Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Mecánica

Lic. En Ingeniería Mecánica
Electrónica Industrial
Martha Aleyda de Ycaza

LABORATORIO
“LABORATORIO CON FET RESUELTO PARA EXPLICACIÓN”
Nombre: Mariah Brown
Cédula: 8-898-1315
e-mail: mariah.brown@utp.ac.pa

Fundamento Teórico
El transistor de efecto de campo (FET) que confiere sus sigas al nombre en inglés: “field-effect transistor” es
un tipo de transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. Los FET son
dispositivos con tres terminales: fuente, puerta y drenaje. Los FET controlan el flujo de corriente mediante la
aplicación de un voltaje a la puerta, que a su vez altera la conductividad entre el drenaje y la fuente.

Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican una operación de tipo portadora
única. Es decir, los FET usan electrones o agujeros como portadores de carga en su operación, pero no ambos.
Existen muchos tipos diferentes de transistores de efecto de campo. Los transistores de efecto de campo
generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.

Los FET’s, básicamente son de dos tipos: El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET y el transistor de
efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como semiconductor de óxido de metal,
MOS, o MOSFET.

En la siguiente figura se muestra un circuito que describe el comportamiento del transistor en mención.

Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero

posteriormente la corriente circula únicamente desde el surtidor al drenador, pero con la característica
determinante de no cruzar la juntura PN. Por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso,
aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la
corriente a través del canal N (Fig.B), puede efectuarse el control de este circuito. Al aumentar el voltaje
inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador
disminuye.

Existen JFET’s con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominándose “JFET canal P”.

El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura que
típicamente corresponde a 50V, debido a que destruiría el dispositivo. Si se aplica polarización directa a la
compuerta, circulará una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no está limitada por
una resistencia en serie con la compuerta que regule la corriente.

Los FET son dispositivos sensibles al voltaje con alta impedancia de entrada, del orden de 10.7 al 812 Ω. Dado
que esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET sobre los
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Electrónica Industrial
Martha Aleyda de Ycaza

BJT para usarlos como etapa de entrada a un amplificador de múltiples etapas. Estos reaccionan como
resistencias variables controladas por voltaje para valores pequeños de voltaje de drenaje a fuente. La alta
impedancia de entrada les permite almacenar la carga el tiempo suficiente para consentir que se utilicen como
elementos de almacenamiento. Los FET de potencia pueden disipar la alta potencia y pueden cambiar
corrientes grandes.

Dentro de los parámetros para los valores comerciales de los FET, se encuentran los siguientes: Voltaje VDS
corresponderían 25,30,40,50 Voltios y en cuanto a potencia 0.15,0.3,1.8,30 medidos en Watts.

Descritas estas características cruciales y propias de los FET, en comparación con los transistores BJT,
estudiados previamente en el curso se destacan como principal diferencia entre BJT y FET es que BJT es un
tipo de transistor bipolar donde la corriente involucra un flujo de portadores tanto mayoritarios como
minoritarios. A diferencia de, FET es un tipo de transistor unipolar donde solo fluyen los portadores
mayoritarios. A nivel de funcionamiento, la diferencia más clara es que los BJT requieren de una corriente en
la base para funcionar como interruptor o como amplificador, en diferencia de FET necesitan un voltaje en la
compuerta con respecto al surtidor para operar en la región de triodo, interruptor, o saturación, es decir,
amplificador.