MROM PROM EPROM EEPROM FLASH

ROM programable El nombre deriva al proceso de almacenar o

ROM programable
SIGNIFICADO Mask ROM ROM programable y borrable borrar datos en la memoria lo hacía acordar al
borrable de sólo lectura
eléctricamente flash de las cámaras fotográficas por su velocidad.

Este tipo de memoria se basa en el uso de

semiconductores.
No es re-escribible.
No es volátil, solo La información que se guarda en ellas no se borra
El usuario el que se programada por el cuando se desconecta el dispositivo.
puede ser programada programada por el
CARACTERÍSTICAS encarga de grabar usuario, no es Consumen menos energía
por el diseñador, solo usuario
la información volátil tienen resistencia térmica.
es de lectura.

Los datos se han

grabado no se
pueden borrar. Si
Los datos son Borran mediante luz Con pulsos
BORRADO grabamos mal Borrado eléctrico
permanentes ultravioleta eléctricos
alguna información
esta no se podrá
modificar.

ESCRITURA Y
LECTURA DE Solo lectura Solo lectura Solo lectura Solo lectura Solo lectura
DATOS

Consisten en una o entrada 1 salida 1 La memoria EPROM, se Está compuesto de

más matrices de entrada 2 salida 2 compone de un arreglo células con dos
puertas and y or para entrada n salida m de transistores. La
implementar funciones transistores MOSFET de puerta flotante se
lógicas. canal n de compuerta separa de la puerta
aislada de control por una
delgada capa de Las celdas de memoria se encuentran
óxido. constituidas por un transistor mos de puerta
ARQUITECTURA
apilada, el cual se forma con una puerta de
control y una puerta aislada, tal como se indica en
la figura 4.1. La compuerta aislada almacena
carga eléctrica cuando se aplica una tensión lo
suficientemente alta en la puerta de control. De
la misma manera que la memoria eprom, cuando
hay carga eléctrica en la compuerta aislada, se
almacena un 0, de lo contrario se almacena un 1.
Formada por celdas de
Una celda de una memoria flash es como un
FAMOS (footing gate
Transistor MOS, transistor convencional pero con una puerta
avalanche-injection
Celdas con transistores que tiene una adicional. Entre la puerta de control y la fuente y
CELDAS TTL O MOS metal-oxide
de tipo mos compuerta el drenaje existe una segunda puerta,
semiconductor) o
flotante denominada de flotación que sirve a modo de
"transistores de puerta
mecanismo de carga.
flotante
La ROM de máscara es
significativamente más
barata que cualquier
otro tipo de memoria
Puede ser
semiconductora.
programada, Flash permite funcionar a velocidades muy
La puede Programada por el borrada y superiores cuando los sistemas emplean lectura y
VENTAJAS programar el usuario y se puede reprogramada escritura en diferentes puntos de esta memoria al
usuarios reprogramar eléctricamente. mismo tiempo. El costo de estas memorias es
Las palabras muy bajo. Puede retener datos aun cuando el
almacenadas en equipo se ha apagado. Tiene la característica
memoria se particular de ser borrada en un tiempo muy
pueden borrar de corto.
forma individual
Se necesita una tensión bien definida para
Contenido solo puede realizar la operación de borrado solo permiten un
ser programado por un número determinado de escritura y borrado
fabricante de circuitos
integrados. El costo de
enmascaramiento por Son muy versátiles,
única vez es alto y hay No se puede borrar Solo se pueden borrar los también pueden
DESVENTAJAS
un largo tiempo de ni reprogramar datos con luz uv ser lentos con
respuesta desde el algunos productos
diseño hasta la fase del los cuales deben
producto. Los errores ser cambiados
de diseño son costosos rápidos a los datos
ROM de máscara almacenados en el
chip.