Electrónica Industrial

Capítulo 3. Dispositivos de potencia e interruptores

Información tomada de: Universidad de Oviedo, Facultad de

Ingeniería

Ing. Vinicio Iñiguez Morán, MSc.

Tecnología Superior en Mecánica Industrial

Mayo 2018 – Octubre 2018

 Ideas generales sobre diodos de unión PN

• Curva característica
(recta)

i [mA] pendiente = 1/rd

i 1
(exponencial)
+ P
V N

-
0
-1 1 V [V]
V
DIODOS DE POTENCIA

i [A]

0
-1 V [V]

-0,8 2
(constante)
 Ideas generales sobre diodos de unión PN

• Avalancha primaria

- +
- +
P + + - - -+
-- + + N
- +
i + V -
DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si
se producen pares electrón-hueco
0
adicionales por choque con la red
cristalina de electrones y huecos
suficientemente acelerados por el
campo eléctrico de la zona de -2
transición 3
 Concepto de diodo ideal

En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida
i

i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
4
 El diodo semiconductor encapsulado

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
5
 Encapsulados de diodos

• Axiales
DIODOS DE POTENCIA

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201

6
 Encapsulados de diodos

• Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA

7
 Encapsulados de diodos

• Para grandes potencias

DO 5 Valores nominales
Corriente:
40 – 150 A (DC)
1200 – 2100 A (AC)
Voltaje:
DIODOS DE POTENCIA

100 – 1600 PIV

1.2 – 1.5 Vk

B 44 8
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA

2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

9
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA

10
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del dispositivo

11
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo

Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA

12
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

Dual in line

13
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

+   -
14
 Encapsulados de diodos

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA

15
 Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

• Dan origen a módulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Electrónica militar
Control de Motores

16
 Circuito equivalente estático

Curva característica
i real

Curva
característica ideal Curva característica
asintótica.
Pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0
V
ideal
• Circuito equivalente asintótico
rd
Modelo asintótico V
17
 Características fundamentales de cualquier diodo

1ª -Máxima tensión inversa soportada

2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente de inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión inversa soportada

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificación
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
18
80 V
 1ª Máxima tensión inversa soportada

• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser 19

determinante del deterioro irreversible del componente
 2ª Máxima corriente directa conducida

• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cápsula
20
 3ª Caída de tensión en conducción

• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd
V

i
DIODOS DE POTENCIA

ID

5A

V
VD 21
 3ª Caída de tensión en conducción

• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA

22
 3ª Caída de tensión en conducción

• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V

• En escala lineal no son muy útiles

• Frecuentemente se representan en
escala logarítmica
2,2V @ 25A
23
 3ª Caída de tensión en conducción

• Curva característica en escala logarítmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A 24
1,6V @ 20A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conducción
para VRRM < 200 (en silicio)
DIODOS DE POTENCIA

0,5V @ 10A 25
 3ª Caída de tensión en conducción

• Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA

0,69V @ 10A

La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN 26
 3ª Caída de tensión en conducción

Schottky

Schottky
DIODOS DE POTENCIA

Similares valores
de VRRM y similares
caídas de tensión
en conducción
PN

27
 4ª Corriente de inversa en bloqueo

• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

28
 4ª Corriente de inversa en bloqueo • Crece con IF(AV)
• Crece con Tj
• Dos ejemplos de diodos Schottky
• Decrece con VRRM
IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

DIODOS DE POTENCIA

29
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación

R
i Transición de “a” a “b”,
a b + es decir, de conducción
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2 30
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
31
 5ª Velocidad de conmutación
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo conducción (encendido)

R i
i 0,9·V1/R
a b + 0,1·V1/R
V2 V
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa 32
 5ª Velocidad de conmutación

• Información suministrada
por los fabricantes
• Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

33
 5ª Velocidad de conmutación • Más información suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA

34
 5ª Velocidad de conmutación

• La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

también de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com 35
 Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas

Pérdidas estáticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal
DIODOS DE POTENCIA

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

V pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)

Potencia media en un periodo:

T


1
PDcond = p Dcond (t )·dt  PDcond = V·IM + rd · Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t) 36
 Pérdidas dinámicas (pérdidas de conmutación) en un diodo

• Las conmutaciones no son perfectas

• Hay instantes en los que conviven tensión y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se producen en la salida de conducción

10 A iD
trr

t
DIODOS DE POTENCIA

3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr


1
PD = p Dsc (t )·dt
T
-200 V 0 37
 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Estáticas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506) 38

 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
39
 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características

40
(Datasheet) del diodo STTA506)
 Características Térmicas
• Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado
• El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150ºC

• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA

P • Magnitudes eléctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias eléctricas, R en Ω
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH  R
ΔT  V
Encapsulado Equivalente
eléctrico
PI 41
 Características Térmicas
RTH  R
ΔT  V
Equivalente
eléctrico
PI

TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P

j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA

Unión
0K

c
Encapsulado

Por tanto: ΔT = P·ΣRTH  Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·RTHca 42
 Características Térmicas

• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)

• La resistencia térmica cápsula-ambiente es alta ( 30-100 ºC/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA

RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40

• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente.
• Para ello se coloca un radiador en la cápsula.
43
 Características Térmicas
RTHrad

j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si R
THjc RTHca
P 0º K
(W) a
Ambiente
j
DIODOS DE POTENCIA

Unión

c
Encapsulado

Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)] 44