UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA ISRAEL

TELECOMUNICACIONES
ELECTRÓNICA II

EJERCICIOS DE REFUERZO

1. Los parámetros de un JFET de canal p son IDSS = 7.5 mA y Vp = 4 V. Trace las

características de transferencia

2. Dados IDSS = 6 mA y Vp = - 4.5 V:

a. Determine ID con VGS = - 2 y - 3.6 V.
b. Determine VGS con ID = - 3 y - 5.5 mA.

3. Dado un punto Q de IDQ = 3 mA y VGS = - 3 V, determine IDSS si Vp = - 6 V

4. Determinar VDS en el circuito de la figura.

Datos: RG1 = 220kΩ, RG2 = 120kΩ, RS = 22kΩ, VDC = 15V, y el transistor T1 tiene
las siguientes características: |IDss| = 27mA, |VP| = 6V

5. En el circuito de la figura, VDD=15V, VSS=-9V, RG=100k:, RD=3.3k: y RS=6.8k:, y

los parámetros característicos del transistor JFET de canal n, son IDSS=5mA y Vp=-
6V. Hallar:
a. Valor de V0 si VGG=0V.
b. Valor de V0 si VGG=5V.
c. Valor de VGG para que V0=0V
6. Encuentre VS para la red de la figura

7. Para la red de la figura

a. Encuentre IDQ.
b. Determine VDQ y VDSQ
c. Encuentre la potencia suministrada por la fuente y disipada por el dispositivo.

8. Para la red de la figura (con CE conectado) determine:

a. re.
b. Zi.
c. Zo.
d. AV.
9. Para la red en emisor seguidor de la figura, determine:
a. re.
b. Zi.
c. Zo.
d. AV.

Ing. Mauro Bolagay Egas, Mg.