Ancajima Rosas Johan Antoni

Código: 1823120346

SOLUCION 1:

• No se encontró el dato del VF min. pero como se puede ver de la tabla

tenemos(datos del fabricante) el (Typ y Max.), sabemos que el Typ es el promedio
por entre el min. y max. valor de VF entonces obtenemos el min. VF = 0.75 v
• A temperatura ambiental (25°C).
Ahora vamos a realizar del silicio para hacer la comparación con el diodo STTA 506

i : Concentración itrinse ca del material = 1, 499 1010 cm −3

 A : Concentración Aceptora de la capa positiva = 1015 cm −3
 D : Concentración Donadora de la capa negativa = 1015 cm −3
E : Campo eléctrico del material in trínse co = 300 kV / cm
K : Consta nte de boltzman = 1,38 10−23 J / k
T : Temperatura absoluta de operación = C + 273 = 300 K
q : car ga del electrón = 1, 6 10−19 C
C : Potencial de contacto de la union P − N

• Con estos datos podemos hallar el Potencial de contacto y la anchura de la capa de

deplexión. Usando la formula:
Ancajima Rosas Johan Antoni
Código: 1823120346

K  T    A  D 
C =   ln  
q   (i )2 
  
Re emplazando :
  
1.38 10−23  300   1015  1015  
C =  ln
 ( ) 
1.6 10−19   1.499 1010 2  

C = 0.635 V

2  E  C  ( A +  D )
W0 =
q  A  D
Re mplazando :
2  300  0.635  (1015 + 1015 )
W0 =
1.6 10−19 1015 1015
W0 = 1618.44

SOLUCION 2:

COMENTARIO:

• En la búsqueda de las características del diodo STTA 506 no se pudo encontrar la

anchura de capa de deplexión, es por eso que solo se puede comparar el VF del diodo
STTA 506 y del silicio.
• El diodo STTA 506 tiene un VF = 0.75 v que es mayor que el de silicio, eso se
debe quizás que el diodo STTA 506 presenta impurezas que hace que necesite
de VF = 0.75 v más que el diodo de silicio.