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Practica 1B PDF
Practica 1B PDF
• Bias point para determinar VDS, ID, Av, Zin e Zo en las dos configuraciones del laboratorio
• DC sweep para obtener las curvas def FET (VDS----ID; VGS--------ID)
1 2N3819
2 J2SK163
3 J2SK170
4 J2SK184
5 J2SK1875
6 J2SK198
7 J2SK208
8 J2SK212
9 J2SK218
10 J2SK223
11 J411
12 J2SK105
En un archivo en PDF, colocar el circuito que monto en Orcad, un pantallazo de la configuración de
la simulación y el resultado de la simulación, además al inicio del trabajo, una vez coloquen los
nombres y código de los integrantes, deben colocar las dos tablas que se muestran a continuación
con los resultados obtenidos de las simulaciones. Solo van a subir a la plataforma PLAD el trabajo
en PDF. Los archivos de la simulación los guardan en sus archivos personales, probablemente los
vamos a volver a utilizar en próximas actividades.
Fuente
común
Drenaje
común
Simulación
Modelo de Orcad
Departamento de electricidad y electrónica. Plan de estudios de Ingeniería Electromecánica
Laboratorio de electrónica II. Electrónica II
Práctica Nº 1B: “Configuraciones Básicas de Amplificación con Transistores JFET con ORCAD”
Docente: Ing. Julián Ferreira Jaimes
1. Utilizando el barrido en DC (DC Sweep) en Orcad obtenga las curvas características del
FET (VDS vs ID) y determine los parámetros internos del JFET (IDSS, VTR, K); compare los
resultados obtenidos con los parámetros del modelo de Spice.
2. Realice la simulación del amplificador Fuente Común, y obtenga los siguientes
parámetros:
a) El punto de operación, VDS y ID.
b) El cálculo de AV, Zi y Z0.