ACTIVIDAD APLICACIÓN FET

ARTHUR JOSE BURGOS RODRIGUEZ

GRUPO 1

MIRIAM SAMANTHA DUARTE PIMIENTA

(2016219073)

DYLAN GIUSEP BARAJAS DE LIMA

(2018219004)

ANDERSON MOSQUERA HURTADO

(2018219040)

FACULTAD DE INGIENERIA ELECTRÓNICA

UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA

2021-I

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TABLA DE CONTENIDO

INTRODUCCIÓN ...................................................................................................................... 3

OBJETIVOS ............................................................................................................................... 4

DESARROLLO DE ACTIVIDAD............................................................................................. 5

DESARROLLO DE ACTIVIDAD DE EL SENSOR PH .......................................................... 6

SIMULACION ........................................................................................................................... 9

CONCLUSION ......................................................................................................................... 10

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 INTRODUCCIÓN

La presente investigación surgió como respuesta a un problema planteado a los estudiantes por
parte de su docente para evaluar su conocimiento y dominio de las herramientas dadas en la
clase.

La característica principal es resolver los puntos que se plantearon en dos maneras por el
profesor los cuales consisten en primero observar un circuito con formato JFET auto polarizado.

La otra parte qué es el estudio del sensor PH se obtiene una figura representada en una gráfica a
las cuales hay que darle respuesta siete preguntas las cuales fueron evaluadas de manera muy
objetiva y analizadas por cada miembro del trabajo para así obtener las respuestas deseadas.

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 OBJETIVOS

Analizar un circuito que incluye un JFET auto polarizado

Establecer las situaciones por las cuales puede presentarse un problema en un circuito
con D-MOSFET.

Determinar los voltajes que pueden tener el sensor PH.

Analizar Cómo se puede determinar la corriente máxima permisible en un drenaje para el

sensor pH.

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 DESARROLLO DE ACTIVIDAD

Ilustración 1CIRCUITO A ESTUDIAR

R/ Ocurre ya que R1 es muy grande o esté abierta y no permite la llegada de voltaje a la fuente
por lo tanto el JFET no se activa, otra opción sería que R2 fuese muy pequeña o este en corto y el
voltaje de fuente tienda a 0.

R/ D-MOSFET es decremental, A) El D-MOSFET puede que esté dañado.

Que GATE esté conectada a tierra.
Que exista un ruido referenciado a tierra y se comporte como circuitos cerrado.

R/ El MOSFET se encuentra desactivado y el voltaje de drenaje será el mismo que VCC.

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 DESARROLLO DE ACTIVIDAD DE EL SENSOR PH

Ilustración 2 SENSOR PH

Teniendo en cuenta la gráfica anterior:

1. pH = 8
V = 100 mV
2. pH = 3
V = -400 mV

3. La transconductancia es la que reflejan las relaciones entre las variaciones de las

fuentes de tensión VGS y VSB con la corriente ID.

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 4. Mediante la ecuación de Schokley tenemos:

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝐺𝑆 ⁄ 𝑉𝑃)2

que: 𝑃𝑚á𝑥 = 200 𝑚W Tenemos

𝑃 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × 𝑉𝐷𝑆 Entonces:

200 𝑚𝑊
𝐼𝐷𝑆𝑆 =
5. Según el datasheet dado: 10 𝑉

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 20 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 12 ; 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 30 𝑚𝐴 ⇒ 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝐴𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑜𝑠
𝑠𝑜𝑛

−𝑉𝐺2(𝐺𝐴𝑇𝐸) = −0,6 𝑉 𝑎 − 1,0 𝑉 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑆1 = 𝐺𝑁𝐷 𝑦 𝑆2 𝑓𝑢𝑛𝑐𝑖𝑜𝑛𝑎

𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒

𝐴𝑝𝑙𝑖𝑐𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑆𝑐ℎ𝑜𝑘𝑙𝑒𝑦

𝑉𝑔𝑠 −12
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠(1 − )^2 = 30𝑚𝐴 ∗ (1 −
)^
𝑉𝑔𝑠(𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜) −1 2

𝐼𝐷 = 3,63 𝐴

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 SIMULACION

V(sal)
9,043

7,574

5,93
V(sal)

4,89
4,197
3,562
2,96
2,382

3 4 5 6 7 8 9 10
V(sal) 9,043 7,574 5,93 4,89 4,197 3,562 2,96 2,382
Ph

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 CONCLUSION

En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de manera

interna a la terminal de la fuente. La fuente y drenaje, están conectadas a un material tipo n a
través de un contacto metálico, sin embargo en este caso no tenemos un canal que conecte estas
terminales. La compuerta, sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato
por un oxido de silicio, con propiedades dieléctricas.

Como pudimos observar en el circuito se nos presentó un Transistor MOSFET de dos

compuertas los cuales se pueden utilizar en aplicaciones de baja tensión, baja potencia.

El voltaje de compuerta se calcula haciendo la diferencia decada una de ellas y así obtenemos
el respectivo voltaje.
Fue necesario conocer los datos del transistor dados por su datasheet para la realización, ya que
sin estos no se hubiera podido entender el funcionamiento del circuito.