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POR INDUCCION
Escuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y de Telecomunicaciones
Universidad Industrial de Santander
Abstract—In industry the applications of an inductive heater are calentamiento soluciona la problemática de la eficiencia
varied. In these devices the electrical energy comes from AC-DC mejorandola de una manera significativa. Este proceso de
converters, such as inverters or resonant converters. By creating calentamiento se basa en los materiales conductores de
a high-frequency magnetic field, an eddy current is induced with
a coil to a conductive piece, which is heated by the Joule effect. electricidad. Si bien los generadores de corrientes de alta
A disadvantage of these heaters is the initial cost of the induction frecuencia tienen precios mucho más altos que otros métodos
plant since it is significantly higher than conventional methods de calentamiento indirecto como calentadores por llama o
such as resistance heating or flame heating. However due to the por una resistencia, el calentamiento inductivo suele ser
high efficiency of current semiconductor generators, much higher una alternativa más rentable por los los bajos precios de
energy density and heat generation directly in the workpiece
induction heaters are a good option to explore in the industrial generadores que utilizan semiconductores actualmente, la
field. We propose a low-cost manufacturing inductive heater, with densidad de energía que manejan y la alta eficiencia.
economical and good quality materials that make it accessible for
medium-sized industries.
En este trabajo se lleva cabo la simulación, el diseño la imple-
I. PALABRAS CLAVE mentación de un calentador inductivo de 100[W], utilizando
NTD24N06, 89032402003WCAP-FTX2, UF4007, la topología del convertidor resonante.
1N821, IRF540.
IV. C ALENTADOR INDUCTIVO
II. O BJETIVOS Un calentador inductivo es un circuito que a partir de una
- Diseñar un inversor resonante con frecuencia de salida de alimentación de corriente continua genera una onda de corriente
140kHz. alterna de alta frecuencia, la cual por medio de campo
magnetico induce una corriente en una pieza de metal dentro
- Modelar el circuito en Orcad capture. del solenoide. El calentamiento de la pieza es debidio a las
- Hacer el diseño de la PCB. corrientes de Foucault que son inducidas en la misma, esta
corriente inducida disipa energia por toda la pieza en forma
- Fabricar un calentador inductivo de 100W. de calor, es decir, por efecto joul.
III. I NTRODUCCIÓN Las aplicaciones comunes de calentamiento inductivo incluyen
En la actualidad en los procesos de calentamiento industrial templado, recocido, soldadura fuerte, fusión, contracción,
es rentable optar por la tecnología de calentamiento inductivo, pruebas de materiales etc.
si bien representa una inversión mayor que los procesos
de calentamiento convencionales como: calentamiento con
llama, calentamiento con una resistencia, entre otros, estos V. C ONVERTIDOR RESONANTE
métodos son los mas populares en la industria y una de En ingeniería de energía eléctrica, los convertidores de
las desventajas más evidentes es la baja eficiencia con resonancia son topologías de circuito de un inversor basadas
respecto a los materiales que se desean calentar, creando una en resonancia. Los convertidores de resonancia generalmente
problemática debido a que a pesar de que la materia prima no funcionan con una carga aproximadamente constante y
represente un costo significativo en el sistema total el producto entregan voltajes de salida más o menos sinusoidales.
llega a ser costoso debido a los tiempos de calentamiento y la
necesidad de temperaturas elevadas. Dependiendo de la aplicación, existen diferentes tipos
de convertidores de resonancia con diferentes topologías. Lo
Existe una alternativa en el calentamiento industrial, la que todos tienen en común es que la sección de transmisión
cual es el calentador por inducción, este método de de energía se opera en la región de su punto de resonancia y
también es parte del oscilador que determina la frecuencia en Donde:
algunos tipos de convertidores. Dependiendo de la aplicación,
ρ = Resistividad volumétrica (Ω · mm2 )/m.
como el aislamiento galvánico, el transformador de resonancia
R = Resistencia en ohms (Ω).
utilizado también puede incluir una parte de un transformador
A = Area de sección transversal en (mm2 ).
o complementarse con él.[1]
l = longitud en metros (m).
Donde:
δ = Profundidad de penetración (m).
ρ = Resistividad del conductor (Ω/m).
µ = Permeabilidad en el vacío (4π10−7 ).
Figura 1: Esquema de un convertidor resonante. f = Frecuencia (Hz).
VIII. M ÉTODO
Este proyecto se llevó a cabo haciendo una investigación
Figura 2: Efecto piel para 3 valores de frecuencia. previa de cada uno de los elementos que se eligieron para
utilizar, fueron escogidos por sus propiedades, de tal forma
El efecto piel hace que la resistencia efectiva del conductor que fuesen los más óptimos para la ejecución del dispositivo.
aumente a frecuencias más altas donde la profundidad de la
piel es menor, reduciendo así la sección transversal efectiva V-A NTD24N06
del conductor. El cálculo de la resistencia se puede ralizar
utilizando la ecuación 1 teniendo los parámetros necesarios. - El NTD24N06 es un transistor MOSFET de canal N, diseñado
para aplicaciones de conmutación, convertidores, controles
ρ ·l de potencia y circuitos puente H. Las aplicaciones típicas
R= (1)
A de este transistor son convertidores de voltaje DC-AC y
controles de motor de potencia. Estas características hacen
de este una buena opción para utilizarlo en este circuito.
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Elemento NTD24N06
Consumo Total 60V-24 A
Rds 32m ohm
Tiempo de retardo de apagado típico 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido 10 ns
Area Total 6.73mm × 6.22mm
Costo total 3100 COP
Parámetros Valor
Voltaje de alimentación 3.3V
Corriente de alimentación 14.7mA - 24.5mA
Potencia de consumo 48.51mW - 80.85mW
Potencia Tx -3dBm – 10 dBm
Velocidad máxima de datos por aire 10937 bps
Rango de operación Cobertura de hasta 15 km en suburbano; cobertura de hasta 5 km en área urbana
Figura 4: IRF540
Figura 3: NTD24N06
V-B IRF540N
- El IRF540N es un transistor con respuestas rápidas a cambios
de tensión en la puerta, tiene ultra baja resistencia Rds, se
utiliza en aplicaciones de conmutación y circuitos puente
H. Estas características son similares al NTD24N06, siendo
más eficiente el NTD24N06 por sus tiempos de conmutación,
resistencia Rds y consumo de potencia.
Elemento IRF540
Consumo Total 100V-33 A
Rds 44m ohm
Tiempo típicode retardo de apagado 39 ns
Tiempo típico de demora de encendido 11 ns
Area Total 10.54 × 29.33
Costo total 3300 COP Figura 5: 1N821
Tabla 2: Características del IRF540
V-D UF4007
- La serie UF4001 a UF4007 son rectificadores ultrarrápidos
V-C 1N821
en un encapsulado de plástico DO-41 (DO-240 AL). Estos
- El 1N821 es un diodo de referencia Zener con compensación rectificadores de unión pasivada con vidrio 1A son compo-
de temperatura, en encapsulado de vidrio sellado hermética- nentes fiables de uso general que se pueden utilizar para una
mente, con terminaciones estañadas resistentes a la corrosión amplia variedad de aplicaciones. Algunas Características y
y banda de polaridad del cátodo. Este dispositivo de silicio ventajas son que tienen Caída de tensión directa baja, alta
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capacidad de transitorio de corriente, Capacidad de corriente V-E Bobina Toroidal
alta.
- Inductor Bobina Toroidal con nucleo de Ferrita, este
componente esta compuesto tradicionalmente por un núcleo
magnético en forma de anillo de Ferrita u otro material,
alrededor del cual se enrrolla un alambre, Las bobinas
toroidales tienen una amplia variedad de aplicaciones como
bobinas de alta frecuencia o transformadores.
Figura 6: UF4007
Elemento UF4007
Tensión Repetitiva Inversa de Pico 1000V
Corriente Continua Máxima Directa 1A
Caída de tensión directa máxima 1.7V
Tiempo de Recuperación Inverso de
72 ns
Pico
Area Total 3.9mm x 2mm Figura 8: Bobina Toroidal
Costo total 300 COP
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IX-A. Etapas de diseño
IX-A1. Proteccion: Como de indica en la figura 7, En la
etapa de protección contamos con dos elementos los cuales
son 2 resistencias de 220 Ω y un diodo zenner 1N821 de 6,2V
a 500mW. Estos elementos protegen al circuito de cualquier
sobre pico de tensión que pueda llegar al gate del mosfet y
además regula la tensión de puerta de Nmos y de entrada a el
circuito de oscilación en 6,2V.
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Figura 13: Pulsos de activación de los transistores
Figura 11: Topología del calentador inductivo
En la figura 13 se observan los pulso de activación de los La resistencia equivalente es la resistencia que disipa tanto
transistores y en la figura 14 se observa la onda de corriente calor como todas las corrientes de Foucault en la pieza de
en la bobina de trabajo. trabajo.[5] Por lo tanto, representa el poder disipado en la
pieza de trabajo. Teniendo esto en cuenta y siguiendo las leyes
Frecuencia 140.708[kHz]
Corriente RMS en la bobina de trabajo 15.262[A] de Maxwell, se puede demostrar que en caso de utilizar un
Corriente media en la bobina de trabajo 6.52[mA] solenoide largo y una pieza de trabajo conductora, para una
Eficiencia eléctrica 93.9423% barra redonda sólida de radio rw , la resistencia equivalente es
Tabla 9: Resultados de simulación sin carga igual a:
2πrw
Req = KR Nc2 ρw (4)
δw lw
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No hay muchas referencias en la literatura de calentamiento
inductivo sobre un método analítico simple para calcular el
inductor del modelo de pieza de inductancia. En el caso de un
solenoide, una aproximación útil es suponer que el solenoide
es largo y sin núcleo.
En el caso de inductores con núcleo de aire, existen muchas
ecuaciones, técnicas de aproximación y métodos para cal-
cularlos dependiendo de la geometría. En aplicaciones de
calentamiento inductivo, la siguiente fórmula de se pueden
usar para calcular el valor de inductancia para un solenoide
de longitud finita de pared delgada.[6] Figura 15: Corriente en la bobina de trabajo.
En este enfoque, el valor de inductancia se convierte en:
L es el valor de inductancia.
• lc es la longitud de la bobina.
• rc es el radio y dc el diámetro.
• µ0 es la permeabilidad magnética del vacío, que es igual a
4π × 10−7 [H/m].
Para una pieza de prueba de acero, la inductancia equivalente
sería: Figura 16: Corriente en la carga.
Parámetro Valor
lc 60 [mm]
dc 6.52 [mm]
XI-A. Criterios de diseño-PCB
rc 3.26 [mm] 1. El esquemático de los componentes estará organizado,
Nc 8 alineado e identificado de manera que sea legible.
L 1.37 [uH]
2. Las conecciones en nodos de potencia deben ser planos o
Tabla 11: Inductancia equivalente de la pieza pistas de ancho grande.
3. La separación miınima entre pistas depende de la tensión
que soporten. Para tensiones de trabajo digitales (12v-5v) una
Los resultados de la simulacion se observan en la tabla 12 y la separación mínima de 0,5 mm aproximadamente.
onda de corriente inducida en la carga si observa en la figura 4.Evitar ángulos de 90 grados o menores.
14 . 5.Utilizar dos capas.
Frecuencia en la bobina de trabajo 110 [kHz] 6.No se pasaran pistas entre dos terminales de componentes
Potencia media en la bobina de trabajo 389.246[W] activos (transistores). Si se puede hacer entre terminales de
Potencia aparente en la bobina de
trabajo
523.3[VA] componentes pasivos.
Potencia media en la carga 353.570[W]
Potencia aparente en la carga 479[VA]
Corriente RMS en la bobina de trabajo 15.262[A] Finalmente se logró un diseño eficiente para una aplicación
Corriente media en la bobina de trabajo 6.52[mA] de potencia y no muy complejo.
Corriente RMS en la carga 23.6[A]
Corriente media en la carga -3.87[A] XII. P RUEBAS
Corriente en la entrada de alimentacion
39[A] Se hicieron 3 pruebas al dispositivo, dos para diferentes
del irucito
Potencia en la entrada de alimentacion piezas(cargas) y una prueba de el dispositivo sin carga, con
453.8[W]
del irucito
Eficiencia eléctrica 85.77%
ayuda en una termocupla se midió la temperatura de cada una
de las piezas a un tiempo de 56s.
Tabla 12: Resultados de simulacion con carga
XII-A. Descripción del experimento
Para todas las pruebas se utilizó el mismo procedimiento. Se
XI. I MPLEMENTACIÓN puso un multímetro para medir la corriente que suministra
En la implementación del diseño se procedió a hacer el diseño la fuente DC a el dispositivo, otro multímetro se utilizó para
de la pcb, teniendo en cuenta lo resultados de simulación medir la temperatura de la pieza y por último se visualizó la
anteriores. onda sinusoidal de voltaje en la bobina de trabajo. Se tomaron
datos en cada una de las etapas de medición.
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Figura 17: Pulsos de activacion en las puertas de los transistores.
XIII. R ESULTADOS
Figura 20: Implementación final de la PCB con componentes
XIII-A. Prueba 1 soldados
La primera prueba se hizo sin ninguna pieza para calentar,
lo que se buscaba en este experimento era confirmar los
datos recopilados de las simulaciones y cálculos anteriormente que activan los transistores. Se observan variaciones en la
hechos. frecuencia y potencia suministrada a la bobina de trabajo:
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Figura 21: Montaje para pruebas en el laboratorio
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