UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

INFORME DE LABORATORIO N°5 GRUPO: 4- 90 G

“DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR BJT (EMISOR COMUN)”

DOCENTE:
CUZCANO RIVAS BERNANDINO ABILIO

AUTORES:
AYALA CERNA JESUS EDINSON 1613215095
QUISPE CASTAÑEDA RAUL ENRIQUE 1613215141
VASQUEZ QUINTANA SEBASTIAN ALONZO 1613215211

CALLAO, 7 de julio del 2021

 Diseño de un Circuito amplificador
con Transistor BJT

CONCEPTOS PRELIMINARES

1. Configuraciones del BJT

Dependiendo del Terminal por donde se aplique la señal de entrada y del

Terminal del cual se tome la señal de salida, se diferencias tres configuraciones
básicas para el BJT:

- Configuración en Emisor Común

- Configuración en Colector Común
- Configuración en Base Común

1.1. Configuración en Emisor Común

Cuando la señal de entrada se aplica por la base del transistor y la señal de

salida se toma del Colector, se tiene una configuración en Emisor Común, la
cual se caracteriza por ser el amplificador por excelencia debido a que
amplifica voltaje como corriente. El diagrama circuital de esta configuración se
ve en figura1.

Figura 1.

1.2. Configuración en Colector Común

Cuando la señal de entrada se aplica por la base del transistor y la señal de

salida se toma del Emisor, se tiene una configuración en Colector Común, la
cual se caracteriza por ser presentar una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida, por lo que se usa como adaptador de impedancias y
como amplificador de corriente. El diagrama circuital de esta configuración se
ve en la figura2.

Figura 2.

1.3. Configuración en Base Común

Cuando la señal de entrada se aplica por el emisor del transistor y la señal de

salida se toma del Colector, se tiene una configuración en Base Común, la
cual se utiliza para amplificar voltaje. El diagrama circuital de esta configuración
se ve en la figura 3.

Figura 3.

2. Polarización del BJT y regiones de operación

De manera general la polarización de un circuito hace referencia a las fuentes

de corriente directa (fuentes reguladas, baterías, pilas) que se utilicen para
alimentar el circuito. Para el caso particular del transistor bipolar, la polarización
busca obtener un punto de funcionamiento en una región específica, es decir
busca establecer un valor fijo de voltaje entre el terminal de colector y emisor y
un valor fijo de corriente de colector, que hagan que el punto de operación del
transistor esté en una región de operación específica. Las regiones de
operación del transistor se muestran en la figura 4.

Figura 4.

Región Activa: para nuestro propósito como amplificador, deberíamos tratar

de ubicar el punto de operación de DC del transistor en esta región. Es una
región de comportamiento lineal, donde la corriente de colector es directamente
proporcional a la corriente de base en un factor conocido como β (ganancia de
corriente del transistor en directa).

Región de Corte: es una región donde no hay flujo de corriente de colector a

emisor. Teóricamente es como si tuviéramos un circuito abierto entre los
terminales de colector y emisor.

Región de Saturación: es una región donde el flujo de corriente entre colector

y emisor es máximo y solo está limitado por la red de polarización (valor de la
fuente de voltaje y de las resistencias). Teóricamente es como si tuviéramos un
corto circuito entre los terminales de colector y emisor.

3. Modelo equivalente hibrido del BJT

De manera general, el modelo equivalente hibrido se puede utilizar para

representar cualquier sistema o dispositivo de dos pares de terminales (un par
de entrada y uno de salida). Para el caso específico del Transistor de Juntura
Bipolar el modelo equivalente hibrido simplificado es el mostrado en la figura 5.

hie: representa la resistencia equivalente entre el Terminal de base y el

Terminal de emisor.

hfe: es la ganancia de corriente en directa del transistor, también conocida

como β

ib: es la corriente de base en condiciones de corriente alterna.

 Figura 5.

4. PROCEDIMIENTO DE DISEÑO

Vamos a diseñar un amplificador en configuración emisor común (el

amplificador por excelencia) como el de la figura 6, suponiendo que debemos
hacer el diseño para cumplir con una ganancia de voltaje Av y una ganancia de
corriente Ai específicas. Y partiendo del hecho que conocemos el valor de la
fuente de polarización Vcc, la ganancia de corriente en directa del transistor β y
el valor de la resistencia de carga RL.

Figura 6.

El objetivo del diseño es encontrar los valores de todos los resistores, de modo
que se cumpla con los requerimientos de ganancia de voltaje y corriente.

4.1. Pasos aplicables al proceso de diseño

1. Si deseamos máxima transferencia de potencia a la carga,

¿qué valor de RL deberíamos seleccionar?

Respuesta: Para máxima transferencia de potencia seleccionemos R C=RL.

2. El valor de Re podemos calcularlo a partir de la ecuación

de ganancia de voltaje del amplificador. Para esto hacemos uso del modelo
equivalente hibrido del BJT y del análisis del circuito en AC, veamos:

Circuito equivalente de AC aplicando el modelo equivalente hibrido del BJT.

 Figura 7.

Encontremos la ecuación para la ganancia de tensión de este circuito. De

donde sale?

Vo hfeib (Rc||R L ) hfe( Rc||R L )

AV= =− =−
Vi ib( hie+ hfeR e ) (hie+hfeR e )

Si dividimos esta expresión por hfe tanto en el numerador como en el

denominador obtenemos:

(Rc||R L )
A V =−
hib+R e

Aquí debemos hacer la consideración de que hib<< Re , con lo que la

ecuación de ganancia de tensión finalmente queda:

(Rc||R L )
A V =−
Re

¿Cual debe ser el valor de Re de modo que garanticemos la ganancia de

voltaje requerida?

En esta ecuación la única incógnita es Re, por lo tanto despejamos para

determinar su valor.

3. ¿Cuál debe ser el valor de la resistencia equivalente de

base de modo que garanticemos la ganancia de corriente requerida?

Determinemos el valor de RB (la resistencia equivalente en la base del

transistor) haciendo uso de la ecuación de ganancia de corriente del
amplificador (ver figura 2).

i i i
Ai= 0 = 0 b
i i i b ii
 Desarrollando esta expresión tenemos:

hfei b Rc i0 hfeRc
i0=− =−
Rc+ R L , de donde ib Rc +R L

ii R B ib RB
ib= =
ii hie+hfe Re
hie+hfeRe , de donde

Con estos dos términos, la expresión para Ai queda:

hfeRc RB
A i =−
Rc+ R L hie+ hfe Re

Donde la única incógnita es R B, por lo tanto la despejamos para determinar su

valor.

Nota:
Si no hubiéramos tenido un requerimiento de ganancia de corriente, para
determinar el valor de RB se podría utilizar la ecuación:

RB =0 .1∗β *Re , que garantiza estabilidad del punto de operación con la

temperatura.

4. ¿Cuál debe ser el voltaje de polarización en la base del

transistor para que se encuentre activo?

Conocidos los valores de ICQ y RB, podemos utilizarlos para encontrar el

voltaje de polarización necesario en la base del transistor.

Recordemos que la malla de entrada del amplificador en condiciones de

corriente directa la podemos representar mediante el siguiente circuito
equivalente:

Figura 8.

Donde RB y VBB están dados por:

 R1R2
RB=R1||R2= R 1+R 2 (ver figura 6)

VccR 2
VBB= R 1+R 2 (ver figura 6)

Planteando una ecuación de voltaje alrededor de la malla de entrada

obtenemos:

VBB=IBRB+VBE+ICRe, que se puede escribir como:

RB
VBB=Ic
( β
+ Re ) + VBE

5. ¿Cuáles deben ser los valores de R1 y R2 de modo que

garanticemos el valor de la resistencia equivalente de base y el voltaje de
polarización en la base del transistor?

Como ya hemos determinado los valores de R B y VBB, podemos utilizar las

ecuaciones que los definen para encontrar los valores adecuados de R1 y
R2. esto es, resolvemos el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas
dado por:

R1R2
RB= R 1+R 2

VccR 2
VBB= R 1+R 2

Resolviendo para R1 obtenemos:

VccR B
R 1=
V BB

Y para R2 obtenemos:

RB
R 2=
V
1− BB
V CC
6. Como ya hemos encontrado todos los valores de los
resistores que satisfacen nuestro diseño, nos queda únicamente conseguir
los valores comerciales más cercanos a los calculados y hacer al análisis
del circuito para darnos cuenta que no cambia demasiado el punto de
operación del transistor debido a la diferencia entre los valores teóricos y
prácticos.

RL Vcc RE R1 R2 C1 C2
2,2k 15.2 880 50,6k 15,7k 8uF 8uF
680 3.7 209 7,7k 4,6k 8uF 8uF
560 3.22 116.7 4,7K 2,4K 8uF 8uF
470 2.6 82 3,3k 1,8k 8uF 8uF
1,8k 9 150 15,7k 2,4k 8uF 8uF
9,1k 44 568 135k 8,3k 8uF 8uF
1.5k 5 50 4.2 847 8uF 8uF
3,3k 15 100 20k 1,5k 8uF 8uF

Vin Vout Icq RC Beta Av

20mV 25mV 3mA 2,2k 140 1.25
80mV 130mV 3mA 680 140 1.625
125mV 300mV 3mA 560 140 2.4
10mV 30mV 3mA 470 140 3
50mV 300mV 3mA 1,8k 140 6
100mV 800mV 3mA 9,1k 140 8
2,6mV 26mV 3mA 1k 140 10
5mV 80mV 3mA 3.3k 140 16
CUESTIONARIO

1. En los circuitos, ¿Al aumentar el voltaje de entrada, la ganancia es

creciente o decreciente?
Comparando con el voltaje anterior, notamos que la ganancia va
disminuyendo, es decir que es inverso al incremento del voltaje de
entrada hasta un cierto punto.

2. Al aumentar la frecuencia, ¿Qué variación destaca más?

El voltaje de salida, por ende, la ganancia es mayor
entonces se concluye que a mayor frecuencia es más optimo la
amplificación del voltaje y destacaría para diversas aplicaciones.

3. ¿En el circuito, donde obtiene mayor ganancia? ¿Debido a qué?

ya que las resistencias son diferentes y de mayor ohmiaje y eso influye
en la salida de voltaje.

4. Al variar las resistencias, ¿Qué circuito llega más rápido a los

cortes en los picos y/o bajos?
ya que al varias los mismos voltajes de entrada y la misma frecuencia, el
circuito percibimos que había cortes al voltaje de 0.3V en cambio otras
medidas, hasta 0.8V recién percibimos cortes en los bajos y picos.

RESPECTO AL SIGUIENTE CIRCUITO QUE SUCEDE SI

MANTENEMOS LOS MISMOS VALOS DE LOS CONDENSADORES

Podemos apreciar que no existe ninguna amplificación en el voltaje de

salida ya que los condensadores son solo de 1uf.pero si existe un
desfase.