Transistor BJT en Corte y Saturacion

LABORATORIOS INSTITUCIONALES
Guía Práctica de Laboratorios

Corporación Universitaria Autónoma del Cauca Facultad de Ingeniería
Jefatura de Laboratorios Programa de Ingeniería Electrónica
F-GPL-V2
|
POLARIZACIÓN DE AMPLIFICADOR EN DIVISOR DE VOLTAJE.
AUTORES:
MARLON YILBEY PEREGUEZA MAYA
JESÚS ARMANDO GÓMEZ GARZÓN
DOCENTE:
ING.JOHN ROBERT MUÑOZ CHAVEZ
ING. FÍSICO MAGISTER SISTEMAS MECATRÓNICOS
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
CORPORACIÓN UNIVERSITARIA AUTÓNOMA DEL CAUCA
NOVIEMBRE, 2020
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F-GPL-V2
INTRODUCCIÓN
En este trabajo damos a conocer el funcionamiento del transistor en emisor común con una polarización en
divisor de voltaje, cálculos teóricos y prácticos para así obtener los valores de las resistencias se obtuvieron a
partir de las ecuaciones planteadas en la configuración de polarización por divisor de tensión
objetivos generales:
• Comprobar el funcionamiento del circuito de polarización del transistor BJT, así obteniendo las gráficas
de la curva
• Estudiar propiedades y curvas características de transistor BJT.
• Adquirir destrezas en el manejo de Transistores en corte y saturación.
Objetivos específicos:
• Identificar la estabilidad de un transistor
• Verificar el diseño y el funcionamiento de un transistor polarizado
• Polarizar el transistor según las instrucciones dadas
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F-GPL-V2
EQUIPOS Y MATERIALES
• Software para simulación
PROCEDIMIENTO
Antes de empezar la práctica, el estudiante debe el transistor que va a utilizar y leer la hoja de características para obtener
el valor de beta.
Realizar simulación en cada montaje, para verificar los cálculos.
Para cada montaje realice los cálculos teóricos, grafique la recta de carga, el punto Q, incluyendo la curva de IB.
Para cada montaje realice los cálculos teóricos, grafique la recta de carga, el punto Q, incluyendo la curva de IB.
-Transistor usado en proteus NPN
DATA SHEET USADO BETA=HFE
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F-GPL-V2
LINK DE DATASHEET:http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet2/1/026yudu3urfdud404g8c2g11rpcy.pdf
LIBRO: Dispositivos electrónicos octava edición para sacar β
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F-GPL-V2
1. de Amplificador en divisor de voltaje.
Montaje 1
A)
• Monte el circuito de la figura. Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de que el transistor
esté bien montado, es decir compruebe la asignación de los pines.
• Realice los cálculos teóricos y compare.
• Justifique los resultados obtenidos.
• Mida las corrientes y voltajes del circuito y anote en la tabla 1.
I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Operación Tabla

1
B)
• Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la tabla2 y mida el resto de los
parámetros que le piden en la misma.
R2 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Tabla

Operación 2
420Ω
1.6KΩ
• En un software grafique los puntos de trabajo que representan los valores prácticos de los 3 valores de
R2
• Saque conclusiones del comportamiento.
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F-GPL-V2
Presentar en el informe:
• Diagramas, curvas, Tablas.
• Fotografía de los montajes.
• Conclusiones de cada práctica.
• Video.
Solución
1. Mostraremos el circuito planteado en proteus
Se puede evidenciar en la imagen que se tiene una fuente VC y un transistor NPN DE 2N222 DE β=200 y muestra sus corrientes
ubicadas en cada malla y resistencia.
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F-GPL-V2
Aquí se puede apreciar las direcciones de la corriente sus voltajes y sus direcciones con su polaridad
A)
• Monte el circuito de la figura. Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de que el transistor
esté bien montado, es decir compruebe la asignación de los pines.
Tabla1 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Operación
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F-GPL-V2
SOLUCIÓN
• Monte el circuito de la figura. Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de

que el transistor esté bien montado, es decir compruebe la asignación de los pines.
Podemos a apreciar que el transistor es NPN por la dirección del diodo y también que NPN está compuesto por colector- base v+ y
un emisor en eso no damos cuenta que el transistor está bien montado.
-Mostraremos los tipos de transistores en sus conexiones para una mejor identificación
LINK: https://www.pinterest.es/pin/670754938228676201/ LINK: https://sites.google.com/site/electronicacompleta29/transistores-npn-y-pnp
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F-GPL-V2
• REALICE LOS CÁLCULOS TEÓRICOS Y COMPARE.

Datos:
R1=5.6KΩ
R2=820Ω
RE=180Ω
RC=820Ω
VC=12V
Usamos análisis aproximado
βRE ≥ 10R2
200(180 Ω) ≥10(820 Ω)
36KΩ ≥ 8.2KΩ
Comprobada
𝑅2𝑉𝐶𝐶 820Ω×12𝑉 9840

VB = 𝑅1+𝑅2 = 820Ω+5.6KΩ = 6420 = 1.53271V
VE = VB-VBE = IE*RE
=1.53271V - 0.7V
=0.83271 V
𝑉𝐸 0.83271𝑣
IcQ ≅ IE = = = 4.626 × 10 − 3𝑚𝐴
𝑅𝐸 180Ω
VcEQ = Vcc – Ic (RE+RE)

=12V- 4.626mA(820 Ω +180 Ω)
= 12V – 4.626mA (1000 Ω)
= 7.374V
VBE= VB-VE
=1.53271V-0.83271V
= 0.7V
VC=Vcc - IcRC = VE + VCE

=12V – 4.626mA× 820Ω
=8.206V
VE-VCE
=0.83271V + 7.374
=8.2067V
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F-GPL-V2
𝑅1×𝑅2 5.6𝑘Ω+820Ω
RB = 𝑅1+𝑅2 = 5.6𝑘Ω+820Ω = 0.715264𝐾Ω
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐵𝐸 1.53271𝑉−0.7𝑉
IB = = 0.715264𝐾Ω+(200+1)180 = 22µA
𝑅𝐵+(𝛽+1)𝑅𝐸
𝑉𝐵 1.53271𝑉
I2 = = = 1.869 × 10 − 3𝑚𝐴
𝑅2 820Ω
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵 12𝑉−1.53271
I1 = = = 1.8691 × 10 − 3𝑚𝐴
𝑅1 5.6𝐾Ω
IE = IB + IC
=22 µA + 4.626mA
=4.64mA
VBC = VB - VC
= 1.53271 – 8.2067
-6.67V
𝐼𝐶 4.6𝑚𝐴
βcD= 𝐼𝐵 = = 209
22µ𝐴
El Beta es de 200 ya que por las fracciones faltantes de corriente c y corriente b se sube no con mucha diferencia la beta a
continuación mostraremos los valores prácticos que son muy similares a los teóricos
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F-GPL-V2
PRACTICOS
1-MONTAJE COMPLETO
VALORES
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F-GPL-V2
VBE Y VCE
VBC – VE Y VC
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F-GPL-V2
VB- I1-I2-IB-IC Y IE
βcD= = = 210𝛽 Este fue la beta que me dio en proteus. No muy diferente al teórico.
𝐼𝐵 21.6µ𝐴
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F-GPL-V2

Justifico los valores teóricos obtenidos por que utilice el análisis aproximado utilizado en la clase con sus debidas
fórmulas que las podemos encontrar en el libro Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos y que
también se pudo decir que el transistor testa compuesto por colector-base-emisor que eso es un NPN por lo que
se está tomando bien el transistor se pudo comprobar que el βRE ≥ 10R2 se comprobó que su sucedió eso para
la realización de las fórmulas y que también se analizó el circuito en sus diferentes fases como se muestra a
continuación
Como lo muestra esta imagen y realizamos el procedimiento de las siguientes formulas empleadas por
lo que nuestro maestro de clase nos explicó muy claramente y detallada como se realizaban las operaciones
en un amplificador divisor de voltaje y gracias a esa muy buena explicación se muestra que los valores
teóricos y prácticos son casi un 100% iguales con eso justifico que mis resultados se realizó el
procedimiento aclarado se comprobó que los valores eran los correctos.
I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región

de
Operació
n
Teórico 1.8691 1.869m 22 µA 4.6mA 4.64mA 0.7V 7.37V -6.67V 0.8327V 8.206V 1.5327 ACTIVA
mA A V
Práctic 1.85mA 1.86mA 21.6 4.55mA 4.57mA 0.69V 7.45V -6.75V 0.82V 8.27V 1.52V ACTIVA
o µA
𝑉𝐶 12𝑉
Ic(sat)=𝑅𝐶+𝑅𝐸 = 820Ω+180Ω =12mA para la gráfica se utiliza este valor.
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F-GPL-V2
Gráficos
IB
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F-GPL-V2
B)
• Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la tabla2 y mida el resto
de los parámetros que le piden en la misma.
R2 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Tabla

Operación 2
420Ω
1.6KΩ
• En un software grafique los puntos de trabajo que representan los valores prácticos de los 3
valores de R2
• Saque conclusiones del comportamiento
SOLUCIÓN
• CAMBIE LA RESISTENCIA R2 DEL CIRCUITO POR LOS VALORES QUE SE DETALLAN

EN LA TABLA2 Y MIDA EL RESTO DE LOS PARÁMETROS QUE LE PIDEN EN LA
MISMA.
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F-GPL-V2
420Ω
• 1.6KΩ
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F-GPL-V2
• REALICE LOS CÁLCULOS TEÓRICOS Y COMPARE

1) 420Ω=R2
Datos:
R1=5.6KΩ
R2=420Ω
RE=180Ω
RC=820Ω
VC=12V
βRE ≥ 10R2
200(180 Ω) ≥10(420 Ω)
36KΩ ≥ 4.2KΩ
Comprobada
𝑅2𝑉𝐶𝐶 420Ω×12𝑉 5040

VB = = = = 0.8372V
𝑅1+𝑅2 420Ω+5.6KΩ 6020
VE = VB-VBE = IE*RE
=0.8372V- 0.7V
=0.14V
𝑉𝐸 0.14𝑣
IcQ ≅ IE = = = 0.8𝑚𝐴
𝑅𝐸 180Ω
IC = β(DC)IB
200× 3.82 µA
= 0.77 mA
VcEQ = Vcc – Ic (RC+RE)

=12V- 0.77mA (820 Ω +180 Ω)
= 12V – 0.77mA (1000 Ω)
= 11.23V
VBE= VB-VE
=0.8372V-0.14V
= 0.7V
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F-GPL-V2

=12V – 0.8mA× 820Ω
=11.3V
VE-VCE
=0.14 V + 11.23
=11.3V
𝑅1×𝑅2 5.6𝑘Ω+420Ω
RB = 𝑅1+𝑅2 = 5.6𝑘Ω+420Ω = 0.39069𝐾Ω
𝑉𝐵−𝑉𝐵𝐸 0.8372𝑉−0.7𝑉
IB = 𝑅𝐵+(𝛽+1)𝑅𝐸 = 0.39069𝐾Ω+(200+1)180 = 3.82µA
𝑉𝐵 0.8372𝑉
I2 = = = 1.999 × 10 − 3𝑚𝐴
𝑅2 420Ω
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵 12𝑉−0.8372𝑣
I1 = = = 1.99 × 10 − 3𝑚𝐴
𝑅1 5.6𝐾Ω
IE = IB + IC
=3.82 µA + 0.8mA
= 0.80mA
VBC = VB - VC
=0.84v – 11.3v
-10.46V
βcD= 𝐼𝐵 = 3.82µ𝐴= 209
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F-GPL-V2
PRÁCTICOS
1-MONTAJE COMPLETO R=420
se puede apreciar que se cambio la resistencia y que el Vb disminuyo notoriamente al cambio de resistencia y
que apenas alcanza a polarizar el diodo
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F-GPL-V2
2) R2=1.6KΩ
Datos:
R1=5.6KΩ
R2=1.6KΩ
RE=180Ω
RC=820Ω
VC=12V
βRE ≥ 10R2
200(180 Ω) ≥10(1.6KΩ)
36KΩ ≥ 16KΩ
Comprobada
𝑅2𝑉𝐶𝐶 1.6𝐾Ω×12𝑉 19200
VB = 𝑅1+𝑅2 = 1.6𝐾Ω+5.6KΩ = = 2.666 V
7200
VE = VB-VBE = IE*RE
=2.66V- 0.7V
=1.966V
𝑉𝐸 1.966𝑣
IcQ ≅ IE = 𝑅𝐸 = = 10.92𝑚𝐴
180Ω
IC = β(DC)IB
200× 52.5µA
= 10.6 mA
VcEQ = Vcc – Ic (RC+RE)

=12V- 10.92 mA (820 Ω +180 Ω)
= 12V – 10.9 mA (1000 Ω)
= 1.1V
VBE= VB-VE
=2.666V-1.966V
= 0.7V
21
F-GPL-V2

=12V – 10.9mA× 820Ω
=3.10V
VE-VCE
=1.966 V + 1.1V
=3.08V
𝑅1×𝑅2 5.6𝑘Ω+1.6𝐾Ω
RB = 𝑅1+𝑅2 = 5.6𝑘Ω+1.6𝐾Ω = 1.25𝐾Ω
𝑉𝐵−𝑉𝐵𝐸 2.666𝑉−0.7𝑉
IB = 𝑅𝐵+(𝛽+1)𝑅𝐸 = 1.25𝐾Ω+(200+1)180 = 52.5µA
𝑉𝐵 2.66𝑉
I2 = 𝑅2 = 1.6𝐾Ω = 1.66 − 3𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵 12𝑉−2.66𝑣
I1 = = = 1.667 × 10 − 3𝑚𝐴
𝑅1 5.6𝐾Ω
IE = IB + IC
=52.5 µA + 10.92mA
= 10.92mA
VBC = VB - VC
=2.6v – 3.11v
-0.51V
βcD= = = 208
𝐼𝐵 52.5µ𝐴
se puede constar que la beta no fue muy diferente al beta de la resistencia 820Ω y que su
diodo apenas alcanza a polarizarse
22
F-GPL-V2
PRACTICOS
2)Montaje completo
• JUSTIFIQUE LOS RESULTADOS OBTENIDOS

Los resultados obtenidos fueron exactos y concluyentes a los valores teoricos se hizo un proceso
estructurado y guiado por los ejemplos y trabajos realizados en clase se pudo evidenciar y se aclara
que los resultados son los indicados ya que se realizo uno de los diferentes parametros del transistor
en divisor de voltaje y que se evidencia que en los dos casos vistos el diodo se polariza por que recibe
el voltaje para ser polarizado en el primer caso de R2=420Ω el diodo ni con mucho alcanza a
polarizarse y en el segundo caso de 1.6kΩ el diodo muy tranquilamente se polariza ya que le llega un
voltaje superior al de diodo.
23
F-GPL-V2
• MIDA LAS CORRIENTES Y VOLTAJES DEL CIRCUITO Y ANOTE EN LA

TABLA 1.
R2 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC
Teórico 420Ω 1.99mA 1.99mA 4.46µA 1.0mA 1.02mA 0.65V 11V -10.3V 0.18V 11.2V
Practico 420Ω 1.99mA 1.99mA 3.82µA 0.77mA 0.8mA 0.7V 11.2V -10.4V 0.14V 11.3V
Teórico 1.6KΩ 1.66mA 1.66mA 52.5µA 10.6mA 10.9mA 0.7V 1.1V -0.51V 1.96V 3.10V
Practico 1.6KΩ 1.68mA 1.62mA 56 µA 10.4mA 10.4mA 0.72V 1.64V -0.91v 1.87V 3.51V
VB Region de operacion
0.8372v Activa directa
0.84V Activa
2.60V Activa directa
2.66V Activa
24
F-GPL-V2
Una pequeña imagen manual de la grafica de la recta de 420Ω de R2

• En un software grafique los puntos de trabajo que representan los valores prácticos de los 3
valores de R2
• SAQUE CONCLUSIONES DEL COMPORTAMIENTO

• Se pudo apreciar que los valores teóricos tanto como prácticos fueron demasiado similares
• Se pudo mostrar que al cambio de resistencia el voltaje Vb que es el voltaje base que entra al transistor
es menor cuando la resistencia es menor y cuando se coloca una resistencia como el ejemplo de 1.6KΩ
el voltaje vb es mayor y en el caso de 420Ω se puedo ver que el voltaje fue muy diminuto que tanto así
que apenas alcanzo a polarizar el diodo si la resistencia hubiera sido el caso de 220Ω el diodo en el
transistor no estaría polarizado y que su punto intermedio fu el de 820Ω ya que no era un voltaje muy
alto ni muy bajo
• Se determino que el voltaje que entra es menor al voltaje que sale ya que se muestra que el transistor es
un amplificador
• En este caso de polarizador en divisor de voltaje en este tipo de polarización la estabilidad en el punto Q
es mucho demasiado mejor lo que se quiere decir es que a medida que el transistor este en trabajo los
valores de ICQ Y VCEQ estarán casi inalterables.
25
F-GPL-V2
BIBLIOGRAFÍA
[1] Principios de Electrónica, Malvino, 7ta ed.

[2] Dispositivos Electrónicos, T. Floyd, 3ra ed.
[3] Boylestad and Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 10th Ed
[4] https://es.khanacademy.org/science/electrical-engineering/ee-circuit-analysis-topic/ee-resistor-
circuits/a/ee-voltage-divider
P.D= No se necesitó muchas bibliografías ya que el tema fue muy claro en la explicación realizada
por el profesor ya que hizo una buena explicación de cómo funcionaba un amplificador de divisor de
voltaje y en como tomar las fórmulas adecuadas ya gracias a su buena explicación se pudo realizar
este informe espero y cumpla los requisitos pedidos.
CONTROL DE EMISIÓN
Elaboró Revisó Autorizó
Firma: Firma Firma

MARLON YILBEY PEREGUEZA
MAYA
JESÚS ARMANDO GOMEZ
GARZON
Fecha: 20/12/2020 Fecha: Fecha:
GRACIAS….
26

Transistor BJT en Corte y Saturacion

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• Estudiar propiedades y curvas características de transistor BJT.

• Adquirir destrezas en el manejo de Transistores en corte y saturación.

• Identificar la estabilidad de un transistor

• Verificar el diseño y el funcionamiento de un transistor polarizado

• Polarizar el transistor según las instrucciones dadas

• Software para simulación

-Transistor usado en proteus NPN

DATA SHEET USADO BETA=HFE

LIBRO: Dispositivos electrónicos octava edición para sacar β

1. de Amplificador en divisor de voltaje.

I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Operación Tabla

R2 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Tabla

Tabla1 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Operación

• Monte el circuito de la figura. Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de

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• REALICE LOS CÁLCULOS TEÓRICOS Y COMPARE.

𝑅2𝑉𝐶𝐶 820Ω×12𝑉 9840

VcEQ = Vcc – Ic (RE+RE)

VC=Vcc - IcRC = VE + VCE

• Justifique los resultados obtenidos.

• Mida las corrientes y voltajes del circuito y anote en la tabla 1.

I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región

R2 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC VB Región de Tabla

• CAMBIE LA RESISTENCIA R2 DEL CIRCUITO POR LOS VALORES QUE SE DETALLAN

• REALICE LOS CÁLCULOS TEÓRICOS Y COMPARE

Usamos análisis aproximado

𝑅2𝑉𝐶𝐶 420Ω×12𝑉 5040

VcEQ = Vcc – Ic (RC+RE)

VC=Vcc - IcRC = VE + VCE

1-MONTAJE COMPLETO R=420

Usamos análisis aproximado

VcEQ = Vcc – Ic (RC+RE)

VC=Vcc - IcRC = VE + VCE

• JUSTIFIQUE LOS RESULTADOS OBTENIDOS

• MIDA LAS CORRIENTES Y VOLTAJES DEL CIRCUITO Y ANOTE EN LA

R2 I1 I2 IB Ic IE VBE VCE VBC VE VC

Una pequeña imagen manual de la grafica de la recta de 420Ω de R2

• SAQUE CONCLUSIONES DEL COMPORTAMIENTO

[1] Principios de Electrónica, Malvino, 7ta ed.

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