TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE VERACRUZ

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

INVESTIGACIÓN DE LOS PUNTOS 1.1 Y 1.2 DEL PROGRAMA

DE ESTUDIOS

FUENTES ZAMUDIO PAHOLA

ING. ELÉCTRICA
 INTRODUCCIÓN A LOS DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica

de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de
acuerdo con su grado de controlabilidad:

LO MÁS IMPORTANTE A CONSIDERAR DE ESTOS DISPOSITIVOS ES

LA CURVA CARACTERÍSTICA QUE NOS RELACIONA LA INTENSIDAD
QUE LOS ATRAVIESA CON LA CAÍDA DE TENSIÓN ENTRE LOS
ELECTRODOS PRINCIPALES.

Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los

Diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o
abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos
dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo.

Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran,

dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled
Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste
caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una
señal de control externa que se aplica en uno de los terminales
del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su
bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de
potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en
conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.

Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos

los transistores bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los
transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores bipolares
de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los
tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar:

los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros
derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral
o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable
o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los

fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por
puerta (GTO).
Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva
característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con
la caída de tensión entre los electrodos principales.

COMPONENTE BÁSICO DEL CIRCUITO DE POTENCIA

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los

siguientes requisitos :

 Tener dos estados claramente definidos, uno de alta

impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción).
 Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y
pequeña potencia.
 Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas
tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas
caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado
de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar
grandes potencias.
 Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de

funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto,
la potencia disipada depende de la frecuencia.

Ahora veremos los tres bloques básicos de semiconductores de

potencia y sus aplicaciones fundamentales:
 Semiconductores de alta potencia

Dispositivo Intensidad máxima

Rectificadores estándar o rápidos 50 a 4800 Amperios
Transistores de potencia 5 a 400 Amperios
Tiristores estándar o rápidos 40 a 2300 Amperios
GTO 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones :

 Tracción eléctrica: troceadores y convertidores.

 Industria:
o Control de motores asíncronos.
o Inversores.
o Caldeo inductivo.
o Rectificadores.
o Etc.

Módulos de potencia

Dispositivo Intensidad máxima

Módulos de transistores 5 a 600 A. 1600 V.
SCR / módulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V.
Módulos GTO 100 a 200 A. 1200 V.
IGBT 50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones :

 Soldadura al arco.
 Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).
 Control de motores.
 Tracción eléctrica.
 Semiconductores de baja potencia

Dispositivo Intensidad máxima

SCR 0'8 a 40 A. 1200 V.
Triac 0'8 a 40 A. 800 V
Mosfet 2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones :

 Control de motores.
 aplicaciones domésticas.
 Cargadores de baterías.
 Control de iluminación.
 Control numérico.
 Ordenadores, etc.

Aplicaciones generales: evolución práctica

 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Transistor de Inducción Estática (SIT)

El SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia, un SIT es

idéntico a un JFET excepto por la construcción vertical y de
compuerta enterrada tienen bajo ruido baja compuerta enterrada,
tienen bajo ruido, baja distorsión y capacidad de lata potencia en
audiofrecuencia.

Principios de funcionamiento

El SIT es un dispositivo normalmente activado y desactivado por un

voltaje negativo en la compuerta, puede llegar a manejar voltajes
del orden de 1200v y corrientes de hasta 300A. Entre sus
principales características están:

 Es idéntico a un JFET
 Baja resistencia en serie de compuerta
 Baja capacitancia compuerta fuente
 Resistencia térmica pequeña
 Bajo ruido
 Baja distorsión
 Alta capacidad de potencia en audio frecuencia
 Tiempos de activación y desactivación muy pequeños
(típicamente de 0.25 microsegundos)
Ventajas

La especificación de corriente puede llegar hasta los La

especificación de corriente puede llegar hasta los 300A. a los
1200 V. (tiempos de conmutación 0.25 µs )
La velocidad de conmutación es de hasta 100 KHz La
velocidad de conmutación es de hasta 100 KHz.
Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta
frecuencia.

Desventajas

La caída de voltaje en estado activo es alta, (típicamente de

90v para un dispositivo de 180 A y de 18V para uno de 18 A)
Por esa caída se limita su de 18V para uno de 18 A). Por esa
caída se limita su aplicación en conversiones de potencia en
general.

Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT).

Los IGBT´s (Isolated Gate Bipolar Transistor) combinan las

ventajas de los BJT combinan las ventajas de los BJT´s y de los
Mosfet´s. Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada, igual que
un Mosfet y bajas pérdidas de conducción en estado on, como los
BJT. Circuito Equivalente PNP C Rmod G C G RB E NPN E Curvas
características. El IGBT es más rápido que el BJT pero su velocidad
de conmutación es menor que la de los mosfet´s.
 Ventajas

Bajo voltaje en estado encendido.

Son más estables.
Otra ventaja deriva de su velocidad de transformación: son
tan rápidos, que la frecuencia de los impulsos que generan
supera con facilidad el margen de la audición humana. Por
eso se utilizan para conseguir compresores silenciosos de
acondicionadores o refrigeradores

Desventajas

Menor capacidad de voltaje en estado apagado.

Limitan la utilización en algunas aplicaciones.

Aplicaciones

Fuentes de Energía Eléctrica.

Protección de los circuitos.
Los IGBT son utilizados para activar y desactivar los píxeles
(elementos de imagen) en las pantallas de las computadoras.
El control de los motores eléctricos es muy importante ya que
las fábricas dependen de máquinas, equipos o robots
accionados por motores. También los trenes y tranvías
eléctricos necesitan estos controles (los trenes de alta
velocidad llevan hoy control por IGBT)
Para variar la velocidad y la potencia de la mayoría de los
motores de corriente alterna (220v) modernos, se altera la
frecuencia y la amplitud de la onda senoidal aplicadas al
motor. Esta onda puede crearse de la onda senoidal aplicadas
al motor. Esta onda puede crearse mediante grupos de IGBT
que emiten impulsos de duración y amplitud controladas con
precisión.
También contienen IGBT las reactancias de las lámparas
fluorescentes y de arco con el fin de regular la potencia que
generan estos tubos y de arco con el fin de regular la potencia
que generan estos tubos cuando descargan a través de la
resistencia eléctrica del gas y emiten radiación
electromagnética.
 Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de dispositivos
semiconductores de potencia.

Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado

no conductor a un estado conductor estado conductor.

Tiristor de Control de Fase

Para que esta corriente fluya es necesario aplicarle una corriente a

la terminal de control del SCR (gate) cuando el SCR corriente a la
terminal de control del SCR (gate) cuando el SCR esta polarizado
directamente. De manera similar que un diodo, el SCR también
bloquea la corriente en polarización inversa.

PARÁMETROS DEL SCR

Ton .- Tiempo de conducción (Turn-on time). Es el tiempo de

duración mínima de la tensión de disparo para pasar El SCR de
bloqueo a conducción, donde Ton = td + tr

Con:

Td es tiempo de retraso (proporcionado por fabricante)

Tr es tiempo de subida (proporcionado por fabricante)

Toff Tiempo Toff Tiempo de corte (Turn off time). de corte (Turn off
time).- Es cuando el SCR permanece por Es cuando el SCR
permanece por debajo de las condiciones de mantenimiento, donde
Toff = Tq donde:
Tq es tiempo de recuperación al apagado (proporcionado por
fabricante)

It (rms).- Máxima corriente de conducción. Es la máxima corriente

eficaz que puede circular por el SCR durante el estado de
conducción

dv / dt.- Velocidad de incremento de voltaje al apagado. Son

variaciones de voltaje entre ánodo y cátodo que pueden originar un
disparo indeseado.

VRDM.- Máxima tensión inversa de cebado (VG = 0)

VFOM.-Máxima tensión directa sin cebado (VG Máxima tensión

directa sin cebado (VG = 0)

IF.- Máxima corriente directa permitida.

PG.- Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.

VGT-IGT.- Máxima tensión o corriente requerida en la Máxima

tensión o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado

IH.- Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el

tiristor

di/dt.- Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el

tiristor.

Ventajas

Interruptor casi ideal.

Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fácil controlabilidad.
Relativa rapidez.
Características en función de situaciones pasadas (memoria).
 Desventajas

La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos

valores.
El límite es atribuible a la duración del proceso de apertura y
cierre del El límite es atribuible a la duración del proceso de
apertura y cierre del dispositivo.
La frecuencia rara vez supera los 10 Khz. Circuito de
aplicación RL IA Vs IA t Vs + - VAK IG VAK t Apagado del
SCR
Si durante el intervalo tq se aplica un voltaje directo al tiristor,
el dispositivo se podría encender prematuramente y dañar al
dispositivo y /o al circuito. Durante este intervalo se debe
mantener un voltaje a través del tiristor.

Aplicaciones

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Ciclo conversores.
 Cargadores de baterías
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.
 Controles de fase.