Transistores bipolares o BJT

Jesus David Bermudez Corredor

Universidad Cooperativa de Colombia
Ingeniería Electrónica
13/08/2020
Jesus.bermudez@campusucc.edu.co

Abstract— In this document we will explain in depth the Historia

El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del
bipolar transistors or bjt with its operation where it is transistor de unión, fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell
most used in the industry and some practical examples Telephone Company por John Bardeen y Walter Houser Brattain
of its functions. bajo la dirección de William Shockley, cuya primera patente
solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948,1a la
cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este
I. INTRODUCCIÓN dispositivo.234 El transistor bipolar de unión, inventado por
En este documento explicaremos a profundidad los Shockley en 1948,5fue durante tres décadas el dispositivo favorito
transistores bipolares o bjt con su funcionamiento donde es en el diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso
mas usado en la industria y algunos ejemplos prácticos de sus de los BJTs ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el
funciones. diseño de circuitos digitales integrados.
II. DESARROLLO DE CONTENIDOS

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction

transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen Principio de Funcionamiento
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja. Característica idealizada de un transistor bipolar.
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en
directa y la unión base-colector en inversa.6 Debido a la agitación
térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
usan generalmente en electrónica analógica, aunque también en prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por
algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
TTL o BiCMOS.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la
región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión
base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo
a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región
dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja
esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
colector. mayoritarios en la base.
Colector, de extensión mucho mayor.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente
delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de
esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador
minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de
difusión de los electrones.
Teoría y Modelos Matemáticos
Análisis en continua
El modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación
normal son determinadas por:
La corriente interna de base es principalmente por difusión y
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de
emisor, debido a que el valor de αT es muy cercano a 1,0. En el
transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente
base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-
emisor. La relación entre la corriente colector-emisor con la
base-emisor es llamada ganancia, β o hFE. Un valor de β de 100
es típico para pequeños transistores bipolares. En una
configuración típica, una señal de corriente muy débil circula a
través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre
emisor-colector. β está relacionada con α a través de las
siguientes relaciones:
Eficiencia del emisor:
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en parámetro β:
cualquier región del transistor están expresadas más abajo. Estas
ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un
transistor de unión bipolar.
Tipos de Transistor de Unión Bipolar
Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN,
debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material
dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del
colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Ejemplo práctico de uso de un transistor bipolar NPN
En el ejemplo particular mostrado
en la imagen, hay un transistor del
tipo NPN cuyo punto
funcionamiento Q (de la expresión
inglesa Quiescente Point, punto
estático) en corriente continua es
desconocido. Hallar el punto Q
consiste en calcular la corriente
que atraviesa el colector del
dispositivo (IC) y la tensión
colector-emisor (VCE).
La corriente que atraviesa la base (IB), con referencia al diagrama
se calcula así:
Reemplazando los datos:
Seguidamente, se calcula la corriente de colector, recordando que su
valor es igual a la corriente de la base, multiplicada por el
Finalmente, se halla el valor de la tensión Colector-Emisor:
PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras

"P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy
en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material

semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P.
Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una
pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y

apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula
cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Bibliografía

 https://cdmxelectronica.com/transistores-bjt/

 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C
3%B3n_bipolar#:~:text=El%20transistor%20de%2
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20de%20sus%20terminales.

 https://unicrom.com/que-es-un-transistor-bipolar/

 https://prezi.com/aphivbbcqkcs/transistores-bjt/

 http://www.itlalaguna.edu.mx/academico/carreras/
sistemas/Ecabas/ecabaspdf/TRANSISTORES.pdf