TEMA 8

MATERIALES ELÉCTRICOS Y ELECTRÓNICOS

1. Conductividad y resistividad eléctrica

2. Materiales dieléctricos y ferroeléctricos
3. Materiales semiconductores y aplicaciones
4. Materiales en la industria electrónica
5. Materiales para el almacenamiento de energía
 1. Conductividad y resistividad eléctrica:

La conductividad eléctrica se debe al movimiento de partículas con carga; la conductividad

electrónica se debe al movimiento de electrones y huecos (espacios dejados por los
electrones) y la conductividad iónica al movimiento de cationes y aniones.

Ohm comprobó que al someter los extremos de un material metálico a una diferencia de
potencial ΔV aparecía una corriente eléctrica I en el interior de éste, de forma que dicha
diferencia de potencial e intensidad estaban ligadas a través de una magnitud física llamada
resistencia eléctrica R, de acuerdo a la ley que lleva su nombre:

V
Ley de Ohm: I = siendo I=intensidad, A; V=diferencia de potencial,V y R=resistencia, 𝜴.
R

De acuerdo con la ley de Ohm, el flujo de corriente eléctrica i es proporcional al voltaje aplicado
e inversamente proporcional a la resistencia del alambre.

Figura 1. Diferencia de potencial ΔV aplicada a una muestra de hilo metálico de área de la sección
transversal A.

La resistencia eléctrica R del alambre de un conductor eléctrico como el de la figura es

directamente proporcional a su longitud l e inversamente proporcional a su área de sección
transversal, A. Estas cantidades están relacionadas por una constante del material llamada
resistividad eléctrica ρ, que es característica de cada material a una temperatura en particular y
se mide en 𝜴·m2:

A menudo es más conveniente pensar en términos de paso de la corriente eléctrica en vez de

la resistencia, y por ello la cantidad conductividad eléctrica, σ, 2 se define como el recíproco de
la resistividad eléctrica:

Las unidades para la conductividad eléctrica son (𝜴·m)-1 o S/m.

Desde un punto de vista microscópico (para la conducción electrónica), la conductividad
eléctrica tiene la siguiente fórmula:

Donde n es el número de electrones libres de conducción por unidad de

volumen, e es la carga del electrón (1,8x10-19C) y μ la movilidad de los electrones en m2/Vs.

La conductividad eléctrica también es característica de cada material.

Los materiales van a tener distintas propiedades en función de sus dislocaciones e

imperfecciones.

● Conductividad metálica:

La conductividad metálica requiere que haya un número significativo de electrones externos (de
valencia) que sean libres de moverse y que se encuentren completamente deslocalizados

En su movimiento por el material, los electrones colisionan con su entorno. Las colisiones con
las vibraciones de red (fonones, dependientes de la temperatura) frenan la conductividad y
aumentan la resistencia y la pérdida de calor. También pueden colisionar con las
imperfecciones (defectos puntuales como impurezas vacantes o defectos de línea como
dislocaciones o de superficie, como la frontera de grano) y con el resto de las cargas eléctricas.
El número y el tipo de colisiones depende pues de la estructura cristalina del material y de la
temperatura.

La teoría de bandas da cuenta adecuadamente de las propiedades eléctricas:

Un sólido puede ser imaginado como un conjunto de N (número grande) átomos que
interaccionan. Los electrones son perturbados por los núcleos y electrones de los átomos
vecinos:

Cada nivel de energía de los átomos se desdobla en una serie de estados electrónicos
distintos pero muy próximos que forman una banda de energía de los electrones. El grado de
desdoblamiento depende de la separación interatómica y empieza con los niveles electrónicos
más exteriores. Dentro de cada banda los estados de energía son discretos aunque la
diferencia de energía entre estados adyacentes es muy pequeña. La separación de bandas no
puede ocurrir para los niveles cercanos al núcleo. Pueden producirse intervalos prohibidos
entre bandas de energía. El nº total de estados en cada banda corresponde al nº total con que
contribuyen los N átomos. Las bandas contienen los e- que aparecían en los átomos aislados.
Las propiedades eléctricas de un material sólido son una consecuencia de su estructura
electrónica de bandas: distribución de bandas electrónicas exteriores y forma de llenado.

● Banda de valencia: banda que contiene los electrones de mayor energía.

● Energía de Fermi (Ef ): Energía correspondiente al estado de más alta energía a 0 K.
● Banda de conducción: banda de energía siguiente a la de valencia (habitualmente está
vacía).

A 0 K existen 4 tipos de estructuras de bandas de energía:

Solamente los electrones con energías superiores a las de Fermi pueden ser acelerados en
presencia de un campo eléctrico. Estos e- son los que participan en el proceso de conducción
(electrones libres). En semiconductores y aislantes participan los huecos en el proceso de
conducción. La conductividad eléctrica es función directa de los electrones libres y de los
huecos.

Este tipo de conductividad se da en metales, algunos óxidos y en sulfuros, aunque también se

puede dar en materiales orgánicos como por ejemplo, el poliacetileno y otros polímeros
dopados, dando una conductividad mucho mayor que la de los metales semiconductores (10-
20%).

Conductividad iónica:

En la red rígida iónica, algunos iones pueden moverse libremente, generando unas
conductividades relativamente altas (1(𝜴·m)-1) similares a las de las disoluciones de
electrolitos.

Este tipo de conductividad se da cuando hay huecos disponibles para el movimiento de iones
con bajas energías de activación. Los sólidos iónicos cristalinos no deberían de conducir pero
sí que lo hacen, ya que la red no es perfecta y contiene defectos.

Conducen cuando están disueltos y también cuando están fundidos. Su conductividad es

inferior a la de los metales (4 órdenes de magnitud menos que en los metales). La
conductividad es algo más alta en el caso de que la estructura sea especial y/o contenga un
déficit en algún ion.
Resistividad eléctrica de los metales:

La resistividad eléctrica de un metal puro puede aproximarse mediante la suma de dos

términos, un componente térmico, ρT y un componente residual ρr:

El componente térmico surge de las vibraciones de los núcleos de iones positivos alrededor de
sus posiciones de equilibrio en la red cristalina metálica. Conforme aumenta la temperatura, los
núcleos de los iones vibran más y más, y un gran número de ondas elásticas excitadas
térmicamente (fonones) dispersan a los electrones de conducción y disminuyen el recorrido
libre medio y los tiempos de relajación entre colisiones. De este modo, cuando se incrementa la
temperatura, aumentan las resistividades eléctricas de metales puros, como se muestra en la
siguiente figura.

El efecto de la temperatura sobre la resistividad eléctrica de metales seleccionados. Adviértase

que hay una relación casi lineal entre la resistividad y la temperatura (°C).

Para la mayor parte de los metales a temperaturas por arriba de aproximadamente −200°C, la resistividad
eléctrica varía casi linealmente con la temperatura, como se indica en la figura. De este modo, las
resistividades eléctricas de muchos metales pueden aproximarse mediante la ecuación:

donde  ρ0 es la resistividad eléctrica a 0K en 𝜴m, αT el

coeficiente de resistividad dependiente de la temperatura en 𝜴mK-1 y T la temperatura en K.

El componente residual de la resistividad eléctrica de metales puros es pequeño y se debe a

las imperfecciones estructurales como dislocaciones, fronteras de grano y átomos de
impurezas que dispersan electrones. El componente residual es casi independiente de la
temperatura y se vuelve importante sólo a bajas temperaturas.
Variaciones esquemáticas de la resistividad eléctrica de un metal con la temperatura absoluta.
Adviértase que a temperaturas más altas la resistividad eléctrica es la suma de un componente
residual ρr y un componente térmico ρt

Los elementos aleantes que se agregan a metales puros provocan dispersión adicional de los
electrones de conducción y por ello aumentan la resistividad eléctrica de dichos metales. El
efecto de pequeñas adiciones de diversos elementos en la resistividad eléctrica del cobre puro
a temperatura ambiente se muestra en la siguiente figura.

El efecto de pequeñas adiciones de diversos elementos en la resistividad eléctrica a

temperatura ambiente del cobre.

Adviértase que el efecto de cada elemento varía de manera considerable. Para los elementos
que se muestran, la plata es la que menos aumenta la resistividad y el fósforo es el que más la
aumenta para la misma cantidad agregada. En la siguiente tabla se observa cómo las
aleaciones son menos conductoras que los metales puros:
 Hay
que

saberse aproximadamente los órdenes de magnitud. La conductividad no sirve para distinguir

un material electrónico de un material semiconductor.

2. Materiales dieléctricos y ferroeléctricos:

El grafito es un
conductor eléctrico que presenta conductividad anisotrópica. La mica se puede exfoliar y es un
buen aislante. La gran mayoría de los polímeros son aislantes, excepto algunos dopados.

Materiales dieléctricos:

Las cerámicas y los polímeros son dieléctricos. Un dieléctrico es un aislante eléctrico (no
metálico) que presenta o puede presentar una estructura eléctrica dipolar es decir, existe una
separación entre las entidades cargadas positiva y negativamente a nivel atómico o molecular.

Hay tres propiedades importantes comunes en todos los aislantes o dieléctricos: la constante
dieléctrica, la resistencia a la ruptura dieléctrica o rigidez dieléctrica y el factor de pérdida.
 ●
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Constante dieléctrica:

Considérese un condensador simple de placas paralelas metálicas de área A separadas por la

distancia dl, como se muestra en la figura.

Supóngase primero el caso en que el espacio entre las placas es el vacío. Se aplica un voltaje V entre las
placas, una adquirirá una carga neta de +q y la otra una carga de −q. La carga q es directamente
proporcional al voltaje aplicado V:

donde C es una constante de proporcionalidad llamada la capacidad del condensador (cantidad

de carga almacenada entre las placas de un condensador). La unidad del SI de capacidad es
culombios por voltios (C/V) o el faradio (F).
La capacidad de un condensador de placas paralelas cuyas dimensiones de área son mucho
mayores que la distancia de separación de las placas, está dada por:

Donde εo es la permitividad del vacío = 8.854 × 10−12 F/m.

Cuando un dieléctrico llena el espacio entre las placas, la capacidad del condensador se
incrementa por un factor k, que recibe el nombre de constante dieléctrica del material
dieléctrico. En un condensador de placas paralelas con un dieléctrico entre las placas del
mismo:

La energía que se
almacena en un condensador de un volumen dado a un voltaje determinado se incrementa por
un factor de la constante dieléctrica cuando está presente el material dieléctrico. Al utilizar un
material con una constante dieléctrica muy alta, es posible producir condensadores muy
pequeños con capacidades elevadas, es decir, la inserción de un material con una constante
 Variación de la constante dieléctrica con el cambio de frecuencia de un campo eléctrico
alterno. Se indica la contribución iónica, electrónica y de la orientación de la polarización

Un material dieléctrico se polariza en presencia de un campo eléctrico. Al cambiar la dirección

del campo, la dirección de la polarización también cambia para alinearse con el mismo. Esto no
ocurre instantáneamente, sino que se necesita algo de tiempo para que tenga lugar el
movimiento de las cargas y la rotación de los dipolos. Este tiempo se denomina tiempo de
relajación y suele rondar los 1011 s.

Si el campo eléctrico cambia la dirección a una frecuencia superior a 10 11 Hz, la orientación del
dipolo no puede “continuar” con el campo alterno y la dirección de polarización no puede
permanecer alineada con el campo, de forma que esta polarización deja de contribuir con la
polarización del dieléctrico.

En un campo eléctrico alterno, el mecanismo de polarización iónico y electrónico se puede

considerar como un oscilador armónico amortiguado e impulsado (como una masa en un
resorte), y la dependencia de la frecuencia se rige por los fenómenos de resonancia.

Esto hace que aparezcan picos en la gráfica de la constante dieléctrica frente a la frecuencia
en las frecuencias de resonancia de los modos de polarización iónica y electrónica. También
aparece una caída en las frecuencias anteriores a cada pico, que es un fenómeno que se debe
a que la respuesta del sistema está desfasada con la fuerza impulsora.

En este caso, en las caídas, la polarización se retrasa con respecto al campo. A frecuencias
más altas, el movimiento de carga no puede mantenerse al día con el campo alterno, y el
mecanismo de polarización deja de contribuir a la polarización del dieléctrico.

Conforme aumenta la frecuencia, la polarización neta del material disminuye a medida que la
polarización deja de contribuir y, por lo tanto, su constante dieléctrica disminuye.

A frecuencias suficientemente altas (por encima de 1015 Hz), ninguno de los mecanismos de
polarización es capaz de cambiar lo suficientemente rápido como para mantenerse en sintonía
con el campo. El material ya no posee la capacidad de polarizar, y la constante dieléctrica cae
a 1, lo mismo que la de un vacío.

La absorción de energía eléctrica por un material dieléctrico que es sometido a un campo

eléctrico alterno es la pérdida dieléctrica, que es importante a frecuencias del campo eléctrico
en la vecindad de la frecuencia de relajación de cada uno de los tipos de dipolos operativos
para un material específico. Se desea que sea pequeña.

Hay tres tipos de dieléctricos de elevada constante dieléctrica:

● Materiales con k entre 4 y 10 (polarizabilidad relativamente débil): Al2O3, Si3N4, la

mica, algunos polímeros orgánicos…
● Materiales con k entre 10 y 100: MnO2 o pirolusita, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, BaZrO3…
● Materiales con una k superior a 100 (muy polarizables): TiO2, PbZrO3, SrTiO3...
(No hay que estudiarlos, pero sí que nos tienen que sonar).

● Resistencia dieléctrica:

Es una medida de la capacidad del material para retener energía a altos voltajes. La resistencia
dieléctrica se define como el voltaje por longitud unitaria (campo eléctrico o gradiente de
voltaje) sin que se produzca un fallo y es el campo eléctrico máximo que el dieléctrico puede
mantener sin ruptura eléctrica. Se mide en kilovoltios por milímetro.

Si el dieléctrico se somete a un gradiente de voltaje que es demasiado intenso, la cadena de

electrones o iones que está tratando de atravesar el dieléctrico quizá exceda su resistencia
dieléctrica. Si se supera la resistencia dieléctrica, el material dieléctrico empieza a fallar y
ocurre el paso de corriente (electrones).

Materiales ferroeléctricos:

Algunos materiales cristalinos iónicos cerámicos tienen celdas unitarias que no cuentan con un
centro de simetría, por lo que contienen un pequeño dipolo eléctrico. Estos materiales se
denominan materiales ferroeléctricos y son materiales dieléctricos que presentan polarización
espontánea, es decir, polarización en ausencia de un campo eléctrico. Estos materiales tienen
constantes dieléctricas muy grandes a frecuencias relativamente bajas del campo aplicado
(BaTiO3: 5000). Se pueden fabricar condensadores con estos dieléctricos considerablemente
más pequeños.

Algunos ejemplos de estos tipos de materiales son los siguientes: KNbO3 PbZrO3 + PbTiO3
(cerámicas PZT) NaKC4H4O6·4H2O (sal de Rochelle) KH2PO4, pero sobre todo cabe
destacar al titanato de bario: BaTiO3.

Por encima de los 120°C, este material tiene la estructura cristalina de la perovskita simétrica cúbica
regular. Por debajo de 120°C, el ion de BaTiO3 central y los iones de Ti4+ alrededor de la celda unitaria
de O2− se corren ligeramente en direcciones opuestas para crear un pequeño momento dipolar eléctrico.
Este cambio en las posiciones de iones a la temperatura crítica de 120°C, denominada la temperatura de
Curie, cambia la estructura cristalina del BaTiO3 de cúbica a tetragonal y a temperaturas superiores a la
de Curie, el comportamiento ferroeléctrico desaparece.

A una mayor escala, el material cerámico de titanato de bario sólido tiene una estructura de
dominios en la cual los pequeños dipolos eléctricos de las celdas unitarias se alinean en una
dirección. El momento dipolar resultante de un volumen unitario de este material es la suma de
los pequeños momentos dipolares de las celdas unitarias. Si el titanato de bario policristalino se
enfría lentamente desde su temperatura de Curie en la presencia de un campo eléctrico
intenso, los dipolos de todos los dominios tienden a alinearse en la dirección del campo
eléctrico para producir un intenso momento dipolar por volumen unitario del material.
Otros comportamientos relacionados son el antiferroeléctrico y el ferrieléctrico:

Comportamiento antiferroeléctrico: líneas

vecinas de iones se desplazan en sentidos opuestos. Este hecho no da lugar a una
polarización espontánea, pero sí a cambios en la constante dieléctrica. Totalmente alineados,
la suma da cero.

Comportamiento ferrieléctrico: no están alineados ni se anulan, es una situación intermedia. No

se pueden distinguir de los ferroeléctricos.

Efecto piezoeléctrico:

El titanato de bario y muchos otros materiales cerámicos exhiben lo que se llama el efecto
piezoeléctrico (PZT), ilustrado de manera esquemática en la siguiente figura.
 a) Se considera una muestra de material cerámico ferroeléctrico que tiene un momento
dipolar resultante debido al alineamiento de muchos dipolos unitarios pequeños. En
este material habrá un exceso de carga positiva en un extremo y de carga negativa en
el otro extremo en la dirección de la polarización.

b) Ahora se considera la muestra cuando se aplican esfuerzos compresivos. Los esfuerzos

compresivos reducen la longitud de la muestra reducen la distancia entre los dipolos
unitarios, lo cual, a su vez, disminuye el momento dipolar total por volumen unitario del
material. El cambio en el momento dipolar del material altera la densidad de carga en
los extremos de la muestra y por ello modifica la diferencia de voltaje entre los extremos
de la muestra si éstos están aislados uno del otro.

c) Por otro lado, si se aplica un campo eléctrico entre los extremos de una muestra, la
densidad de carga en cada extremo de la misma cambiará. Este cambio en la densidad
de carga provocará el cambio de dimensiones de la muestra en la dirección del campo
aplicado. En el caso de la figura, la muestra está un poco elongada debido a una
cantidad creciente de carga positiva que atrae a los polos negativos de los dipolos, y lo
inverso en el otro extremo de la muestra. De este modo, el efecto piezoeléctrico es un
efecto electromecánico por medio del cual las fuerzas mecánicas sobre un material
ferroeléctrico pueden producir una respuesta eléctrica, o las fuerzas eléctricas una
respuesta mecánica.

Efecto piroeléctrico: (calor-

electricidad): es un subconjunto de los
piezoeléctricos en los que al variar la
temperatura aparece una diferencia de potencial. Todo material piroeléctrico es piezoeléctrico,
la inversa no se cumple. Unos ejemplos son: ZnO LiTaO3. Su coeficiente de dilatación lineal
es anisótropo y se emplean en cámaras térmicas como detectores de la temperatura.

Los materiales piezoeléctricos se utilizan en transductores: dispositivos que convierten energía

eléctrica en deformaciones mecánicas o viceversa:

● Cabezales de tocadiscos: al pasar la aguja por los surcos de un disco, se transmite una
variación de presión a un material piezoeléctrico localizado en el cabezal. Esta variación
de presión se traduce en una señal eléctrica que es amplificada antes de ir al altavoz.

● Transductor de limpieza ultrasónica: produce vibraciones mediante potencia de entrada

de corriente alterna puede inducir una violenta agitación del líquido del tanque.

● Tranductor subacuático de sonido: la entrada de corriente eléctrica hace vibrar al

transductor para transmitir ondas sonoras.
Ejemplos de materiales piezoeléctricos: BaTiO3 PbZrO3+PbTiO3 (cerámicas PZT) NH4H2PO4
SiO2 (cuarzo). Materiales que tienen estructuras cristalinas complicadas con un bajo grado de
simetría.

En una muestra policristalina se puede mejorar este comportamiento calentando por encima de
la Tª de Curie y enfriando a Tª ambiente en presencia de un campo eléctrico fuerte.

3. Materiales semiconductores y aplicaciones:

Su conductividad eléctrica es limitada e intermedia entre metales (electrones libres de

moverse) y aislantes (enlaces localizados). Frecuentemente se da en compuestos de metales
de transición y algunos elementos como el Si y el Ge. Puede describirse como salto entre
estados localizados o mediante la teoría de bandas. El número de electrones móviles depende
de la temperatura y de las impurezas (que permite la modulación de propiedades). Tienen
características eléctricas peculiares: muy alta sensibilidad a la presencia de concentraciones
muy pequeñas de impurezas.

En la imagen inferior se muestran los diagramas de bandas de materiales aislantes,

semiconductores y metales para explicar la conductividad eléctrica.

Solamente los electrones con energías superiores a las de Fermi pueden ser acelerados en
presencia de un campo eléctrico. Estos electrones son los que participan en el proceso de
conducción: electrones libres. En semiconductores y aislantes los huecos participan en el
proceso de conducción. La conductividad eléctrica es función directa de los electrones libres y
de los huecos.

● Metales: existen estados vacíos contiguos al máximo de la banda de valencia. La

energía proporcionada por un campo eléctrico suele ser suficiente para promocionar los
electrones de conducción a los estados conductores. Los electrones de valencia tienen
libertad de movimiento y forman un “gas de electrones” uniformemente distribuído en la
red de iones. Solo con una pequeña fracción de electrones excitada se produce una
conductividad elevada.
 ● Aislantes y semiconductores: no existen estados vacíos contiguos al máximo de la
banda de valencia. Los electrones tienen que superar un intervalo prohibido de energía
(Eg) para acceder a los primeros estados de energía de la banda de conducción:
electrones libres. La fuente de energía puede ser eléctrica, luminosa, calorífica…. El
número de electrones excitados térmicamente depende de Eg y de la Tª. La diferencia
entre un aislante y un semiconductor es el intervalo prohibido, que es mucho mayor en
el aislante. La Tª y la conductividad son proporcionales. En los aislantes el enlace suele
ser iónico o fuertemente covalente y en los semiconductores, covalente relativamente
débil.

● Semiconductores
intrínsecos:

Los semiconductores intrínsecos aquellos cuyo comportamiento eléctrico se basa en la

estructura electrónica inherente al material puro. Pueden ser elementos puros como el Si o el
Ge, compuestos (III-V, II-VI, es decir, grupo 13 con 15 o 2 con 16) u óxidos de metales de
transición.

La banda de valencia está completamente llena y separada de la banda de conducción por un

intervalo prohibido de energía relativamente estrecho (< 2eV), como se puede ver en las
siguientes tablas.
A medida que el enlace entre los
elementos tiene mayor carácter
iónico, la magnitud del
intervalo prohibido aumenta
y hay un mayor carácter aislante.

Concepto de hueco: cada electrón excitado a la banda de conducción genera en la banda de

valencia un estado electrónico vacante, equivalente a una carga positiva, lo que se conoce
como hueco ( + 1.6 x 10-19 C). En presencia de un campo eléctrico, los electrones y los
huecos excitados son dispersados por las imperfecciones de la red.

El silicio y el germanio puros elementales son materiales semiconductores intrínsecos. Estos

elementos tienen la estructura cúbica de diamante con enlaces covalentes altamente
direccionales. Los orbitales de enlace híbridos sp3 tetraédricos consistentes en pares de
electrones, mantienen unidos a los átomos en una red cristalina. En esta estructura cada átomo
de silicio o germanio aporta cuatro electrones de valencia. Los electrones de enlace son
incapaces de moverse a través de la retícula cristalina y por ello de conducir electricidad a
menos que se proporcione energía suficiente para excitarlos desde sus posiciones de enlace.
Cuando se suministra una cantidad crítica de energía a un electrón de valencia para excitarlo
más allá de su posición de enlace, éste se vuelve un electrón de conducción libre y deja detrás
de él un “hueco” cargado positivamente en la red de cristal.

En el diagrama de bandas de energía para semiconductores elementales intrínsecos (por

ejemplo, Si o Ge), los electrones de valencia de enlace del cristal ligados en forma covalente
ocupan los niveles de energía en la banda de valencia inferior, la cual está casi llena a 20°C.
Sobre la banda de valencia hay una brecha de energía prohibida en la cual no se permiten
estados de energía y que es de 1.1 eV para el silicio a 20°C. Arriba de la brecha de energía
hay una banda de conducción casi vacía (a 20°C). A temperatura ambiente, la energía térmica
es suficiente para excitar algunos electrones desde la banda de valencia hasta la banda de
conducción, dejando sitios vacantes o huecos en la banda de valencia. De este modo, cuando
un electrón se excita a través de la brecha de energía en la banda de conducción, se crean dos
portadores de carga, un electrón cargado negativamente y un hueco cargado positivamente.
Ambos electrones y huecos llevan corriente eléctrica.

Estados ocupados en el caso de un aislante o bien de un semiconductor: (a) antes y (b)

después de la excitación de un electrón desde la banda de valencia a la banda de conducción,
en cuyo proceso se forma un electrón libre y un hueco.

La conductividad intrínseca es función de los dos tipos de portadores de carga:

Y en los conductores intrínsecos p = n así que:

Distribución de Fermi-Dirac:

Es la probabilidad de que un estado de

energía E esté ocupado por un electrón
en equilibrio, que como se puede
observar, disminuye con la energía
creciente. Las diferentes líneas son a
diferentes temperaturas.

● Semiconductores extrínsecos:

Los semiconductores extrínsecos son soluciones sólidas sustitucionales muy diluidas en las
cuales los átomos de impurezas del soluto tienen diferentes características de valencia
respecto de la red atómica del disolvente. Las concentraciones de los átomos de impurezas
agregados en estos semiconductores suelen encontrarse en el intervalo de 100 a 1000 ppm.

El comportamiento eléctrico está determinado por impurezas, las cuales, cuando están
presentes en incluso pequeñas concentraciones, introducen electrones o huecos en exceso.

❖ Tipo n:
Ejemplo: Un átomo de Si tiene cuatro electrones, y cada uno de ellos participa en el enlace
covalente con uno de los cuatro átomos de Si contiguos. Ahora vamos a suponer que
introducimos una impureza de valencia 5 como impureza sustitucional. Esta impureza podrían
ser los átomos del grupo 15, como por ejemplo, P, As o Sb. Solamente cuatro de los cinco
electrones de valencia de estas impurezas participan en el enlace y el electrón extra está
débilmente ligado a la región alrededor del átomo de impureza por atracción electrostática
débil, lo que hace que sea un electrón libre o de conducción.

El estado de energía de este electrón puede verse desde la perspectiva de la estructura de

bandas de energía de los electrones. Para cada uno de los electrones débilmente ligados,
existe un nivel de energía o estado energético que está localizado dentro del intervalo prohibido
justo por debajo de la banda de conducción. La energía del enlace del electrón corresponde a
la energía requerida para excitar al electrón desde uno de estos estados de la impureza a un
estado de la banda de conducción. Cada excitación suministra o dona un electrón a la banda
de conducción; una impureza de este tipo se denomina donador; puesto que cada electrón
cedido por el donador es excitado a partir de un nivel de energía de la impureza, no se forma
un hueco en la banda de valencia.

A temperatura ambiente, la energía térmica es suficiente para excitar un gran número de

electrones a partir de estados donadores, además, también ocurren algunas transiciones
intrínsecas entre la banda de valencia y la de conducción, aunque en un grado insignificante.
Por consiguiente, el número de electrones en la banda de conducción excede en mucho al
número de huecos en la banda de valencia, o sea, n>>p y el primer término del miembro de la
derecha de la ecuación de conductividad mostrada antes es mucho mayor que el segundo, o
sea:

Un material de este tipo se dice que es un semiconductor de tipo n. Los electrones son los
transportadores mayoritarios de carga debido a su densidad o concentración; los huecos, se
denominan transportadores minoritarios de carga. El nivel de Fermi está desplazado hacia
arriba en el intervalo prohibido, a posiciones cercanas a los estados donadores; su posición
exacta es función de la temperatura y de la concentración de los donadores.
 ❖ Tipo p:

El efecto contrario se produce por la adición al silicio o al germanio de impurezas trivalentes

sustitucionales del grupo 13 como el boro, el aluminio o el galio. Uno de los enlaces covalentes
alrededor de cada uno de estos átomos es deficitario en un electrón; tal diferencia puede verse
como un hueco que está débilmente ligado a un átomo de impureza. Este hueco puede ser
liberado del átomo de impureza por transferencia de un electrón desde un enlace adyacente.
En esencia, el electrón y el hueco intercambian sus posiciones. Un hueco móvil se considera
como un estado excitado y participa en el proceso de conducción, de una manera análoga a un
electrón excitado de un estado donador.

Las excitaciones extrínsecas en las cuales se generan huecos también pueden representarse
utilizando el modelo de bandas. Cada átomo de impureza de este tipo introduce un nivel de
energía dentro del intervalo prohibido, por encima, aunque muy cerca del máximo de la banda
de valencia. Se puede imaginar que se crea un hueco en la banda de valencia por la excitación
térmica de un electrón de dicha banda hasta este estado electrónico de la impureza. En una
transición de este tipo solamente se produce un transportador; un hueco en la banda de
valencia; no se crea un electrón libre en el nivel de la impureza ni en la banda de conducción.
Una impureza de este tipo se denomina aceptor, porque es capaz de aceptar un electrón de
banda de valencia, dejando atrás un hueco. Por consiguiente, el nivel de energía dentro del
intervalo prohibido introducido por este tipo de impurezas se denomina estado aceptor.

Para este tipo de conducción extrínseca, la concentración de huecos es mucho mayor que la
de electrones, o sea, p>>n, y en estas circunstancias, un material se denomina de tipo p
porque las partículas positivamente cargadas son las responsables primarias de la conducción
eléctrica. Los huecos son los transportadores mayoritarios y los electrones están presentes en
concentraciones mínimas. Esto causa un predominio del segundo término de la ecuación:
Para los semiconductores de tipo p, el nivel de Fermi está situado dentro del intervalo
prohibido, cerca del nivel de los aceptores. De esta forma, la representación del nivel de Fermi
para los tres tipos de semiconductores queda de la siguiente forma:

Los semiconductores
extrínsecos se fabrican a partir de materiales que inicialmente tienen una pureza muy alta con
concentraciones de impurezas pequeñas. Entonces se añaden concentraciones controladas de
donadores o aceptores usando varias técnicas. Este proceso de aleación en los materiales
semiconductores se denomina dopado.

En estos conductores se crean muchos transportadores a temperatura ambiente por la energía

térmica disponible. Como consecuencia, las conductividades a temperatura ambiente son
relativamente elavadas y la mayoría de estos materiales se usan en dispositivos electrónicos
que deben operar a temperatura ambiente.

Dependencia de la conductividad y de la concentración de electrones respecto de la

temperatura:

En la siguiente figura se representa un diagrama del logaritmo de la conductividad eléctrica en

función del logaritmo de la temperatura absoluta para el silicio intrínseco y para el dopado con
dos concentraciones distintas de boro, que actúa como aceptor en el silicio.
La conductividad eléctrica de la muestra intrínseca aumenta drásticamente al aumentar la
temperatura. El número de electrones y huecos aumenta con la temperatura debido a que hay
más energía térmica disponible para excitar a los electrones de la banda de valencia a la banda
de conducción. Por tanto, los valores de n y p en la expresión de la conductividad intrínseca
aumentan. Los valores de las movilidades de los electrones y huecos disminuyen ligeramente
con la temperatura como resultado de una dispersión más efectiva de los electrones y huecos
por las vibraciones térmicas, sin embargo, estas reducciones no contrarrestan el aumento de n
y p y el efecto neto de un aumento de temperatura es producir un aumento en la conductividad.

La dependencia de la conductividad intrínseca con la temperatura viene dada por:

La conductividad en esa ecuación se puede sustituir por n

Otro método de representar la dependencia del comportamiento eléctrico de los

semiconductores respecto de la temperatura es mediante el logaritmo natural de las
concentraciones de electrones y huevos frente al recíproco de la temperatura absoluta.
Este es un diagrama de este tipo utilizando los mismos datos que en la gráfica anterior,
obteniendo como resultado un segmento de línea recta para el material intrínseco. Este
diagrama facilita la determinación del intervalo prohibido de energía. La pendiente de la recta
es -Eg/2k, por lo que Eg se puede obtener mediante la recta.

Otro detalle importante del comportamiento mostrado en las figuras anteriores es que a
temperaturas inferiores a unos 800K O 527ºC, los materiales dopados con boro son
extrínsecos de tipo p, o sea, virtualmente todos los huecos transportadores provienen de
excitaciones extrínsecas; transiciones de electrones desde la banda de valencia al nivel
aceptor de boro, que dejan huecos en la banda de valencia. Las energías térmicas disponibles
a estas temperaturas son suficientes para promover un número significativo de estas
excitaciones, aunque insuficiente para estimular muchos electrones desde la banda de valencia
a través del intervalo prohibido. Por tanto, la conductividad extrínseca excede en mucho a la
conductividad intrínseca del material.

La conductividad extrínseca es también sensible a la temperatura para dos materiales dopados

con boro. Empezando a alrededor de 75K o -200ºC, primero aumenta con la temperatura,
alcanza un máximo y entonces disminuye ligeramente antes de hacerse intrínseco. Ahora bien,
en términos de la concentración de transportadores, es decir, de huecos, el lnp primero
aumenta linealmente al disminuir 1/T o al aumentar la temperatura. Un gran número de
excitaciones extrínsecas son posibles incluso a estas temperaturas relativamente bajas porque
los niveles de los aceptores están justo por debajo del máximo de la banda de valencia. Al
aumentar más la temperatura (1/T disminuye), la concentración de los huecos eventualmente
se hace independiente de la temperatura. En este punto, todos los átomos de boro gan
aceptado electrones de la banda de valencia y se dice que están saturados; esto se denomina
región de saturación (las impurezas donadoras se agotan en lugar de saturarse). El número de
huecos en esta región es aproximadamente igual al de átomos de impurezas dopantes.
La disminución de la conductividad al aumentar la temperatura dentro de la región de
saturación puede explicarse por la reducción de la movilidad de los huecos al aumentar la
temperatura. Tanto e como p son independientes de la temperatura y la dependencia solo
proviene de las movilidades.

La conductividad de los dos materiales dopados con boro se hace intrínseca a unos 800K.
Cuando comienza este comportamiento intrínseco, el número de transiciones intrínsecas desde
la banda de valencia a la banda de conducción supera al número de huecos generados
extrínsecamente.

Las conductividades extrínsecas y de saturación y las concentraciones de huecos son mayores

en el material que tiene mayor contenido en boro, ya que hay más átomos de boro a partir de
los cuales se pueden generar huecos, además, la temperatura a la que comienza el
comportamiento intrínseco es más elevada a medida que la concentración del elemento
dopante aumenta.

Dispositivos semiconductores:

Las propiedades eléctricas únicas de los semiconductores hacen que sean utilizados en
dispositivos para realizar funciones electrónicas específicas. Algunas de sus ventajas son su
tamaño pequeño, su bajo consumo de potencia y su respuesta rápida.

● Unión rectificadore p-n:

Un diodo rectificador es un dispositivo electrónico que permite el flujo de corriente en una sola
dirección; por ejemplo, un rectificador transforma una corriente alterna en una corriente
continua. Antes de este invento, esto se realizaba con diodos. La unión rectificadora p-n se
construye a partir de un semiconductor que es dopado de manera que sea de tipo n en un lado
y de tipo p en el otro. Si se unen bloques de materiales de tipo n y p, el rectificado que resulta
es pobre, puesto que la presencia de una superficie entre los dos bloques produce un
dispositivo muy deficiente. En todos los dispositivos deben emplearse monocristales de
materiales semiconductores porque en los límites de grano ocurren fenómenos electrónicos
que son perjudiciales para la operación.

Antes de la aplicación de cualquier potencial a través de la unión p-n, los huecos serán los
transportadores mayoritarios en el lado p y los electrones predominarán en la región n (a). Se
puede establecer un potencial eléctrico a través de la unión con dos polaridades distintas.
Cuando se emplea una batería, el terminal positivo puede conectarse en el lado p y el negativo
en el lado n, lo que se denomina polaridad directa. La polaridad opuesta se denomina polaridad
inversa.

La respuesta de los transportadores de carga a la aplicación de un potencial directo se

demuestra en (b). Los huecos en el lado p y los electrones en el lado n son atraídos hacia la
unión. A medida que los electrones y los huecos se encuentran unos con otros cerca de la
unión se recombinan continuamente y se aniquilan unos con otros. Por tanto, para esta
polarización un gran número de transportadores de carga fluyen a través del semiconductor y
hacia la unión; esto se manifiesta en una corriente apreciable y una resistividad baja. Las
características corriente-voltaje para el potencial directo se muestran en la mitad derecha de la
figura 19.20.

Para la polaridad inversa ©, tanto los huecos como los electrones, como transportadores
mayoritarios, son rápidamente desplazados lejos de la unión. Esta separación de cargas
positivas y negativas o polarización deja la región de la unión relativamente libre de
transportadores de carga. La recombinación no tendrá lugar, de manera que la unión es ahora
altamente aisladora. La figura 19.20 también refleja esta situación.

● Transistor:
Realizan las mismas operaciones que el triodo, es decir, pueden amplificar una semal eléctrica.
Además, sirven como dispositivos de conmutación en ordenadores para el procesado y
almadenamiento de información. Los más importantes son el transistor de unión o bimodal y el
transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

Transistor de unión: está formado por dos uniones p-n colocadas en una configuración n-p-n o
p-n-p. La siguiente figura es una representación de un transistor de unión p-n-p y de su circuito
asociado.

Una región base muy delgada

de tipo n es interpuesta entre regiones emisoras y colectoras de tipo p. El circuito que incluye la
unión emisor-base (unión 1) está bajo un potencial directo, mientras que se aplica un voltaje

La siguiente figura ilustra el mecanismo de operación en términos de movimiento de los

transportadores de carga. Puesto que el emisor es de tipo p y a la unión 1 se le aplica un
potencial directo, un gran número de huecos entran en la región base. Estos huecos inyectados
son transportadores minoritarios en la base de tipo n y algunos de ellos se recombinarán con
los electrones mayoritarios. Sin ambargo, si la base es extremadamente delgada y los
materiales semiconductores han sido preparados adecuadamente, la mayoría de estos huecos
pasarán rápidamente a través de la base sin recombinación, entonces cruzan la unión 2 y se
introducen en el colector de tipo p. Los huecos se convierten en una parte del circuito emisor-
colector. Un pequeño aumento en el voltaje aplicado en el circuito emisor-base produce un
gran aumento de la corriente a través de la unión 2, que se refleja en un gran aumento en el
voltaje a través de la resistencia, que también se muestra en el circuito. Por tanto, una señal de
coltaje que pasa a través de un transistor de unión experimenta una amplificación.

Argumentos similares son aplicables al transistor n-p-p, pero se inyectan electrones en lugar de
huecos a través de la base hacia el colector.
MOSFET: consiste en dos pequeñas islas de semiconductores de tipo p que se crean en un
substrato de silicio de tipo n, como se muestra en la sección transversal de la figura. Las islas
están unidas por un canal estrecho de tipo p. Se realizan conexiones metálicas apropiadas
(fuentes y drenajes) sobre estas islas. Una capa aisladora de dióxido de silicio se forma por
oxidación de la superficie de silicio. Una conexión final (puerta) es entonces realizada sobre la
superficie de esta capa aisladora.

Solamente un tipo de transportador de carga (electrón o hueco) es activo. La conductividad del

canal se varía mediante la presencia de un campo eléctrico impuesto en la puerta. Por ejemplo,
la imposición de un campo positivo sobre la puerta mueve a los huecos fuera del canal y
reduce la conductividad eléctrica. Una pequeña alteración ene l campo producirá una variación
en la corriente relativamente grande entre la fuente y el drenaje. La corriente en la puerta es
muy pequeña en comparación con la de la base del transistor de unión y se utilizan cuando las
señales de entrada que deben ser amplificadas no pueden sostener una corriente apreciable.