Tema 5: Transistor Bipolar.

Contenidos
5.1 Estructura
5.2 Modelo de Ebers-Moll
5.3 Curvas Características
5.4 Modelos de polarización
5.5 Modelos de pequeña señal
5.6 Ejemplo
1
 5.1 Estructura
Transistor Bipolar: Dispositivo de tres terminales constituido por
dos uniones p-n con una zona común.
Emisor
Emisor Colector Colector
P++ N+ P N++ P+ N
IE IC IE IC
I B Base I B Base

Símbolo
Emisor Colector
Emisor Colector

Base Base

I E  IC  I B

2
 5.1 Estructura

Emisor Colector Emisor Colector

P++ N+ P N++ P+ N
IE IC IE IC
I B Base I B Base

?
E C E C

IE IC IE IB IC
B IB B

3
 5.1 Estructura

Modos de Funcionamiento

Unión Emisor-Base Unión Base-Colector Modo de Funcionamiento

Polarización Directa Polarización Directa SATURACIÓN

Polarización Directa Polarización Inversa ACTIVO normal O DIRECTA

Polarización Inversa Polarización Directa ACTIVO INVERSO

Polarización Inversa Polarización Inversa CORTE

4
 5.1 Estructura
Efecto Transistor

P++ N+ P

IEp ICp
Emisor Colector
IBr
IE IEn ICn IC

IB
Base

5
 5.2 Modelo de Ebers-Moll

R  IR F  IF R  IR F  IF

E C C
E
IE IF IR IC IE IR
B IB IF IC
B IB
VEB VCB VBE VBC

I E  I ES  (e K T / q
 1)   R  I CS  (e K T / q
 1) I E  I ES  (e K T / q
 1)   R  I CS  (e K T / q
 1)
VEB VCB VBE VBC

I C   F  I ES  (e K T / q
 1)  I CS  (e K T / q
 1) I C   F  I ES  (e K T / q
 1)  I CS  (e K T / q
 1)
VEB
VBE
K T / q
I F  I ES  (e  1) IE  IF  R  IR I F  I ES  (e K T / q
 1)
IC   F  I F  I R
VCB
VBC
K T / q
I R  I CS  (e  1) I R  I CS  (e K T / q
 1) 6
I B  I E  IC
 5.2 Modelo de Ebers-Moll
Zona Activa

R  IR F  IF R  IR F  IF

E C C
E
IE IF IR IC IE IR
B IB IF IC
B IB

I C   F  I E  I CB 0 F F
F  ; F  I C   F  I B  I CE 0
I C   F  I C  I B   I CB 0 1   F  1   F 
I B  I E  IC
I C 1   F    F  I B  I CB 0 I CE 0
I
 CB 0
F  IB I
1   F 
IC   CB 0 I C   F  I B  I CE 0
1   F  1   F  7
 5.2 Modelo de Ebers-Moll
Simplificaciones del modelo

Corte
R  IR F  IF
E C
B
C IE  0
E VEB  VDON
IC  0
IE IF IR IC VCB  VDON
B IB IB  0

Activa Saturación

E C
VEC  VSAT
IE  IF B VEB  VDON
VEB  VDON VEB  VDON
IC   F  I F VCB  VDON
VCB  VDON
I B  1   F   I F IC   F  I B 8
I C   F  I B  I CE 0
 5.3 Curvas Características
Transistor Bipolar: Característica de Salida
Curvas del Transistor 2N2222
(Emisor Común)
Característica de Entrada

IC
200mA
IB=1mA
IB
1000uA
Saturación
Activa IB=0. 75mA

Activa
IB=0. 5mA
100mA

IB=0.25mA
500uA Saturación

IB=0
0A
Corte VCE
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V 14V 16V 18V 20V
Corte
VBE
0A 0V 0.1V 0.2V 0.3V 0.4V 0.5V 0.6V 0.7V 0.8V 0.9V1.0V 9
 5.3 Curvas Características
Transistor Bipolar: Característica de Salida
Curvas del Transistor 2N2222
(Emisor Común)
I C  iC  ic
Característica de Entrada
I E  iE  ie
I B  iB  ib
VBE  vBE  vbe
Análisis del punto de trabajo:
VCE  vCE  vce
Polarización
Análisis de Pequeña Señal
iC ic
iE ie
iB
ib
vBE
vbe
vCE
vce 10
5.4 Modelos de Polarización


1

Corte Activa Saturación

B C B
VDON IC
C VDON VCEsat
B C
E
E E
iB  0
vBE  VDON vBE  VDON vCE  VCESAT v  V iC    iB
iC  0 BE DON
iC    iB iB  0 vCE  VCESAT iB  0

B C VDON IC VDON VECsat

B C B C
E E
iB  0
E
vEB  VDON vEB  VDON vEC  VECSAT vEB  VDON iC    iB
iC  0 vEC  VECSAT iB  0
iC    iB iB  0
11
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
Zona Activa
C jx
 
V BE V BE
C v V
I C  Is  e VT
 Iso   1  CE   e VT
rx rc  VA 
V BE
C r r0 C js Is
v r IB  e VT


g mf  v  g mr  v
re 1
  
  Is VBET  
V

1
   e 
 I   
r   B       VT
 V   V  iB
 BE B 
BE ( v ,i )
 BE

 
 ( v BE B 
, i )

 VBE


 Is  e VT 

I C   v BE

gm     Is VT
 e  C
i
VBE ( v ,i ) VBE VT VT
BE C

( v BE ,i C ) 12
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
Zona Activa
C jx
 
V BE V BE
C v V
I C  Is  e VT
 Iso   1  CE   e VT
rx rc  VA 
V BE
C r r0 C js Is
v r IB  e VT


g mf  v  g mr  v
re

1
   
    
V BE
V CE 
1
  Iso  
 1    e VT
 1
 I   VA    1
v BE
 V A  v CE
r0   C  
      Iso   e VT  
  VCE   V CE   VA  iC
 (V CEQ , I CQ )     
 
 ( v CE , i C ) 

r   DC  r0 I C
 AC 
I B ( i C ,i B )
13
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
Zona Activa
C jx

C v
rx rc
C r r0 C js
v r
g mf  v  g mr  v
re
v
rx
v r r
r0
 AC  ib
v
rx r

v r C
C
r0 g m  v
 
AC  ib  AC  ib
v r

14
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
∆ic
Parámetros H Vent  f (Vsal , I ent )
∆ib 
 I sal  f (Vsal , I ent )
+
∆ice
+
- ∆vbe - vbe vbe
hie  hre 
ib Q
vce Q

ic ic
∆Ib
h11
∆Ic h fe  hoe 
+
+ ib Q
vce Q
∆Vbe
h12*∆Vce h21*∆Ib h22 ∆Vce
-

 vbe vbe
-
vbe   ib   vce
 ib Q vce Q
hie  rx  r  r h fe   AC 
i  ic  i  ic  v
1  c i b
v
ce
hre  0 h oe 
r0
   b Q ce Q

15
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
Parámetros H

Curvas de Entrada Curvas de Salida

IC
IB
1000uA 100mA

hie hoe

Saturación
Activa
∆Ic
500uA
∆Ib 50mA

Corte
∆Vec

VEB 0A
0A
500mV550mV600mV650mV700mV750mV800mV850mV
900mV
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V

∆Veb Corte 16
VEC
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
Parámetros H

Curvas de Entrada Curvas de Salida

IC
60mA
∆Vce 100mA

hre hfe

40mA

Activa
∆Ib
∆Ic
50mA

20mA

0A
0.5V 1.0V 1.5V 0A
Ib
Veb ∆Vbe 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V
Corte 17
VEC
 5.4 Modelos de Pequeña Señal
Zona Activa
Colector Común Base Común Emisor Común

ib ie ie ic ib ic

hic hrcvec hib hrbvcb hie hrevce vce

vbc 1/hoc v veb 1/hob
vcb vbe hfeib 1/hoe
bc

Colector Común Base Común Emisor Común

Impedancia de hie
hic  hie hib  hie
Entrada 1  h fe
Ganancia en Tensión h h
hrc  1  hre hrb  ie oe  hie hre
Inversa 1  h fe
h fe
h fc  1  h fe 
Ganancia en h fb  h fe
Corriente h fe  1
Admitancia de Salida hoe
hoc  hoe hob  h oe 18
h fe  1
 5.5 Ejemplo
Amplificador de una etapa
V2  10

R1  120 K RC  1K
iC
C1  1F
Q 2N 4248
V2  10 vS
RE  100
R2  20 K

R1  120 K I C (t )  ic (t )  iC
RC  1K
C1  1F
Q 2N 4248

V1 VS (t )  vs (t )  vS
R2  20 K RC  1K
R1  120 K
RE  100 ic (t )
C1  1F
Q 2N 4248

V1 R2  20 K vs (t )
V1  0.1  sen(2   10000  t ) RE  100

V1  0.1  sen(2   10000  t )

19
 5.5 Ejemplo
Curvas Características

Curvas de Entrada Curvas de Salida

IC
IB
1000uA 100mA

Saturación
Activa
500uA 50mA

Corte

VEB 0A
0A
500mV550mV600mV650mV700mV750mV800mV850mV
900mV
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V
Corte 20
VEC
 5.5 Ejemplo
Polarización
Suposición: Modo Corte

V2  10 V2  10

RC  1K
RC  1K
R1  120 K RB  17.14 K
I CQ
Q 2N 4248
V3  1.428
RE  100
R2  20 K
RE  100 VSQ

 DC  135 V3  vEB  iB  RB  iE  RE  0
VEBON  0.65 vEBQ  V3  iB  RB  iE  RE  0
vEB  1'428V
vEB  VEBON

21
 5.5 Ejemplo
Polarización
Suposición: Modo Saturación

V2  10
V2  10

RC  1K
R1  120 K RC  1K
iC RB  17.14 K
Q 2N 4248

vS V3  1.428
R2  20 K
RE  100
RE  100

V3  vEB  iB  RB  iE  RE  0
 DC  135
 V3  vEB  RE  iC
VEBON  vEB  0.65V iB 
RB  RE
 V2  iC  RC  iE  RE  VECsat  0
V2  VECsat  iC  RE  RC 
iB 
RE
22
iB   DC  iC
 5.5 Ejemplo
IB
50uA

Polarización
40uA

V2  10
V2  10

RC  1K
RC  1K
R1  120 K iC RB  17.14 K
Q 2N 4248 20uA

vS RE  100
R2  20 K V3  1.428
RE  100

VEB
 DC  135 V3  vEB  iB  RB  iE  RE  0
0A
300mV350mV400mV450mV500mV550mV600mV650mV700mV750mV
800mV

VEBON  vEB  0.65V iE  (1   DC )  iB vEB  0.69V

 V3  VEBON iB  23.9 A
iB   24 A
RB  (1   DC )  RE

Suposición: Modo Activa

23
 5.5 Ejemplo
IC)

Polarización 10mA

V2  10
V2  10

RC  1K
RC  1K
R1  120 K
Q 2N 4248
iC RB  17.14 K

5mA
RE  100 vS V3  1.428 IB=35uA
R2  20 K RE  100

IB=24uA
IB=20uA

IB=10uA
VECSAT  0.2V
 V2  iC  RC  iE  RE  vEC  0 IB=0
0A
iE  (1   DC )  iB 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V

VEC
vEC  V2  iC  RC  iE  RE  6.58V  VECSAT vEC  6.58V
vS  vCE  iE  RE  6.88V iC  3.1mA 24
 5.5 Ejemplo
Pequeña Señal r

r  AC  ib
v r0 RC
R2 R1
V1 vs (t )
RC  1K RE ic (t )
R1  120 K
ic (t )
Q 2N 4248
I C iC
R2  20 K vs (t ) gm    V EC V A  v EC
V1
RE  100 VEB VT r0  
( v EB ,i C ) I C ( v E ,i C )
iC
3.1mA
g m   0.12 S 45 . 7  6 . 58
V1  0.1  sen(2   10000  t ) 26mV r0   14 . 380 K 
0 . 0031

VA  45.7 VEB VT
r  
I B ( v EB ,iB )
iB r   DC  r0
26mV r  135 14.380 K  503K
r   1.09 K
23.9 A 25
 5.5 Ejemplo
Pequeña Señal

i1 ic

ib r  AC  ib RC
R2 vs (t )
V1 R1
RE

V1  RC  
vs    9.18  V1  0.9  sen(2   10000  t )V
V1  ib (r  (   1)  RE ) (r  (   1)  RE )

ic    ib
vs  ic  RC V1  
ic   0.00092  V1  0.92  sen( 2    10000  t )mA
( r  (   1)  RE )

26
 5.5 Ejemplo
VS
Simulación -5.0V

V2  10 -6.0V

R1  120K I C (t )  ic (t )  I CQ -7.0V

RC  1K
C1  1F
-8.0V
Q2N 4248 0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us500us
Tiempo
V1 VS (t )  vs (t )  VSQ
R2  20K 5.0mA
RE 100 IC

4.0mA
V1  0.1 sen(2  10000 t )

3.0mA
I c (t )  3.1mA  0.92  sen( 2    10000  t )mA

Vs (t )  6.88V  0.9  sen( 2    10000  t )V 2.0mA

0s 27
50us 100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us500us
Tiempo
 5.5 Ejemplo

Ejemplo Sencillo de Amplificador

IB
50uA

40uA

vEB  0.69V
20uA iB  23.9 A

0A VEB
300mV 350mV 400mV 450mV 500mV 550mV 600mV 650mV 700mV 750mV 800mV

28
 5.5 Ejemplo

Ejemplo Sencillo de Amplificador

IC
5.0mA
IB=35uA
IB=31uA

4.0mA

IB=24uA

IB=16uA

2.0mA

IB=0
0A
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V
VEC

29
 5.5 Ejemplo
Límite del Análisis Lineal
IC

10mA

V2  10 5mA

0A

R1  120K I C (t )  ic (t )  iC Tiempo
RC  1K -5mA0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us500us
C1  1F VS
Q2N 4248 0V

V1 VS (t )  vs (t )  vS -4V
R2  20K
RE  100
-8V

Tiempo
-12V
0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us500us
V1  1 sen(2   10000 t )
VCE
0V

I c (t )  3.1mA  9.2  sen( 2    10000  t )mA -4V

-8V
Vs (t )  6.88V  9  sen( 2    10000  t )V Tiempo
-12V 0s 50us 30
100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us500us
 5.5 Ejemplo
Fichero de descripción del
Simulación circuito

V2  10
*source BJT
.OP
R1  120K I C (t )  ic (t )  iC . TRAN 0 500us 0

RC  1K Re 0 1 100

C1  1F R2 0 2 20k
VS (t )  vs (t )  vS
R1 2 3 120k
Q2N 4248
V2 0 3 10V
V1 C1 4 2 1u
R2  20K
V1 4 0 AC 0.1
RE  100
+SIN 0 0.1 10000 0 0 0
Rc 5 3 1k
Q1 5 2 1 Q2N4248
V1  0.1 sen(2  10000 t ) .end

31
 5.5 Ejemplo
Simulación Fichero de Simulación
**** 11/29/02 13:39:40 ********* PSpice 9.0 (Nov 1998) ******** ID# 0 ********
** circuit file for profile: pp

V2  10 **** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

***************************************************************************
***
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

R1  120K I C (t )  ic (t )  iC NAME Q1
MODEL Q2N4248
RC  1K IB -2.39E-05
C1  1F
VS (t )  vs (t )  vS IC
VBE
-3.23E-03
-6.93E-01
Q2N 4248 VBC 5.75E+00
VCE -6.45E+00
V1
BETADC 1.35E+02
R2  20K
RE  100 GM 1.23E-01
RPI 1.08E+03
RX 1.00E+01
RO 1.59E+04
CBE 6.90E-11
V1  0.1 sen(2  10000 t ) CBC 3.24E-12
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.33E+02
CBX/CBX2 0.00E+00
FT/FT2 2.71E+08

32