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IE‐512 

ANÁLISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA 
 

Transformadores trifásicos de tres devanados: 
De las pruebas de cortocircuito (en p.u. sobre una misma base): 
 
Z ps = Z p + Z s
Z pt = Z p + Z t  
Z st = Z s + Z t
 
Y resolviendo el sistema de ecuaciones  
(en p.u. sobre una misma base): 
Zp =
1
2
( Z ps + Z pt − Z st )
Z s = ( Z ps + Z st − Z pt )  
1
2
Z t = ( Z pt + Z st − Z ps )
1
2
 
 

Parámetro Resistencia: 
L
Rcd = ρ .             ρ = Resistividad del conductor a una temperatura t. 
A
                                 L= Longitud del conductor,      A=Área de sección transversal del conductor. 
 
Pperd
                        Rca − t 2 = Rca − t1.
( T + t2 )  
Rca =
I2 (T + t1 )
 

Parámetro Inductancia (L): 
Inductancia total de un circuito monofásico (inductancia de malla): 
⎛ D⎞ ⎛ D ⎞
Lx = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟ ,  donde  rx′ = e 4 .rx ,        L y = 2 × 10−7.ln ⎜
− 1 − 1
⎟  ,  donde   ry′ = e 4 .ry  
⎜r ′⎟ ⎜ ry ′ ⎟
⎝ x ⎠ ⎝ ⎠
            
⎛D ⎞
Si  rx′ = ry′ = r ′                                      L = Lx + L y                                     L = 4 × 10−7.ln ⎜⎜ ⎟⎟    H/m 
⎝ r′ ⎠
 
 
mn
( Daá Dab ' Dac ' ...Dam )( Dbá Dbb ' Dbc ' ...Dbm ) ... ( Dná Dnb ' Dnc ' ...Dnm )
LX = 2 ×10−7 × ln  
n
( Daa Dab Dac ...Dan )( Dba Dbb Dbc ...Dbn ) ... ( Dna Dnb Dnc ...Dnn )
2

 
 
 


 
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IE‐512 ANÁLISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA 
 

Inductancia en conductores compuestos: 
⎛D ⎞
Lx = 2 × 10−7.ln ⎜ m ⎟                  Dm = Distancia Media Geométrica (DMG) 
⎜D′⎟
⎝ s ⎠
                                                            Ds’ =Radio Medio Geométrico (RMG) 
 
 
Inductancia de líneas trifásicas con espaciamiento equilátero “D” entre fases: 
 
⎛ D ⎞
La = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟     H/m          por fase                D = Dm= Distancia Media Geométrica (DMG) 
⎜D ′⎟
⎝ s ⎠
                                                                                               Ds’ =Radio Medio Geométrico (RMG)               
Inductancia de líneas trifásicas con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases: 
 
⎛ Deq ⎞
La = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟     H/m   por fase                      Deq = 3 D12 .D23 .D31 = Dm 
⎜D′ ⎟
⎝ s ⎠
                                                                                               Ds’ =Radio Medio Geométrico (RMG)               
 
 
 
Inductancia de líneas trifásicas con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases y 
conductores agrupados (bundled): 
 
⎛ Deq ⎞
La = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟     H/m   por fase                                  Deq = 3 D12 .D23 .D31  
⎜D b⎟
⎝ s ⎠
 

( )
2
Ds b = 4 Ds′ × d = Ds′ × d  para dos conductores agrupados en una fase y separados por una 

distancia “d”. 
 
Dsb = ( Ds × d × d ) = 3 Ds × d 2  para tres conductores agrupados en una fase y separados por 
9 3

una distancia “d”. 
 

( )
4
Dsb = 16 Ds × d × d × 2 × d = 1.09 4 Ds × d 3  para cuatro conductores agrupados en una fase 
y separados por una distancia “d”. 
 
 
 

 
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Parámetro Capacitancia (C): 
Capacitancia de una línea de dos conductores: 
 
Cab 2πε
Can = Cbn = Cn = =
( )
,   F/m   por fase  
2 ln D
r
donde “r” es el radio exterior del conductor 
 
 
Capacitancia de una línea trifásica con espaciamiento simétrico “D” entre fases: 
 
2πε
Cn =
( r)
 ,  F/m   por fase              D =  Distancia entre conductores 
ln D
                                                                       r =Radio exterior del conductor 
 
Capacitancia de una línea trifásica con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases: 
 
2πε
Cn =  ,  F/m   por fase        Deq = 3 D12 .D23 .D31    [Distancia Media Geométrica (DMG)] 
⎛ Deq ⎞
ln ⎜
⎝ r ⎟⎠
                                                                       r =Radio exterior del conductor 
 
 
Capacitancia de líneas trifásicas con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases y 
conductores agrupados (bundled): 
 
2πε
Cn =     F/m   por fase                                  Deq = 3 D12 .D23 .D31  
⎛ D ⎞
ln ⎜ eq b ⎟
⎝ DsC ⎠

 
= (r × d ) = rd  para dos conductores agrupados en una fase y separados por una 
b 2
4
DsC
distancia “d”. 
 
= (r × d × d ) = 3 rd 2  para tres conductores agrupados en una fase y separados por una 
b 9 3
DsC
distancia “d”. 
 

( )
4
b
DsC = 16 r × d × d × d × 2 = 1.09 4 rd 3  para cuatro conductores agrupados en una fase y 
separados por una distancia “d”. 
 
 
 

 
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