =  k ( x)  e ik x (10-2)

Donde la periodicidad de la red exige que:

 k ( x) =  k ( x + a ) =  k ( x + n  a ) (10-3)
donde:
n → es un número entero

El efecto de la periodicidad es modular de forma periódica la amplitud de la solución

de partícula libre. La función de onda será:

( x + t ) =  k ( x)  e i(k x−t ) (10-4)

donde:
El primer factor: k (x ) → describe la modulación.
El segundo factor: el exponencial, describe una onda de longitud de onda:  = 2   k , que
se propaga en la dirección de “X” creciente si k  0 , y en la dirección decreciente si k  0 .
La función k (x ) se asemeja a la autofunción para un átomo aislado. Su forma exacta depende
del potencial particular considerado y del valor de k .
Una buena aproximación para V (x ) de un cristal es una sucesión de pozos y barreras
de potencial rectangulares de periodicidad idéntica a la de la red, como se muestra en la
Figura 10-01, cada pozo representa una aproximación del potencial producido por un ion.
Este es el modelo de Kronig-Penney que permite un tratamiento matemático más fácil que el
potencial real, pero contiene todos sus aspectos importantes. Examinemos un poco más este
modelo.
Para pozos profundos y bien espaciados, el electrón de energía no muy alta queda
prácticamente ligado dentro de uno de los pozos, de modo que los autovalores de más baja
energía son los de pozo aislado y único. Para pozos más próximos unos de otros, las
autofunciones pueden más fácilmente penetrar en las barreras de potencial. Esto resulta en
un alargamiento del nivel de energía único original en una banda de niveles de energía. La
banda se torna más larga a la medida que la separación entre los pozos es reducida. De hecho,
en el límite de barreras con acho cero, obtenemos un único pozo, infinitamente largo, donde

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todas las energías son permitidas, es decir, obtenemos el modelo del electrón libre. En la
Figura 10-2, comparamos los valores permitidos de las energías de un pozo único con los del
modelo de Kronig-Penney, de una sucesión de pozos y barreras. Observe que cada banda
permitida corresponde a un nivel discreto de pozo único y que aparecen bandas prohibidas

aún en energías mayores del que la profundidad del pozo Vo . Los anchos de las bandas se

irán aproximar de los anchos de los niveles cuando “ a ” ira aumenta (“  ” permanece fijo) y
de un continuo cuando “ a ” va disminuir.

Figura 10-1.- Potencial visto por un electrón que se mueve en una red cristalina, puede
ser aproximado por el modelo de Kronig-Penney, sucesión de pozos de
potencial cuadrados y barreras de potencial.

Al resolver la ecuación de Schröedinger para el modelo de Kronig-Penney deberemos

satisfacer las condiciones de continuidad de  y d dx , así como se hizo para el pozo
rectangular aislado. Esto restringe la validez de las soluciones de Bloch, ecuaciones (10-2) y
(10-3), a algunos intervalos de energía dando origen a las bandas permitidas. Para valores de
energía situados en las bandas prohibidas, las autofunciones son amortiguadas rápidamente
por un factor exponencial decreciente real. La expresión  (k ) para las energías permitidas en
términos del número de onda angular k del electrón es más complicado de que para el
electrón libre, pero en los intervalos prohibidos o discontinuidades en energía ocurren para
valores de k dados simplemente por:
 2  3 (10-5)
k = ,  ,  , ......
a a a
donde: a → es la periodicidad espacial de la red.

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Figura 10-2.- En la izquierda, se tiene las energías para un electrón en un pozo de

potencial aislado. A la derecha, se tiene las energías permitidas para un
electrón en un conjunto de pozos y barreras periódicamente espaciados.

En la Figura 10-3, aparece la función  (k ) ; para valores de k iguales a los especificados en

la ecuación (10-5) se observan las bandas prohibidas en cuanto que para los valores de k
alejados de aquellos la dependencia en k de la energía es muy semejante a la de los electrones
libres (dada por la curva discontinua en la figura). El origen de las bandas permitidas y
prohibidas aparece claramente en la figura. Cada banda permitida corresponde a soluciones
de la ecuación de Schröedinger para los cuales k tiene valores positivos en un intervalo  a
y valores negativos en un intervalo de la misma anchura. Observe que esto está de acuerdo
con una conclusión obtenida de un punto de vista muy diferente y expresado en la ecuación
(9-11).
Del punto de vista del tratamiento presente, los intervalos prohibidos, entre la cima de una
banda permitida y la base de la próxima pueden ser entendidos como el resultado de la
reflexión de Bragg de las ondas progresivas que describe un electrón cuando se propaga a lo
largo de la red.

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Figura 10-3.- Energías permitidas en función del vector de onda k , para una red
unidimensional de periodicidad k . Para efectos de comparación
representamos por una línea discontinua el resultado del modelo del
electrón libre. Las bandas de energía permitidas y prohibidas resultantes
aparecen a la derecha.

Masa efectiva.- Al discutir el comportamiento de un electrón en una red periódica sujeto a

un campo eléctrico externo, es muy conveniente introducir el concepto de masa efectiva del
electrón. Se sabe, que la velocidad de grupo “ g ” es igual a la derivada de la frecuencia “ f
” de sus ondas progresivas senoidales componentes en relación al recíproco de la longitud de
onda “  ” está dado por:

df dw (10-6)
g= =
d dk
donde:
f → se transforma en la frecuencia angular  .
 → se transforma en el número de onda angular o vector de onda k .
Como:
p2 2  k 2 (10-7)
= = =  
2m 2m

Por la relación de Einstein-De Broglie:

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h( f  2   ) (10-8)
 = h f = =  
2 

Luego:

d   2  k   k p mv (10-9)
g= = = = = =v
dk 2m m m m

Obtenemos así el resultado correcto de que la velocidad de grupo “ g ” es igual a la

velocidad “ v ” del electrón cuyo movimiento es representado por el grupo de ondas.
Consideremos ahora, un electrón en una red unidimensional cuya dependencia de la
energía con el vector de onda,  (k ) , tiene la forma discutida arriba. Si aplicamos a ese sistema

un campo eléctrico externo “ E ”, durante el intervalo de tiempo “ dt ” el electrón de carga “

q ” recorre una distancia “ dx ” y el trabajo realizado por el campo externo será la fuerza
aplicada: “ W = F  d = q  E  d ”. Como eso es igual a la amplitud de la variación d de la
energía del electrón, tendremos:

dx (10-10)
d = q  E  dx = q  E  dt = q  E  v  dt = q  E  g.dt
dt

Por otro lado, sabemos que:  =   

d (10-11)
d =   d =   dk =   g  dk
dk

Comparando las dos expresiones:

dk (10-12)
q  E  dt =   dk →  = qE
dt

d 1 d
Tomando la derivada temporal de: g = =  se tiene:
dk  dk
dg 1 d 2 1 d 2 dk dg 1 d 2 (10-13)
=  =  2 → = 2 2 qE
dt  dk  dt  dk dt dt  dk
Nuevamente utilizando que: g = v se tiene:

dv q  E (10-14)
= *
dt m

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donde:
1 1 d 2 (10-15)
= 
m*  2 dk 2

*
La magnitud de 1 m es el recíproco de la masa efectiva del electrón en la red
cristalina. El electrón que estamos estudiando se desplaza sobre el efecto de fuerzas internas,
ejercidas sobre él por los iones de la red, y una fuerza externa, ejercida sobre él por el campo
eléctrico aplicado E . Si quisiéramos, podemos utilizar la ecuación (10-15) para discutir el
movimiento del electrón exclusivamente en términos de la fuerza externa, ya que esa
ecuación tiene la forma de la Ley de Newton: la aceleración es igual a la fuerza externa
*
dividida por la masa. Las propiedades de la red determinan 1 m . En la Figura 10-4, se
muestra la primera y parte de la segunda Zona de Brillouin, de un cristal unidimensional. La
curva continua es  (k ) y la curva parabólica discontinua es la relación del electrón libre

 = h2  k 2 2  m .
Próximo del centro de la primera zona de Brillouin:

2  k 2 d 2   2  k
= derivando: = nuevamente derivando, se tiene:
2m dk 2m

d 2  2 (10-16)
=
dk 2 m

Reemplazando en la ecuación (10-15):

(10-17)
1 1 d 2 1 1  2  1 1
=  → =   → =
m*  2 dk 2 m*  2  m  m* m

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Figura 10-4.- El recíproco de la masa efectiva en varias regiones de la primera y

segunda zona de Brillouin, de una red unidimensional. Los puntos sobre
el eje de los k indican los valores permitidos de k uniformemente
distribuidos.

Consecuentemente, en esta región, la red tiene poco efecto sobre el electrón. El recíproco de
la masa efectiva es prácticamente lo mismo del recíproco de la masa verdadera. El electrón
responde al campo eléctrico aplicado, como si fuese prácticamente un electrón libre.
Alejándose del centro en cualquier dirección, la curva de la función  (k ) cambia
significativamente, de la curvatura de la parábola, provocando variaciones dramáticas en el
recíproco de la masa efectiva del electrón y por tanto en su respuesta al campo aplicado.
En la base de la primera banda de energía, donde el módulo del número de onda tiene

el valor de k  0 , no existe prácticamente reflexión, pues la condición de Bragg k =  a

está lejos de ser satisfecha. Cuando el campo es aplicado, la fuerza por el producida irá
aumentar el momento del electrón y el trabajo realizado irá aumentar la energía del electrón,

de forma idéntica al caso del electrón libre. Más arriba en la banda, cuando k se aproxima

del valor crítico de Bragg,  a , la reflexión pasa a no ser más despreciable. En esta región,
el trabajo efectuado sobre el electrón también aumentará su energía, aunque esto aumentará
la intensidad de la reflexión que corresponde a invertir el signo del momento. A continuación
presentamos las diferencias a nivel de bandas de energía de metales, semiconductores y
aislantes.

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SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un sólido covalente que puede ser considerado aislante, pues su
banda de valencia está llena y la banda de conducción totalmente vacía, en el cero absoluto,
aunque tiene una banda prohibida de energía (𝐸𝑔 ) entre la banda de conducción y la
banda valencia, inferior a 2 eV. Para el Silicio, este intervalo es de 1,14 eV y para el
Germanio es de 0,67 eV.
La conductividad de un semiconductor crece rápidamente con la temperatura, siendo
que en el Silicio, por ejemplo, el número de electrones excitados aumenta por un factor de
cerca de un billón cuando la temperatura se duplica de 300K a 600K. Como la banda de
valencia está totalmente ocupada a baja temperatura, con los cuatro electrones de valencia de
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Silicio o Germanio formando ligaciones covalentes, cada excitación electrónica para la banda
de conducción deja un hueco en la banda de valencia. Esos huecos funcionan como
portadores positivos, también contribuyen para la conductividad. En la Figura 10-5, aparece
ilustrada el esquema de la banda de un semiconductor; la banda prohibida es la diferencia de
energía entre el punto más bajo de la banda de conducción y el más elevado de la banda
de valencia. El punto más bajo de la banda de conducción se denomina: borde de la banda
de conducción; el punto más elevado de la banda de valencia se denomina: borde de la
banda de valencia.

Figura 10-5.- La banda de un semiconductor donde el intervalo de energía de la banda

prohibida entre la banda de valencia, inicialmente llena, y la banda de
conducción, originalmente vacía, es pequeño. La excitación térmica lleva
algunos electrones a ultrapasar la banda prohibida y llegar a la banda de
conducción, dejando huecos en la banda de valencia.

La conductividad de los semiconductores provenientes de las excitaciones térmicas

es denominada: conductividad intrínseca.
Existen otras maneras de reforzar la conductividad, como por ejemplo por foto-
excitación. El intervalo de energía prohibida en los semiconductores es equivalente a la
energía de los fotones de la región roja del infra-rojo del espectro electromagnético y
consecuentemente, los semiconductores son fotoconductores. Esa contribución a la
conductividad aumenta con la intensidad de la luz y cae a cero cuando se desconecta de la
fuente de luz y la distribución de equilibrio térmico normal se restablece.
Otra forma de aumentar la conductividad de los semiconductores es por la adición de
impurezas en el mismo. Esto es, se sustituye algunos átomos del semiconductor por átomos
de otro elemento, teniendo aproximadamente el mismo tamaño, aunque valencia diferente.
La conductividad resultante es denominada conductividad extrínseca y el proceso de
sustitución se llama dopado.

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Una impureza que proporciona electrones es denominada impureza donadora y el

semiconductor resultante es llamado de tipo − n (negativo) por tener un exceso de electrones
libres. Una impureza deficiente en electrones es denominada impureza aceptadora y el
semiconductor resultante es denominado del tipo − p (positivo).
Si la conductividad de un semiconductor es del tipo − p o del tipo tipo − n puede
ser determinada por el Efecto Hall. En la Figura 10-6, se muestra esquemáticamente el
diagrama de niveles de energía correspondiente a cada tipo. Los niveles de energía
localizados de los átomos de las impurezas no son alargados dando origen a bandas porque
esos átomos están alejados de varios parámetros de red e interaccionan muy débilmente unos
con otros.
En un semiconductor intrínseco, el número de estados vacíos en la banda de valencia
es igual al número de estados ocupados en la banda de conducción, de modo que la energía
de Fermi se localiza en algún lugar del intervalo entre las bandas. Si la densidad de estados
en las dos bandas fuese simétrica entonces la energía de Fermi se situará en el medio del
intervalo de energía prohibida.
En un semiconductor extrínseco conteniendo impurezas donadoras, la energía de Fermi se
sitúa encima del medio de la banda prohibida porque existen más electrones en la banda de
conducción de que huecos en la banda de valencia. En un semiconductor extrínseco
conteniendo impurezas aceptadoras la energía de Fermi se encuentra abajo del medio de la
banda prohibida porque existen menos electrones en la banda de conducción de que huecos
en la banda de valencia.
Es interesante considerar el efecto combinado de temperatura y de impureza en la energía de
Fermi. Consideremos inicialmente la temperatura del cero absoluto un semiconductor de
tipo − n . Los niveles donadores están todos ocupados, pero no hay electrones en la banda
de conducción. El nivel de Fermi debe entonces situarse entre los niveles donadores y la base
de la banda de conducción. Cuando la temperatura aumenta, electrones de los niveles
donadores son excitados para la banda de conducción.

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Figura 10-6.- A la izquierda se tiene el diagrama esquemático de niveles de energía de

un cristal de Germanio conteniendo átomos de impureza donadoras. A la
derecha, se tiene átomos de impureza aceptadora.

En la Figura 10-7, se tiene el gráfico de la energía de Fermi en función de la temperatura para

los semiconductores extrínsecos.

Figura 10-7.- A la izquierda se tiene la Energía de Fermi en función de la temperatura en

semiconductores de tipo − n , para dos concentraciones diferentes de
impurezas. A la derecha, se tiene semiconductores del tipo − p para dos
concentraciones diferentes de impureza.

Banda Prohibida.- La conductividad intrínseca y las concentraciones de los

portadores intrínsecos se ven controlados grandemente por el cociente:

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𝐸𝑔
𝐾𝐵 ∙ 𝑇

que es la razón entre el ancho de la banda prohibida y la temperatura.

Cuando esta razón es grande será baja la concentración de los portadores intrínsecos
y será también baja la conductividad.
El umbral de absorción óptica continua a frecuencia (𝑤𝑔 ) determina la anchura de
la banda prohibida dada por:

𝐸𝑔 = ℏ ∙ 𝑤𝑔 (10-17A)

La ecuación (10-17A) se visualiza en las Figuras (10-7A-a) y (10-7B-a). En el proceso de

absorción directa un fotón es absorbido por el cristal con la creación de un electrón y un
hueco.
En el proceso de absorción indirecta de las Figuras (10-7A-b) y (10-7B-b) el ancho de energía
mínima de la banda prohibida en la estructura de bandas involucra la existencia de electrones
y huecos separados por un vector de ondas sustancial (𝒌𝑐 ). En este caso una transmisión
directa de un fotón con la energía de la distancia mínima de la banda prohibida no puede
satisfacer los requisitos de conservación de los vectores de ondas, porque los vectores de
onda de los fotones son despreciables en el intervalo de energías de interés. Pero si se crea
en el proceso un fonón de vector de ondas 𝐾 y frecuencia 𝑓 , entonces resulta:

𝒌(𝑓𝑜𝑡ó𝑛) = 𝒌𝑐 + 𝑲 ≅ 0 ; ℏ ∙ 𝜔 = 𝐸𝑔 + ℏ ∙ 𝑓 (10-17A)

Según requieren las leyes de conservación. La energía del fonón ℏ ∙ 𝑓 será generalmente
mucho menor que 𝐸𝑔 ; un fonón incluso de vector de ondas elevado es una fuente fácilmente
accesible de cantidad de movimiento para el cristal porque las energías de los fonones son
evidentemente pequeñas ( ~ 0,01 𝑎 0,03 𝑒𝑉 ) en comparación con la anchura de la banda
prohibida. Si la temperatura es lo suficientemente elevada de modo que el fonón necesario
esté ya térmicamente excitado en el cristal, es posible tener también un proceso de absorción
de fotones en el que se absorba el fonón.
También puede deducirse la anchura de la banda prohibida a partir de la dependencia con la
temperatura de la conductividad o de la concentración de portadores en el intervalo
intrínseco.

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Figura 10-7A.- Absorción óptica en aislantes puros en el cero absoluto. En (a) el umbral
determina la banda prohibida como 𝐸𝑔 = ℏ ∙ 𝑤𝑔 . En (b) la absorción
óptica es más débil cerca del umbral: cuando ℏ ∙ 𝜔 = 𝐸𝑔 + ℏ ∙ 𝑓 se
absorbe un fotón con la creación de tres partículas: un electrón libre, un
hueco libre y un fonón de energía ℏ ∙ 𝑓.

Figura 10-7B.- En (a) se presenta el punto inferior de la banda de conducción en el

mismo valor de “k” que el punto más elevado de valencia. La transición
indirecta de (b) involucra tanto un fotón como un fonón porque los
bordes de las bandas de las bandas de conducción y de valencia están
ampliamente separados en el espacio “k”.

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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Ilustraremos el uso de semiconductores extrínsecos en la electrónica, discutiendo

brevemente el funcionamiento de tres dispositivos semiconductores.
a. El rectificador.-
Es constituido por un cristal conteniendo impurezas aceptadoras ( tipo − p ) en una región e
impurezas donadoras ( tipo − n ) en otra región. El límite entre esas regiones es denominado
de junción p − n . La Figura 10-8, muestra la estructura de bandas de energía de una junción
p − n no polarizada a la temperatura ambiente. Los límites de las bandas deben ser
desplazados cuando se pasa de la región “p”, a través de la junción, a la región “n” porque la
energía de Fermi es próxima de la parte máxima de la banda de valencia en la región “p” y
próxima de la base de la banda de conducción en la región “n”, en cuanto que la Egeria de
Fermi debe tener el mismo valor en cualquier lugar. Si la energía de Fermi variase de una
región para otra, la energía del sistema no estaría minimizada. De hecho, ella podría ser
reducida con el paso de electrones de una región a otra para ocupar estados vacíos de menor
energía y el sistema no estaría en equilibrio. Si un electrón se desplaza a través del campo
eléctrico producido dentro de esa capa dipolar, su energía aumentará cuando él pasa del lado
“n” para el lado “p” En la Figura 10-8 se muestra los niveles de energía electrónicos de una
junción p-n no polarizada.

b. Transistor.-
Puede ser considerado como una combinación de dos junciones semiconductoras como
p − n − p o n − p − n . En la Figura 10-9 aparece un circuito que presenta un comportamiento
de transistor. Las regiones n − p − n son denominadas emisor, base y colector
respectivamente. La conexión emisor-base es polarizada directamente, siendo entonces
pequeña a la resistencia al flujo de corriente en es parte del circuito. La conexión base-
colector es polarizada inversamente habiendo entonces una resistencia más alta al flujo de
corriente en esa parte del circuito.

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Figura 10-8.- En el gráfico se muestra los niveles de energía electrónico de una junción
“ p − n ” no polarizada.

Figura 10-9.- A la izquierda se tiene un circuito en el cual un transistor n − p − n

funciona como un amplificador de potencia. Loa electrones fluyen en la
dirección indicada por la flecha, del emisor al colector. A la derecha, se
tiene las curvas características de un transistor funcionando como un
amplificador de potencia.

c. Diodo túnel.-
Es un dispositivo semiconductor que utiliza el fenómeno de penetración de barrera de
potencial. Se trata de una junción p − n hecha con semiconductores de altas
concentraciones de impurezas. En la Figura 10-10(a) aparece el grafico de energía del
electrón a través de una junción no polarizada.

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Figura 10-10 Diagramas de niveles de energía electrónicos de las regiones tipo “p” y
“n” de una junción diodo túnel. En (a) el diodo no está polarizado. En (b)
una pequeña tensión es aplicada en las extremidades del dispositivo, con
la extremidad del tipo “p” positiva. En (c) y (d) la tensión es aumentada
progresivamente. Las flechas indican el flujo de electrones a través de la
junción entre las dos regiones. o un amplificador de potencia.

La conductividad ( ) en la mayoría de los materiales puede ser expresada como:

 = n  e  e (10-18)
donde:
e → es la movilidad electrónica, que es una indicación de la frecuencia de los eventos de
2
dispersión, su unidad es: m V .s , es decir metro cuadrado sobre Voltio por segundo.
n → es el número de electrones libres o de conducción por unidad de volumen.
e → es la magnitud absoluta de la carga de un electrón (1,6 10 C ).
−19

De esa forma, la conductividad eléctrica es proporcional tanto al número de electrones

libres cuanto a la movilidad de los electrones. El fenómeno de dispersión es manifestado
como una resistencia al paso de la corriente eléctrica.

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Para el caso de la conductividad eléctrica intrínseca, la expresión para la conducción

eléctrica se modifica para incluir un término que lleve en consideración la contribución de
corriente debida a los agujeros o huecos.

 = n  e  e + p  e  h (10-19)

donde:

h → es la movilidad electrónica de los huecos, su unidad es: m 2 V .s , también  h   e

p → es el número de agujeros o huecos por unidad de volumen.

Para los semiconductores intrínsecos, cada electrón promovido a través de espaciamiento

entre bandas resulta en un hueco en la banda de valencia, de esa forma se tiene que:
n = p = ni , donde ni , es la concentración de portadores intrínsecos, además se tiene que:
 = n  e  ( e +  h ) = p  e  (e +  h ) = ni  e  (e +  h ) (10-20)

Para los semiconductores extrínsecos, en la temperatura ambiente, la energía térmica

disponible es suficiente para excitar grande número de electrones a partir de los estados
donadores, adicionalmente ocurre algunas transiciones intrínsecas de la banda de valencia
para la banda de conducción, pero en intensidad despreciable. De esa forma, el número de
electrones en la banda de conducción excede en mucho en el número de agujeros en la banda
de valencia (n  p ) , quedando la ecuación, como:

  n  e  e (10-21)

Un material de este tipo es dicho como un semiconductor extrínseco del tipo “ n ”. Los
electrones son portadores mayoritarios en virtud de su densidad o concentración; los agujeros
por otro lado son portadores de carga minoritaria. En los semiconductores tipo “ n ”, el nivel
de Fermi es desplazado parar arriba en el espaciamiento entre bandas, hasta la vecindad del
estado donador.

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Para el tipo “ p ”, los huecos están presentes en concentraciones mayores que los
electrones ( p  n) , luego:

  p  e  h (10-22)

Para el tipo “ p ”, el nivel de Fermi está posicionado entre bandas y próximo al nivel
receptor.
En la Tabla 10-1, indicamos los espaciamientos entre las bandas para algunos compuestos
semiconductores.

Tabla 10-1 Energías de los espaciamientos entre bandas, movilidades de los

electrones y de los huecos y conductibilidad eléctrica intrínseca a la
temperatura ambiente para materiales semiconductores.

Material Espaciamiento Conductividad Movilidad de Movilidad de

entre bandas eléctrica electrones huecos
(eV ) ( − m)  −1
(m 2
V −s ) (m 2
V −s )
Si 1,11 4  10 −4 0,14 0,05
Te 0,67 2,2 0,38 0,18
GaP 2,25 --- 0,03 0,015
GaAs 1,42 10 −6 0,85 0,04
InSb 0,17 2  10 4 7,7 0,07
CdS 2,40 --- 0,03 ---
ZnTe 2,261 --- 0,03 0,01

Ejercicios.
1.- Calcule la concentración de portadores intrínsecos, a la temperatura ambiente para el
Arseneto de Galio.
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Introducción a la Física del Estado Sólido Semana 10

Solución:
Una vez que el material es indicado como intrínseco, la concentración de portadores puede
ser calculada utilizando la ecuación (11-20), es decir:

 = ni  e  ( e +  h ) , entonces: ni = , luego de la Tabla 11-1, se obtiene que:
e  ( e +  h )
la conductividad del GaAs, es:  = 10 ( − m) , la movilidad de los electrones del GaAs
−6 −1

es:  e = 0,85 m V − s ; la movilidad de los huecos del GaAs es:  h = 0,04 m V − s .

2 2

Reemplazando:
10 −6 ( − m)
−1
ni = = 7,0  1012 m −3
( )
1,6  10 C  (0,85 + 0,04) m V − s
−19 2

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