Polarización del transistor BJT
Aragón​ ​Sofia ​& ​Ga​rcía Daniela ​ ​ ​
Laboratorio de Electrónica ​grupo​ ​No.​ ​2 ​ ​
Universidad​ ​Militar​ ​Nueva​ ​Granada​
​
u5600311@unimilitar.edu.co​
u5600289@unimilitar.edu.co ​ ​
15 ​de​ ​Febrero ​2021
Resumen​- ​En este laboratorio se realizó la
práctica de polarización de transistores
usando un modelo 2N3904 para determinar
el valor de Beta para el transistor teniendo
en cuenta diferentes ecuaciones con las
cuales se hallarán los valores teóricos, así
mismo, se determinará una polarización fija
para los arreglos transistorizados, emisor
común, realimentado por colector y
universal, por último se realizará una
observación de los cambios en el
comportamiento del transistor por
variaciones de temperatura.
Palabras clave: ​Circuito,
transistores, emisor,
realimentación, polarización, colector.
Abstract- In this laboratory the practice
of transistor polarization will be
performed using a 2N3904 model to
determine the value of Beta for the
transistor taking into account different
equations with which the theoretical
values will be found, likewise a fixed
polarization will be determined for the
transistor arrangements, common
emitter, collector feedback and
universal, finally an observation of the
changes in the behavior of the transistor
by temperature variations will be
performed.
Key words: ​Circuit, transistors, emitter,
feedback, biasing, collector.
I. I​NTRODUCCIÓN
I.1. ​ E​STADO​ ​DEL​ ​ARTE
Un transistor de unión bipolar (BJT) es un
dispositivo de estado sólido con tres
terminales, un circuito de conmutación y un
núcleo de procesamiento de señales. Un
transistor es un dispositivo cuya resistencia
interna se puede cambiar de acuerdo con la
señal de entrada. Este cambio de resistencia le
permite regular la corriente que fluye a través
del circuito conectado a él [1].
Por otro lado, se presentan diferentes
antecedentes de trabajos previos a este; el
siguiente trabajo según Bruno C. (Marzo,
2018.), tiene como objetivo estudiar los
diferentes puntos de polarización de un
transistor bipolar utilizando un circuito en el
que incluye una fuente de tensión encargada
de modificar el estado del transistor; donde se
llevaron a cabo consultas sobre el
funcionamiento del transistor BJT, así como se
realizó un análisis teórico del circuito de
polarización con su respectivo desarrollo
matemático e inclusión de las reglas empíricas
y por último se ejecutó una simulación de
barrido en continua para así llegar a cumlplir
el objetivo. Afirmaron que al utilizar un
transistor BJT efectivamente se cumplen las
reglas empíricas para obtener un punto Q
estable, así como también el cumplimiento de
las leyes de mallas que se aplicaron al circuito
de polarización [2].
También se presentó el antecedente de R.
Duitama. (2019), tiene como objetivo observar
la composición y el funcionamiento de las
diferentes configuraciones del transistor bjt, en
donde se diseñó y analizó estas mismas bajo
criterios de funcionamiento eligiendo con
certidumbre cada uno de los componentes que
las conforman para evitar el daño de circuitos
externos a los que se les conecta como
alimentación. Luego se mostró el
funcionamiento de cada uno de los montajes
propuestos, el análisis y los resultados
obtenidos, cada uno gracias a herramientas
como el simulador ORCAD y las herramientas
previstas en el laboratorio [3].

I.2. P​LANTEAMIENTO​ ​DEL​ ​PROBLEMA

Los transistores sin polarizar es considerado
como dos diodos contrapuestos con un
potencial de 0.7 V por cada diodo, Por otro
lado, si ambos diodos se polarizan ya sea
inversamente o directamente, esto provoca un
Fig 1.​ ​Montaje circuito 1
comportamiento el paso o no de la corriente,
los objetivos del presente informe es conocer,
diseñar e implementar los circuitos de Posterior a esto, se midieron las respectivas
corrientes de base y colector para así obtener
polarización necesarios para el trabajo del
transistor en la zona de activación el valor Beta mencionado previamente con la
fórmula (1)
II. M​ATERIALES​ ​Y​ ​MÉTODOS
II.1​ ​ M​ATERIALES B eta = Ic/Ib ​ (1)
● 10 Transistores 2N3904.
● Resistencias. Por consiguiente, en el circuito 2 se determinó
● 1 Multímetro. la polarización fija para los arreglos
● 1 Motor DC 12 V. transistorizados, es decir, emisor común, como
● 1 Fuente de voltaje. se ilustra en la “Fig 2”, donde los componentes
● 12 Cables de conexión. que se incluyen son RE (300 R), VCC (12 V),
● 10 Caimanes. RC (2K2) y un VCQ de70 %.
● 1 Protoboard.

Como herramienta a utilizar será Proteus

Design Suite, un software de automatización
de diseño electrónico en todas sus etapa:
diseño del esquema electrónico, construcción
de la placa de circuito impreso, simulación de
todo un conjunto, entro otros; esta herramienta
será la que se utilizará para realizar la
simulación del los cuatro circuitos de
polarización.

II.2 ​ P​ROCEDIMIENTO

Se determinó el valor Beta para el Fig 2. ​Montaje circuito 2

transistor 2N3904 del circuito 1, este
incluye los datos componentes RC (2K2),
VCC (12 V), comos se ilustra en la “Fig
1”; Beta se obtuvo manipulando el
potenciómetro P hasta que la tensión VC
esté ubicado lo más cerca del valor VCQ.
Del mismo modo, se realiza un circuito 3,
Emisor común realimentado por colector como
se observa en la “Fig 3”, donde los datos de
los respectivos componentes son los
mencionados previamente con los circuitos
anteriores.
 Fig 5​. ​Simulación circuito 1.

Fig 3. ​Montaje circuito 3

Por último, para el desarrollo de la presente A continuación, se observa la simulación

práctica, se realizó un circuito 3, este consta de del circuito 2 en la “Fig 6”, donde se hallo
emisor común, configuración universal, como el valor de voltaje que se mencionara más
se ilustra en la “Fig 4”, del mismo modo, son adelante.
los mismo datos mencionados previamente.

Fig 4​. ​Montaje circuito 4.

Fig 6​. ​Simulación circuito 2.
Para determinar la polarización de los 3
arreglos, se calcularon las diferentes Posteriormente, en la “Fig 7”, se ilustra el
resistencias comerciales, RB, R1, y R2, según circuito 3, donde de la misma forma al
los diferentes circuitos. anterior se halló el voltaje, valores
necesario para un óptimo desarrollo de
II.2 ​ S​IMULACIONES práctica.
A continuación se observarán las simulaciones
realizadas con la herramienta ​Multisim.
En la “Fig 5” se puede observar la simulación
del circuito 1, donde se hallaron las corrientes
y voltajes, datos necesarios para la realización
de la tabla que se mencionara posteriormente.
 III. D​ATOS​ ​Y​ ​ANÁLISIS​ ​DE​ ​RESULTADOS

III.1 ​ T​ABLAS​ ​RESULTADOS​ ​CIRCUITO​ 1

Inicialmente se realizó una asignación para

el valor de la resistencia RB y para el
potenciómetro, en este caso el valor se
calculó como resultado fue 13,1K Ω , el
objetivo era que para el punto V cq obtener
un voltaje del 70% del V cc , ​el cual, era
equivalente a 8,40V. Se realizó un circuito
cuyo objetivo principal era calcular el
valor Beta el cual dió como resultado
99,56 A.

III.1.1 ​ T​ABLA​ 1 ​CIRCUITO​ 1

RB ( Ω ) P (Ω) V cq (V)
Fig 7​. ​Simulación circuito 3.
12K 12.18K 8,40
Por último, se observa en la “Fig 8”,
igualmente a los previos circuitos ya III.1.2 ​ T​ABLA​ 2 ​CIRCUITO​ 1
mencionados se usa un voltímetro, para
obtener el dato deseado. RB ( Ω ) P (Ω) V cq (V)

12K 625 75,7​M

12K 1,18K 77,5​M

12K 2,09K 80,5​M

12K 2,36K 81.4​M

12K 2.75K 82.7​M

12K 3.27K 84.5​M

12K 3.93K 86.8​M

12K 5.89K 94.4​M

12K 8.64K 109​M

12K 9.3K 115​M

12K 10.4K 131​M

12K 11.0K 114​M

Fig 8​. ​Simulación circuito 4.
12K 11.3K 155​M

12K 11.53K 176​M

 12K 11.92K 3.51 estimación de valores posibles para RB,
con el mismo objetivo, en que el voltaje en
12K 12.18K 8.4
el punto V cq sea equivalente al 70% del
12K 12.58K 11.9 V cc , ​el cual es 8,40V.
12K 12.84K 11.9
III.3.1 ​ T​ABLA​ 1 ​CIRCUITO​ 3
12K 12.97K 11.9
RB ( K Ω ) V cq (V)
12K 13K 12
100 4,28

300 6,60
III.2 ​ T​ABLAS​ ​RESULTADOS​ ​CIRCUITO​ 2
400 7,32
Luego, para el segundo circuito, en el cual
600 8,32
se determinó una polarización fija para el
circuito de emisor común. Se realizó una 620 8,40
estimación de valores posibles para RB,
630 8,43
con el mismo objetivo basado en que el
voltaje en el punto V cq sea equivalente al 700 8,68
70% del V cc , ​el cual es 8,40V.
III.4 ​ T​ABLAS​ ​RESULTADOS​ ​CIRCUITO​ 4
III.2.1 ​ T​ABLA​ 1 ​CIRCUITO​ 2
Por último, para el cuarto circuito, se
RB ( Ω ) V cq (V) realizó la polarización para el arreglo de
emisor común, configuración universal, en
50 9,45
el cual se llevó a cabo, una estimación de
80 8,78 valores posibles para R1 y R2, con el
mismo objetivo, en que el voltaje en el
90 8,58
punto V cq sea equivalente al 70% del V cc
95 8,49 , ​el cual es 8,40V.
96 8,47
III.4.1 ​ T​ABLA​ 1 ​CIRCUITO​ 4
100 8,39
R1 ( Ω ) R2 ( Ω ) V cq (V)
110 8,22
39 510 8,40
200 6,95

300 6,02 III.4.2 ​ T​ABLA​ 2 ​CIRCUITO​ 4

RB ( Ω ) V cq (V)
III.3 ​ T​ABLAS​ ​RESULTADOS​ ​CIRCUITO​ 3
300 4,75
En el caso del tercer circuito, se realizó la
250 5,91
polarización para el arreglo de emisor
común de realimentación por colector, en 200 5,56
el cual nuevamente se procedió a una
 V th = I c * Re + V be
150 6,28
V th = VR1+R2
cc*R2

100 7,26 V th * (R1 + R2) = V cc * R2

80 7,76 R1 + R2 = V cc *R2
V th
V cc*R2
R1 = V th − R2
59 8,38
V. C​ONCLUSIONES
50 8,58

40 9,04 Este laboratorio permitió confirmar la teoría

base para respectivos circuitos que contengan
transistores, del mismo modo se confirmó, que
IV. C​ÁLCULOS sí se observa en la práctica, el Beta “B” no
➔ Circuito 1 depende del transistor para los valores medios.
Así como también se comprobó que la
Ic
B= Ib = 99, 50 corriente del colector depende de la corriente
V cc = V B + V BE base.
I B = 12, 4μA
Ic = B * IB También se concluye que el transistor opera en
I e = (B + 1) * I B tres estados, lineal, saturación y corte, los
V cc = V C + V CE = I C RC + V CE cuales dependen de VCE e IC.
I c = 1, 94mA
V cc −V BE Por último, se confirma que el
RB = IB comportamiento fundamental del transistor es
que genera una corriente en el colector que es
➔ Circuito 2 proporcional a la corriente que entra (NPN) o
sale (PNP) por la base, la constante de
V cc = V B + V BE + V E proporcionalidad se llama la Ganancia de
I e = (B + 1) * I B Corriente de Emisor Común y se indica por
V cc = I B RB + V BE + (B + 1) * I B RE β = Ic/ Ib.
V cc = V C + V CE + V E
IE≈ IC R​EFERENCIAS

➔ Circuito 3 [1] A., S. ​Polarización del transistor BJT​.

V cc = V CE + V B + V BE + V E
I C = B* I B
I e = I C + I B = (1 + B )I B
V cc = RC * (1 + B )I B + RB I B + V BE + (1 + B )I B RE
V ce = V CC − I C (RC + RE )
IE≈ IC
Microsoft Word,
file:///C:/Users/FeRnAnDo/Download
s/enunciado%20P4.pdf.
[2] Bruno, Cristian. “Lab2 polarizacion

transistor.” ​slideshare,​ 15 Marzo

2018,
➔ Circuito 4
https://es.slideshare.net/cristianbruno8
V bb−V be
Ic = Re
 /lab2-polarizacion-transistor. Accessed

08 02 2021.

[3] Duitama, Rolando. “Caracteristicas y

polarizaciones del transistor bjt.”

coursehero​,

https://www.coursehero.com/file/3510

5097/polarizacion-bjtdocx/. Accessed

08 02 2021.