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Formulas Parametros de Linea
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ANÁLISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA
Transformadores trifásicos de tres devanados:
De las pruebas de cortocircuito (en p.u. sobre una misma base):
Z ps = Z p + Z s
Z pt = Z p + Z t
Z st = Z s + Z t
Y resolviendo el sistema de ecuaciones
(en p.u. sobre una misma base):
Zp =
1
2
( Z ps + Z pt − Z st )
Z s = ( Z ps + Z st − Z pt )
1
2
Z t = ( Z pt + Z st − Z ps )
1
2
Parámetro Resistencia:
L
Rcd = ρ . ρ = Resistividad del conductor a una temperatura t.
A
L= Longitud del conductor, A=Área de sección transversal del conductor.
Pperd
Rca − t 2 = Rca − t1.
( T + t2 )
Rca =
I2 (T + t1 )
Parámetro Inductancia (L):
Inductancia total de un circuito monofásico (inductancia de malla):
⎛ D⎞ ⎛ D ⎞
Lx = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟ , donde rx′ = e 4 .rx , L y = 2 × 10−7.ln ⎜
− 1 − 1
⎟ , donde ry′ = e 4 .ry
⎜r ′⎟ ⎜ ry ′ ⎟
⎝ x ⎠ ⎝ ⎠
⎛D ⎞
Si rx′ = ry′ = r ′ L = Lx + L y L = 4 × 10−7.ln ⎜⎜ ⎟⎟ H/m
⎝ r′ ⎠
mn
( Daá Dab ' Dac ' ...Dam )( Dbá Dbb ' Dbc ' ...Dbm ) ... ( Dná Dnb ' Dnc ' ...Dnm )
LX = 2 ×10−7 × ln
n
( Daa Dab Dac ...Dan )( Dba Dbb Dbc ...Dbn ) ... ( Dna Dnb Dnc ...Dnn )
2
1
IE‐512 ANÁLISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA
Inductancia en conductores compuestos:
⎛D ⎞
Lx = 2 × 10−7.ln ⎜ m ⎟ Dm = Distancia Media Geométrica (DMG)
⎜D′⎟
⎝ s ⎠
Ds’ =Radio Medio Geométrico (RMG)
Inductancia de líneas trifásicas con espaciamiento equilátero “D” entre fases:
⎛ D ⎞
La = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟ H/m por fase D = Dm= Distancia Media Geométrica (DMG)
⎜D ′⎟
⎝ s ⎠
Ds’ =Radio Medio Geométrico (RMG)
Inductancia de líneas trifásicas con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases:
⎛ Deq ⎞
La = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟ H/m por fase Deq = 3 D12 .D23 .D31 = Dm
⎜D′ ⎟
⎝ s ⎠
Ds’ =Radio Medio Geométrico (RMG)
Inductancia de líneas trifásicas con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases y
conductores agrupados (bundled):
⎛ Deq ⎞
La = 2 × 10−7.ln ⎜ ⎟ H/m por fase Deq = 3 D12 .D23 .D31
⎜D b⎟
⎝ s ⎠
( )
2
Ds b = 4 Ds′ × d = Ds′ × d para dos conductores agrupados en una fase y separados por una
distancia “d”.
Dsb = ( Ds × d × d ) = 3 Ds × d 2 para tres conductores agrupados en una fase y separados por
9 3
una distancia “d”.
( )
4
Dsb = 16 Ds × d × d × 2 × d = 1.09 4 Ds × d 3 para cuatro conductores agrupados en una fase
y separados por una distancia “d”.
2
IE‐512 ANÁLISIS DE SISTEMAS DE POTENCIA
Parámetro Capacitancia (C):
Capacitancia de una línea de dos conductores:
Cab 2πε
Can = Cbn = Cn = =
( )
, F/m por fase
2 ln D
r
donde “r” es el radio exterior del conductor
Capacitancia de una línea trifásica con espaciamiento simétrico “D” entre fases:
2πε
Cn =
( r)
, F/m por fase D = Distancia entre conductores
ln D
r =Radio exterior del conductor
Capacitancia de una línea trifásica con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases:
2πε
Cn = , F/m por fase Deq = 3 D12 .D23 .D31 [Distancia Media Geométrica (DMG)]
⎛ Deq ⎞
ln ⎜
⎝ r ⎟⎠
r =Radio exterior del conductor
Capacitancia de líneas trifásicas con espaciamiento asimétrico (D12, D22, D31) entre fases y
conductores agrupados (bundled):
2πε
Cn = F/m por fase Deq = 3 D12 .D23 .D31
⎛ D ⎞
ln ⎜ eq b ⎟
⎝ DsC ⎠
= (r × d ) = rd para dos conductores agrupados en una fase y separados por una
b 2
4
DsC
distancia “d”.
= (r × d × d ) = 3 rd 2 para tres conductores agrupados en una fase y separados por una
b 9 3
DsC
distancia “d”.
( )
4
b
DsC = 16 r × d × d × d × 2 = 1.09 4 rd 3 para cuatro conductores agrupados en una fase y
separados por una distancia “d”.
3