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Clasificación de Los Materiales
Clasificación de Los Materiales
MATERIALES POR SU
CONDUCTIVIDAD
Mg. Ing. Ana María Echenique
CONCEPTO DE ELECTRÓNICA
La electrónica, es una rama de la física que tiene un campo de aplicación muy
amplio
Es el campo de la Bioingeniería, donde se estudia el diseño y la aplicación de los
dispositivos biomédicos, la electrónica tiene su aplicación considerando que el
funcionamiento de estos depende del flujo de electrones en los dispositivos
electrónicos. Ya sea para la generación, transmisión, recepción, almacenamiento y
control de la información. Esta información puede consistir en datos, voz, sonido,
imágenes, señales, variables de procesos biológicos, entre otros. Por este motivo es
de interés para comprender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos,
conocer los materiales con los que se fabrican los dispositivos electrónicos
ELECTRON
Telecomunicaciones
Computación
Equipamiento Médico
OBJETIVOS:
Reconocer los diferentes tipos de
materiales, según su estructura
atómica
Describir la estructura del cristal de Si
Conocer los tipos de materiales
semiconductores
Describir los tipos de portadores de
carga y clases de impurezas
CLASIFICACIÓN
Todos los elementos que tienen
propiedades físicas y químicas semejantes
se encuentran agrupados en la tabla
periódica. Desde el punto de vista eléctrico,
todos los cuerpos simples o compuestos
formados por esos elementos se pueden
dividir en tres amplias categorías:
Conductores
Aislantes
Semiconductores
MATERIALES
CONDUCTORES
En la categoría “conductores” se encuentran agrupados
todos los metales que en mayor o menor medida
conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica
por sus cuerpos. Entre los mejores conductores por
orden de importancia para uso en la distribución de la
energía eléctrica de alta, media y baja tensión, así como
para la fabricación de componentes de todo tipo como
dispositivos y equipos eléctricos y electrónicos, se
encuentran el cobre (Cu), aluminio (Al), plata (Ag) y el oro
(Au).
PROPIEDADES DE LOS
MATERIALES CONDUCTORES
APLICACIONES DE METALES CONDUCTORES
APLICACIONES DE METALES CONDUCTORES
APLICACIONES DE METALES CONDUCTORES
MATERIALES AISLANTES
Silicio
Después del oxigeno, el silicio -Fabricación de componentes
es el elemento mas electrónicos
abundante en la corteza -Construcción de ladrillos, vidrios
terrestre en: y otros materiales
Arena, cuarzo, granito, arcilla, - Silicona para implantes médicos
mica, etc.
- Fertilizante en la agricultura
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
RESISTIVIDAD PARA DIFERENTES
MATERIALES
Eg
Eg = 1.1 eV (Si) Eg = 0
Eg ≅ 10 eV
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (ArGa)
A 0ºK (-273ºC), tanto los aislantes como los
semiconductores no conducen, ya que ningún
electrón tiene energía suficiente para pasar de
la banda de valencia a la de conducción.
A 300ºK (25ºC), algunos electrones de los
semiconductores alcanzan este nivel.
Al aumentar la temperatura aumenta la
conducción en los semiconductores (al
contrario que en los metales). Mientras que
los conductores tienen electrones libres a 0ºK.
ESTRUCTURA CRISTALINA
Cuando el Ge o SI solidifican lo hacen
en forma de una red cristalina tipo
diamante.
Semiconductores Intrínsecos
Semiconductores Extrínsecos
Material Tipo N
Material Tipo P
Semiconductor Intrínseco
Representación plana del Germanio a 0º K - -
- -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
Situación del Ge a 300º K -
Generación
- - - -
- Muy - - - +
-
importante
Ge - Ge - Ge - Recombinación
Ge
- - - - Generación - -
Generación
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
Recombinación
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
Siempre se están rompiendo (generación) y reconstruyendo (recombinación) enlaces.
La vida media de un electrón puede ser del orden de milisegundos o microsegundos.
Situación del Ge a 300ºK
- - -
Sentido de desplazamiento
-
del hueco
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
-
- - -
- - - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
Sentido de desplazamiento
del electrón
+++++++
- - - -
- -
Ge -
-
Ge
-
Ge
-
Ge
-
-
- -
- - - - -- - -
-
-
- - - -
- +
-
- - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
-
- - - -
- -
•El electrón libre, con carga negativa, se mueve por acción del campo.
+
•Y la carga ”+” también se desplaza.
- Aplicación de un campo externo
+++++++
- - - -
- -
Muy
importante
Ge -
-
Ge
-
Ge
-
Ge
-
-
- -
- - - -- -
-
- - - -
+ - +
-
- - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
-
- - - -
- -
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo portador de carga,
+
llamado “hueco”.
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior
Ε
-
+++++
-
- - - - -
+ + +
-
+ +
- - - - -
- + + + + +
- huecos electrones
Existe corriente eléctrica debida a los dos portadores de carga:
- -
0ºK
- -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Si - Si Si
As
- -
- 4
3
- - -
Tiene 5 electrones en la última
capa
A 0ºK, habría un electrón
adicional ligado al átomo de
As
Semiconductores Extrínsecos (Tipo N)
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si
- - 5
300ºK
- -
0ºK
-
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
As+
Si - - Si - Si
- 4
3
- - -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de As están
desligados de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente eléctrica).
El As es un donador y en el Si hay más electrones que huecos. Es un
semiconductor tipo N.
Semiconductores Extrínsecos (Tipo N)
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo N
.
Energía 1 electr./atm.
0 electr./atm. 300ºK
0ºK
-
EAs=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
El As genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda
de conducción. La energía necesaria para alcanzar la banda de conducción se
consigue a la temperatura ambiente, y es la energía de ionización del átomo de
As. De esta manera cede un portador de carga negativa (electrón)
- -
0ºK
- -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Si - Si Si
In
-
- - -
3 -
Tiene 3 electrones en la última
capa
A 0ºK, habría una “falta de
electrón” adicional ligado al
átomo de In
Semiconductores Extrínsecos (Tipo P)
- - -
-
- - - - -
Si - Si - Si - Si
+
-
300ºK
-
0ºK
- -
- - 1 - -
2
-
- - - - -
Si - Si Si
In
- -
- - 4 (extra) -
3 -
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de In están cubiertas con un
electrón procedente de un átomo de Si, en el que se genera un hueco. El ln es un
aceptador y en el Si hay más huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
Semiconductores Extrínsecos (Tipo P)
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo P
300ºK
0ºK
Energía
EIn=0,067eV
+
Eg=0,67eV
- - - 43 electr./atom.
electr./atom.
- - 0- huecos/atom.
El In genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda de
valencia. La energía necesaria para que un electrón alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco en la banda de valencia. Esta
energía es la de ionización del átomo de In, cediendo un portador de carga positivo
(hueco)