Amplificadores con

Transistores de efecto campo

FET
SUMILLA 5
AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET).
RESPUESTA EN FRECUENCIA . CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL.
DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO . CALCULO DE CONDENSADORES DE
ACOPLO Y DESACOPLO. CALCULO DE GANANCIA DE TENSION Y DE
CORRIENTE, LA IMPEDANCIA DE ENTRADA Y DE SALIDA. DETERMINACION
DE LA FUNCION DE TRANSFERENCIA . DIAGRAMA DE BODE.
Qué es un transistor FET?
• El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo
de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo
eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
• El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le
adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que
están unidas entre si.
Fundamento de transistores de efecto de campo:
• Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente
con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
 Curva característica del transistor FET
Al aumentar el voltaje Vds, para un Vgs fijo, la corriente aumenta rápidamente (se comporta
como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estricción), desde donde la corriente
se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la región de disrupción o ruptura),
desde donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se destruye.
• ZONA ÓHMICA o LINEAL:
En esta zona el transistor se
comporta como una resistencia
variable dependiente del valor
de VGS. Un parámetro que
aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0
(rds on), y distintos valores de
VGS.
• ZONA DE SATURACIÓN:
En esta zona es donde el
transistor amplifica y se
comporta como una fuente de
corriente gobernada por VGS
• Ver gráfico de la curva característica de transferencia de
un transistor FET de canal tipo P en el gráfico inferior derecha. La fórmula es:
ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

• donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0
- Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y
fuente (ID = 0)
- Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea
saber ID
 Estas configuraciones aplican para MOSFET y
JFET
• Amplificador JFET de Fuente Común
• La configuración de amplificadores de JFET que mas frecuentemente se usa es
el circuito de fuente común. La fuente es común a la entrada y a la salida tal
como se muestra en el diagrama.
 CONFIGURACIÓN DEL JFET EN FUENTE-SEGUIDOR
(DRENAJE COMÚN)
• Observe que la salida se toma de la fuente, y cuando a la fuente de cd la
reemplaza su equivalente de cortocircuito el drenaje se pone a tierra (de ahí
la terminología en drenaje común)
• CONFIGURACIÓN DEL JFET EN COMPUERTA COMÚN
• Observe el requisito continuo de que fuente controlada gmVgs se conecte
del drenaje a la fuente con rd en paralelo. Desde luego, el aislamiento
entre los circuitos de entrada y salida se perdió puesto que la compuerta
ahora está conectada a la tierra común de la red.
Condensadores de acoplo y desacoplo
¿Qué es un Condensador de Acoplo?
• Un condensador de acoplo (también llamado un condensador de acoplamiento)
es un condensador que se utiliza para acoplar o enlazar sólo la señal de CA de un
elemento de circuito a otro. El condensador bloquea la entrada de la señal de CC
del segundo elemento y, por lo tanto, sólo pasa la señal de CA.
 Cómo Colocar un Condensador de Acoplo
en un Circuito
• Con el fin de colocar un condensador en un circuito para acoplamiento de CA, el
condensador está conectado en serie con la carga a acoplar.
¿Qué es un Condensador de Desacoplo?
• Un condensador de desacoplo (también llamado condensador de derivación) es
un condensador que se utiliza para desacoplar las señales de CA de una señal de
CC.
• Mientras que los condensadores de acoplo se utilizan para pasar a través del
componente de CA mientras se bloquea el componente de CC, un condensador
de desacoplamiento quita el componente de CA, haciendo para un componente
de CC más puro.
Cómo Colocar un Condensador de Desacoplo
en un Circuito
• Con el fin de colocar un condensador en un circuito de desacoplamiento, el
condensador se conecta en paralelo con la fuente de alimentación.
Ganancia de tensión,
corriente y potencia de un
Amplificador
 • Ganancia de tensión (∆V).- La ganancia de tensión se obtiene del cociente de
la tensión en la salida entre la tensión de la entrada. Ver la siguiente fórmula:
∆V = Vsal / Vent
• Ejemplo: Si un amplificador tiene una entrada de 0.1 Vpp (voltios pico-pico) y una
salida de 10 Vpp, la ganancia de tensión será: ∆V = 10 Vpp / 0.1 Vpp = 100.
• Ganancia de corriente (∆i).- La ganancia de corriente se obtiene del cociente de
la corriente de salida del amplificador entre la corriente en los terminales de entrada.
∆i = isal / ient
• Ejemplo: Si se tiene un amplificador con ganancia de corriente igual a 500 (∆i = 500), se
le aplica a una carga de 200 ohmios y si la corriente de entrada ient = 10 uA. ¿Cuál es la
tensión en la carga?
• Primero se obtiene la corriente de salida: isal = ∆i x ient = 500×10 uA = 5000 uA = 5 mA
• La tensión en la carga será: Vsal = 200 x isal = 200 ohmios x 5mA = 1000 mV = 1 voltio
 • Ganancia de potencia (∆P).- La ganancia de potencia se obtiene del cociente de
la potencia entregada en los terminales de salida y la potencia recibida en los
terminales de entrada.
∆P = Psal / Pent
• Ejemplo: utilizando el mismo ejemplo anterior y suponiendo que a la entrada
del amplificadorexista una resistencia de 1K, calcular ∆P.
• Potencia de entrada: Pent = I2R = (10 uA)2 x R = 0.1 uW (microWatts / microvatios)
•
Potencia de salida: Psal = V * I = 1 Voltio x 5 mA = 5 mW (miliwatts / milivatios)
• Entonces la ganancia de potencia: ∆P = Psal / Pent = 5 mW / 0.1 uW = 50,000
 PARAMETROS DEL FET

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del FET, y es la inversa de la

pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero
(existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia,
y es igual a la separación vertical entre las características que
corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
DIFERENTES TIPOS DE
TRANSISTORES FET

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 Características

1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios

solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de muchos
megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.