INSTITUTO SUPERIOR TECNOLOGICO

COTOPAXI
MECI “A”
ELECTRONICA INDUSTRIAL
ING JOSE LEON

NOMBRE:
ALEXIS CHILUISA
CURSO:
3”A” MECI
TEMA:
TIPOS DE CIRCUITOS DE DISPARO DE LOS SCR
LATACUNGA- ECUADOR

02 DE ENERO DEL 2021

 CONSULTA

TIPOS DE CIRCUITOS DE DISPARO DE LOS SCR

Los SCR pueden hacer circular corrientes menores que 1 A y hasta 1000 A o más, por lo
tanto son muy útiles para actuar como interruptores en equipamientos eléctricos pesados
cuando reemplazan a los contactores.
Las siguientes son las ventajas:
No poseen partes móviles.
No producen arcos de contacto.
No se producen contactos deficientes debido a la corrosión o a la suciedad.

Además de alimentar y cortar la corriente, los SCR se utilizan para controlar el valor medio
de una corriente de carga sin disipar grandes potencias. En este último uso pueden
reemplazar a los reóstatos de gran tamaño y gran potencia, y a la vez, ahorrar energía
eléctrica.

Ilustración 1 DE LOS SCR

[ CITATION Fre18 \l 12298 ] El Rectificador Controlado de Silicio SCR puede hacer varias
funciones:
· Función de rectificación controlada: consiste en utilizar la propiedad de funcionamiento
unidireccional del dispositivo, que se comporta así de modo análogo a un diodo.
· Función de interruptor: permite la sustitución de contactos mecánicos.
· Función de regulación: la posibilidad de ajustar de forma precisa el instante de cebado del
tiristor permite controlar la potencia ó la corriente media de salida.
· Función de amplificación: la corriente de la señal de control puede ser muy débil si se
compara con la corriente principal; existe, pues, un fenómeno de amplificación en corriente
o en potencia. Esta “ganancia” puede utilizarse en ciertas aplicaciones.
 
 
Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta
corriente de compuerta (IG) fluye por la unión entre la compuerta y el cátodo, y sale del
SCR por la terminal del cátodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para
disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayoría de los SCR
requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que
hay una unión pn estándar entre la compuerta y el cátodo, el voltaje entre estas terminales
(VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura S1 se muestran las condiciones
que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare, la unión ánodo - cátodo debe
estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente
larga como para permitir que alcance un valor de corriente de ánodo mayor que la corriente
de mantenimiento, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.

Distintos circuitos de disparo (SCR)

Disparo por puerta.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en

la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y cátodo a la
vez que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y cátodo. 
- El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es:   VT = VG + IG × R 
- R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de máxima disipación de
potencia para obtener la máxima seguridad en el disparo 
R = VFG / IFG    

Ilustración 2 DISPARO POR PUERTA

Disparo por módulo de tensión. 
Es el debido al mecanismo de multiplicación por avalancha. Esta forma de disparo no se

emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma

fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrónicos. 

Ilustración 3 DISPARO POR

MODULO DE TENCION

Disparo por gradiente de tensión.

Una subida brusca del potencial de ánodo en el sentido directo de conducción provoca el
disparo. Este caso más que un método, se considera un inconveniente. 

Ilustración 4 Disparo por

gradiente de tensión.
Disparo por radiación.
Está asociado a la creación de pares electrón-hueco por la absorción de la luz del elemento
semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR. 

Ilustración 5 Disparo por

radiación.
Disparo por temperatura.
El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en
las uniones del semiconductor. Así, la suma de las corrientes tiende rápidamente al
aumentar la temperatura. La tensión de ruptura permanece constante hasta un cierto valor
de la temperatura y disminuye al aumentar ésta.
 

Ilustración 6 Disparo por temperatura.

Bibliografía
Pazmiño, F. (2018). sites google. En t. d. SCR. https://sites.google.com/site/tiristorescircuitos/scr-
disparos.