Arreglos de dispositivos
Natalia Arango Largo, Julián David Narváez Franco, Andrés Felipe Aristizabal
nathu1810@utp.edu.co, judanafra_98@utp.edu.co, andres.piipexd@utp.edu.co
Resumen:
En este documento se realiza un estudio y verificación
experimental del arreglo de dispositivos, conexión serie
y conexión paralelo de diodos, transistores y tiristores.
Bajo estas condiciones también se realiza un análisis de
los datos obtenidos en un constaste con los
comportamientos dictados por la teoría condensada en
los libros de electrónica de potencia.
Abstract— this document performs an experimental
study and verification of device arrangement, serial
connection and parallel connection of diodes, transistors
and thyristors. Under these conditions an analysis of the
data obtained in a consisted of the behaviors dictated by the
condensed theory in the books of power electronics is also
carried out.
Key words— Diode, transistor, blocking voltage,
parallel arrangement, series arrangement, conduction
current.
I. INTRODUCCIÓN
Durante el diseño, estudio experimental o construcción para
pruebas de los convertidores de potencia, se puede no contar
con los elementos necesarios para los niveles de tensión y/o
corriente implementados, es así, que al igual que en el
arreglo de resistencias serie-paralelo para obtener el valor de
resistencia deseado, se realiza un arreglo serie-paralelo de
elementos de potencia (diodos, transistores y tiristores) a tal
modo que el conjunto resultante permita el flujo de corriente
o tensión de bloqueo deseados sin poner en riesgo la
integridad de los dispositivos.
En muchas aplicaciones de alto voltaje (por ejemplo, líneas
de transmisión de corriente directa en alto voltaje HVDC),
un diodo de los que se consiguen en el mercado no puede
cumplir con las especificaciones de voltaje, y los diodos se
conectan en serie para aumentar sus posibilidades de
bloqueo inverso.
Consideremos dos diodos conectados en serie, las variables
iD y VD son la corriente y el voltaje, respectivamente, en
sentido directo; VDl y VD2 son los voltajes en sentido
inverso compartidos de los diodos D1 y D2,
respectivamente. En la práctica, las características v-i en
diodos de un mismo tipo difieren, debido a las tolerancias de
sus procesos de producción.
En la condición de polarización directa, ambos diodos
conducen la misma cantidad de corriente, y la caída de
voltaje de cada diodo en sentido directo sería casi igual. Sin
embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo
debe conducir la misma corriente de fuga, y en consecuencia
los voltajes de bloqueo pueden ser distintos en forma
apreciable. Una solución sencilla para este problema es,
forzar la partición a voltajes iguales conectando un resistor
en paralelo con cada diodo. Debido a la partición igual de
voltajes, la corriente de fuga de cada diodo sería distinta. Los
voltajes compartidos bajo condiciones transitorias se
obtienen conectando capacito res en paralelo con cada diodo.
Los transistores pueden funcionar en serie, para aumentar su
capacidad de manejo de voltaje. Es muy importante que los
transistores conectados en serie se enciendan y apaguen en
forma simultánea. De no ser así, el dispositivo más lento en
el encendido, y el más rápido en el apagado, pueden quedar
sujetos al voltaje total del circuito de colector a emisor (o de
drenaje a fuente), y ese dispositivo en particular se puede
destruir por el alto voltaje. Los dispositivos deben estar
pareados, igualados, en ganancia, transconductancia, voltaje
de umbral, voltaje en estado activo, tiempo de encendido y
tiempo de apagado. Hasta las características de la excitación
de la compuerta o de la base deben ser idénticas. Se podrían
usar redes de voltaje compartido, parecidas a las de los
diodos. Los transistores se conectan en paralelo si un
dispositivo no puede manejar la demanda de corriente de la
carga. Para compartir corrientes iguales, los transistores
deben estar pareados en ganancia, transconductancia, voltaje
de saturación, tiempo de encendido y tiempo de apagado. En
la práctica no siempre es posible cumplir con estos
requisitos. Se puede obtener una partición razonable de
corriente (45 a 55% con dos transistores) conectando
resistores en serie con las terminales de emisor (o de fuente).
Los resistores ayudan a compartir la corriente bajo
condiciones de estado permanente. Bajo condiciones
dinámicas, eso se puede lograr conectando inductores
acoplados. Si aumenta la corriente que pasa por Q1, la
L(di/dt) aumenta a través de L y se induce un voltaje
correspondiente de polaridad opuesta a través del inductor
L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia, y la
corriente se desplaza a Q2. Los inductores generarían picos
de voltaje, y pueden ser costosos y voluminosos, en especial
si las corrientes son grandes. Los BJT tienen un coeficiente
negativo de temperatura. Cuando comparten la corriente, si
1
un BJT conduce más corriente, su resistencia de encendido diodos y del arreglo, cuyos resultados se
disminuye y aumenta más su corriente; mientras que los condensan en la Tabla 1.1.3.
MOSFET tienen un coeficiente de temperatura positivo y su
funcionamiento en paralelo es relativamente fácil. El Se experimenta con la opción de tener el arreglo
MOSFET que al inicio conduce más corriente se calienta de diodos conectados en serie polarizados
con más rapidez y aumenta su resistencia de encendido, directamente como muestra la figura 1.1.4, se
haciendo que la corriente se desplace a otros dispositivos.
realiza la toma de mediciones de su tensión de
Los IGBT requieren cuidados especiales para parear sus
características, debido a las variaciones de los coeficientes conducción, los resultados se condensan en la
de temperatura con la corriente de colector. Tabla 1.1.4.
1.1.1. Con polarización inversa, sin red de
II. METODOLOGÍA
compensación

1. Diodos.
1.1. Diodos en serie.

Se realiza el análisis y disposición del arreglo de

diodos en serie. Primeramente, se realiza la
disposición de los diodos conectados en serie y
polarizados inversamente a 20v como muestra Figura 1.1.1. Conexión de diodos en serie con polarización inversa.
la figura 1.1.1, obteniendo mediante uso del Tabla 1.1.1
multímetro digital las tensiones en inversa en
cada uno de los diodos, dichos resultados se
condensan en la Tabla 1.1.1
Luego, se realiza la implementación de la red de
compensación estática diseñada en el pre-
informe como muestra la Figura 1.1.2, la cual
consiste en disponer una resistencia en paralelo
1.1.2. Con polarización inversa y red de
con cada uno de los diodos; con ayuda del
compensación estática
multímetro digital se realiza la toma de
medidas, las cuales se condensan en la Tabla
1.1.2.
Con la intensión de prever el comportamiento
frente a cambios rápidos de tensión en el
tiempo, se realiza la implementación de la red
de compensación dinámica como muestra la
Figura 1.1.3, la cual consiste en la disposición
de un arreglo de una capacitancia y resistencia
Figura 1.1.2. Conexión de diodos en serie con polarización inversa y red
en serie en paralelo con cada uno de los diodos; de compensación estática.
al realizar dicha implementación y constatar la
Tabla 1.1.2.
no efectividad de la red de compensación para
equipotencializar la caída de tensión en cada
uno de los diodos, se opta con consentimiento
de la docente eliminar la resistencia en serie con
la capacitancia, dejando solamente la
capacitancia en paralelo con el diodo. Se realiza
la toma de las tensiones en cada uno de los

2
1.1.3. Con polarización
compensación dinámica
inversa y red de cada uno con ayuda del multímetro digital, e
igualmente se mide la corriente que fluye por
cada uno de los diodos con ayuda de un
amperímetro DC análogo. Los resultados se
condensan en la Tabla 1.2.1.
1.2.1 Diodos en paralelo con polarización directa.

Figura 1.1.3. Conexión de diodos en serie con polarización inversa y red

de compensación dinámica. Figura 1.2.1 Conexión de diodos en paralelo con polarización directa.

Tabla 1.1.3. Tabla 1.2.1.

Tensiones de bloqueo en los diodos. Tensiones en los diodos y su respectiva corriente.

1.1.4. Con polarización directa

Figura 1.1.4. Conexión de diodos en serie con polarización directa.

Figura 1.2.2 Ejemplo de medición de la corriente por uno de los diodos.
Tabla 1.1.4.
Tensiones en los diodos con polarización directa.

1.2. Diodos conectados en paralelo.

Se realiza la disposición de diodos conectados

en paralelo y polarizados directamente, se
realiza la toma de tensiones de conduccion de
Figura 1.2.3 Montaje de diodos conectados en paralelo.

3
 tierras de ambas fuentes conectadas, los
resultados se condensan en la Tabla 2.1.4.1 y
2.1.4.2.
2. Transistores.
2.1. Transistores en serie.
2.1.1. Con polarización inversa, sin red de
Se realiza el análisis y disposición del arreglo de compensación
transistores en serie. Primeramente, se realiza la
disposición de los transistores conectados en
serie y polarizados inversamente a 20v como
muestra la figura 2.1.1, obteniendo mediante
uso del multímetro digital las tensiones en
inversa en cada uno de los transistores, dichos Figura 2.1.1. Conexión de transistores en serie con polarización inversa
resultados se condensan en la Tabla 2.1.1
Tabla 2.1.1.
Luego, se realiza la implementación de la red de
compensación estática diseñada en el pre-
informe como muestra la Figura 1.1.2, la cual
consiste en disponer una resistencia en paralelo
con cada uno de los transistores; con ayuda del
multímetro digital se realiza la toma de
medidas, las cuales se condensan en la Tabla
2.1.2. 2.1.2. Con polarización inversa y red de
compensación estática
Con la intensión de prever el comportamiento
frente a cambios rápidos de tensión en el
tiempo, se realiza la implementación de la red
de compensación dinámica como muestra la
Figura 2.1.3, la cual consiste en la disposición
de un arreglo de una capacitancia y resistencia
en serie en paralelo con cada uno de los
transistores; al realizar dicha implementación y
constatar la no efectividad de la red de
compensación para equipotencializar la caída de
Figura 2.1.2. Conexión de transistores en serie con polarización inversa
tensión en cada uno de los transistores, se opta y red de compensación estática
con consentimiento de la docente eliminar la
Tabla 2.1.2.
resistencia en serie con la capacitancia, dejando Tensiones colector-emisor.
solamente la capacitancia en paralelo con el
transistor. Se realiza la toma de las tensiones en
cada uno de los diodos y del arreglo, cuyos
resultados se condensan en la Tabla 2.1.3.
Se experimenta con la opción de tener el arreglo
de transistores conectados en serie polarizados
directamente y polarizados por su base en la
región de corte-saturación con el fin de que
actúen como interruptores como muestra la
figura 2.1.4, se realiza la toma de mediciones de
su tensión de conducción, por indicaciones de la
docente se procede a tomar datos con la tierra
de la fuente de 5v flotante, y luego con las

4
2.1.3. Con polarización
compensación dinámica
inversa y red de 2.2 Transistores en paralelo.
Se realiza la configuración de transistores en
paralelo polarizados directamente y polarizados por
su base en la región de corte-saturación funcionando
como interruptores en conducción como muestra la
Figura 2.2, se realiza la toma de corrientes y dichos
resultados se condensan en la Tabla 2.2

Figura 2.1.3. Conexión de transistores en serie con polarización inversa

y red de compensación dinámica

Tabla 2.1.3.

Figura 2.2. Conexión de transistores en paralelo

Tabla 2.2.
Datos de transistores en paralelo uniendo los negativos de las fuentes y
con 5V en las bases

2.1.4. Con polarización directa y tensión de 5V en la

base

3. Tiristores.
Figura 2.1.4. Conexión de transistores en serie con polarización directa
y 5V en la base
Tabla 2.1.4.1.
Datos de transistores en serie con polarización directa y 5V en la base,
sin unir los negativos de las fuentes
Tabla 2.1.4.2. Datos de transistores en serie con polarización directa y
5V en la base, uniendo los negativos de las fuentes
Se realiza el análisis y disposición del arreglo de
tiristores en serie. Primeramente, se realiza la
disposición de los tiristores conectados en serie
y polarizados inversamente a 20v como muestra
la figura 3.1, obteniendo mediante uso del
multímetro digital las tensiones en inversa en
cada uno de los tiristores, dichos resultados se
condensan en la Tabla 3.1
Se propone la implementación de los tiristores
conectados en serie polarizados directamente
como muestra la Figura 3.2, con ayuda del
multímetro digital se realiza la toma de sus
tensiones de bloqueo, los resultados se
condensan en la Tabla 3.2.
Se realiza la implementación de la red de
compensación estática diseñada en el pre-
informe como muestra la Figura 3.3, la cual
consiste en disponer una resistencia en paralelo
con cada uno de los tiristores; con ayuda del
multímetro digital se realiza la toma de

5
 medidas, las cuales se condensan en la Tabla 3.3. Tiristores en serie polarizados en inversa con
3.3. red de compensación estática.
Se propone la implementación de los tiristores
conectados en serie polarizados directamente y
la red de compensación estática como muestra
la Figura 3.4, con ayuda del multímetro digital
se realiza la toma de sus tensiones de bloqueo,
los resultados se condensan en la Tabla 3.4.

Figura 3.3. Conexión de tiristores en serie con polarización inversa y

red de compensación estática

Tabla 3.3.
3.1. Tiristores en serie polarizados en inversa sin red Datos de tiristores en serie con polarización inversa y red de
compensación estática
de compensación.

3.4. Tiristores en serie polarizados en directa con

Figura 3.1. Conexión de tiristores en serie con polarización inversa
red de compensación estática.

Tabla 3.1.
Datos de tiristores en serie con polarización inversa

3.2. Tiristores en serie polarizados en directa sin red Figura 3.4. Conexión de tiristores en serie con polarización directa y red
de compensación. de compensación estática

Tabla 3.4.
Datos de tiristores en serie con polarización directa y red de
compensación estática.

Figura 3.2. Conexión de tiristores en serie con polarización directa

Tabla 3.2.
Datos de tiristores en serie con polarización directa
CONCLUSIONES
Las conclusiones a continuación son descritas en
relación con el punto del informe aquí presentado, es
decir la conclusión [1.1.1] por ejemplo, hace referencia
y abstracción a los resultados presentados en el punto

6
1.1.1. de este trabajo, y de igual manera para todas las
otras.
[1.1.1] Sin red de compensación, las
tensiones inversas en los diodos no son
iguales entre sí, pero si son muy cercanas a
cero, debido a la escasa corriente de fuga
que se presenta en los elementos, basados
en esto se explicaría lo pequeño de la
tensión en inversa del diodo central, el cual
es el más aislado respecto a los diodos de
los extremos.
Al medir la tensión en inversa del grupo,
esta es aproximadamente el valor de tensión
entregado por la fuente. Esto debido a que
el conjunto actúa como un circuito abierto.
Ver tabla 1.1.1.
[1.1.2] En esta configuración, al tener tres
resistencias, cada una en paralelo con un
diodo, se presenta una caída de tensión en
inversa casi idéntica para cada par de
elementos. La tensión en inversa del
conjunto para este caso es menor a la
tensión entregada por la fuente, ya que la
carga consume parte de esta tensión. Ver
Tabla 1.1.2.
[1.1.3] Con la red de compensación
dinámica la cual consiste en tres
capacitancias, cada una en paralelo con un
diodo, como se observa en la Figura 1.1.3,
las tensiones para cada par de elementos son
diferentes entre si como se visualiza en la
tabla 1.1.3, pero no difieren por muchas
unidades, lo cual muestra un éxito parcial
en el uso de la red de compensación, lo cual
pude deberse a la aproximación tomada
para el valor de capacitancia usada, ya que
la capacitancia teórica obtenida de los
respectivos cálculos del pre informe no está
disponible en el almacén de eléctrica.
[1.1.4] Al estar el conjunto de diodos en
polarización directa, se observa la caída de
tensión típica del elemento usado (0.7v
aproximadamente para cada uno), con lo
cual la tensión en la carga es la tensión en la
fuente, menos la tensión de conducción en
cada uno de los diodos. Ver tabla 1.1.4.
[1.2] Para el conjunto de diodos conectados
en paralelo, teóricamente las corrientes
deberían ser diferentes entre sí, dado el
proceso constructivo a gran escala de los
elementos. Sin embargo, en este caso las
corrientes que circulaban a través de cada
diodo eran muy similares, lo cual es un
resultado atípico. Ver Tabla 1.2.
[2.1.1] Sin red de compensación, para los
transistores conectados en serie, como es de
esperarse, dada la no linealidad
constructiva de los elementos, se observa
que las tensiones en inversa de cada
elemento no son similares ni aproximadas
entre si.
Al medir la tensión en inversa del grupo,
esta es aproximadamente el valor de tensión
entregado por la fuente. Esto debido a que
el conjunto actúa como un circuito abierto.
Ver Tabla 2.1.1.
[2.1.2] Al implementar la red de
compensación estática, la cual consta de
resistencias en serie con cada uno de los
transistores, se observa una disposición
aproximada de las tensiones en inversa en
cada elemento, lo cual muestra una
funcionamiento exitoso de la red de
compensación. La tensión en inversa del
conjunto para este caso es menor a la
tensión entregada por la fuente, ya que la
carga consume parte de esta tensión. Ver
Tabla 2.1.2.
[2.1.3] Con la red de compensación
dinámica la cual consiste en tres
capacitancias, cada una en paralelo con un
transistor, como se observa en la Figura
2.1.3, las tensiones para cada par de
elementos son diferentes entre sí como se
visualiza en la Tabla 2.1.3, con una
diferencia muy leve entre dos de los valores
y una diferencia sustancial de varias
unidades con la otra, lo cual muestra un
éxito parcial en la implementación de la red
de compensación, lo cual pude deberse a la
aproximación tomada para el valor de
capacitancia usada, ya que la capacitancia
teórica obtenida de los respectivos cálculos
7
del pre informe no está disponible en el
almacén de eléctrica.
[2.1.4] Para el conjunto de transistores
conectado en serie y con polarización
directa y estabilizados por la base en la
región de corte-saturación, se observa una
discrepancia notable entre las tensiones
colector-emisor de cada transistor, siendo
bastante alta para uno de ellos (10v) y muy
pequeña para los otros dos (0.51v y 0.62v),
lo cual dentro de la teoría es un resultado no
esperado, ya que al presentar una tensión
constante de 5v en la base, cada transistor
debería actuar como un interruptor cerrado,
permitiendo el flujo de corriente entre los
transistores, la carga y la fuente. Para
intentar explicar este hecho, es posible que
alguno de los transistores usados estuviese
defectuoso o dañado, esto es intuido a causa
de que no se presenta caída de tensión en la
carga, es decir, algunos de los transistores
no actuaba como un interruptor cerrado.
Es también de destacar, por recomendación
de la docente, realizar las mediciones con
los negativos de las fuentes de tensión
unidas (equipotencialización de las
¨tierras¨), con lo cual se obtuvo una caída de
tensión cercana a cero para dos de los
elementos y una tensión de 15v para el otro
como se observa en la Tabla 2.1.4.2.
[2.2] Con la disposición de los transistores
en paralelo polarizados por la base en la
región de corte-saturación, los transistores
actúan como un interruptor cerrado
permitiendo el flujo de corriente
suministrada por la fuente, obteniendo
corrientes a través de cada transistor
diferentes (ver Tabla 2.2), lo cual es el
resultado esperado, ya que la naturaleza de
construcción en masa de los elementos no
[1]
garantiza una exacta condición de
funcionamiento. Lo anterior, puede ser
solucionado implementando una red de
estabilización, como se diseñó en el pre
informe.
[3.1] Para el conjunto de tiristores en serie
con polarización en inversa, se observa que
sus tensiones de bloqueo son diferentes (ver
Tabla 3.1), lo cual es el resultado esperado
dada la naturaleza de construcción en masa
de los elementos no garantiza un idéntico
funcionamiento. Para corregir este problema
se debe implementar la red de
compensación.
[3.3] Al implementar la red de
compensación estática, la cual consta de
resistencias en serie con cada uno de los
tiristores, se observa que las tensiones en
inversa en cada elemento, lo cual muestra
una funcionamiento exitoso de la red de
compensación. La tensión en inversa del
conjunto para este caso es menor a la
tensión entregada por la fuente, ya que la
carga consume parte de esta tensión.
[3.4] Con la red de compensación dispuesta
des mismo modo en el procedimiento 3.3,
pero con la polarización en directa del
conjunto, se observan resultados bastante
idénticos a las tensiones de bloqueo del
procedimiento 3.3.
[-] El arreglo de dispositivos es un
procedimiento bastante útil en la electrónica
de potencia, especialmente frente a
frecuencias de conmutación muy altas y
requerimientos de bloqueo en inversa de
corriente y tensión de gran magnitud,
evitando el estrés y desgaste prematuro de
los dispositivos, además de aumentar la
confiabilidad del convertidor.
REFERENCIAS
Muhammad H Rashid , “Power Electronics,
Devices and Application”, 3rd edition ,2016
Pearson.