Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Laboratorio Circuitos
Electrónicos III
LABORATORIO Nº 01

Profesor: MSc. Ing. Raúl Hinojosa Sánchez

TEMA: TRANSISTORES EN ALTA FRECUENCIA

Alumnos integrantes: -RIVEROS RAMIREZ ESLEYTER 14190101

-MIRANDA ZEVALLOS KEVIN 18190017
-PEREYRA HUANCA JUNIOR 15190176
-GUARDIA LOPEZ SAMUEL 16190161
-MERJILDO ALANIA LUIS 17190122

Nota

Ciclo 2020-2
Transistor 2SC1947
Número de Parte: 2SC1947
Material: Si
Polaridad del Transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 1W
• Tensión colector-base (Vcb): 35V
• Tensión colector-emisor (Vce): 17V
• Tensión emisor-base (Veb): 4V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 1A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda
(Ft): 250 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 10
• Empaquetado / Estuche: TO39

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

Transistor 2SA1941
Número de Parte: 2SA1941
Material: Si
Polaridad del Transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 100W
• Tensión colector-base (Vcb): 140V
• Tensión colector-emisor (Vce): 140V
• Tensión emisor-base (Veb): 5V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 10A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda
(Ft): 30 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 55
• Capacitancia de salida (Cc): 320 pF
• Empaquetado / Estuche: TO3PN

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

Transistor 2N3866
Número de Parte: 2N3866
Material: Si
Polaridad del Transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 5W
• Tensión colector-base (Vcb): 55V
• Tensión colector-emisor (Vce): 30V
• Tensión emisor-base (Veb): 3V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda
(Ft): 500 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 10
• Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
• Empaquetado / Estuche: TO5

CIRCUITO DE AMPLIFICADOR DE RF DE 400MHz PARA ESPECIFICACIONES DE GPE,

SALIDA Y EFICIENCIA
Transistor 2N4427
Número de Parte: 2N4427
Material: Si
Polaridad del Transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 5W
• Tensión colector-base (Vcb): 55V
• Tensión colector-emisor (Vce): 30V
• Tensión emisor-base (Veb): 3V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda
(Ft): 500 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 10
• Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
• Empaquetado / Estuche: TO5

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

CIRCUITO DE AMPLIFICADOR RF DE 175 MHz PARA GPE, POUT, Y
ESPECIFICACIONES DE EFICIENCIA
Transistor MOSFET VRF2933
Número de Parte: VRF2933
Material: Si
Polaridad del Transistor: Canal N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 648W
• Tensión drain-source (Vds): 170V
• Tensión gate-source (Vgs): ± 40V
• Tensión emisor-base (Veb):
• Corriente del Drain DC máxima (Id): 40A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 200°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda
(Ft): 150MHz
• Capacitancia de salida (Cc): 400pF

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

CIRCUITO DE PRUEBA
Transistor MPSH10
Número de Parte: MPSH10
Material: Si
Polaridad del Transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31W
• Tensión colector-base (Vcb): 30V
• Tensión colector-emisor (Vce): 25V
• Tensión emisor-base (Veb): 3V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 135°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda (Ft): 650 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 60
• Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
• Empaquetado / Estuche: TO92

CIRCUITOS DE PRUEBA
Transistor 2SC2290
Número de Parte: 2SC2290
Material: Si
Polaridad del Transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 175W
• Tensión colector-base (Vcb): 45V
• Tensión colector-emisor (Vce): 18V
• Tensión emisor-base (Veb): 4V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 20A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de
banda (Ft): 50 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 10
• Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
• Empaquetado / Estuche: MD36

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

CIRCUITO DE PRUEBA
Transistor CS9018
Número de Parte: CS9018
Material: Si
Polaridad del Transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3W
• Tensión colector-base (Vcb): 20V
• Tensión colector-emisor (Vce): 12V
• Tensión emisor-base (Veb): 2V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda (Ft): 600 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 29
• Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
• Empaquetado / Estuche: TO92

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

Transistor MPF102
Número de Parte: MPF102
Material: Si
Polaridad del Transistor: Canal N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
• Tensión drain-source (Vds): 25V
• Tensión gate-source (Vgs): 7.5V
• Corriente del Drain DC máxima (Id): 0.02A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda (Ft): 400MHz
• Empaquetado / Estuche: TO92

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

Transistor 2N5109
Número de Parte: 2N5109
Material: Si
Polaridad del Transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
• Disipación total del dispositivo (Pc): 2.5W
• Tensión colector-base (Vcb): 40V
• Tensión colector-emisor (Vce): 20V
• Tensión emisor-base (Veb): 3V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 200°C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
• Producto de corriente – ganancia – ancho de banda (Ft): 1200 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 40
• Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
• Empaquetado / Estuche: TO39

DATOS DE RENDIMIENTO TÍPICOS

CIRCUITO DE PRUEBA DEL 2N5109
Simulaciones:

Con el transistor MPSH10:

OSCILADOR COLPITSS

Este circuito tiene la característica de generar una señal sinusoidal a diferentes Frecuencias, sin tener
una señal de entrada únicamente por una fuente de alimentación.

Está constituido principalmente por dos bloques, un amplificador (usándose para ello un Transistor,
cuya configuración es divisor de tensión) y un circuito Tanque LC.

El funcionamiento va como sigue:

Se utiliza un divisor de tensión formado por dos condensadores (C4 y C3), los cuales se encuentran
conectados en serie, de la unión entre estos dos sale una conexión a Tierra, de manera que las
tensiones en sus terminales serán opuestas.

El inductor L1 servirá principalmente para evitar que la señal alterna pase a la fuente DC.
 Los valores especificados en la simulación son para una señal de frecuencia aprox. 100kHz, esta
frecuencia está definida por los valores que tomen L2, C3 y C4 por medio de la siguiente fórmula.

f0=1/2*pi* sqrt(L*C)

donde C es la Capacitancia Equivalente de C3 y C4, y L=L2

AMPLIFICADOR DE SEÑAL

Otra aplicación que tenemos con este transistor seria para amplificación de señal en altas
frecuencias, para ellos tendríamos el circuito:
A UNA FRECUENCIA DE 100k Hz:

A UNA FRECUENCIA DE 500k Hz

A UNA FRECUENCIA DE 1M Hz