Tema 1: Características reales

circuitos digitales

Electrónica Digital
Curso 2015/2016
 Circuito integrado
 Un circuito integrado (chip o microchip):
– Es una pastilla pequeña de material semiconductor
(Silicio), de algunos milímetros cuadrados de área.
– Sobre ella se fabrican circuitos electrónicos
generalmente mediante fotolitografía y que está
protegida dentro de un encapsulado de plástico o
cerámica.
 Historia:
– http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado
– http://www.nobelprize.org/educational/physics/integr
ated_circuit/history/index.html
 Encapsulados
•Sirven para proteger el circuito (silicio)
–Influencias ambientales (humedad, polvo, …)
–Manejo y montaje
•Tienen terminales de conexión
•Disipan calor
 Tipos de encapsulados
De inserción: De montaje superficial
Atraviesan la placa Se depositan sobre la placa
•DIP: Los pines se extienden a •SOP: los pines están sobre los dos
ambos lados del encapsulado tramos más largos
•PGA: Los pines de conexión se •QFP: los pines se extienden sobre
sitúan en la parte inferior del los cuatro lados
encapsulado •QFJ: los pines se extienden sobre
los cuatro lados

DIP PGA SOP QFP QFJ

 Tipos de encapsulados (II)
•Para cada tipo de encapsulado los hay con diferente
número de patillas
•Todos tienen una numeración y una marca que indica
por donde empezar
 Circuitos integrados de baja escala (SSI)

• Contienen unas pocas puertas lógicas:

– Puertas AND, OR, NAND,…
– Multiplexores, decodificadores…
• Se agrupan en familias con características iguales
• Compatibles en tensión e intensidad
• Optimizadas para aplicaciones
 Datasheet
Hojas de características
• Contienen la información del dispositivo:
– Función que realizan
– Esquema de patillaje
– Rangos de operación
– Características temporales
– Características eléctricas
– Evolución con los agentes externos (temperatura,…)
– Dimensiones
 Ejemplo: 74LS00

Nombre

Función

Tabla
Diagrama de de
conexiones verdad
internas
 Datasheet: Página 2

Condiciones generales
De almacenamiento
y operación

Condiciones recomendadas

Características eléctricas
(indicación de cómo
se han medido)
 Datasheet: características temporales

Tiempos de propagación
medidos con diferentes
condiciones de carga
Datasheet: dimensiones
 Diseño de un transistor

Oxide
Isolation
G G
-VSS S D D S +VDD

n+ p+ p+ n+ n+ p+
p-well

Field oxide
Diseño de un circuito integrado
Evolución del tamaño
Niveles de abstracción de los diseños

SYSTEM

M O DULE

G ATE

C I R C U IT

D E V IC E
G
S D
n+ n+
El transistor MOS
Polysilicon
Aluminum
 Inversor CMOS N Well
VDD

VDD PMOS
2

Contacts
PMOS
In Out
In Out
Metal 1
Polysilicon
NMOS

NMOS
GND
 Proceso de fabricación de los
circuitos integrados
Polysilicon Seed crystal
6. Edge Rounding
Crucible
1. Crystal Growth

Heater

7. Lapping

2. Single Crystal Ingot

8. Wafer Etching

3. Crystal Trimming and

Diameter Grind
Polishing
Slurry head

9. Polishong
4. Flat Grinding Polishing table

5. Wafer Slicing 10. Wafer Inspection

Pasos principales en el proceso
de fabricación de IC CMOS
UV light

Mask
oxygen
exposed
Silicon dioxide photoresist photoresist
oxide
Silicon substrate
Oxidation Photoresist Mask-Wafer Exposed Photoresist
(Field oxide) Coating Alignment and Exposure Photoresist Develop

Dopant gas Ionized CCl4 gas

Ionized oxygen gas
Ionized CF4 gas Silane gas
photoresist oxygen
oxide oxide oxide
polysilicon
gate oxide

Oxide Photoresist Oxidation Polysilicon Polysilicon

Etch Strip (Gate oxide) Deposition Mask and Etch

Scanning
ion beam
Contact Metal
silicon nitride holes contacts

top nitride
G
ox S
D S
G
D S
G
D S G D
drain
S
G
D

Ion Active Nitride Contact Metal

Implantation Regions Deposition Etch Deposition and
Used with permission from Advanced Micro Devices Etch
From Robert Yung, Intel Corp., ESSCIRC, Firenze 2002 presentation
ENIAC - The first electronic computer (1946)
 Intel
Pentium IV