Electrónica industrial Repaso.

Física de Semiconductores (construcción del diodo), curva

característica del diodo, polarización del diodo y análisis de circuitos con diodos.

Docente: Camilo Leonardo Sandoval Rodríguez

1. Principios básicos de semiconductores: Antes de mencionar la estructura del diodo

se deben establecer algunas definiciones acerca de algunas características físicas y
eléctricas de los materiales. En este sentido, se deben recordar las definiciones de
corriente eléctrica, materiales conductores, aislantes y semiconductores.

1.1.Corriente Eléctrica: La corriente eléctrica se conoce como la variación de la carga

por unidad de tiempo en determinado elemento. De esta forma, si existen
partículas con carga (portadores) en determinada región del elemento; la
conducción eléctrica se relaciona entonces con la concentración de portadores de
carga en dicha región, estos portadores a su vez tienen la capacidad de moverse
libremente a través del medio o elemento. Esto se hace posible por la cantidad de
partículas portadoras de carga que se encuentran en la capa atómica más externa
(capa de valencia) del material. Teniendo en cuenta lo anterior, se establece la
clasificación de los materiales según su condición de conducción de corriente
eléctrica.

1.2.Materiales conductores: En los materiales conductores como el aluminio, plata o

cobre; los electrones (portadores de carga) de las últimas capas atómicas no
están ligados a un solo átomo sino que se encuentran compartidos entre toda la
red del material. Esta condición hace que los portadores puedan moverse
libremente por la red logrando tener un alto nivel de conducción.

1.3.Materiales aislantes: En los materiales aislantes como el diamante y el carbono

entre otros, los electrones de la capa de valencia se encuentran fuertemente
ligados a los átomos y en consecuencia no existen portadores libres. Teniendo en
cuenta lo anterior la conducción eléctrica es demasiado pobre.

1.4.Materiales semiconductores: Los materiales semiconductores como el Silicio,

Germanio y Arseniuro de Galio, cambian su condición de conducción respecto de
la temperatura. Por ejemplo se comportan como aislantes a temperaturas bajas, y
a temperatura ambiente son malos conductores (no aislantes). No obstante a
temperaturas altas pueden ser buenos conductores. Esta condición se explica a
continuación.
1.4.1. Estructura del material de silicio puro (intrínseco).
El átomo de Silicio tiene 4 electrones de valencia. En el cristal cada átomo
se engancha con otros cuatro átomos por medio de enlaces covalentes. De
este modo, dos átomos comparten dos electrones (como se muestra en la
figura 1), uno de cada uno, de la capa más externa (capa de valencia). Ésta
condición como se mencionó anteriormente, se relaciona con la operación
como aislantes ya que no poseen portadores libres.

Figura 1. Red silicio a bajas temperaturas.

No obstante, al modificarse la temperatura (aumentar) la conducción se

mejora. A continuación se presenta la explicación de la generación de
portadores libres a partir del aumento de temperatura.

1.4.2. Generación térmica de portadores libres. Al aumentar la temperatura uno

o más de los enlaces de la red de silicio intrínseco pueden romperse,
liberando portadores de carga en la red del material. En la figura 2, se
puede ver este fenómeno.

Figura 2. Liberación de portadores de carga.

Nótese de la figura 2 que aparecen dos portadores de carga. En primera
instancia aparece el electrón de carga negativa, que al aumentar su energía
por la excitación térmica sale de su nivel de valencia, quedando libre para
“trasladarse” por la red. Por otra parte, el espacio (hueco) que el electrón
ha dejado toma una carga positiva. De esta manera aparece un par de
portadores libres en la red (electrón de carga negativa y hueco de carga
positiva). Aunque al aumentar la temperatura se mejoran las condiciones
de conducción, a temperatura ambiente la cantidad de pares de electrón-
hueco generados esta alrededor de un par, por cada 1012 átomos de Silicio.
Por otro lado la generación de portadores puede mejorar aún más si se
mantienen altas temperaturas, pero esta condición puede dañar el material
y generar procedimientos no seguros en la manipulación.

En el párrafo anterior se ha hablado del hueco como un portador de carga

positiva en la red cristalina de silicio intrínseco a temperatura ambiente.
A ésta partícula ficticia (hueco), se le atribuye cierta masa con el fin de
darle condiciones de objeto. Aunque realmente es un espacio físico en el
material su comportamiento dinámico (en movimiento), cada vez que un
electrón cambia de posición hace que se pueda ver como una masa en
movimiento, en relación a como se mueve y otras características. En la
figura 3, se ve el comportamiento del hueco en movimiento.

Figura 3. Movimiento del par electrón Hueco

 De la figura 3, puede verse que el movimiento que realiza el hueco con
carga positiva es el inverso al que realiza el electrón, es decir en el sentido
contrario en el que se mueve el electrón con carga negativa.

1.4.3. Mecanismos de generación de par electrón- hueco:

 Térmico
 Impacto: Acelerador de partículas
 Fotoeléctrico: Fotón impacta sobre el enlace covalente. Principio
que se usa para la traducción de señales ópticas a eléctricas.

1.5. Dopaje: En condiciones normales (temperatura ambiente) pueden existir huecos

o electrones unos en mayor concentración que otros dependiendo del material.
Para conseguir esta situación inusual en un átomo de silicio intrínseco se pueden
agregar átomos de otro material para lograr una cantidad de portadores de carga
mayor (+ si es hueco y – si es electrón).

1.5.1. Material tipo n: Este tipo de material se logra adicionando un elemento

que contenga átomos con 5 electrones de valencia (como en el caso del
fósforo), o más, entonces como se muestra en la figura 4, queda un
electrón libre en la red logrando “cargar” negativamente el material. Lo
anterior se produce de acuerdo al exceso de electrones para conformar la
ley del octeto. Por tal motivo a este tipo de material (Silicio dopado con
elementos de 5 0 mas electrones de valencia), se le conoce con el
nombre de material tipo n (material negativo) ya que los portadores
mayoritarios son los electrones de carga negativa.

Figura 4. Silicio dopado Con Fósforo

 1.5.2. Material tipo p: Es un material al cual se le añaden átomos que tengan
menor de 4 electrones de valencia, como el caso del Boro (3 electrones
de valencia). En la figura 5 se puede ver un esquema de este proceso.

Figura 5. Material dopado tipo P.

En este caso, queda un hueco disponible, al adicionar mas átomos de Boro

por ejemplo, el material toma una “carga” positiva debido a la ausencia de
electrones para conformar la ley del octeto. Ambos tipos de material (tipo
n y tipo p) son muy importante en la construcción de diodos.

2. Diodos: El diodo es un elemento de circuito que se construye a partir de la unión de

dos materiales semiconductores (tipo n o tipo p). El semiconductor de base puede ser
Silicio o Germanio.

Como se mencionó anteriormente en el material tipo n los portadores mayoritarios

son los electrones, por otro lado el material tipo p posee más huecos que electrones.
En este sentido el diodo se forma como lo muestra la figura 6.

Figura 6. Esquema de construcción de un diodo.

En temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusión a la zona n; a su
vez los electrones de la zona n pasan a la zona p. En la zona de unión los electrones
y huecos se recombinan quedando una zona estrecha de transición. De esta forma se
genera un campo eléctrico que dada la longitud de separación genera también una
diferencia de potencial. Al vencerse esta diferencia de potencial (voltaje de juntura),
por una fuente externa, la corriente eléctrica puede fluir libremente de la zona p a la
zona n.

Por la razón anterior, se la ha dado al diodo un símbolo eléctrico que sea coherente a
su funcionamiento. En la figura 7, se muestra el símbolo eléctrico del diodo.

Figura 7. Símbolo eléctrico del Diodo

El terminal marcado como A(p) se conoce con el nombre de ánodo (el cual es el
terminal “más positivo”). El terminal marcado como C ó K(n), se conoce con el
nombre de cátodo (el cual es el terminal negativo).
2.1. Curva característica del diodo ideal: La figura 8, se puede interpretar así: Si
existe un voltaje negativo (en relación con la referencia mostrada en la figura 7),
aplicado al diodo; la corriente no fluirá a través del elemento, por lo tanto se
comporta como un circuito abierto. En este caso, se dice que el diodo esta
inversamente polarizado y de esta manera se dice también que el diodo opera en
corte.

Figura 8. Curva característica del diodo Ideal.

De otra parte, si una corriente positiva (de ánodo a cátodo) se aplica al diodo ideal,
aparece en sus terminales un voltaje de 0 [V], Dicho de otra manera el diodo se
comporta como un cortocircuito, en este caso se dice que el diodo opera en
conducción.

2.2.Modelos eléctricos del diodo: Existen tres modelos eléctricos para un diodo. Tales
modelos se muestran en la figura 9.

Figura 9. Tres modelos eléctricos para el diodo.

Como se explico anteriormente, existen tres modelos eléctricos para un diodo. La

primera aproximación consiste en remplazar el diodo por un cortocircuito cuando
el diodo está conduciendo. Ésta aproximación corresponde al comportamiento
del diodo ideal. Así mismo, como se explico anteriormente, lo que ocurre en
realidad es que el diodo empieza a conducir una vez el voltaje entre terminales
del diodo a superado el voltaje de barrera. Esta condición se puede modelar como
una fuente de DC de voltaje en serie con un corto circuito, lo que corresponde a
la segunda aproximación y se puede observar en la figura 9. Nótese que la
corriente aumenta de manera instantánea cundo el diodo conduce. Aunque ésta
aproximación es sin duda la más utilizada, también existe la condición en que la
corriente no aumenta de manera instantánea sino gradualmente. La idea anterior
corresponde a la tercera aproximación, la cual puede verse en la figura 9. La
anterior aproximación se puede modelar como una fuente de voltaje DC en serie
con una resistencia (RD, resistencia dinámica del diodo) en serie y el corto
circuito.

Como se puede observar en las aproximaciones 2 y 3 se usa una fuente DC de

voltaje para designar el voltaje de barrera que se debe vencer para que el diodo
conduzca. Para diodos construidos a base de silicio el voltaje de barrera es de 0,7
[V], y para un diodo construido a base de germanio es de 0,3[V].
2.3. Polarización del diodo: Existen dos tipos de polarización para los diodos como
son: Polarización directa del diodo y polarización inversa del diodo.

 Polarización directa: Un diodo se encuentra en polarización directa

cuando el voltaje entre ánodo y cátodo supera el voltaje de barrera
(segunda y tercera aproximación), cuando esto ocurre se dice que el diodo
conduce. En dicho caso, el voltaje de ánodo (VA) supera al voltaje de
cátodo (VC) en 0,7 [V] si el diodo es de Silicio y 0,3 [V] si el diodo es de
Germanio. Dicho de otra manera, significa que VA > VB + 0,7, si el diodo
es de silicio y VA > VB + 0,3 si el diodo es de germanio. Para la
aproximación ideal se dice simplemente que el voltaje V A > VB. En la
figura 10 se muestra un circuito de polarización directa.

Figura 10. Polarización directa del diodo.(V> 0[V]).

 Polarización inversa: Se dice que un diodo está en polarización inversa

cuando el voltaje ánodo –cátodo (VAK) no supera el voltaje de barrera
(segunda y tercera aproximación). Es decir, VA< VK + 0,7 [V], si el diodo
es de silicio y VA< VK + 0,3 [V], si el diodo es de germanio. Para la
aproximación ideal simplemente se dice que el voltaje VA< VK. En
consecuencia el diodo no conduce y se dice que su comportamiento es
como un circuito abierto. En la figura 11 puede verse un circuito de
polarización inversa.

Figura 11. Circuito de polarización inversa. V>0 [V] e I= 0 [A].

3. Análisis de circuitos con diodos: Para efectuar un correcto análisis circuital en una
red con diodos, primero se va a inspeccionar el análisis con un solo diodo. El proceso
se resume en dos pasos:

 Determinar el estado de operación del diodo: Este paso se efectúa

suponiendo un estado de operación particular (conducción o no
conducción), al aplicar las leyes de circuitos debe verificarse que la
suposición es acertada.
 Calculo de las corrientes o voltajes del circuito: Una vez determinado el
estado de operación del diodo (encendido si conduce o apagado si no
conduce) se plantean las relaciones básicas de circuitos para determinar
las corrientes y /o voltajes solicitados. Para entender el proceso, supóngase
que se tiene el circuito definido por la figura 10.

Supóngase que se asume que el diodo es ideal por simplicidad, a su vez se

asume un estado de operación del diodo como apagado (no conduce). De
la figura 10 se puede ver que el voltaje VK es 0[V], dado que el cátodo
está conectado a tierra. Así mismo como se ha supuesto que el diodo no
conduce el voltaje en los terminales de la resistencia es 0[V] ya que no
hay flujo de corriente (Recordar la ley de Ohm VR = I*R), por tal motivo
en esta condición se puede representar a la resistencia R como un
cortocircuito en dicha resistencia. De igual forma, al estar la resistencia en
corto circuito, el terminal positivo de la fuente V se conecta directamente
al ánodo del diodo logrando un voltaje de ánodo VA=V. Por otro lado si
V>0[V] como lo indica la figura 10, entonces VA > 0[V]. Dadas estas
condiciones VA>0[V] y VK=0[V] se puede concluir que VA>VK y por ende
el diodo estaría conduciendo.

Teniendo en cuenta lo anterior, se puede inferir fácilmente que la

suposición del diodo en estado de no conducción (apagado) fue errada,
pues bajo ese supuesto, al realizar los demás cálculos se concluye que el
diodo conduce, lo cual contradice la suposición inicial.

Con este análisis se ha revelado que efectivamente el diodo esta en

conducción. La forma de comprobarlo es calculando la corriente que va
en la misma dirección de conducción del diodo si esta corriente da como
resultado una corriente positiva, entonces se está asegurando que el estado
de operación del diodo es precisamente en conducción.

Para calcular la corriente con el diodo conduciendo ye teniendo en cuenta

que el diodo es ideal la corriente I=V/R, donde V>0 como lo muestra la
figura 10, y por ende I>0.
Como otro ejemplo supóngase que se tiene el circuito de la figura 11, en
este circuito V>0 [V]. Nótese que se ha cambiado de posición al diodo y
por ende en este caso el voltaje del ánodo VA = 0[V] ya que se encuentra
conectado a tierra. Si se supone inicialmente que el diodo está en
conducción se puede determinar el voltaje del diodo (desde el cátodo
hasta el ánodo VKA) aplicando una simple LVK (ley de voltajes de
kirchhoff) De esta forma, VKA= I*R – V (con V>0). Como VKA=VK-VA
(por definición) y como se ha dicho anteriormente VA= 0[V] con lo cual
VKA=VK. Con esto la expresión resultado de la LVK se convierte en
VK=I*R-V. Como se ha supuesto que el diodo es ideal y como VA=0[V]
por estar conectada a tierra se puede verificar que VK= 0[V], por tal
motivo I=V/R donde V>0 y por ende I>0 con lo cual se verifica que el
sentido de la corriente es como el escogido en la figura 11. Sin embargo
esta conclusión contradice la operación natural del diodo puesto que la
corriente no puede fluir de cátodo a ánodo sino de ánodo a cátodo, por
éste resultado incongruente con la teoría de diodos, se puede concluir que
el diodo de la figura 11 no conduce (estado de operación real).

Una vez se ha determinado el estado de operación del diodo (no

conducción-apagado) se pueden calcular el resto de variables. Como el
diodo se encuentra apagado es fácil concluir que la corriente real del
circuito es 0 [A].

De los dos ejemplos anteriores se ve que es indispensable la aplicación de

los dos pasos fundamentales: determinar el estado de operación del diodo
y seguidamente calcular las variables requeridas.

La anterior metodología se aplica también a 2 o más diodos. Para el caso

de dos diodos se deben inspeccionar las cuatro posibles combinaciones
como se muestran en la tabla 1. De igual forma para tres diodos se tienen
8 posibles combinaciones para cuatro diodos se tienen 16 posibles
combinaciones y así 2N posibles combinaciones, donde N es el número
total de diodos que posee el circuito.

TABLA 1. INSPECCION DEL ESTADO DE OPARCION DE UN

CIRCUITO CON DOS DIODOS
ESTADO DEL ESTADO DEL CUMPLE
DIODO 1 DIODO 2
OFF OFF ¿?
0FF ON ¿?
ON OFF ¿?
ON ON ¿?

Una vez determinado el estado de operación de todos los diodos del

circuito, se pueden calcular las variables requeridas por el ejercicio.
Como ejemplo de práctica encuentre el valor de la corriente i y el voltaje
V del circuito mostrado en la figura 12.

Figura 12. Circuito con dos diodos para realizar el análisis.