INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ACAPULCO

“ELECTRÓNICA I”

Profesor: Ing. Luis Riaño Cruz

Alumno: Barroso Ramírez Edson Ezequiel

Numero de control: 09320461

1 SEMICONDUCTORES

DEFINICIÒN.

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o

como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.

Electrones
Gru en
Elemento
po la última
capa

Cd II B 2 e-

Al, Ga, B,
III A 3 e-
In

Si, C, Ge IV A 4 e-

P, As, Sb VA 5 e-

Se, Te, (S) VI A 6 e-

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor

de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es
debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los
semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de
electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son
aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio,
Germanio, etc). Generalmente a estos se le introducen átomos de otros
elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba
primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la
impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su
resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los
aislantes.
1.1 SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS (TIPO PN Y NP)

La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma

considerable cuando se introducen cantidades pequeñas de impurezas
específicas en el cristal. Este procedimiento se llama contaminación. Si las
sustancias contaminantes tienen electrones libres extra, se conoce como
donador, y el semiconductor contaminado es de tipo n. Los portadores
mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son huecos, pues
existen más electrones que huecos. Si la sustancia contaminante tiene
huecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y el semiconductor
contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos y los
minoritarios son electrones. Los materiales contaminados se conocen como
semiconductores extrínsecos, mientras que las sustancias puras son
materiales intrínsecos. La densidad de electrones se denota por n y la
densidad de huecos por p. Se puede demostrar que el producto, NP, es una
constante para un material dado a una temperatura dada.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar
el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o
electrones). Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus
electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que
da algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones

portadores en el material.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar
el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más

débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente
dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del
semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
Polarización Directa E Inversa De La Unión P-N

El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental.

Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte
con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras
(tipo P) De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentración de
huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se
aplique un campo eléctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicación
de este campo: polarización inversa y polarización directa.

Polarización inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una

tensión más positiva que a la parte P. De esta forma, el campo eléctrico
estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a circular en
ese sentido
Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto
significa que circularían huecos de la parte N (donde son muy minoritarios)
a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve
contrarrestada por una corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos
de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N).
Por consiguiente, la corriente global de huecos es prácticamente nula. Algo
totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de
arrastre va en sentido contrario a la de difusión, contrarrestándose ambas y
produciendo una corriente total Prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se
denominan Corriente inversa de saturación (Is ).

Polarización directa. Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión

más positiva que a la parte N. De esta forma, el campo eléctrico estará
dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularían huecos de la
parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo
que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusión. De
esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo
ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de
huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un
determinado valor de tensión (tensión umbral, V.) que depende del tipo de
semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio
de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya
que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido
contrario.
1.2 CONDUCCIÒN EN MATERIALES SEMICONDUCTORES

En los átomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con

suficiente fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran
profundidad dentro del átomo, mientras que los electrones de valencia son
parte del enlace covalente: no pueden desprenderse sin recibir una
considerable cantidad de energía. En calor y otras fuentes de energía
provocan que los electrones en la banda de valencia rompan sus enlaces
covalentes y se conviertan en electrones libres en la banda de conducción.
Por cada electrón que deja la banda de valencia, se forma un "hueco". Un
electrón cercano a la banda de valencia puede moverse y llenar el hueco,
creando otro, prácticamente sin intercambio de energía. La conducción
provocada por los electrones en la banda de conducción es diferente de la
conducción debida a los huecos dejados en la banda de valencia. En
semiconductores puros, existen tantos huecos como electrones libres.

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de

potencial o corriente eléctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno
producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la “banda de
conducción” y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la
“banda de valencia” cuando los electrones saltan a la banda de conducción.
La fuente de energía térmica interna aumenta la actividad de los electrones;
por tanto, saca a los electrones de valencia de la influencia del enlace
covalente y los dirige hacia la banda de conducción. De esta forma, existe
un número limitado de electrones en la banda de conducción bajo la
influencia del campo eléctrico aplicado; estos electrones se mueven en una
dirección y establecen una corriente, como se muestra en la figura 1.5. El
movimiento de huecos es opuesto al de los electrones y se conoce como
corriente de huecos. Los huecos actúan como si fueran partículas positivas y
contribuyen a la corriente total. Los dos métodos mediante los cuales se
pueden mover los electrones y huecos a través de un cristal de silicio son la
difusión y el desplazamiento.