Alumno: Portal Borja Julio Ruben

Curso: E. Industrial y de Potencia

Código: 1823110134

Valor de los parámetros requeridos.

Resolución 1:

 Pese a la búsqueda íntegra no se obtuvp el dato del 𝑉𝐹 min de forma

directa, pero se puede ver de la tabla que tenemos(párametros brindado
por el fabricante) el (Typ y Max.), sabemos que el Typ es el promedio por
entre el min. y Max. valor de 𝑉𝐹 entonces obtenemos el min. 𝑉𝐹 = 0.75 𝑣
 A temperatura ambiental (25°C).
Ahora vamos a realizar del silicio para hacer la comparación con el diodo
STTA 506
𝜂𝑖 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑡𝑟𝑖𝑛𝑠𝑒𝑐𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 = 1,499 × 1010 𝑐𝑚 −3
𝜂𝐴 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝐴𝑐𝑒𝑝𝑡𝑜𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑝𝑎 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑎 = 1015 𝑐𝑚 −3
𝜂𝐷 : 𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝐷𝑜𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑝𝑎 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑎 = 1015 𝑐𝑚 −3
𝐸: 𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 𝑖𝑛𝑡𝑟í𝑛𝑠𝑒𝑐𝑜 = 300𝑘𝑉/𝑐𝑚
𝐾: 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑜𝑙𝑡𝑧𝑚𝑎𝑛 = 1,38 × 10−23 𝐽/°𝑘
𝑇: 𝑇𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑎𝑏𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑜𝑝𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 = °𝐶 + 273 = 300°𝐾
𝑞: 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛 = 1,6 × 10−19 𝐶
𝜙𝐶 : 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑎𝑐𝑡𝑜 𝑑𝑒𝑙𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑜𝑛 𝑃 − 𝑁
  Mediante el uso de los datos se puede hallar: El Potencial de Contacto y
La anchura de la Capa de deflexión. Para eso se usa la siguiente fórmula:
Potencial de Contacto:

K  T    A  D  
C    ln  
q   i 2  
  
Re emplazando :
  
1.38 1023  300   1015 1015  
C   ln
   
1.6 1019   1.499 1010 2  

C  0.635 V

Capa de Deflexión:

2  E  C   A   D 
W0 
q  A  D
Re mplazando :
2  300  0.635  1015  1015 
W0 
1.6 1019 1015 1015
W0  1618.44

Resolución 2:

COMENTARIO:

 Se buscó las características del diodo STTA 506 pero no se pudo

encontrar la anchura de capa de deflexión, por ese motivo solo se puede
comparar el 𝑉𝐹 del diodo STTA 506 y del silicio.
 El diodo STTA 506 tiene un 𝑉𝐹 = 0.75 𝑣 que es mayor que el de silicio, eso
se debe quizás que el diodo STTA 506 presenta impurezas que hace que
necesite de 𝑉𝐹 = 0.75 𝑣 más que el diodo de silicio.