Alumno: Portal Borja Julio Ruben

Curso: E. Industrial y de Potencia

Código: 1823110134
 Valor de los parámetros requeridos.

Resolución 1:
 Pese a la búsqueda íntegra no se obtuvo el dato del V F min de forma
directa, pero se puede ver de la tabla que tenemos(párametros brindado
por el fabricante) el (Typ y Max.), sabemos que el Typ es el promedio
por entre el min. y Max. valor de V F entonces obtenemos el min.
V F=0.75 v
 A temperatura ambiental (25°C).
Ahora vamos a realizar del silicio para hacer la comparación con el diodo
STTA 506

ηi :Concentracionitrinseca del material=1,499 ×1 010 c m−3

η A :Concentraci ó n Aceptora de lacapa positiva=1 015 c m−3
η D :Concentraci ó n Donadora de la capa negativa=1 015 c m−3
E :Campo el é ctrico del material intr í nseco=300 kV / cm
K :Constante de boltzman=1,38 ×1 0−23 J /° k
T :Temperatura absoluta de operaci ó n=° C+ 273=300 ° K
q : cargadel electr ó n=1,6 ×1 0−19 C ϕ C : Potencial de contacto dela∪P−N

 Mediante el uso de los datos se puede hallar: El Potencial de Contacto y

La anchura de la Capa de deflexión. Para eso se usa la siguiente
fórmula:
Potencial de Contacto:

K  T    A  D  
C    ln  
q    i  2  
  
Re emplazando :
  
1.38 10 23  300   1015 1015  
C   ln
   
1.6 1019   1.499  1010 2  

C  0.635 V

Capa de Deflexión:
 2  E  C    A   D 
W0 
q  A  D
Re mplazando :
2  300  0.635   1015  1015 
W0 
1.6 1019 1015 1015
W0  1618.44

Resolución 2:

COMENTARIO:

 Se buscó las características del diodo STTA 506 pero no se pudo

encontrar la anchura de capa de deflexión, por ese motivo solo se puede
comparar el V F del diodo STTA 506 y del silicio.
 El diodo STTA 506 tiene un V F=0.75 v que es mayor que el de silicio, eso
se debe quizás que el diodo STTA 506 presenta impurezas que hace
que necesite de V F=0.75 v más que el diodo de silicio.