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P45N02LDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo.

Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P45N02LDG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 32 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 221 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252