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RESUMEN 4
DISEÑO Y SIMULACIÓN DE CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
capítulo 1
INTRODUCCIÓN AL MODELADO, ANALISIS Y SIMULACION DE
1.1.- INTRODUCCIÓN. –
CAPITULO 2
DIODOS DE POTENCIA
2.1.- INTRODUCCIÓN. –
R1
1k
V1 D1
0Vdc D1N750
𝐪𝐕
𝐈 = 𝐈𝐬 ∙ (𝐞𝐤𝐓 − 𝟏)
Características estáticas:
- Parámetros en bloqueo (polarización inversa)
- Parámetros en conducción.
- Modelo estático.
Características dinámicas:
Potencias:
- Potencia máxima disipable.
- Potencia media disipada.
- Potencia inversa de pico repetitivo.
- Potencia inversa de pico no repetitivo.
Características térmicas.
Protección contra sobreintensidades.
1. Modelo ideal.
3. Diodo ideal en serie con fuente de tensión y con la resistencia del diodo en
conmutación.
R1
100
D1
V1 D1N4148
0Vdc
R1
V
100
D1
V1 D1N4148
12.00V 110.8mA 924.8mV
12Vdc
110.8mA
V
110.8mA
0V
Simulación:
Rectificador de media onda no controlado.