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Escuela Politécnica Nacional

Facultad de Ingeniería Mecánica

Departamento de Materiales

Ciencia de Materiales I

Semestre 2017-B
S. Paciornik – DEQM PUC-Rio

Profa. Patricia I. Pontón, Ph.D.

e-mail: patricia.ponton@epn.edu.ec
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El Cristal Real
Defectos en la Estructura Cristalina
Libro de Texto – Callister: Capítulo 4
S. Paciornik – DEQM PUC-Rio

Presentación basada en las clases del Prof. Sidney Paciornik, Pontifícia

Universidad Católica de Rio de Janeiro (PUC-Rio)
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Defectos en la Estructura Cristalina
• Todos los cristales descritos hasta ahora son ideales, es
decir, no poseen defectos.
• Los cristales reales presentan innumerables defectos,
que se clasifican según su “dimensión”.
 Defectos Puntuales (dimensión: 0)
 Vacantes
 Impurezas intersticiales y substitucionales
 Defectos Lineales (dimensión: 1)
 Dislocaciones (dislocations)
 Defectos Planares (dimensión: 2)
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 Interfaces y contornos de grano

 Defectos Volumétricos (dimensión: 3)
 Vacíos, fracturas, inclusiones y otras fases.
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Defectos Puntuales
• Debido a la agitación térmica, los átomos de un cristal real
están siempre vibrando.
• Cuanto mayor es la energía térmica (o temperatura), mayor
será a probabilidad de que los átomos salgan de sus
posiciones, dejando un vacío (vacante) en su lugar.
• Por otro lado, dentro de la red cristalina existen
innumerables intersticios, espacios vacíos entre los
átomos, en los cuales es posible alojar otros átomos.
• Finalmente, es prácticamente imposible obtener un
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material infinitamente puro. Siempre existirán impurezas

presentes en la red cristalina.
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Visualización de Defectos Puntuales

Impureza
Auto-intersticial
átomo de la misma
Intersticial
red ocupando un átomo diferente
intersticio ocupando um
intersticio
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Impureza Vacante
Substitucional ausencia de
átomo diferente átomo
ocupando una vacante
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Concentración de defectos
• Para formar defectos es necesario disponer de energía.
• Normalmente esta energía es dada en la forma de
energía térmica. Esto significa que cuanto mayor es la
temperatura, mayor será la concentración de defectos.
• Para muchos tipos de defectos vale lo siguiente:
ND  Q D 
CD   exp
N  kT 
 Donde CD es la concentración de defectos (ND: número de
defectos, N: número total de sítios atómicos).
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 QD es la energía de activación para el defecto

 k es la constante de Boltzmann
 T es la temperatura absoluta en Kelvin
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Conc. de defectos (cont.)
• Ej: Concentración de vacantes en el cobre a 200ºC y a
1080ºC (Tf = 1084ºC)
 Datos: QD = 0.9 eV/atom (1 elétron-volt = 1.6 x 10-19 J)
k = 8.62 x 10-5 eV/atom-K

 T1 = 200 + 273 = 473 K

CD = exp (-0.9 / 8.62 x 10-5 x473) = 2.59 x10-10

 T2 = 1080 + 273 = 1353 K

CD = exp (-0.9 / 8.62 x 10-5 x1353) = 0.445 x10-3
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Conc. de defectos (cont.)

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Vacantes
• Todos los sólidos cristalinos contienen vacantes y en
realidad, no es posible crear un material exento de este
tipo de defectos.
• Para la mayoría de los metales, la fracción de vacantes
(Nv/N) a una temperatura inmediatamente inferior a su
temperatura de fusión es del orden de 10-4, es decir, un
sitio de cada 10 000 sitios de la red estará vacío.
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Gráfico de Arrhenius
• Gráfico de CD versus T

CD ln(CD)

QD = k tan()


ND  Q D 
CD   exp Q D  1
N  kT  ln C D   .
 k  T
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T 1/T
A partir de un gráfico experimental de
ln(CD) versus 1/T es posible determinar la
energía de activación.
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Impurezas
• Un metal puro que consiste en apenas un tipo de átomo es
simplemente imposible.
• Impurezas o átomos diferentes estarán siempre presentes y
algunos existirán como defectos puntuales en el cristal.
• A pesar de emplear técnicas relativamente sofisticadas es
difícil refinar metales hasta una pureza superior a 99,9999 %.
• Los metales más familiares no son altamente puros. Son
aleaciones, donde átomos de impurezas han sido adicionados
intencionalmente para conferir características específicas.
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(Ejemplo: la plata es una aleación compuesta por 92,5 % Ag y

7,5 % Cu).
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Impurezas
• Impurezas pueden asumir dos tipos de posición en la red
cristalina de otro material:
 Intersticios - espacios vacíos en la red – impureza intersticial
 Substituyendo un átomo del material – impureza substitucional
• Impureza intersticial - un ejemplo fundamental
 Carbono en -Hierro (acero)
Rint = a/2 - RFe a = 4RFe/3
RFe = 0.124 nm Rint = 0.0192 nm

Átomo de Carbono Sin embargo, RC = 0.077 nm =>

ocupando un intersticio RC / Rint = 4.01
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en la estructura BCC Es decir, el C está altamente

del Hierro comprimido en esta posición, lo que
implica en bajísima solubilidad (<
0.022 at % )
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Soluciones Sólidas
• La presencia de impurezas substitucionales genera una
mezcla entre los átomos de las impurezas y los del
material, dando como resultado una solución sólida.

Alcohol
Agua
Solución
Líquida
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Mezcla a nivel
molecular = Solvente

= Soluto
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Soluciones Sólidas
• Una solución sólida se forma cuando a medida que los
átomos de soluto son adicionados al solvente, la
estructura cristalina es mantenida y ninguna estructura
nueva es formada.

• ¿Qué es una aleación?

Una aleación es una solución sólida que resulta de la
adición de átomos de impurezas (soluto) a un metal
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(solvente).
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Las regras de Hume-Rothery
• Para que exista total miscibilidad entre dos metales, es
necesario éstos satisfagan las siguientes condiciones
 Sus radios atómicos no difiran más de 15%
 Tengan la misma estructura cristalina
 Tengan electronegatividades similares
 Tengan la misma valencia
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Solución Sólida
• Abajo del límite de solubilidad.
 Átomos de las impurezas se disuelven en la red cristalina
del solvente.
 Material monofásico
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Segunda fase
• Cuando el límite de solubilidade es excedido se forma
una nueva (segunda) fase.
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Latón (Cu-Zn)
bifásico