 DIODO LED O DIODO EMISOR DE LUZ

El diodo emisor de luz o LED (light-emitting diode) es un fuente de luz que emite
fotones cuando se recibe una corriente eléctrica de muy baja intensidad. El LED por lo
general se encierra en un material plástico de color que acentúa la longitud de onda
generada por el diodo y ayuda a enfocar la luz en un haz
1. Funcionamiento: Al polarizar directamente el diodo led se provoca una producción de
fotones como consecuencia de la recombinación entre electrones y huecos. Se debe
considerar que la intensidad de la luz se relaciona con la cantidad de corriente que
fluye a través del dispositivo, así también una relación en la longitud de onda que
corresponde a cada color.
Si se va incrementando la tensión de polarización el diodo led comienza a emitir
fotones y al observar un haz de luz significa que se alcanzó la tensión de encendido,
por lo tanto, conforme se va incrementando la tensión de polarización se aumenta la
intensidad de luz emitida. Considerando que al aumentar la tensión y por lo tanto la
intensidad de luz emitida, también se tiene una variación al aumento de la intensidad
de la corriente y puede verse disminuida por la recombinación Auger. Es importante
recordar que un LED tiene una caída de voltaje de 1.5 a 2.5V al ser polarizado
directamente (La caída de voltaje varía dependiendo del tamaño del led, color,
composición y otros factores).
2. Partes:
1. Encapsulado de resina epoxy.
2. Diodo semiconductor emisor de luz.
3. Copa reflectora o cavidad reflectante
4. Yunque
5. Poste
6. Base
7. Base Plana(identifica la terminal negativa o cátodo).
8. Terminal de conexión (Negativo o cátodo)
9. Terminal de conexión (positivo o ánodo)
10. Cable de unión o bigote (Alambre muy fino)
3. Polaridad:
Un diodo LED únicamente puede ser polarizado directamente,
esto quiere decir que conduce corriente y emite luz, mientras que al ser polarizado
inversamente no conduce corriente y no emite luz.
4. Tipos de led:
 Arseniuro de Galio (GaAs): Luz infrarroja.
 Fosfuro de Arseniuro de Galio(GaAsP): Luz Roja infrarroja, Rojo y Naranja.
 Fosfuro de Arseniuro de Aluminio Y Galio (AlGaAsP): Rojo, Naranja y Amarillo
de alto brillo.
 Fosfuro de Galio (GaP): Rojo, Amarillo y Verde.
 Fosfuro de aluminio y Galio (AlGaP): Verde.
 Nitruro de Galio (GaN): Verde y Verde Esmeralda.
 Nitruro de Galio Indio: (GaInN): Cerca al Ultravioleta, Verde Azulado y Azul.
 Carburo de Silicio (SiC): Azul.
 Seleniuro de Zinc (ZnSe): Azul.
 Nitruro de aluminio y galio (AlGaN): Ultravioleta.
 DIODO LÁSER
Un diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a un emisor de luz diodo (LED).
Utiliza la unión p-n para emitir luz coherente en la que todas las ondas están en la
misma frecuencia y fase. Esta luz coherente es producida por el diodo láser usando un
proceso denominado «Amplificación de luz por emisión estimulada de radiación», que
se abrevia como LASER. Y dado que una unión p-n se utiliza para producir luz láser,
este dispositivo recibe el nombre de diodo láser. Antes de aprender más sobre el
proceso de trabajo de un diodo láser, veamos cómo la luz láser es diferente de otros
tipos de luz y sus ventajas.

1. Funcionamiento
 Absorción de energía: El diodo láser consiste en una unión pn donde agujeros y
electrones existe. (Aquí, un agujero significa la ausencia de un electrón). Cuando
se aplica un cierto voltaje en la unión p-n, los electrones absorben energía y hacen
la transición a un nivel de energía más alto. Los agujeros se forman en la posición
original del electrón excitado. Los electrones permanecen en este estado de
excitación sin recombinarse con agujeros durante un período de tiempo muy
pequeño, denominado tiempo de recombinación o estado superior de vida. El
tiempo de recombinación es de aproximadamente un nanosegundo para la
mayoría de los diodos láser.

 Emisión espontánea: Después de la vida del estado superior de los electrones

excitados, se recombinan con los agujeros. A medida que los electrones caen del
nivel de energía más alto a un nivel de energía más bajo, la diferencia de energía
 se convierte en fotones o radiación electromagnética. Este mismo proceso se usa
para producir luz en LED. La energía del fotón emitido está dada por la diferencia
entre los dos niveles de energía.

 Emisión estimulada: Necesitamos fotones más coherentes del diodo láser que los
emitidos a través del proceso de espontánea emisión. Se usa un espejo
parcialmente reflectante a cada lado del diodo para que los fotones liberados de la
emisión espontánea queden atrapados en la unión p-n hasta que su concentración
alcance un valor umbral. Estos fotones atrapados estimulan a los electrones
excitados a recombinarse con agujeros incluso antes de su tiempo de
recombinación. Esto da como resultado la liberación de más fotones que están en
fase exacta con los fotones iniciales y así la salida se amplifica. Una vez que la
concentración de fotones supera un umbral, escapan de los espejos parcialmente
reflectantes, lo que resulta en una luz coherente monocromática brillante.

2. Composición
 Contacto de metal
 Material de tipo P
 Región activa/intrínseca ( Material de tipo N)
 Material de tipo N
 Contacto de metal

3. Tipos

 Diodo láser de heterogestión doble

 En este tipo de diodos láser, una capa de confinamiento adicional de un
material diferente se intercala entre los dos materiales de tipo p y tipo n.
Cada una de las uniones entre diferentes materiales se llama
heteroestructura. Debido a la presencia de dos heteroestructuras, este tipo
de diodo láser se denomina diodo láser de doble heteroestructura (DH). La
ventaja de este diodo láser DH es que la región activa está confinada a una
capa delgada que proporciona una mejor amplificación óptica.

 Diodo láser de pozo cuántico

El diodo láser de pozo cuántico tiene una capa intermedia muy delgada,
que actúa como un pozo cuántico. Los electrones podrán usar niveles de
energía cuántica cuando pasen del nivel de energía más alto al nivel de
energía más bajo. Esto proporciona una mejor eficiencia para este tipo de
diodo láser.

 Separación de la heterostructura del diodo láser

La fina capa intermedia del diodo láser del pozo cuántico es muy pequeña
para confinar la luz emitida con eficacia. Para compensar esto, en el diodo
láser de heteroestructura de confinamiento separado, se agregan otras dos
capas sobre las tres capas iniciales. Estas capas tienen un índice de
refracción más bajo y ayudan a confinar la luz emitida efectivamente.

 Diodo láser de emisión de superficie de cavidad vertical (VCSEL)

Todos los diodos láser discutidos anteriormente, la cavidad óptica se coloca

perpendicular al flujo de corriente. Sin embargo, en los diodos láser que
emiten la superficie de la cavidad vertical, la cavidad óptica está a lo largo
del eje del flujo de corriente. Los espejos parcialmente reflectantes se
colocan cerca de los extremos de la cavidad óptica.

CARACTERÍSTICAS DEL DIODO LÁSER PI

El siguiente diagrama es un gráfico de la potencia óptica de salida en el eje y y la entrada de

corriente al diodo láser en el eje x.
Como nosotros aumenta el flujo de corriente al diodo láser, la potencia óptica de la luz de salida
aumenta gradualmente hasta un cierto umbral. Hasta este punto, la mayor parte de la luz emitida
se debe a la emisión espontánea. Por encima de esta corriente umbral, el proceso de emisión
estimulada aumenta. Esto hace que la potencia de la luz de salida aumente mucho incluso para
incrementos más pequeños en la corriente de entrada. La potencia óptica de salida también
depende de la temperatura y se reduce con la disminución de la temperatura.