Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o del signo
de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transitor, éste se puede
encontrar en alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el gráfico de la
derecha. Estas regiones son; Región activa directa, Región de saturación, Región de corte y
Región activa inversa. A continuación podemos observar el comportamiento de cada una de
estas regiones.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos por el potencial
positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión BC, y dar origen a la corriente de
colector IC
Región de corte
En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
depleción en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga
móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios sí pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan
lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prácticos, a un circuito abierto.
Región de saturación
Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación den esta región
corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa
como un interruptor cerrado (VCE 0).
Si se sobrepasa la máxima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto
(VCBO), o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la
unión colector - base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de
cualquier diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones
por debajo de los límites anteriores debido a la aparición de puntos calientes (focalización
de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unión base - emisor
en directo. En efecto, con dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la
zona de base que reduce el paso de dicha polarización se crea un campo magnético
transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña
zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha
zona es proporcional al grado de polarización de la base, a la corriente de colector y a la
VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenómeno
degenerativo con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este
fenómeno, con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el
nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es
producir unos codos bruscos que desvían la curva de la situación prevista (ver gráfica
inferior derecha).
El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria
durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra
unas curvas límite en la zona activa con los tiempos límites de trabajo, conocidas como
curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para
corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con la
polarización inversa de la unión base-emisor se produce la focalización de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. Los límites de IC y VCE
durante el toff vienen reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
Curvas características
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para
determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:
Características VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el nombre
de curvas características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la
de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran ayuda para
localizar averías en circuitos con transistores.
La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse dado que
la unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguirá el
mismo comportamiento que aquel.
Características VCE-IC
Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco más compleja, y las curvas quedarán como representa la siguiente figura:
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión VCE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unión del colector
entra en la región de ruptura y éste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión VCE
es muy pequeña (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector será muy débil,
obteniéndose una ganancia de corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa VCE
debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga RL. La tensión aplicada a esta
resistencia se corresponderá con la tensión total aplicada por la fuente VCC menos la caída
de tensión que se produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresión, que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga:
Para dibujar esta recta sobre la curva característica, lo primero que hay que hacer es
encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0
Para IC=0
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte,
punto de saturación, punto de trabajo.
Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un transistor, se tiene
que procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia máxima. Esto
se consigue eligiendo valores adecuados de la tensión de fuente VCC y de la resistencia de
carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, esté siempre por
debajo de la curva de potencia máxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta
situación:
Como ejemplo, supongamos que las curvas características del transistor ensayado es la que
se muestra en la figura de la izquierda.
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que varía en función dela
intensidad que se le aplique a su base IB. Por esta resistencia variable circula una corriente
IC, relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorífica o calentamiento,
debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensión VCE,
aplicada entre el colector y el emisor, por la intensidad de colector IC. (P = VCE·IC).
Así, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia máxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre la familia de curvas de
colector, para así poder determinar para qué tensiones de colector-emisor y corrientes de
colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores límite, en el caso del transistor BC107 se deberá
cumplir en todo momento la expresión:
Luego la curva de potencia máxima para este transistor será tal que el producto
VCE·IC=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector
del transistor BC107, y en las que se ha añadido la curva de potencia máxima.
Por lo general, en las hojas de características técnicas se indica la potencia máxima para
una temperatura ambiente de 25ºC.
En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que encontrar la potencia
máxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus límites de
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones técnicas aparece la curva de
reducción, como la que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25ºC, la potencia máxima es
de 125mW. Sin embargo, para 55ºC, la potencia máxima disminuye a 50mW.
La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrófono (transforman ondas sonoras en señales eléctricas que
siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores térmicos, luminosos, etc.
Ampliación
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partirá del circuito
de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuración denominada de emisor
común.
El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté polarizada en sentido directo. Una
batería Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensión de polarización inversa a la unión del emisor.
La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres componentes: Ine, Ibb e Inc. De
ellas, tan sólo las dos primeras dependen directamente de la tensión Veb. Nos
limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones.
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una señal
alterna de pequeña amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequeña para que
puedan ser despreciados los efectos dinámicos que no han sido tenidos en cuenta en
el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una corriente alterna -Ib-
AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que existía para un incremento de tensión 0, se
superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de base.
Al realizar el análisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de señal alterna y
sustituiremos los componentes por su equivalente para continua.
Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, el más
popular es del modelo en parámetros h.
Trabajar con los parámetros h constituye una gran ventaja ya que podemos sustituir el
transistor por este sencillo circuito que nos permitirá hallar la expresión de la señal de
salida en función de la señal de entrada y de los parámetros de transistor.