Electrónica Físican

Drift-difussion Lab: Apply bias only

Javier Garrido Luque
Grado en Física, grupo A
10 de junio de 2021

En este apartado vamos analizar el efecto de un potencial aplicado a una pla-

ca de semiconductor GaAs. Se empleará el simulador de nanohub Drif-Diffusion
Lab. En concreto, se hallará la movilidad de huecos de una muestra de GaAs
A
tipo P viendo como varía la densidad de corriente J(x)[ cm 2 ] en función del

voltaje. A su vez, para una muestra de GaAs tipo N, se verá como cambia la
movilidad de los electrones al incrementar la densidad de impurezas.

1. Fundamento teórico
Cuando hay un campo eléctrico E[ ~ V ] aplicado, cada electrón experimenta
cm
una Fneta = −q E.~ Los choques anteriores continúan y aumentan, pero el prome-
dio sobre el conjunto de electrones, adquieren una velocidad media proporcional
al campo eléctrico:

~ y < v~p >= −µp E

< v~n >= −µn E; ~ (1)
2
Donde µn,p ( cm
V s ) son las movilidades de electrones (n) y huecos (p). Así, los
choques eliminan la fuerza como aceleración, lo que acaba siendo una fuerza de
arrastre.Para electrones:

~ = −qnµn ( V ) = σn E
J~n = −qn < v~n >= −qnµn E ~ (2)
l
Y para huecos:

~ = −qpµp ( V ) = σp E
J~p = −qp < v~p >= −qpµp E ~ (3)
l
Donde σn,p es el tensor conductividad (de electrones y huecos, respectivamente)
y l es la longitud de la muestra de GaAs en nuestro caso. Por tema de signos,
al final las dos contribuciones de corrientes de carga positiva y negativa, in-
fluenciadas por el mismo campo, se suman y no se anula la una a la otra. La

1
justificación de la movilidad se obtiene a partir de la ecuación de transporte de
Boltzman.
Por un lado, al aplicar campos eléctricos altos: ~v = (±)µE,~ luego µ = cte.
Por otro lado, al aplicar campos eléctricos altos la velocidad de arrastre (vd ) se
satura, tanto para electrones como huecos. Como se aprecia en la gráfica que
sigue a este párrafo, de nuestras transparencias de clase, a altos campos y en
distancias cortas: "velocity overshoot".

2. Resultados y discusión
2.1. Estudio de la movilidad y la velocidad de arrastre del
GaAs tipo P variando el voltaje
En primer lugar, partiendo de una muestra extrínseca tipo P(p >> n) de
GaAs cuya longitud es l = 0,0001cm, luego la densidad de portadores (p) será
aproximadamente igual a la concentración de portadores aceptadores que hemos
metido en el simulador, en este caso: p = Na = 1015 cm−3 . A una Temperatura
ambiente de 300k. La gráfica obtenida de densidad de corriente de huecos Jp
frente a Voltaje aplicado V(de 0 a 2 Voltios), facilitada por la simulación es:

Como vemos en la expresión (3) por un sencillo ajuste lineal de la forma

f (x) = ax + b, donde f (x) es Jp , x es el campo eléctrico aplicado (E = V /l)y la
pendiente es a = qnµ = (6,35 ± 0,35) ∗ 10−16 , llegamos a una estimación de la
movilidad de huecos bajo estas condiciones:

2
 a cm2
µ= = (4,01 ± 0,22) ∗ 10−12 (4)
qp Vs
A continuación, se han calculado las velocidades de arrastre correspondientes
a cada par de datos de densidad de huecos y campo aplicado, siguiendo de nuevo
la expresión (3):
vd = µp E~ (5)
El resultado es la siguiente gráfica:

Así, los valores con los que hemos trabajado de Campo aplicado se consideran
bajos y el valor de la movilidad permanece más o menos constante. Mediante

3
un ajuste lineal de la misma forma que el anterior, se obtiene:

cm2
a = µ = (5,0 ± 0,2) ∗ 10−12 (6)
Vs
Valor más preciso que el anterior. Si el simulador nos permitiera meter voltaje
mayor de 2 voltios, se podría apreciar la saturación de la velocidad de arrastre
(.overshoot velocity"), parece que esté comenzando hacia el final de nuestros
datos, en consecuencia podría estimarse que la velocidad de saturación: vsat ∈
(4 − 7) ∗ 10−8 cm/s.

2.2. Estudio de la movilidad del GaAs tipo N variando la

concentración de impurezas
Para una muestra de GaAs tipo N(n >> p, n = Nd ) cuya longitud es l =
0,001cm, y a un voltaje pequeño fijo de V = 0,1V se ha medido la densidad
de corriente de electrones para distintas concentraciones de portadores. De esta
manera, se ha podido calcular la movilidad correspondiente a cada concentración
de impurezas con la expresión (2) del fundamento. En la siguiente tabla se
resumen dichos cálculos:

n[cm−3 ] µ(±0,08)[cm2 /V s]
1014 17850.65
5 ∗ 1014 7841.80
1015 7833.42
5 ∗ 1015 97791.3
1016 7521.31
5 ∗ 1016 7000.20
1017 5101.37
5 ∗ 1018 690.45

Cuadro 1: Datos movilidad de electrones correspondiente a cada n

En la siguiente gráfica, vemos como la movilidad decrece lentamente confor-

me aumentan las impurezas, pero a niveles altos de dopado el scattering causado
por las impurezas ionizadas se hace significativamente grande, conllevando una
reducción drástica de la movilidad.

4
3. Apéndice.Errores

1
∆µ = ∆a (7)
qp