2SD401

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO220

BU941
Es un transistor darlington de alto voltaje. Aplicación: Encendidos eléctricos de alta robustez.

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 180 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
BD135
Características:

Transistor NPN de media potencia

IC max: 1.5 A
IC pico max: 3 A
IB max: 0.5 A
PTOT: 12.5 W
VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V
hFE: 25 (@ IC=5 mA, VCE=2 V) a 250 (@ IC=150 mA, VCE=2 V)
Complementario: BD136
Encapsulado: SOT-32 (TO-126)
Aplicaciones:

Conmutación y amplificación lineal de media potencia

TIP41C

Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TIP41C

2SC1007

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 110 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 60

Empaquetado / Estuche: TO18

MJE3055
Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO126

Eligiendo un transistor

La mayoría de los proyectos especificarán un transistor particular, pero si fuera

necesario tu puedes sustituirlo por un transistor equivalente dentro de un amplio rango
disponible. Las más importantes propiedades a tener en cuenta son la máxima
corriente de colector IC y la ganancia de corriente hFE. Para hacer la selección
más fácil la mayoría de los fabricantes agrupan sus transistores en categorías
determinadas por su uso típico o rango de máxima potencia. Para hacer una seleción
final necesitarás consultar las tablas de datos técnicos las cuales se proveen
normalmente en catálogos. Estos contienen una gran cantidad de información útil pero
ésta puede ser dificil de interpretar sin no estás familiarizado con las abreviaturas
usadas. La tabla de abajo muestra los más importantes datos técnicos de algunos
transistores más comunes, las tablas de catálogos y libros de referencia usualmente
mostrarán información adicional pero esto es improbable que te sea útil al menos que
tengas experiencia. Las cantidades mostradas en la tabla se explican debajo de la
misma.